JPS62123301A - 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置 - Google Patents

半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置

Info

Publication number
JPS62123301A
JPS62123301A JP60262460A JP26246085A JPS62123301A JP S62123301 A JPS62123301 A JP S62123301A JP 60262460 A JP60262460 A JP 60262460A JP 26246085 A JP26246085 A JP 26246085A JP S62123301 A JPS62123301 A JP S62123301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern data
data
inspection
exposure pattern
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60262460A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07114180B2 (ja
Inventor
Shogo Matsui
正五 松井
Kunihiko Shiozawa
塩沢 邦彦
Kenichi Kobayashi
賢一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP26246085A priority Critical patent/JPH07114180B2/ja
Priority to EP86402609A priority patent/EP0225257B1/en
Priority to KR1019860009959A priority patent/KR900002690B1/ko
Priority to DE86402609T priority patent/DE3689718D1/de
Priority to US06/934,788 priority patent/US4774461A/en
Publication of JPS62123301A publication Critical patent/JPS62123301A/ja
Publication of JPH07114180B2 publication Critical patent/JPH07114180B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体集積装置のレチクルを作製する前に、露光に用い
る実際のパターンデータをハードウェア回路によってパ
ターン不整の検査、基準パターンデータとの相互比較、
?3[rr1パターンの検査を行う半導体集積装置の露
光パターンデータ検査装置である。
〔産業上の利用分野〕・ 本発明は半導体集積装置の露光パターンデータ検査装置
に関する。
〔従来技術〕
半導体集積回路(以下、ICと称す)は、一般に、論理
設計、パターン設計、マスク製作工程を経てウェハプロ
セスを実施し、ウェハの分割、組立を経て完成される。
パターン設計は、論理変換、回路設計、回路解析、パタ
ーンレイアウト、特性解析を経てパターンレイアウト修
正の諸段階を行う。またマスク製作工程は、パターンレ
イアウト設計図から座標を読取り、CRTディスプレイ
又はブロック図より検査修正を行ない、パターンジェネ
レータによりオリジナルパターンを作成し、フォトリピ
ータによりマスクマスクを作成し、さらにワーキングマ
スクを作成している。
上記パターン設計は、コンピュータ援助設計(CAD)
システムを用いて自動化されている。
CADシステムにより作成されたデータは、例えば、C
V社のフォーマット又はCALMA社のフォーマットに
基いて磁気テープに出力されるが、その内容は、アウト
ラインのみが決められたものである。従って、実際に露
光してレチクルパターンを作成するにはデータ交換を経
て露光用データに変換している。
また、該露光用データは、実際にレチクルパターン作成
する前に充分検査する必要がある。そのため、露光用デ
ータをCRTディスプレイ又はブロック上等に二次元的
に表示して、実際の露光前に、露光パターンデータを検
査する装置が知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
露光パターンデータの検査としては、スリット検査(又
は不整検査)と呼ばれている単層のパターンルール検査
、2N以上についての相互のパターンルール検査、基準
露光パターンとの比較照合、さらに、パターンの修正等
が要望されている。
しかしながら、従来のパターンデータ検査装置は、汎用
的なコンピュータシステムを用い単なるデータ処理の一
形態としての、いわゆるコンピュータソフトウェアによ
る処理を行っているにすぎない。そのためぼう大な量の
露光パターンデータの処理に非常に時間がか\り作業能
率が低いという問題がある。
また処理時間がか〜るという側面等により、従来のパタ
ーンデータ検査装置は、上記要望されている検査対象の
うち単層のパターンルール検査環一部のものについて実
