JPS62135529A - ポリイミド前駆体 - Google Patents
ポリイミド前駆体Info
- Publication number
- JPS62135529A JPS62135529A JP27591585A JP27591585A JPS62135529A JP S62135529 A JPS62135529 A JP S62135529A JP 27591585 A JP27591585 A JP 27591585A JP 27591585 A JP27591585 A JP 27591585A JP S62135529 A JPS62135529 A JP S62135529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- polyimide precursor
- aromatic tetracarboxylic
- dianhydride
- formulas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はポリイミド前駆体に関し、更に詳しくは透明性
に優れ、ガラス、シリコンウェハなどの基板との接着性
が良好でしかも比較的低温での加熱処理による脱水環化
でポリイミドへの転化が可能なポリイミド前駆体に関す
る。
に優れ、ガラス、シリコンウェハなどの基板との接着性
が良好でしかも比較的低温での加熱処理による脱水環化
でポリイミドへの転化が可能なポリイミド前駆体に関す
る。
従来、半導体工業における固体素子の層間絶縁膜、なら
びに防湿膜、パッシベーション膜、α線遮蔽膜などの表
面保護膜、更には液晶配向、制御膜としては熱的に安定
でかつ化学薬品におかされない５ｉ０２などの無機物質
が用いられてきたが、プロセスが複雑であり、かつ得ら
れた膜が破損し易い欠点があった。無機物質に代る有機
物質としては耐熱性に優れたポリイミドが一般に使用さ
れてきた。通常、ポリイミド膜はポリイミド前駆体であ
るポリアミド酸の溶液をスピンナー塗布、スクリーン印
刷、ハケ塗りなどの方法で固体素子表面に塗布し３５０
〜４００℃の高温での加熱処理により脱水環化して不溶
性のポリイミドに転化している。
びに防湿膜、パッシベーション膜、α線遮蔽膜などの表
面保護膜、更には液晶配向、制御膜としては熱的に安定
でかつ化学薬品におかされない５ｉ０２などの無機物質
が用いられてきたが、プロセスが複雑であり、かつ得ら
れた膜が破損し易い欠点があった。無機物質に代る有機
物質としては耐熱性に優れたポリイミドが一般に使用さ
れてきた。通常、ポリイミド膜はポリイミド前駆体であ
るポリアミド酸の溶液をスピンナー塗布、スクリーン印
刷、ハケ塗りなどの方法で固体素子表面に塗布し３５０
〜４００℃の高温での加熱処理により脱水環化して不溶
性のポリイミドに転化している。
しかし近年、半導体素子、集積回路、液晶配向制御膜な
ど半導体装置の製造工程の簡略化、省力化の傾向が大き
く、特にポリイミド前駆体にあってはその加熱処理温度
が２００℃以下の低温であることが強く望まれていた。
ど半導体装置の製造工程の簡略化、省力化の傾向が大き
く、特にポリイミド前駆体にあってはその加熱処理温度
が２００℃以下の低温であることが強く望まれていた。
本発明は以上の従来の問題点を解消するためになされた
ものであり、２００℃以下の低温での加熱処理によりポ
リイミドへ転化することが可能なポリイミド前駆体の提
供を目的とする。
ものであり、２００℃以下の低温での加熱処理によりポ
リイミドへ転化することが可能なポリイミド前駆体の提
供を目的とする。
本発明のポリイミド市駆体は
一般式（１）
％式％（１）
Ｂ□、Ｂ２およびＢ、は同一であっても異なってもよく
、それぞれ、−ｏ−、−ｓ ＋、 −３ｏ２−、−Ｃｏ
−。
、それぞれ、−ｏ−、−ｓ ＋、 −３ｏ２−、−Ｃｏ
−。
れるジシアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物との
重合反応により得られるポリイミド前駆体において、ポ
リイミド前駆体の芳香族テトラカルボン酸残基の３０モ
ル％以上が３．３’ 、 ４．４’ −ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基であることを特徴とするものであ
る。
重合反応により得られるポリイミド前駆体において、ポ
リイミド前駆体の芳香族テトラカルボン酸残基の３０モ
ル％以上が３．３’ 、 ４．４’ −ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基であることを特徴とするものであ
る。
かかるポリイミド前駆体は低温での加熱処理により脱水
環化（イミド化）が行なわれるため、得、られたポリイ
ミドは黄褐色への着色が著しく小さく透明性に優れ、ガ
ラス、セラミックス、シリコンウェハなどの基板との接
着力を向上させるものである。さらに本発明のポリイミ
ド前駆体はポリイミド本来の耐熱性、電気絶縁性２機械
的特性耐薬品性などの優れた性能を何ら損うことがない
ので半導体装置の製造工程上極めて有利な有機物質と云
える。
環化（イミド化）が行なわれるため、得、られたポリイ
ミドは黄褐色への着色が著しく小さく透明性に優れ、ガ
ラス、セラミックス、シリコンウェハなどの基板との接
着力を向上させるものである。さらに本発明のポリイミ
ド前駆体はポリイミド本来の耐熱性、電気絶縁性２機械
