JPS6217161A - 窒化アルミニウムの製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウムの製造方法Info
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- JPS6217161A JPS6217161A JP15753785A JP15753785A JPS6217161A JP S6217161 A JPS6217161 A JP S6217161A JP 15753785 A JP15753785 A JP 15753785A JP 15753785 A JP15753785 A JP 15753785A JP S6217161 A JPS6217161 A JP S6217161A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、窒化アルミニウム(以下AQNという)の製
造方法に関する。
造方法に関する。
来の技術 びその問題点
AQNは、耐熱性、熱伝導性等に優れているので、近時
、高温用容器、IC基板等の材料として注目されている
。AQHの製造方法としては、アーク法、アルミナ還元
法、アルミニウムハライドを窒化する方法、直接窒化法
等が知られている。
、高温用容器、IC基板等の材料として注目されている
。AQHの製造方法としては、アーク法、アルミナ還元
法、アルミニウムハライドを窒化する方法、直接窒化法
等が知られている。
このうちでも、比較的高い生産性の故に、窒素ガス(以
下N2ガスという)及び/又はアンモニアガス(以下N
H3ガスという)中でAQ粉末と窒素成分とを高温下に
反応させるいわゆる直接窒化法が、広く採用されている
。
下N2ガスという)及び/又はアンモニアガス(以下N
H3ガスという)中でAQ粉末と窒素成分とを高温下に
反応させるいわゆる直接窒化法が、広く採用されている
。
しかしながら、直接窒化法においては、AQの融点以上
の温度で反応を行なう必要がある為、融解したAQ粉末
が凝集して塊状となり、窒化が充分に進行し難いという
問題点を生ずる。この為、反応促進剤をAQ粉末に添加
したり、部分的に窒化した塊状AQを砕いて再度窒化処
理に供したり、 1或いはAQ粉末中にAQN
粉末を混在させてAQの凝集塊状化を防止するなどの試
みもなされているが、いずれの場合にも、反応率が十分
でなく、又生産性も満足すべきものとはいえないので、
根本的な問題解決策であるとは言い難い。
の温度で反応を行なう必要がある為、融解したAQ粉末
が凝集して塊状となり、窒化が充分に進行し難いという
問題点を生ずる。この為、反応促進剤をAQ粉末に添加
したり、部分的に窒化した塊状AQを砕いて再度窒化処
理に供したり、 1或いはAQ粉末中にAQN
粉末を混在させてAQの凝集塊状化を防止するなどの試
みもなされているが、いずれの場合にも、反応率が十分
でなく、又生産性も満足すべきものとはいえないので、
根本的な問題解決策であるとは言い難い。
問題点を解決するための手段
本発明者は、A Q 、Nの製造方法特に直接窒化法の
問題点に鑑みて種々研究を重ねた結果、A9粉末をN2
ガス及び/又はNH3ガス中でAQの融点未満の温度で
予備加熱した後、同様の雰囲気中でAQの融点以上の温
度で加熱する場合には、公知の直接窒化法の問題点が実
質上解消されることを見出した。即ち、本発明は、AQ
粉末をN2ガス及び/又はNH3ガス雰囲気中でAQの
融点を下回る温度で加熱した後、N2ガス及び/又はN
H3ガス雰囲気中でAQの融点以上の温度で加熱するこ
とを特徴とするAQNの製造方法を提供するものである
。
問題点に鑑みて種々研究を重ねた結果、A9粉末をN2
ガス及び/又はNH3ガス中でAQの融点未満の温度で
予備加熱した後、同様の雰囲気中でAQの融点以上の温
度で加熱する場合には、公知の直接窒化法の問題点が実
質上解消されることを見出した。即ち、本発明は、AQ
粉末をN2ガス及び/又はNH3ガス雰囲気中でAQの
融点を下回る温度で加熱した後、N2ガス及び/又はN
H3ガス雰囲気中でAQの融点以上の温度で加熱するこ
とを特徴とするAQNの製造方法を提供するものである
。
AQ粉末の窒化反応は、通常AQの融点以上の温度で行
なわれているが、一旦窒化反応がはじまるとその反応熱
により1500℃以上の高温か生ずるので、前述の如<
AQ粉末が溶融し、粉末同志が凝集し、窒化が十分に進
行しない。本発明においては、全面的な窒化反応に先立
って、AQ粉末をN2ガス及び/又はNH3ガス中でA
Qの融点に達しない温度で予備加熱することにより、A
Q粉末の表面にAQNの薄い皮膜を形成させる。
なわれているが、一旦窒化反応がはじまるとその反応熱
により1500℃以上の高温か生ずるので、前述の如<
AQ粉末が溶融し、粉末同志が凝集し、窒化が十分に進
行しない。本発明においては、全面的な窒化反応に先立
って、AQ粉末をN2ガス及び/又はNH3ガス中でA
Qの融点に達しない温度で予備加熱することにより、A
Q粉末の表面にAQNの薄い皮膜を形成させる。
次いで、この様なAQ粉末をN2ガス及び/又はNH3
ガス中でAQの融点を上回る温度で加熱すると、溶融し
たAQは、当初AQNの皮膜内に閉じ込められた状態に
あるので、A9粉末相互の凝集及び塊状化は防止される
。時間の経過とともに窒化反応が本格的に進行しはじめ
ると、AQN皮膜内の溶融AQは、皮膜のクラックから
N2ガス及び/又はNH3ガス中に流出して直ちに窒化
され、窒化反応が更に進行し、やがて窒化反応が完了し
て、所望のAQNが得られる。
ガス中でAQの融点を上回る温度で加熱すると、溶融し
たAQは、当初AQNの皮膜内に閉じ込められた状態に
あるので、A9粉末相互の凝集及び塊状化は防止される
。時間の経過とともに窒化反応が本格的に進行しはじめ
ると、AQN皮膜内の溶融AQは、皮膜のクラックから
N2ガス及び/又はNH3ガス中に流出して直ちに窒化
され、窒化反応が更に進行し、やがて窒化反応が完了し
て、所望のAQNが得られる。
本発明で使用するAQ粉末については、特に制限はない