現されているにすぎず、要望に十分沿った機能を果して
いないという問題がある。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は上述の問題を解決し、必要とされる機能を完備
し、作業能率の向上を図った露光パターンデータ検査装
置を提供することを目的とする。
従って、本発明においては、半導体マスク作成用露光パ
ターンを検査する露光パターンデータ検査装置において
、設定された検査領域について露光パターンデータを入
力し画像信号に変換する回路、および、画像信号を用い
て、露光パターンの寸法不整を検出し寸法を算出する回
路、複層の寸法関係を算出する回路、基準の露光パター
ンと検査用露光パターンを所定の論理演算を経た上で照
合する回路の少くとも一つ、およびこれらの結果を出力
する手段を有する演算出力手段、を具備することを特徴
とする、露光パターンデータ検査装置が提供される。
〔実施例〕
添付図面を参照して本発明の実施例について述べる。
第1図は本発明の概要を示すブロック図である。
第1図において、パターン設計により得られた、例えば
CV社のフォーマント形式で出力された設計データが保
存された、基準設計パターンデータ用磁気テープMT−
ORおよび検査用設計パターンデータ用磁気テープMT
 −ORが用意されている。ここで基準設計パターンデ
ータとは、以前に製作された設計パターンデータを意味
し、検査用設計パターンデータとはかかる基準設計パタ
ーンデータに対する改良、修正等を施すため新たに製作
され、これから検査すべき設計パターンデータを意味す
る。
上記設計パターンデータは、アウトライン的なデータが
保存されているにすぎないので、レチクルを作成するた
めの露光に適合するように変換処理が行なわれる。変換
された基準露光パターンデータ、検査用露光パターンデ
ータがそれぞれ磁気テープ肘−ER、MT−f!Tに出
力される。
本発明に係る露光パターンデータ検査装置lは、検査用
露光パターンデータについて、実際にレチクルを作成す
るに先立って−、諸検査を行うのに用いられる。その概
要は、磁気テープMT−ER、MT−ETの内容を入力
し、画像データに変換する。但し、磁気テープMT−E
R、MT−ETの全内容を一時に画像データに変換する
と、画像データを保存するメモリがぼう大なものとなる
からこれを回避するため、検査領域について画像データ
に変換する。画像データに変換するのは、基準露光パタ
ーンデータの内容および検査用露光パターンデータを拡
大した形態で二次元的に、CRTディスプレイ、プリン
タ等を介して操作者にとって視認可能とするため、及び
、二次元又は三次元的にパターンデータの検査を行ない
且つその結果を操作者が視認可能な形態で出力するため
である。
画像データはディスプレイDSP−A 、 DSP−B
にそれぞれ表示される一方、基準露光パターンデータと
検査用露光パターンデータとは比較、照合等検査に必要
な処理が行なわれる。その結果がディスプレイosp−
c 、プリンタ等に出力される。
第2図に露光パターンデータ検査装置の構成図を示す。
第2図の検査装置は、データ入力・信号変換部100 
、200および演算出力部300で構成されている。デ
ータ入力・信号変換部100と200とは同じ構成であ
るが、一方が検査用露光パターンデータを入力し、ビデ
オ信号に変換するのに用いられ、他方が基準露光パター
ンデータを入力し、ビデオ信号に変換するのに用いられ
る。
データ入力・信号変換部100は、検査用露光パターン
データが保存されている磁気テープMT −ET(第1
図)のうち検査領域のデータを入力するMT入力回路1
01、該入力されたデータを切換スイッチを介して保存
するMTデータメモリ102.103を有している。5
MTデータメモリ102.103に保存されたデータは
切換スイッチを介してビデオ信号変換回路104に入力
されビデオ信号に変換される。該ビデオ信号に変換され
た信号は、切換スイッチを介してビデオデータメモリ1
06,107に保存される。該ビデオデータメモリに保
存されたデータは切換スイッチを介してビデオ信号出力
制御回路108を介して演算・出力部30(lに出力さ
れる。
以上のデータ処理を、第3図(al〜le)を参照して
詳述する。
第3(a)は、露光パターンデータが記憶されている磁
気テープMT −ETの内容を二次元直交座標系で表現
したもので、lmmX1mmを基準として、横方向−m
個×縦方向=n個のマトリクス分のデータが保存されて
いる。但し、この実施例においては、レチクルは横方向
、縦方向とも1μmの精度で製作されている。
磁気テープMT −ETの全内容を入力しビデオ信号に
変換するにはぼう大なメモリを必要とし、また無駄も多
い。従って検査対象領域、i、j番目を選択して入力す
る。か\る検査対象領域は第3図(blに拡大して図示
した如きパターンを示しているが、実際同図布に示した
ような座標データ(i。
j ; X++y+;a++b+;X++yz;az+
bz)として記憶されている。すなわち、絶対的な基準
点くxo。
yo)からの始点(x+、y+)とその節(a I+ 
b +)および次の連続する始点(x+、yz)とその
節(a2゜bz)が与えられている。これらのパラメー
タは、1μmの精度で設定されている。
第3図(C1は、入力しMTデータメモリ102又は1
03に保存した状態を示す、MTデータメモリ102.