的特性耐薬品性などの優れた性能を何ら損うことがない
ので半導体装置の製造工程上極めて有利な有機物質と云
える。
本発明において用いられる前記一般式（１）で表わされ
るジアミンの具体例としては、■、３−ビス（４′−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１．３−ビス（３′−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１．４−ビス（３′−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１．４ビス（４′−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、２，２−ビス（４’−（４’−７ミ
ノフエノキシ）フェニル〕プロパン、ビス（４−（４’
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−
（４’ −アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、
４．４’ −ビス（４′−７ミノフエノキシ）ジフェニ
ル、ビス〔４−（４′−アミノフェノキシ）フェニルコ
ケトン、４．４′−ビス（４′−アミノフェノキシ）ジ
フェニルメタン、２，２−ビス（４’ −（４“−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕へキサフロロプロパン。
るジアミンの具体例としては、■、３−ビス（４′−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１．３−ビス（３′−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１．４−ビス（３′−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１．４ビス（４′−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、２，２−ビス（４’−（４’−７ミ
ノフエノキシ）フェニル〕プロパン、ビス（４−（４’
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−
（４’ −アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、
４．４’ −ビス（４′−７ミノフエノキシ）ジフェニ
ル、ビス〔４−（４′−アミノフェノキシ）フェニルコ
ケトン、４．４′−ビス（４′−アミノフェノキシ）ジ
フェニルメタン、２，２−ビス（４’ −（４“−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕へキサフロロプロパン。
などを挙げることができる。これら化合物は単独のみな
らず二種以上混合して用いることも可能である０本発明
においては上記ジアミンに他のジアミンを併用すること
も可能である。併用する場合には一般式（りで示される
ジアミンの２０モル％以下の範囲で他のジアミンを置き
かえる。かかる他のジアミンとしてはｍ−フェニレンジ
アミン、ｐ−）ユニレンジアミン、４，４′ −ジアミ
ノジフェニルエーテル、４，４′ −ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルケトン、４
゜４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′ −ジア
ミノジフェニルメタン、４．４′ −ジアミノジフェニ
ルスルフィド、Ｐ−キシリレンジアミン、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、■、４−ビ
ス（３′ −アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン
などを挙げることができる。他のジアミンの使用量が２
０モル％を超えるとポリイミド前駆体を２００℃以下の
低温加熱処理でポリイミドへ転化することが困難となる
。
らず二種以上混合して用いることも可能である０本発明
においては上記ジアミンに他のジアミンを併用すること
も可能である。併用する場合には一般式（りで示される
ジアミンの２０モル％以下の範囲で他のジアミンを置き
かえる。かかる他のジアミンとしてはｍ−フェニレンジ
アミン、ｐ−）ユニレンジアミン、４，４′ −ジアミ
ノジフェニルエーテル、４，４′ −ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルケトン、４
゜４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′ −ジア
ミノジフェニルメタン、４．４′ −ジアミノジフェニ
ルスルフィド、Ｐ−キシリレンジアミン、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、■、４−ビ
ス（３′ −アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン
などを挙げることができる。他のジアミンの使用量が２
０モル％を超えるとポリイミド前駆体を２００℃以下の
低温加熱処理でポリイミドへ転化することが困難となる
