JP3341504B2 - Ａｌ薄膜電極の製造方法 - Google Patents
Ａｌ薄膜電極の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜電極の製造方法に関
し、詳しくは、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント
基板、各種コンデンサ、フィルタ、発振子などの種々の
電子部品に用いられるＡｌ薄膜電極（Ａｌを主成分とす
る薄膜電極）の製造方法に関する。
し、詳しくは、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント
基板、各種コンデンサ、フィルタ、発振子などの種々の
電子部品に用いられるＡｌ薄膜電極（Ａｌを主成分とす
る薄膜電極）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電子部
品に形成されるＡｌ薄膜電極の耐エレクトロマイグレー
ション性や耐ストレスマイグレーション性などを向上さ
せて信頼性（耐久性）を高める方法として、Ａｌ薄膜電
極にＣｕを含有させる方法が一般的に用いられている。
なお、Ｃｕの添加により、耐エレクトロマイグレーショ
ン性や耐ストレスマイグレーション性などが向上するの
は、Ａｌ薄膜電極の結晶粒内だけではなく、結晶粒界に
もＣｕが存在することによる。
品に形成されるＡｌ薄膜電極の耐エレクトロマイグレー
ション性や耐ストレスマイグレーション性などを向上さ
せて信頼性（耐久性）を高める方法として、Ａｌ薄膜電
極にＣｕを含有させる方法が一般的に用いられている。
なお、Ｃｕの添加により、耐エレクトロマイグレーショ
ン性や耐ストレスマイグレーション性などが向上するの
は、Ａｌ薄膜電極の結晶粒内だけではなく、結晶粒界に
もＣｕが存在することによる。
【０００３】さらに、ＳｉとＣｕを添加したり、その他
にもＴｉやＰｄを添加する方法もある。
にもＴｉやＰｄを添加する方法もある。
【０００４】ところで、Ａｌ薄膜電極へのＣｕの添加量
（Ｃｕ含有率）には、適正な範囲があり、Ｃｕ含有率が
その適正な範囲に達しない場合には、Ａｌ薄膜電極の耐
エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレー
ション性などを向上させて信頼性を高める効果が小さ
く、また、その範囲を越えてＣｕを含有させても、効果
の顕著な向上は期待できない。そのため、従来は、Ｃｕ
含有率が所定の範囲になるようにＣｕの添加量を制御し
ており、その範囲以上にＣｕを含有させないようにして
いる。
（Ｃｕ含有率）には、適正な範囲があり、Ｃｕ含有率が
その適正な範囲に達しない場合には、Ａｌ薄膜電極の耐
エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレー
ション性などを向上させて信頼性を高める効果が小さ
く、また、その範囲を越えてＣｕを含有させても、効果
の顕著な向上は期待できない。そのため、従来は、Ｃｕ
含有率が所定の範囲になるようにＣｕの添加量を制御し
ており、その範囲以上にＣｕを含有させないようにして
いる。
【０００５】また、従来は、Ａｌ薄膜電極を成膜する場
合に、基板などのＡｌ薄膜電極を形成する対象である基
体の温度（成膜温度）を、通常１００℃以上（半導体デ
バイスなどにおいては４００℃にする場合もある）にし
ている。
合に、基板などのＡｌ薄膜電極を形成する対象である基
体の温度（成膜温度）を、通常１００℃以上（半導体デ
バイスなどにおいては４００℃にする場合もある）にし
ている。
【０００６】これは、基体温度が１００℃以下になる
と、(１) Ａｌ薄膜電極の基体への密着性が低下する(２) 基体温度が１００℃以下の条件で成膜されたＡｌ薄
膜電極においては、長期放置やアニールなどによるエー
ジングによってＣｕがマイグレートし、結晶粒界にＣｕ
が凝集するため、０．１重量％以上の割合でＣｕを添加
した場合には、耐エレクトロマイグレーション性や耐ス
トレスマイグレーション性などの向上による膜の信頼性
向上の効果は得られるものの、例えば、ＲＩＥ(Reactiv
e Ion Etching)などの方法によりドライエッチングを行
う際に、結晶粒界に凝集したＣｕが残渣となり、腐食発
生の原因になるなどの問題点があることによる。
と、(１) Ａｌ薄膜電極の基体への密着性が低下する(２) 基体温度が１００℃以下の条件で成膜されたＡｌ薄
膜電極においては、長期放置やアニールなどによるエー
ジングによってＣｕがマイグレートし、結晶粒界にＣｕ
が凝集するため、０．１重量％以上の割合でＣｕを添加
した場合には、耐エレクトロマイグレーション性や耐ス
トレスマイグレーション性などの向上による膜の信頼性
向上の効果は得られるものの、例えば、ＲＩＥ(Reactiv
e Ion Etching)などの方法によりドライエッチングを行
う際に、結晶粒界に凝集したＣｕが残渣となり、腐食発
生の原因になるなどの問題点があることによる。
【０００７】一方、基体温度を１００℃以上にして成膜
した場合には、(１) Ａｌ薄膜電極の基体への密着性は向上するが、１０
０℃以下の温度で成膜した場合のようなＣｕのマイグレ
ーションが起こりにくいため、０．１重量％以上の割合