103は、入力とビデオ信号に変換する動作を並列的に
実施できるようにスイッチを介してバッファリング可能
なように、並列構成としている。
すなわちMTデータメ、モリ102にすでに記憶してい
るデータをビデオ信号に変換している場合、MTデータ
メモリ103に新たなパターンデータを記憶させること
ができる。各MTデータメモリ102゜103のサイズ
は、1単位:lmmX1mmの領域内に表わされたパタ
ーンを規定する上記座標データを保存するに充分な量と
する。
第3図(C1の座標データを参照して、ビデオ信号変換
回路104は、第3図(dlに図示の如(,1μm単位
で実パターン図形に相当するデータに変換し、ビデオデ
ータメモリ106又は107に記憶する。各ビデオデー
タメモリ106.107は、範囲lmmX1mmに対し
1μmの精度のデータを記憶するから、1000ビット
×1000ビット−1メガビツトの容量がある。ビデオ
データメモリ106.107内において、ビットセット
された部分がパターン描画されるものに対応している。
ビデオデータメモリ106.107を二基列としている
のは、MTデータメモリ102.103と同様、並列動
作を可能として高速化を図るためである。
第3図(e)に、ビデオ信号出力制御回路108から出
力されるビデオ信号の波形を示す。ビデオ信号出力制御
回路108は、クロック信号に同期してビデオデータメ
モリ106又は107を水平走査し、ビットセット部分
を高レベル出力信号、そうでない部分を低レベル出力信
号とし、順次垂直方向にずらしていく。
MTコントロール回路105は、上記諸口路の動作を制
御するものである。
以上、データ入力・信号変換部100の構成および動作
について述べたが、データ入力・信号変換部200も同
様である。
データ入力・信号変換部100.200は、ソフトウェ
アプログラムを介さず、ハードウェア回路で実現してお
り、その処理速度は速い。
次に演算・出力部300について述べる。
演算・出力部300は、CPU 309 、該CPUに
バス301を介して接続されたプログラムが装荷された
ROM 310 、  I 10パフ7’y304を介
しテCPU 309に接続された操作パネル302、同
じくI10バッファ307を介してCPU 309に接
続されたプリンタ303を有している。またI10バッ
ファ305.308を介して上述のMTコントロール回
路105.205がCPU 309と接続され、必要な
リンケージがとられる。演算・出力部300はさらにI
10バッファ306を介してCI’U 309に接続さ
れる自動アライメント回路320を有している。演算・
出力部300は欠陥座標データを保存しておく RAM
 311を有している。
演算・出力部300は、論理演算回路330、スリット
検査回路340,350 、比較回路360 、CRT
371〜   1372およびオシロスコープ381を
有している。これら論理演算回路330、スリット検査
回路340、比較回路360は直接的に、スリット検査
回路350は比較回路360を介して間接的に、第3図
(e)に図示の画像信号を入力し、画像信号に基いて、
純ハードウェア的に後述する線信号処理を行う。但し、
そのタイミングの制御、例えば演算の開始はCPU30
9によって行なわれる。
ビデオ信号出力制御回路108,208からの出力信号
は、上述の精度1μmの差異が充分識別可能な形態で、
例えばCRTに表示した場合、1μmが少とも1ドツト
、好適には2ドツト以上に対応するような形態で出力さ
れる。ビデオ信号出力制御回路108,208の画像信
号を受けると、CRT 371,372は、第3図山)
に図示のパターンと相似で、且つ拡大した形態で表示す
る。従って、CRT 371,372に表示された画像
は、検査領域1fflffl×llll11について実
際のレチクルパターンと同じ内容が拡大されており、容
易に視認可能なものである。
第2図に図示の装置の操作を含めて、先ずスリット検査
回路340の動作を説明する。
第4図にスリット検査の操作流れ図を示す。
a、操作パネル302上の「ルールチェック・オン」ボ
タンを押し、スリット検査の開始を指示する(第4図、
ステップ501)。
b、検査用露光パターンデータが保存されている磁気テ