。
本発明において用いられる芳香族テトラカルボン酸二無
水物の具体例としてはピロメリット酸二無水物、３．３
’ 、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、２．３．３’ ４’ −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３．３’ 、 ４．４’ −ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、１．２．５．６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，４゜５．８−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２゜３、６．７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エーテルニ無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）スルホンニ無水物、２，２−
ビス（３’ 、 ４’ −ジカルボキシフェニル）プロ
パンニ無水物、３．４．９゜１０−ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物、 ２．３゜６．７−アセトラセンテト
ラカルボン酸二無水物、１、２．７．８−フェナントレ
ンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる
。ただしこれら化合物のうち３．３’ 、 ４．４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をポリイミド
前駆体の芳香族テトラカルボン酸残基の３０モル％以上
が３゜３’ 、 ４ 、４’ −ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸残基になるようにすることが必須である。尚
本発明においてポリイミド前駆体の芳香族テトラカルＯ 〇 一ベンゾフェノンテトラカルボン酸残基という。
水物の具体例としてはピロメリット酸二無水物、３．３
’ 、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、２．３．３’ ４’ −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３．３’ 、 ４．４’ −ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、１．２．５．６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，４゜５．８−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２゜３、６．７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エーテルニ無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）スルホンニ無水物、２，２−
ビス（３’ 、 ４’ −ジカルボキシフェニル）プロ
パンニ無水物、３．４．９゜１０−ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物、 ２．３゜６．７−アセトラセンテト
ラカルボン酸二無水物、１、２．７．８−フェナントレ
ンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる
。ただしこれら化合物のうち３．３’ 、 ４．４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をポリイミド
前駆体の芳香族テトラカルボン酸残基の３０モル％以上
が３゜３’ 、 ４ 、４’ −ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸残基になるようにすることが必須である。尚
本発明においてポリイミド前駆体の芳香族テトラカルＯ 〇 一ベンゾフェノンテトラカルボン酸残基という。
本発明においてポリイミド前駆体製造のための重合反応
は公知の方法により行うことができる。
は公知の方法により行うことができる。
すなわち一般式（りのジアミンおよび芳香族テトラカル
ボン酸二無水物を充分に脱水した有機溶剤に溶解、また
は懸濁せしめ、８０℃以下、好ましくは５０℃以下の温
度で重合反応を行えば良い。ここで一般式（１）と芳香
族テトラカルボン酸二無水物はモル比で前者／後者が９
０／ｌｏｏ〜１００／９０の範囲、特に９５／１００〜
１００／９５の範囲で使用するのが好ましい。また、こ
こで用いる有機溶剤としては例えばＮ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、 Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルアミドなどを挙げることができる。
ボン酸二無水物を充分に脱水した有機溶剤に溶解、また
は懸濁せしめ、８０℃以下、好ましくは５０℃以下の温
度で重合反応を行えば良い。ここで一般式（１）と芳香
族テトラカルボン酸二無水物はモル比で前者／後者が９
