JPS62132886A - セフオジジムの製法 - Google Patents

セフオジジムの製法

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JPS62132886A
JPS62132886A JP61288656A JP28865686A JPS62132886A JP S62132886 A JPS62132886 A JP S62132886A JP 61288656 A JP61288656 A JP 61288656A JP 28865686 A JP28865686 A JP 28865686A JP S62132886 A JPS62132886 A JP S62132886A
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    • C07D501/14Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
    • C07D501/16Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
    • C07D501/207-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
    • C07D501/247-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with hydrocarbon radicals, substituted by hetero atoms or hetero rings, attached in position 3
    • C07D501/36Methylene radicals, substituted by sulfur atoms
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 次式のセフオシジム(cefodizime ) (H
R221)(セフオシジム) は、その襄法および良好な抗生物質活性が文献により知
られている抗生物質である。これはカルボキシル基にお
いて活性化された次式のATS(ATS) を次式のTaO2 (TaO2) と反応させることKより得られる。セファロスポリン類
を製造するための特に好適な方法は欧州特許出願公開第
23453号明細書に記載されている。
しかしこの方法をセフオシジムの製造に用いると、目的
とするセフオシジムのほかに約5〜15%の副生物が生
成する。副生物の含量は種々の有効な精製工程により低
下させることができるが、副生物を完全にセフオシジム
から除くことはできない。
さらにこれらの精製法(例えばクロマトグラフィーまた
は再結晶)は複雑であり、実質的に総収率を低下させる
ので、価格を高める。
従って副生物の生成を抑えるために反応パラメーターを
変える試みが多数なされた。例えばモル比、温度、反応
時間、溶剤、塩基(添加しても添加しなくてもよい)、
および活性化剤を変えること、あるいは他の物質を添加
することである。こ本発明者らは他の添加物を調べてい
る際に意外にもシリル化剤をTaO2に添加することに
より副生物の生成がほぼ完全に防止されることを見出し
た。
従って本発明は、 (a)  式II(ATS) (式中R1は水素原子またはアミン保護基を表わし、A
は水素原子または1当量のアルカリ金属、アルカリ土金
属、アンモニウムもしくは有機窒素塩基を表わす)の化
合物をまず式■R−802−Hal (式中Rは置換されていてもよいIアルキル基、アリー
ル基またはアルアルキル基を表わし、Halはハロゲン
原子な式わす)の化合物と、有機溶剤中で、場合により
塩基の存在下に反応させ、(b)式((TAC8) (式中人は前記の意味をもつ)の化合物をシリル化剤と
、有機溶剤中で、場合により塩基の存在下に反応させ、
そして (0)  (a)および(b)で得られた2種の生成物
をそれらの反応液中で反応させ、目的生成物中に保J基
R1が存在する場合にはこれ1に離脱させることよりな
る、次式 %式%) の製法に関する。
Aは水素原子またはアンモニウムを表わす他にさらに1
当量のアルカリ金属、例えばナトリウムもしくはカリウ
ム、アルカリ土金属、例えばカルシウムもしくはマグネ
シウム、または有機窒素塩基、例えばジエチル−、トリ
メチル−、トリエチル−、メチル−、プロピル、N、N
−ジメチルエタノール−もしくはエタノール−アミンな
ahすごとができる。
適切な保護基R1はセファロスポリン化学またはRプテ
ド化学においてアミノ保護基として述べられたもの、例
えば欧州特許出願公開第23453号明細書3頁43〜
63行に挙げられたものである。
R1が水素原子を表わす化合物を本発明に用いることが
好ましい。アミノ基の保護は強制されないので、2工程
(保護および脱M1)を省くことができ、これにより更
に収率が高まる。
弐■の適切な化合物は文献にカルボン酸との反応に適し
たものとして記載されたすべてのもの、例えば塩化メタ
ンスルホニルまたは塩化トシルであり、活性化されたカ
ルボン酸基−COO802Rが形成されるであろう。良
好な反応性をもち、容易に得られるため、塩化p−)シ
ルまたは塩化フェニルスルホニルなどの化合物が好まし
い。Halが塩素原子′f5:表わす弐■の化合物も好
ましい。
式■の化合物と式■の化合物の反応は無水の有機溶剤、
例えばアセトン、酢酸エチル、テトラヒト90フラン、
アセトニトリル、四塩化炭素、塩化メチレン、トルエン