ープMT −ETをセットした後、「ファイル・プリン
ト」ボタンを押し、ファイルの印字を要求する(SO2
)。
c 、 CPU 309がこれに応答して、磁気テープ
MT−ETのファイル内容をプリンタ303に出力する
(SO3)。この出力は、磁気テープ肘−訂の中のうち
、検査領域を特定するに必要なもので、シリーズ番号、
”rJ等のサフィックス等である。
d、操作者は、出力内容から検査領域を決定し、操作パ
ネル302を介して検査領域を設定する(S04)。
89次いでパターンルールを設定する(505)。
すなわち、この例示においては、 5倍で4μm以内又は 10倍で7μm以内 で検査することを設定する。
f、スリット検査を始動させるため、装置の諸起動操作
を行う(SO6)。
g、スリット検査が行なわれる(507)。
すなわち、磁気テープMT−ETから検査領域に対応す
る第3図(b)に図示のパラメータがデータ入力・信号
変換部100のMT入力回路101を介して入力され、
前述の動作を経て第3図(Glに図示の如き、画像信号
がビデオ信号出力制御回路108から出力される。
該画像信号により、当該単層パターンが第5図(alの
形態でCRT 371に表示される。それと同時に、ス
リット検査回路340において画像信号を基準として、
間隔d、を1μm単位で検出する。この間隔d1の検出
をさらに詳細に述べると、第5図(a)において右から
左に走査した場合、間隔d1に対応する分の信号が高レ
ベルに低下する。この高レベルに立上った時点を検出し
てスリット検査回路内のトリガ発信器(図示せず)から
一定のパルス幅のパルスを出力させると共に、上記高レ
ベルに立上ったパルス(但し、トリガ発信器からのパル
ス幅の方を大きくしている)とを比較し、両者が存在す
る場合、間隔d1を検出するパルスとして出力する。す
なわち、トリガ発信器を介して間隔d、の検出を正確に
行っている。
また、第5図(b)の形態の場合も同様にCRT 37
1に表示され、不整が1μm単位で検出される。
h、これら検出結果はCPU 309に入力され、プリ
ンタ303に出力される(508)。またCRT 37
1に表示することもできる。
以上のMTからの入力、画像信号への変換、CI?Tへ
の表示、スリット検査等は、回路によって行なわれるの
で、非常に高速に行なわれる。すなわち、従来のように
、全てのデータをCPUを介して処理するという手段を
採っていないからである。従って、CP[I 309は
操作者とのコミュニケーシヨン、装置全体の制御等を行
うにすぎず、演算そのものは行なわない。
基準露光パターンデータについてもスリット検査を行う
ことが可能である。
次に2層のパターンデータの比較照合を行う場合につい
て述べる。但し、第4図ステップSOL〜SO6で述べ
た一般的操作手順は省略する。
先ず、例えば旧版品のパターンデータが保存されている
基準露光パターンデータ用磁気テープH↑−ERと、こ
れを修正改良した改版品のパターンデータが保存されて
いる検査用露光パターンデータ用磁気テープMT −1
!Tとを用い、検査対象領域と所望の倍率について、改
版品の改良部をチェックする場合について述べる。前述
の如く、磁気テープ?IT−ER,?1T−ETの対応
するパラメータがデータ入力・信号変換部100,20
0に入力され、画像信号として発生される。これら画像
信号は、第6図(a) (blに図示の如く、基準露光
パターンがCRT 372 、検査用露光パターンがC
I?T 371に表示される。また両画像信号は比較回
路360に印加されて、それらの差異が、第6図(C)
の如< 、CRT 373に表示される。CRT 37
3の表示から、改良部分が容易に識別できる。また改良
部分の寸法等の詳細データは、スリット検査回路350
により検査され前述同様プリンタ303に出力されると
共に、オシロスコープ381による画像信号波形の観察
により算出することができる。
第6図(al (bl中、白抜き部分がパターン形成部
を示しCRT上白で表示され、斜線部は、無関係の背景
部である。第6図(C1は白抜き部分が両パターンの差
として白で表示される。
基準露光パターンデータと検査用露光パターンデータの