０／ｌｏｏ〜１００／９０の範囲、特に９５／１００〜
１００／９５の範囲で使用するのが好ましい。また、こ
こで用いる有機溶剤としては例えばＮ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、 Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルアミドなどを挙げることができる。
本発明のポリイミド前駆体はそれ自体充分な基板への接
着力を有するものであるが尚一層の接着力の向上を目的
としてアミノシラン、エポキシシラン、ビニルシランな
どのシランカップリング剤およびチタネートカップリン
グ剤を併用することもできる。
着力を有するものであるが尚一層の接着力の向上を目的
としてアミノシラン、エポキシシラン、ビニルシランな
どのシランカップリング剤およびチタネートカップリン
グ剤を併用することもできる。
以上の説明で明らかなように本発明のポリイミド前駆体
は新規なジアミンを用い、かつ芳香族テトラカルボン酸
残基の３０モル％以上が３．３’ 、 ４゜４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸残基であるところから２０
０℃以下の低温での加熱処理によりポリイミドへの転化
が可能となったものであり、得られたポリイミドは接着
性、透明性に優れたものとなった。このような特徴を有
するポリイミド前駆体は半導体工業における固体素子の
層間絶縁膜、ならびに防湿膜、パンシベーション膜、α
線遮蔽膜などの表面保護膜、更には液晶配向制御膜など
に用いられ、半導体装置の製造プロセスの簡略化、製品
の信頼性の向上、製造コストの低減に大いに寄与するも
のである。
は新規なジアミンを用い、かつ芳香族テトラカルボン酸
残基の３０モル％以上が３．３’ 、 ４゜４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸残基であるところから２０
０℃以下の低温での加熱処理によりポリイミドへの転化
が可能となったものであり、得られたポリイミドは接着
性、透明性に優れたものとなった。このような特徴を有
するポリイミド前駆体は半導体工業における固体素子の
層間絶縁膜、ならびに防湿膜、パンシベーション膜、α
線遮蔽膜などの表面保護膜、更には液晶配向制御膜など
に用いられ、半導体装置の製造プロセスの簡略化、製品
の信頼性の向上、製造コストの低減に大いに寄与するも
のである。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。実
施例における対数粘度ηｉｎｈはＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶剤を用い、０．５ ｇ／ｄｕ溶液から３０℃の
温度で測定し次式により求めた値である。
施例における対数粘度ηｉｎｈはＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶剤を用い、０．５ ｇ／ｄｕ溶液から３０℃の
温度で測定し次式により求めた値である。
（式中、ｔｌはポリイミド前駆体溶液の流下時間、ｔ２
は溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンの流下時間で
ある。） またポリイミド前駆体からえられるポリイミド膜の接着
性評価は以下に記載するセロテープ剥離法によった。
は溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンの流下時間で
ある。） またポリイミド前駆体からえられるポリイミド膜の接着
性評価は以下に記載するセロテープ剥離法によった。
ＮＴカッターを用いてポリイミド被膜に切れ目を入れ２
ｍ角の基盤目５０個（よこ５個、たて１０個）を形成す
る。つぎにこの基盤目上に３Ｍ製セロテープを空気をか
み込まないように貼り付け、このセロテープを１８０度
方向に約５０ｍ／分の速度で剥離する。２Ｒ１角の一コ
マの半分以上のポリイミド膜が剥離したコマの個数をＹ
としＹ７５０で接着性を表示する。接着性は０１５０が
最も良く、５０１５０が最低である。
ｍ角の基盤目５０個（よこ５個、たて１０個）を形成す
る。つぎにこの基盤目上に３Ｍ製セロテープを空気をか
み込まないように貼り付け、このセロテープを１８０度
方向に約５０ｍ／分の速度で剥離する。２Ｒ１角の一コ
マの半分以上のポリイミド膜が剥離したコマの個数をＹ
としＹ７５０で接着性を表示する。接着性は０１５０が
最も良く、５０１５０が最低である。
実施例１
ピロメット酸二無水物５．４６４ ｇ （０，０２５モ
ル）および３．３’ 、 ４．４’ −ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物８．０８８ｇ （０，０２５
モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４０ｇにＭｆｆ
ｉした。この懸濁液を０℃に保持して撹拌しなから１，
３−ビス（４′−アミノフエノキシ）ベンゼン１４．６
２ ｇ （０，０５モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド５０ｇに溶解した溶液を２５分かけて徐々に添加し
、その後４時間撹拌を続けた。得られたポリイミド前駆
体のηｉｎｈは１．２１ｄＱ／ ｇであった。つぎに得