、ジオキサン、イソプロピルエーテル、N−メチルピロ
リド3ンまたはジメチルホルムアミド9、好ましくはジ
メチルアセドアぐド中で、約−30〜O℃、好ましくは
−10〜−15℃の温度で行うことができる。
式■の化合物を遊離rR(A=水素原子)の形で用いる
場合、塩基、好ましくは有機窒素塩基、例えばトリエチ
ルアミン、N、N−ジメチルアニリン、トリブチルアミ
ン、N−メチルモルホリン、ピリジンもしくはピコリン
、または例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水
素ナトリウムもしくは炭酸水素カリウム、特にトリエチ
ルアミンを添加することが有利である。式■のカルボン
酸を前記の塩のうちの1つの形で用いる場合は、塩基の
添加は省くことができる。
次いで、後続の反応を下記の通り行う。すなわち式■(
TAC8)の化合物を無水の有機溶剤、例えば塩化メチ
レン、ジメチルアセトアミド、メチル−t−ブチルエー
テル、メチルイソブチルケトン、酢酸ブチル又は酢酸ア
ミル、特に塩化メチレンまたはメチル−t−ブチルエー
テル中で、約3モル当量のシリル化剤、好ましくはトリ
メチルクロルシランと(シリル化剤に対し)、はぼ化学
量論的量の有機窒素塩基、特にトリエチルアミンの存在
下で反応させ、次いで生成物を弐■の化合物との反応に
より活性化された式■のカルボン酸と反応させる。
トリメチルクロルシランの代りに他のシリル化剤、例え
ばビスートリメチルシリルアセトアミr1ジクロルジメ
チルシ2ン、トリクロルメチル7ランまたはN、 N’
−ビス−トリメチルシリル尿素を用いることもでき、こ
れら他のシリル化剤のうちビス−トリメチルシリルアセ
トアミrが好ましい。
3モル当量よりも僅かに過剰のシリル化剤は反応に不利
な影響を与えない。
ビス−トリメチルシリルアセトアミドまたはN。
N′−ビス−トリメチルシリル尿素を用いる場合、シリ
ル化に際して塩基を添加する必要はない。この場合、結
合すべき塩酸が生成しないからである。
式■の化合物のシリル化は約20〜25℃の温度で行わ
れる。温度を例えば約40℃(塩化メチレンの沸点)に
まで高めることもできる。
活性化されたATSをシリル化されたTaO2と有利に
は以下により一緒にする。すなわち活性化されたATS
の溶液なシリル化されたTaO8の溶液に、約−20〜
0℃、好ましくは−10〜−12℃の温度で、生じる反
応熱が容易に伝達除去されるのに十分なほど緩徐に、例
えばに〜2時間にわたって添加する。
反応混合物を短期間攪拌し、次いで既知の方法で仕上げ
処理する。例えばこれを、例えば有機窒素塩基(特にト
リエチルアミン)の添加によりpH値が約6.0〜7.
5に維持された水に注入することができる。相を分離し
たのち、酢酸ナトリウムを溶解した水で有機相を再抽出
する。水相を合わせて必要な場合には更に例えば活性炭
で透明にし、これから鉱#!I(例えば硫eR)の添加
によりpH値を約2.8に調整することによって、セフ
オシジムを遊離酸として沈殿させることができる。
アミノ保護基R1をもつ式■のカルボン酸を用いた場合
、文献記載の方法により行われるこの基の除去を仕上げ
処理の前に行わなければならない。
僅かに高められた温度で真空中において乾燥させたのち
、セフオシジム(酸)が極め【純粋な形で得られる。
前述のように副生物の含量が1%よりもはるかに低い値
にまで予想外に低下したほかに、以下の点も指摘すべき
である。すなわち例えば前記欧州特許出顔公開第234
53号明細書の実施例8〜12では、アシル化Kl!M
L’″C−70〜−72℃の反応温度が用いられている
。これに対し本発明による反応は約−20〜O℃の温度
で行うことができ、これにより品質または収率が低下す
ることはない。この事実はセフオシジムの工業的製造に
関してかなり重要である。これにより作業時間を短縮で
き、冷却容量を縮小できるからである。
実施例 1゜ 工程1゜ ジメチルアセトアミド52Kf中のATS17.5Kf
(87,1モル)′%ニトリエチルアミン8.95に4
(88,6モル)により、20〜22℃の温度で30分
間攪拌しながらアンモニウム塩に変えた。
塩化p−トルエンスルホニル19Kf(68,0モル)
を20〜25℃において30分間でジメチルアセトアミ
ド”13.2Kgに溶解し、この溶液を一1θ〜−14
℃において30分間でATSのトリエチルアンモニウム
塩の懸濁液に流入させ、更に2.5時間攪拌を続けた。
工程λ TaO823,7〜(59,0モル)を塩化メチレン2
12tに懸濁し、トリメチルクロルシラン19.7Ke
(181,0モル)を20〜25℃で流入させ、 トリ
エチルアミン18.2に4F(180,0モル)を20
〜41℃の温度(塩化メチレンの:ltl源流)におい
て30分間で添加した。
添加が終了した時点で溶液をきわめて速やかに一15℃
に冷却し、工程lの記載に従って得た活性化されたAT
Sの溶液を−10〜−12℃において30分間で添加し
た。更に5分間攪拌を続けたのち反応混合物を水143
1およびトリエチルアミン19、3 K4の混合物に5
〜10分間で流入させた。その際pHは6〜75に維持
された。相を分離したのち塩化メチレン相を2.2Ki
Iの酢酸ナトリウム・3H20が溶解された水701で
再抽出した。水相な合わせて活性炭1.2Kfおよびシ
カライ)1.21’vで透明にし、次いで18チ濃度の
硫酸なpHi直z8に達するまで添加することにより、
セフオシジムが遊snの形でこれらの相から沈殿した。
生成物をr別し、40℃で100+aaHgにおいて乾