が、粒径5〜200μ瓦程度で、アトマイズ法により得
られる球状乃至涙滴状のものが、好ましい。
が、粒径5〜200μ瓦程度で、アトマイズ法により得
られる球状乃至涙滴状のものが、好ましい。
N2ガス及び/又はNH3ガス中におけるAQ粉末の予
備加熱は、AQの融点よりも低い温度、より好ましくは
400〜650℃程度で行なう。
備加熱は、AQの融点よりも低い温度、より好ましくは
400〜650℃程度で行なう。
400’C以下では、AQ粉末の表面にAQNの皮膜が
十分に形成され難く、一方温度があまり高過ぎる場合に
は、発熱反応によってAQ粉末が部分的に融点を越えて
溶融し、凝集を生ずる危険性がある。予備加熱の時間は
、AQ粉末の粒径、予備加熱湿度等によっても異なるが
、少なくとも30分とすることが望ましく、1〜3時間
程度がより好ましい。時間が短か過ぎ場合には、AQN
皮膜が薄過ぎてAQ粉末の凝集防止効果が十分に発揮さ
れない。一方、ある一定厚さのAQN皮膜が形成される
と、それ以降は皮膜厚はめまり増大せず、従って凝集防
止効果も改善されないので、特に予備加熱を長時間性な
う必要はない。予備加熱は、AQ粉末の粒径(或いは表
面積)により影響される反応性に応じて、できるだけ低
温度且つ短時間で行なう0とが好まし0゛・
:予備加熱を終えたAQ粉末は
、N2ガス及び/ ;又はNHaガス中でAQ
の融点以上の温度で加熱される。反応開始時の温度は、
従来の直接窒化法よりは低い700〜1100℃程度が
好ましい。
十分に形成され難く、一方温度があまり高過ぎる場合に
は、発熱反応によってAQ粉末が部分的に融点を越えて
溶融し、凝集を生ずる危険性がある。予備加熱の時間は
、AQ粉末の粒径、予備加熱湿度等によっても異なるが
、少なくとも30分とすることが望ましく、1〜3時間
程度がより好ましい。時間が短か過ぎ場合には、AQN
皮膜が薄過ぎてAQ粉末の凝集防止効果が十分に発揮さ
れない。一方、ある一定厚さのAQN皮膜が形成される
と、それ以降は皮膜厚はめまり増大せず、従って凝集防
止効果も改善されないので、特に予備加熱を長時間性な
う必要はない。予備加熱は、AQ粉末の粒径(或いは表
面積)により影響される反応性に応じて、できるだけ低
温度且つ短時間で行なう0とが好まし0゛・
:予備加熱を終えたAQ粉末は
、N2ガス及び/ ;又はNHaガス中でAQ
の融点以上の温度で加熱される。反応開始時の温度は、
従来の直接窒化法よりは低い700〜1100℃程度が
好ましい。
一旦AQ粉末内部での窒化反応が開始されると、反応熱
により急激に温度が上昇するので、反応は著しく促進さ
れ、窒化は急速に完了する。粒径の小さい(即ち表面積
の大きい)A9粉末はど反応性が大きいので、反応開始
温度をより低くし得ることは、言うまでもない。
により急激に温度が上昇するので、反応は著しく促進さ
れ、窒化は急速に完了する。粒径の小さい(即ち表面積
の大きい)A9粉末はど反応性が大きいので、反応開始
温度をより低くし得ることは、言うまでもない。
え、!、1o□ 1
本発明によれば、窒化処理に際してAQ粉末の凝集を防
止し″)″・はぼ完全に窒化原性を行なわ [
t! 6 =−′!″h< −r−@ 6・1・1ゞ’
nE kt L ”’Cu(hiにiE 。
止し″)″・はぼ完全に窒化原性を行なわ [
t! 6 =−′!″h< −r−@ 6・1・1ゞ’
nE kt L ”’Cu(hiにiE 。
開始温度をより低くすることが可能であり、しか
lも得られたAQN粉末はより高品質のものである
。
lも得られたAQN粉末はより高品質のものである
。
実施例
以下実施例及び比較例を示し、本発明の特徴とするとこ
ろをより一層明らかにする。
ろをより一層明らかにする。
実施例1〜4
AQ粉末(商標”AC350”、東洋アルミニウム(株
)製、350メツシュ通過)109を電気炉に入れ、炉
内をN2ガスで1時間置換した。
)製、350メツシュ通過)109を電気炉に入れ、炉
内をN2ガスで1時間置換した。
次いで、N2ガスを1Q/分の割合いで供給しつつ、該
AQ粉末を10’C/分の速度で昇温し、AQの融点以
下の温度に保持して予備加熱した後、更にAQの融点以
上の反応開始温度まで昇温した。
AQ粉末を10’C/分の速度で昇温し、AQの融点以
下の温度に保持して予備加熱した後、更にAQの融点以
上の反応開始温度まで昇温した。
第1表に予備加熱条件、窒化処理条件及び得られたAQ
N粉末の窒化率(X線回折による)を示す。
N粉末の窒化率(X線回折による)を示す。
第 1 表
比較例 1
予備加熱を行なわない以外は実施例1と同様にしてAQ
粉末の窒化処理を行なったところ、AQ粉末が凝集して
塊状化し、所望のΔQN粉末は得られなかった。
粉末の窒化処理を行なったところ、AQ粉末が凝集して
塊状化し、所望のΔQN粉末は得られなかった。
実施例5〜6
予備加熱及び窒化処理用雰囲気ガスとしてN2 :NH
3=95 : 5 (容積比)とした混合ガスを使用し
て、実施例1と同様のAQ粉末の窒化を行なった。
3=95 : 5 (容積比)とした混合ガスを使用し
て、実施例1と同様のAQ粉末の窒化を行なった。
第2表に予備加熱条件、窒化処理条件及び得られたAQ
N粉末の窒化率を示す。
N粉末の窒化率を示す。
比較例 2
予備加熱を300’Cで30分間行なった以外は実施例
5と同様にしてAQ粉末の窒化処理を行なったところ、
粉末の一部が凝集して塊状化しており、予備加熱による
AQN皮膜の形成が不充分であることが判明した。
5と同様にしてAQ粉末の窒化処理を行なったところ、
粉末の一部が凝集して塊状化しており、予備加熱による
AQN皮膜の形成が不充分であることが判明した。
実施例 7
200メツシュ通過のAQ粉末(商標”ACloo”、
東洋アルミニウム(株)製)を使用し、予備加熱条件を
630’CX2時間、窒化処理条件を1000’CX2
時間とする以外は、実施例1と同様にして処理を行なっ
た。
東洋アルミニウム(株)製)を使用し、予備加熱条件を
630’CX2時間、窒化処理条件を1000’CX2
時間とする以外は、実施例1と同様にして処理を行なっ
た。
得られた粉末のX線回折パターンは、窒化アルミニウム