られたポリイミド前駆体溶液をＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６４ｇ添加して樹脂分濃度１０重量％となし、
スピンナー（５００ｒｐｍＸ ５秒＋３０００ ｒｐｍ
Ｘ３０秒）を用いガラス基板に塗布し９０℃で３０分間
乾燥した。その後このポリイミド前駆体を１．５０℃で
３０分間、２００℃で６０分間加熱処理することにポリ
イミドに転化した。得られたポリイミドは透明性が野良
で接着性を測定した結果０１５０の値を得た。
ル）および３．３’ 、 ４．４’ −ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物８．０８８ｇ （０，０２５
モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４０ｇにＭｆｆ
ｉした。この懸濁液を０℃に保持して撹拌しなから１，
３−ビス（４′−アミノフエノキシ）ベンゼン１４．６
２ ｇ （０，０５モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド５０ｇに溶解した溶液を２５分かけて徐々に添加し
、その後４時間撹拌を続けた。得られたポリイミド前駆
体のηｉｎｈは１．２１ｄＱ／ ｇであった。つぎに得
られたポリイミド前駆体溶液をＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６４ｇ添加して樹脂分濃度１０重量％となし、
スピンナー（５００ｒｐｍＸ ５秒＋３０００ ｒｐｍ
Ｘ３０秒）を用いガラス基板に塗布し９０℃で３０分間
乾燥した。その後このポリイミド前駆体を１．５０℃で
３０分間、２００℃で６０分間加熱処理することにポリ
イミドに転化した。得られたポリイミドは透明性が野良
で接着性を測定した結果０１５０の値を得た。
またポリイミド前駆体溶液をキャスティング法によりガ
ラス基板に塗布し室温から１２０°Ｃまで５℃／分の昇
温速度および１２０℃で２０分間乾燥しポリイミド前駆
体のフィルムを得た。このフィルムをガラス基板から剥
離し１５０℃で３０分間、２００℃で６０分間加熱処理
してポリイ・ミドに転化した。得られたポリイミドフィ
ルムの熱天秤（窒素気流中、１０℃／分で昇温）による
熱分解開始＠度は５３０ ℃であり、ポリイミド前駆体
はほぼ完全にポリイミドに転化していることが判った。
ラス基板に塗布し室温から１２０°Ｃまで５℃／分の昇
温速度および１２０℃で２０分間乾燥しポリイミド前駆
体のフィルムを得た。このフィルムをガラス基板から剥
離し１５０℃で３０分間、２００℃で６０分間加熱処理
してポリイ・ミドに転化した。得られたポリイミドフィ
ルムの熱天秤（窒素気流中、１０℃／分で昇温）による
熱分解開始＠度は５３０ ℃であり、ポリイミド前駆体
はほぼ完全にポリイミドに転化していることが判った。
比較例１
実施例１で使用した１、３−ビス（４′ −アミノフェ
ノキシ）ベンゼンの代わりに４．４′ −ジアミノジフ
ェニルエーテルを１０．０１ ｇ （０，０５モル）使
用し同様にしてポリイミド前駆体を得た。得られたポリ
イミド前駆体のηｉｎｈは１．６９ｄｆｆ／ｇであった
。この前駆体を実施例１と同様にしてガラス基板に塗布
し、ポリイミドに転化した。得られたポリイミドは実施
例１に比べ黄褐色の着色が濃いものであり、その接着性
は／１７１５０であった。又、実施例１と同様にポリイ
ミド前駆体からポリイミドフィルムを得このフィルムの
熱天秤による熱分析の結果、２１０°Ｃ近傍に６．０重
量％の重量減少が認められ、ポリイミド前駆体が大いに
残存していた。
ノキシ）ベンゼンの代わりに４．４′ −ジアミノジフ
ェニルエーテルを１０．０１ ｇ （０，０５モル）使
用し同様にしてポリイミド前駆体を得た。得られたポリ
イミド前駆体のηｉｎｈは１．６９ｄｆｆ／ｇであった
。この前駆体を実施例１と同様にしてガラス基板に塗布
し、ポリイミドに転化した。得られたポリイミドは実施
例１に比べ黄褐色の着色が濃いものであり、その接着性
は／１７１５０であった。又、実施例１と同様にポリイ
ミド前駆体からポリイミドフィルムを得このフィルムの
熱天秤による熱分析の結果、２１０°Ｃ近傍に６．０重
量％の重量減少が認められ、ポリイミド前駆体が大いに
残存していた。
実施例２
実施例１で使用した１、３−ビス（４′ −アミノフェ
ノキシ）ベンゼンの代わりに ３１．６４ ｇ （０，０５モル）を使用して７７ ｉ
ｎｈ ＝ ０．９７ｄＱ／ｇのポリイミド前駆体溶液を
得た。実施例１と同じ条件でガラス基板りでポリイミド
に転化した。
ノキシ）ベンゼンの代わりに ３１．６４ ｇ （０，０５モル）を使用して７７ ｉ
ｎｈ ＝ ０．９７ｄＱ／ｇのポリイミド前駆体溶液を
得た。実施例１と同じ条件でガラス基板りでポリイミド
に転化した。
得られたポリイミドは透明性が良好で接着性は０１５０
であった。 また、実施例１と同じ条件で得たポリイミ
ドフィルムの熱分解開始温度は４８９℃であり、ポリイ
ミドに転化していることが判った。
であった。 また、実施例１と同じ条件で得たポリイミ
ドフィルムの熱分解開始温度は４８９℃であり、ポリイ
ミドに転化していることが判った。
実施例３
３、３’ 、 ４．４’ −ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物８．０８８ ｇ （０，０２５モル）を