比較において、比較すべきパターンが複雑である場合が
多い。また、第6図(a) 、 (blに図示の如く、
単に第6図(b)のパターンを第6図(alのパターン
より大きくしたにすぎない場合にとどまらず、相互に凹
凸の差がある場合第6図(C1の如き表示では、どの部
分が凹でどの部分が凸であるか不明である。さらに、同
じ検査用露光パターンデータであっても1つの半導体集
積装置の一層目に形成されるパターンと二層目に形成さ
れるパターンの位置関係を検査したい場合が生じる。こ
のような種々の要求に則して、論理演算回路330が設
けられている。
論理演算回路330は、操作パネル302からの指示に
基づ< CPU 309からの制御指令に応じて、二つ
の画像信号A、B、又は一つの画像信号A又はBについ
て種々論理演算を行う。二つの画像信号A、Bとしては
、基準露光パターンデータと検査用露光パターンデータ
を用いる場合はそれぞれA。
B又はB、Aと設定される。又、検査用露光パターンデ
ータ内の一層目と二層目とのパターンを用いる場合はそ
れぞれA、Bとして設定される。論理演算回路330は
画像信号について第7図に例示した諸論理演算を行う。
すなわち、 イ、パターンA(第7図(a))とパターンB(第7図
(b))ノ排他的論理和:AΦB(第7図(C1参照) 口、論理和(オア)  :A+B (第7図<d)参照
)ハ5反転論理和:A+B(第7図(e)参照)又は、
τ十B 二、論理積(アンド)  :A−B (第7図(f)参
照)ホ6反転論理積:A−B (第7図(明参照)又は
τ・B 等である。
論理演算された結果はCRT 373に表示される。
また、論理演算結果についてスリット検査回路340又
は350を通してスリット検査することも可能である。
さらに、これら演算結果と基準露光パターン又は検査用
露光パターンとを比較して、その差異を抽出し表示し、
スリット検査することが可能である。
以上の論理演算を適宜組合せることにより、複層パター
ンの比較、照合、重ね合せ、相対位置測定、規定寸法の
検出が可能となる。
以上の種々の信号処理において不良データが検出される
と、その内容がCPIJ 309を介して欠陥データメ
モリとしてのRAM 311に保存され、プリンタ30
3にその内容が出力される。これにより、設計データの
修正にフィードバックできる。
自動アライメント回路は、上述のパターンチェックにお
いて不良が検出された場合、例えば検査員がCRTのジ
ョイスティック等を用いてパターンをシフトするなどし
てCR7画面上に正常パターンを作成し、か−る正常パ
ターンについて再度チェックした上で修正した正常パタ
ーンによって設計データ又は露光パターンデータを修正
されるようにするものである。
〔発明の効果〕
以上に述べたように、本発明によれば、レチクル作成前
に、実際にレチクルが作成されるのと同じパターンにつ
いて必要とされる種々の露光パターンを正確に検査する
ことができる。これにより、試行錯誤的なレチクル作成
のくり返しのような無駄な作業が回避でき、且つ、マス
ク作成の経費を低減することができる。
また本発明によれば、基本的にハードウェア回路により
信号処理が行なわれるので、露光パターン検査が非常に
短時間で行うことができ、作業性が著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の概要を示すブロック図、第2図は本発
明の実施例としてのパターンデータ検査装置の構成図、 第3図(al〜fe)は第2図装置に係る信号処理の流
れと信号のフォーマットを示す図、 第4図は第2図装置を用いてスリット検査を行う操作の
流れ図、 第5図(al 、 (b)はスリット検査のパターン例
を示す図、 第6図(A)〜(C)は基準露光パターンと検査用露光
パターンの相互関係を検査する場合のパターン例、第7
図(a)〜(g)は種々の論理演算を示すパターン例、
である。 (符号の説明) 100.200・・・データ入力・信号変換部、101
.201・・・MT入力回路、 102、103,202.203・・・MTデータメモ
リ、104.204・・・ビデオ信号変換回路、105
.205・・・MTコントロール回路、106、107
,206,207・・・ビデオデータメモリ、108.