のみのピークを示し、窒化が完全に進行したことを示し
ていた。
のみのピークを示し、窒化が完全に進行したことを示し
ていた。
(以 上)
Claims (2)
- (1)アルミニウム粉末を窒素ガス及び/又はアンモニ
アガス雰囲気中でアルミニウムの融点を下回る温度で加
熱した後、窒素ガス及び/又はアンモニアガス雰囲気中
でアルミニウムの融点以上の温度で加熱することを特徴
とする窒化アルミニウムの製造方法。 - (2)第一段の加熱を温度400〜650℃で少なくと
も30分行なう特許請求の範囲第1項の窒化アルミニウ
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60157537A JPH0737664B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60157537A JPH0737664B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6217161A true JPS6217161A (ja) | 1987-01-26 |
JPH0737664B2 JPH0737664B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15651845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60157537A Expired - Lifetime JPH0737664B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0737664B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5126121A (en) * | 1991-05-03 | 1992-06-30 | The Dow Chemical Company | Process for preparing aluminum nitride powder via controlled combustion nitridation |
US5219804A (en) * | 1992-01-10 | 1993-06-15 | The Dow Chemical Company | Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder |
JP2002234711A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-23 | Ibaraki Kenkyusho:Kk | 窒化アルミニウムの製造方法および窒化アルミニウム |
WO2006103930A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Tama-Tlo Ltd. | 窒化アルミニウム含有物の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183608A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウムの製造方法 |
JPS61205606A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60157537A patent/JPH0737664B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183608A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウムの製造方法 |
JPS61205606A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5126121A (en) * | 1991-05-03 | 1992-06-30 | The Dow Chemical Company | Process for preparing aluminum nitride powder via controlled combustion nitridation |
US5219804A (en) * | 1992-01-10 | 1993-06-15 | The Dow Chemical Company | Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder |
JP2002234711A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-23 | Ibaraki Kenkyusho:Kk | 窒化アルミニウムの製造方法および窒化アルミニウム |
US7022301B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-04-04 | Ibaragi Laboratory Co., Ltd. | Process for producing aluminum nitride and aluminum nitride |
WO2006103930A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Tama-Tlo Ltd. | 窒化アルミニウム含有物の製造方法 |
JP5181329B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2013-04-10 | タマティーエルオー株式会社 | 窒化アルミニウム含有物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737664B2 (ja) | 1995-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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