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ） ３０ｇに懸濁
した。この懸濁液を５℃に保持して撹拌しなから１，４
−ビス（４′−アミノフェノキシ）ベンゼン７．３５２
ｇ（０，０２５モル）を２０分かけて添加し、その後
３時間撹拌を続けた。溶液が極めて粘稠になったのでＮ
ＭＰ３０ｇを重合中に追加した。得られたポリイミド前
駆体のηｉｎｈは１．３７ ｄＱ／ ｇであった６つぎ
に得られたポリイミド前駆体溶液をＮ阿Ｐ７９ｇを添加
して樹脂分濃度１０重量％となしスピンナー（５００ｒ
ｐｍＸ５秒＋３０００ ｒｐｍＸ ３０秒）を用いシリ
コンウェハ上に塗布し以降実施例１と同じ条件でポリイ
ミド“に転化した。得られたポリイミドは透明性が良好
で接着性は０１５０であった。また実施例１と同じ条件
でポリイミド前駆体から得られたポリイミドの熱分解開
始温度σは５３６°Ｃであり、ポリイミドに転化してい
ることが判った。
ボン酸二無水物８．０８８ ｇ （０，０２５モル）を
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ） ３０ｇに懸濁
した。この懸濁液を５℃に保持して撹拌しなから１，４
−ビス（４′−アミノフェノキシ）ベンゼン７．３５２
ｇ（０，０２５モル）を２０分かけて添加し、その後
３時間撹拌を続けた。溶液が極めて粘稠になったのでＮ
ＭＰ３０ｇを重合中に追加した。得られたポリイミド前
駆体のηｉｎｈは１．３７ ｄＱ／ ｇであった６つぎ
に得られたポリイミド前駆体溶液をＮ阿Ｐ７９ｇを添加
して樹脂分濃度１０重量％となしスピンナー（５００ｒ
ｐｍＸ５秒＋３０００ ｒｐｍＸ ３０秒）を用いシリ
コンウェハ上に塗布し以降実施例１と同じ条件でポリイ
ミド“に転化した。得られたポリイミドは透明性が良好
で接着性は０１５０であった。また実施例１と同じ条件
でポリイミド前駆体から得られたポリイミドの熱分解開
始温度σは５３６°Ｃであり、ポリイミドに転化してい
ることが判った。
実施例４
実施例３で用いた１、４−ビス（４′ −アミノフェノ
キシ）ベンゼンの代わりに４，４′ −ビス（４″′−
アミノフェノキシ）ジフェニル９．２１１ ｇ （０，
０２５モル）を用いてηｊｎｈ＝１．３１ ｄＱ／ ｇ
のポリイミド前駆体溶液を得た。実施例３と同じ条件で
シリコンウェハ上でポリイミドに転化した。得られたポ
リイミドは透明性が良好で接着性は０１５０であった。
キシ）ベンゼンの代わりに４，４′ −ビス（４″′−
アミノフェノキシ）ジフェニル９．２１１ ｇ （０，
０２５モル）を用いてηｊｎｈ＝１．３１ ｄＱ／ ｇ
のポリイミド前駆体溶液を得た。実施例３と同じ条件で
シリコンウェハ上でポリイミドに転化した。得られたポ
リイミドは透明性が良好で接着性は０１５０であった。
また実施例１と同じ条件で得たポリイミドフィルムの熱
分解開始温度は４９３℃であり、ポリイミドに転化して
いることが判った。
分解開始温度は４９３℃であり、ポリイミドに転化して
いることが判った。
実施例５
実施例３で用いた１、４−ビス（４′ −アミノフェノ
キシ）ベンゼンの代りにビス（４−（４’ −アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン１０．８１ ｇ（（１，
０２５モル）を用いて７７ｉｎｈ＝１．２９ ｄＱ／
ｇのポリイミド前駆体を得た。実施例３と同じ条件でシ
リコンウェハ上でポリイミドに転化した。得られたポリ
イミドは透明性が良好で接着性は０１５０であった。ま
た実施例１と同じ条件で得たポリイミドフィルムの熱分
解開始温度は５１４°Ｃであり、 ポリイミドに転化し
ていることが判った。
キシ）ベンゼンの代りにビス（４−（４’ −アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン１０．８１ ｇ（（１，
０２５モル）を用いて７７ｉｎｈ＝１．２９ ｄＱ／
ｇのポリイミド前駆体を得た。実施例３と同じ条件でシ
リコンウェハ上でポリイミドに転化した。得られたポリ
イミドは透明性が良好で接着性は０１５０であった。ま
た実施例１と同じ条件で得たポリイミドフィルムの熱分
解開始温度は５１４°Ｃであり、 ポリイミドに転化し
ていることが判った。
代理人 弁理士 則 近 憲 体
間 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ａは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を示し、 Ｂ＿１、Ｂ＿２およびＢ＿３は同一であっても異なって
もよく、それぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、−
ＣＯ−、−ＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表等がありま
す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す）
で表わされるジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水
物との重合反応により得られるポリイミド前駆体におい
て、ポリイミド前駆体の芳香族テトラカルボン酸残基の
３０モル％以上が３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基であることを特徴とするポリイミ