208・・・ビデオ信号出力制御回路、300・・・演
算・出力部、 301・・・バス、 302・・・操作パネル、 303・・・プリンタ、 304〜308・・・I10バッファ、309・・・C
PU。 310・・・ROM。 311・・・欠陥データ、 320・・・自動アライメント回路、 330・・・論理演算回路、 340.350・・・スリン・ト検査回路、360・・
・比較回路、 371〜373・・・CRT。 381・・・オシロスコープ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体マスク作成用露光パターンを検査する露光パ
    ターンデータ検査装置において、 設定された検査領域について露光パターンデータを入力
    し画像信号に変換する回路、および、画像信号を用いて
    、露光パターンの寸法不整を検出し寸法を算出する回路
    、複層の寸法関係を算出する回路、基準の露光パターン
    と検査用露光パターンを所定の論理演算を経た上で照合
    する回路の少くとも一つ、およびこれらの結果を出力す
    る手段を有する演算出力手段、 を具備することを特徴とする、露光パターンデータ検査
    装置。
JP26246085A 1985-11-25 1985-11-25 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置 Expired - Lifetime JPH07114180B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26246085A JPH07114180B2 (ja) 1985-11-25 1985-11-25 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置
EP86402609A EP0225257B1 (en) 1985-11-25 1986-11-25 System for inspecting exposure pattern data of semiconductor integrated circuit device
KR1019860009959A KR900002690B1 (ko) 1985-11-25 1986-11-25 반도체 집적회로 장치의 노출 패턴 데이타 조사 시스템
DE86402609T DE3689718D1 (de) 1985-11-25 1986-11-25 System zur Prüfung von Belichtungsmusterdaten von halbleiterintegriertem Schaltungsgerät.
US06/934,788 US4774461A (en) 1985-11-25 1986-11-25 System for inspecting exposure pattern data of semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26246085A JPH07114180B2 (ja) 1985-11-25 1985-11-25 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62123301A true JPS62123301A (ja) 1987-06-04
JPH07114180B2 JPH07114180B2 (ja) 1995-12-06

Family

ID=17376091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26246085A Expired - Lifetime JPH07114180B2 (ja) 1985-11-25 1985-11-25 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4774461A (ja)
EP (1) EP0225257B1 (ja)
JP (1) JPH07114180B2 (ja)
KR (1) KR900002690B1 (ja)
DE (1) DE3689718D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003084421A (ja) * 2001-09-13 2003-03-19 Dainippon Printing Co Ltd 描画装置用のマスクデータにおける描画装置用のパターンデータの確認装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05165188A (ja) * 1991-12-11 1993-06-29 Sharp Corp デザインルールチェック方法
US5296917A (en) * 1992-01-21 1994-03-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of monitoring accuracy with which patterns are written
US6040912A (en) * 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
JP3761357B2 (ja) * 1999-02-22 2006-03-29 株式会社東芝 露光量モニタマスク、露光量調整方法及び半導体装置の製造方法
JP2000267254A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Fujitsu Ltd パターンデータ検証方法及び記憶媒体
JP3762244B2 (ja) * 2001-03-29 2006-04-05 株式会社東芝 図形データ展開方法
US7041512B2 (en) * 2001-06-07 2006-05-09 Advantest Corp. Electron beam exposure apparatus, electron beam exposing method, semiconductor element manufacturing method, and pattern error detection method
US6735749B2 (en) 2002-03-21 2004-05-11 Sun Microsystems, Inc. (Design rule check)/(electrical rule check) algorithms using a system resolution
US6871332B2 (en) * 2002-07-23 2005-03-22 Sun Microsystems, Inc. Structure and method for separating geometries in a design layout into multi-wide object classes