燥させたのち、セフオシジム30.6 KfがHPLC
分析により96〜97面m%の純度で得られた。
実施例 2 工程1:実施例1に述べた方法に相当する。
工程2 TAC823,7Kf(59,0モル)を塩化メチレン
212−に懸濁し、ビス−トリメチルシリルアセトアミ
ド36.0Kg(177,0モル)を添加した。20〜
25℃で30分間攪拌したのち、透明な溶液を一15℃
に冷却し、工程lの記載に従って得た活性化されたAT
Sの溶液を−10〜−12℃において30分間で添加し
た。5分間攪拌したのち反応混合物を5〜10分間で水
1431に流入させ、同時にトリエチルアミンによりp
H値を6.0〜75に維持した。相を分離したのち、2
.2に9の酢酸ナトリウム・3H20を含む水70KI
iで有機相を再抽出した。水相を合わせて活性炭1.2
Kfおよびシカライ)1.2Kfで透明にし、18チ濃
度の硫酸をpH値が2.8になるまで添加することによ
り生成物を沈殿させた。生成物ttf別し、40℃で1
00龍H9において乾燥させたのち、セフオシジム30
.0 Kgが遊離酸の形で、HPLC分析により95〜
97面積チの純度において得られた。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(a)式II(ATS) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1は水素原子またはアミノ保護基を表わし、
    Aは水素原子、または1当量のアルカリ金属、アルカリ
    土金属、アンモニウムもしくは有機窒素塩基を表わす)
    の化合物をまず 式III R−SO_2−Hal (式中Rは置換されていてもよいアルキル基、アリール
    基またはアルアルキル基を表わし、Halはハロゲン原
    子を表わす)の化合物と、有機溶剤中で、場合により塩
    基の存在下に反応させ、(b)式 I (TACS) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Aは上記の意味をもつ)の化合物をシリル化剤と
    、有機溶剤中で、場合により塩基の存在下に反応させ、
    そして (c)(a)および(b)で得られた2種の生成物をそ
    れらの反応液中で反応させ、目的生成物中に保護基R_
    1が存在する場合にはこれを離脱させることよりなる、
    次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (セフオジジム) のセフオジジムの製法。
  2. (2)式IIIの化合物においてRがp−トシル基または
    フェニル基を表わし、Halが塩素原子を表わす、特許
    請求の範囲第1項に記載の方法。
  3. (3)Rがp−トシル基を表わす、特許請求の範囲第2
    項に記載の方法。
  4. (4)式II(ATS)の化合物においてR_1およびA
    が水素原子を表わす、特許請求の範囲第1項ないし第3
    項のいずれか1項に記載の方法。
  5. (5)工程(a)で用いられる溶剤がアセトン、ジメチ
    ルアセトアミド、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ア
    セトニトリル、四塩化炭素、塩化メチレン、トルエン、
    ジオキサン、イソプロピルエーテル、n−メチルピロリ
    ドンまたはジメチルホルムアミドである、特許請求の範
    囲第1項ないし第5項のいずれか1項に記載の方法。
  6. (6)溶剤がジメチルアセトアミドである、特許請求の
    範囲第5項に記載の方法。
  7. (7)シリル化剤がトリメチルクロルシラン、ジクロル
    ジメチルシラン、トリクロルメチルシランビス−トリメ
    チルシリルアセトアミドまたはN,N′−ビストリメチ
    ルシリル尿素である、特許請求の範囲第1項ないし第6
    項のいずれか1項に記載の方法。
  8. (8)シリル化剤がトリメチルクロルシランである、特
    許請求の範囲第7項に記載の方法。
  9. (9)TACSに対し3モル当量のシリル化剤が用いら
    れる、特許請求の範囲第7項または第8項に記載の方法
  10. (10)工程(b)で用いる溶剤が塩化メチレン、ジメ
    チルアセトアミド、メチル−t−ブチルエーテル、メチ
    ルイソブチルケトン、酢酸ブチルまたは酢酸アミルであ
    る、特許請求の範囲第1項ないし第8項のいずれか1項
    に記載の方法。
  11. (11)溶剤が塩化メチレンまたはメチル−t−ブチル
    エーテルである、特許請求の範囲第9項に記載の方法。
  12. (12)各工程で場合により添加される塩基がトリエチ
    ルアミンである、特許請求の範囲第1項ないし第10項
    のいずれか1項に記載の方法。
  13. (13)工程(a)の反応が約−30〜0℃の温度で行
    われる、特許請求の範囲第1項ないし第11項のいずれ
    か1項に記載の方法。
  14. (14)工程(b)の反応が約−20〜0℃の温度で行
    われる、特許請求の範囲第1項ないし第12項のいずれ
    か1項に記載の方法。
JP61288656A 1985-12-03 1986-12-03 セフオジジムの製法 Expired - Lifetime JPH0686460B2 (ja)

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