ド前駆体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591585A JPS62135529A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポリイミド前駆体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591585A JPS62135529A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポリイミド前駆体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62135529A true JPS62135529A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=17562196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27591585A Pending JPS62135529A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポリイミド前駆体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62135529A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297428A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 特殊なポリイミドの鋳型成形フイルムおよび被覆剤としての使用 |
| JPS63297427A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 熱可塑物用の特殊なポリイミド |
| JPH01178522A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-14 | Chisso Corp | 低融点ポリイミド共重合体 |
| JPH01221429A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 熱安定性の良好なポリイミドの製造方法 |
| JPH0211631A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 半導体保護用樹脂及び半導体 |
| JPH02124940A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | イミド環を含む硬化性樹脂の製造法 |
| JPH02124939A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 新規なポリイミドの製造法 |
| JPH02160831A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成形加工性良好なポリイミドの製造方法 |
| JPH02173042A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成形加工性良好なポリイミドの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27591585A patent/JPS62135529A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297428A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 特殊なポリイミドの鋳型成形フイルムおよび被覆剤としての使用 |
| JPS63297427A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 熱可塑物用の特殊なポリイミド |
| JPH01178522A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-14 | Chisso Corp | 低融点ポリイミド共重合体 |
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| JPH02124940A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | イミド環を含む硬化性樹脂の製造法 |
| JPH02124939A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 新規なポリイミドの製造法 |
| JPH02160831A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成形加工性良好なポリイミドの製造方法 |
| JPH02173042A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成形加工性良好なポリイミドの製造方法 |
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