JPS6197823A - 半導体装置の製法 - Google Patents

半導体装置の製法

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JPS6197823A
JPS6197823A JP59217398A JP21739884A JPS6197823A JP S6197823 A JPS6197823 A JP S6197823A JP 59217398 A JP59217398 A JP 59217398A JP 21739884 A JP21739884 A JP 21739884A JP S6197823 A JPS6197823 A JP S6197823A
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aluminum
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titanium
vanadium
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JP59217398A
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Minoru Inoue
実 井上
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体装置の製法、特に電極配線膜の形成方
法に関する。
従来技術 半導体装置に電極配線を形成するとき、けい素基板の接
合領域上の絶縁膜に窓あけして、アルミニウムをターゲ
ットとしてスパッタリングする。
このとき形成される配線層のアルミニウムに接合領域の
けい素が溶けこむことがあり、これにともなって次のよ
うな欠点が生じる。
たアルミニウム膜をドライエツチングするときには、析
出したけい素粒が残留する。またアルミニウム膜上に絶
縁膜を成長させるときにはアルミニウムの突起を形成し
、絶縁膜を貫通して短絡させたり耐湿性を劣化させる。
さらに、ウェハープロセスでの４５０℃の熱処理におい
ては、拡散層にスパイクを形成して拡散層が破壊される
。
問題点 アルミニウムにけい素が溶けこまないようにするために
は、アルミニウムにけい素を０．５重量％以上予め含有
させておく必要があり、また２、０重量％を超えると逆
にけい素が析出する。従って、通常はけい素を１．０〜
２．０重量％含存させたアルミニウムをターゲットとし
て使用していた。しかし、けい素を含ませた場合でもア
ルミニウム結晶粒が比較的大きい。そのために突起が生
じやすく、他方、粒界に形成するけい素粒も大きくなり
ドライエツチングにおいて残留するけい素粒が多い。
解決手段 上記問題点は、アルミニウム合金ターゲットを使用する
スパッタリングによって電極配線することを含む半導体
装置の製法であって、チタン、バナジウム、ジルコニウ
ム、モリブデン、タングステン、りんおよびクロムの少
なくとも１つの元素０．０５〜５．　Ｏｉ量％と、けい
素１．０〜３．０重量％と、残部アルミニウムとからな
る合金をターゲットとすることを特徴とする、半導体装
置の製法によって解決することができる。
作用 チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、タン
グステン、りんおよびクロム、以下特定元素という、は
アルミニウム結晶粒の大きさを小さくする効果がある。
結晶粒が小さいと熱処理時に歪みを解放しやすくなるの
でアルミニウムが突出することが少なくなる。また結晶
粒が小さいと粒界に形成するけい素粒も小さくなる。従
ってドライエツチング時に残留するけい素粒も少なくな
る。なおけい素は上記特定元素と反応して、けい化物た
とえばＴｉＳｉ２を形成するのでけい素を３．０重量ま
で含有させても、けい素の析出を抑制することができる
。
実施例 チタン１重量％、けい素１重量％、アルミニウム残部の
合金をターゲットとし、ターゲット−基板の距離５〜１
０口、アルゴン圧２〜７　Ｔｏｒｒ、投入電力的７ｋｗ
、基板温度約３００℃としてスパッタリングし、接合領
域において窓あけしたけい素基板の上にアルミニウム合
金膜を形成させた。基板温度がチタンを含まない従来の
ターゲットの場合の２５０℃より高いにも拘わらず、ア
ルミニウムの突起が少なく、ドライエツチング時にけい
素粒の残留が殆ど見られなかった。そして基板温度が高
いので、良好なステップカバレージを得ることが　　　
　　、できた。
なおチタン含量が５．０重量％より多いと、導体抵抗が
増加し、０．０５重量％より少ないとアルミニウム結晶
粒を小さくする効果は得られない。バナジウム、ジルコ
ニウム、モリブデン、タングステン、りんおよびクロム
を使用するときもチタン含有の場合と同様な結果を得る
。
発明の効果 本発明によって、電極配線層のステップカバレージを改
良し、熱処理時のアルミニウム突起を減少し、ドライエ
ツチング時のけい素粒の残留を減少することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、アルミニウム合金ターゲットを使用するスパッタリ
    ングによって電極配線することを含む半導体装置の製法
    であって、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブ
    デン、タングステン、りんおよびクロムの少なくとも１
    つの元素０．０５〜５．０重量％と、けい素１．０〜３
    ．０重量％と、残部アルミニウムとからなる合金をター
    ゲットとすることを特徴とする、半導体装置の製法。
JP59217398A 1984-10-18 1984-10-18 半導体装置の製法 Pending JPS6197823A (ja)

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JP59217398A JPS6197823A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 半導体装置の製法
EP85401995A EP0178995A3 (en) 1984-10-18 1985-10-15 Aluminium metallized layer formed on silicon wafer
KR1019850007705A KR900000442B1 (ko) 1984-10-18 1985-10-18 실리콘 웨이퍼상에 형성되는 알미늄 금속화층 및 그의 제조방법
US07/300,186 US4902582A (en) 1984-10-18 1989-01-23 Aluminum metallized layer formed on silicon wafer

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KR900000442B1 (ko) 1990-01-30
KR860003651A (ko) 1986-05-28
US4902582A (en) 1990-02-20
EP0178995A3 (en) 1988-01-13
EP0178995A2 (en) 1986-04-23

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