JP6350204B2 (ja) * 2014-10-21 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58218118A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Fujitsu Ltd 露光パタ−ンの検査方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5371563A (en) * 1976-12-08 1978-06-26 Hitachi Ltd Automatic inspection correcting method for mask
US4259020A (en) * 1978-10-30 1981-03-31 Genevieve I. Hanscom Automatic calibration control for color grading apparatus
US4450579A (en) * 1980-06-10 1984-05-22 Fujitsu Limited Recognition method and apparatus
US4498778A (en) * 1981-03-30 1985-02-12 Technical Arts Corporation High speed scanning method and apparatus
US4509075A (en) * 1981-06-15 1985-04-02 Oxbridge, Inc. Automatic optical inspection apparatus
US4479145A (en) * 1981-07-29 1984-10-23 Nippon Kogaku K.K. Apparatus for detecting the defect of pattern
US4441207A (en) * 1982-01-19 1984-04-03 Environmental Research Institute Of Michigan Design rule checking using serial neighborhood processors
EP0124113B1 (en) * 1983-04-28 1989-03-01 Hitachi, Ltd. Method of detecting pattern defect and its apparatus
US4532650A (en) * 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
JPS6021675A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Toyota Motor Corp 計測機器におけるテレビカメラ位置ずれ自動補正方法及び装置
JPS6048579A (ja) * 1983-08-26 1985-03-16 Komatsu Ltd 物体認識方法
JPS6052728A (ja) * 1983-08-31 1985-03-26 Matsushita Electric Works Ltd はんだ付不良検出方法
JPH0732373B2 (ja) 1988-03-26 1995-04-10 株式会社ケンウッド Pcm音楽放送のワンウェイアドレス伝送方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58218118A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Fujitsu Ltd 露光パタ−ンの検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003084421A (ja) * 2001-09-13 2003-03-19 Dainippon Printing Co Ltd 描画装置用のマスクデータにおける描画装置用のパターンデータの確認装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3689718D1 (de) 1994-04-21
EP0225257A2 (en) 1987-06-10
US4774461A (en) 1988-09-27
EP0225257A3 (en) 1990-01-31
EP0225257B1 (en) 1994-03-16
KR870005445A (ko) 1987-06-09
KR900002690B1 (ko) 1990-04-23
JPH07114180B2 (ja) 1995-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0691003B2 (ja) レチクル/マスクの検査方法とその検査装置
JPS62123301A (ja) 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置
JPH09190531A (ja) 実装データ作成方法と装置、および基板と実装の検査方法
US20060282232A1 (en) Method of inspecting 3D scanned data using parametric tolerance
JP3191467B2 (ja) プリント基板検査データ作成方法
JP2924859B2 (ja) 外観検査方法及び装置
JPH09159726A (ja) スキャンテスト装置
JP2002313861A (ja) パターン検査装置およびパターン検査方法
JP4723124B2 (ja) ポジションデータの生成方法
JP7152972B2 (ja) 検査条件作成支援装置、検査条件作成支援方法、検査条件作成支援プログラムおよび記録媒体
JPH10260022A (ja) パターン検査方法
JP2938584B2 (ja) 半導体装置の検査方法および装置
JPH01277781A (ja) 集積回路試験装置
JPH10170241A (ja) 図形パターンの公差判定装置
JP2542784B2 (ja) 自動部品認識装置
JP2000055822A (ja) 良品画像作成装置
JP2752454B2 (ja) ディスプレイ装置の検査方法
JPS6122237A (ja) 物体の外観検査装置
JPH02213923A (ja) 検査支援装置
JP2000068342A (ja) ウエハ外観検査装置およびウエハ外観検査方法
JPS63115035A (ja) パタ−ンデ−タ検査装置
JPH06181244A (ja) 半導体装置の検査方法および装置
JP2003076485A (ja) 座標入力装置の検査方法
JPH1145920A (ja) 故障診断装置
JPH08292241A (ja) 検査実行データ出力装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term