でＣｕを含有させても、結晶粒界へのＣｕの凝集による
膜の信頼性向上の効果を十分に得ることができない(２) 低温で成膜され、かつ、エージングされていないＡ
ｌ薄膜電極に較べて、例えば、ＲＩＥ法などの方法によ
りドライエッチングを行う際に、Ｃｕ残渣が発生しやす
く、腐食が発生しやすくなるなどの問題点がある。
した場合には、(１) Ａｌ薄膜電極の基体への密着性は向上するが、１０
０℃以下の温度で成膜した場合のようなＣｕのマイグレ
ーションが起こりにくいため、０．１重量％以上の割合
でＣｕを含有させても、結晶粒界へのＣｕの凝集による
膜の信頼性向上の効果を十分に得ることができない(２) 低温で成膜され、かつ、エージングされていないＡ
ｌ薄膜電極に較べて、例えば、ＲＩＥ法などの方法によ
りドライエッチングを行う際に、Ｃｕ残渣が発生しやす
く、腐食が発生しやすくなるなどの問題点がある。
【０００８】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、ドライエッチングによる加工が容易で、しかも信頼
性に優れたＡｌ薄膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳ
Ｉ、プリント基板などの種々の電子部品に形成すること
が可能なＡｌ薄膜電極の製造方法を提供することを目的
とする。
り、ドライエッチングによる加工が容易で、しかも信頼
性に優れたＡｌ薄膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳ
Ｉ、プリント基板などの種々の電子部品に形成すること
が可能なＡｌ薄膜電極の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明（請求項１）のＡｌ薄膜電極の製造方法は、
成膜時の基体温度を１００℃以下にして、乾式薄膜形成
方法により、該基体上にＣｕを所定の割合で含有するＡ
ｌ薄膜電極（Ａｌを主成分とする薄膜電極）を形成する
工程と、形成されたＡｌ薄膜電極がエージングされて結
晶粒界にＣｕが析出する前にドライエッチングすること
によりＡｌ薄膜電極を加工する工程と、加工されたＡｌ
薄膜電極をアニールする工程とを具備することを特徴と
している。
に、本発明（請求項１）のＡｌ薄膜電極の製造方法は、
成膜時の基体温度を１００℃以下にして、乾式薄膜形成
方法により、該基体上にＣｕを所定の割合で含有するＡ
ｌ薄膜電極（Ａｌを主成分とする薄膜電極）を形成する
工程と、形成されたＡｌ薄膜電極がエージングされて結
晶粒界にＣｕが析出する前にドライエッチングすること
によりＡｌ薄膜電極を加工する工程と、加工されたＡｌ
薄膜電極をアニールする工程とを具備することを特徴と
している。
【００１０】なお、本発明は、Ａｌ−Ｃｕ系の薄膜電極
の製造方法に限られるものではなく、例えば、Ｓｉ、Ｔ
ｉあるいはＰｄなどの他の添加物を含むＡｌ薄膜電極
（すなわち、Ａｌを主成分とする薄膜電極）の製造方法
をも包含するものである。
の製造方法に限られるものではなく、例えば、Ｓｉ、Ｔ
ｉあるいはＰｄなどの他の添加物を含むＡｌ薄膜電極
（すなわち、Ａｌを主成分とする薄膜電極）の製造方法
をも包含するものである。
【００１１】また、請求項２のＡｌ薄膜電極の製造方法
は、薄膜電極のＣｕ含有量が、０．１〜１０重量％の範
囲にあることを特徴としている。
は、薄膜電極のＣｕ含有量が、０．１〜１０重量％の範
囲にあることを特徴としている。
【００１２】また、請求項３のＡｌ薄膜電極の製造方法
は、ドライエッチング用のレジストパターンの熱処理条
件を１００℃以下、１時間以内とし、かつ、成膜後１２
０時間以内にドライエッチングすることを特徴としてい
る。
は、ドライエッチング用のレジストパターンの熱処理条
件を１００℃以下、１時間以内とし、かつ、成膜後１２
０時間以内にドライエッチングすることを特徴としてい
る。
【００１３】さらに、請求項４のＡｌ薄膜電極の製造方
法は、アニール温度１１０℃以上、アニール時間１時間
以上の条件でアニールを行うことを特徴としている。
法は、アニール温度１１０℃以上、アニール時間１時間
以上の条件でアニールを行うことを特徴としている。
【００１４】
【作用】成膜時の基体温度を１００℃以下にして、乾式
薄膜形成方法により、該基体上に成膜することによりＡ
ｌ薄膜電極に、固溶限界を越えるような割合でＣｕを含
有させることが可能になり、また、Ａｌ薄膜電極が長期
放置や熱処理などによりエージングされて結晶粒界にＣ
ｕが析出する前にドライエッチングすることにより、そ
の加工性が確保される。さらに、加工後のＡｌ薄膜電極
をアニールすることにより、Ａｌ薄膜電極の基体への密
着性を向上させるとともに、固溶限界を越えたＣｕをマ
イグレートさせて結晶粒界に析出させることが可能にな
り、耐エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイ
グレーション性などを向上させて信頼性（耐久性）を高
めることができるようになる。
薄膜形成方法により、該基体上に成膜することによりＡ
ｌ薄膜電極に、固溶限界を越えるような割合でＣｕを含
有させることが可能になり、また、Ａｌ薄膜電極が長期
放置や熱処理などによりエージングされて結晶粒界にＣ
ｕが析出する前にドライエッチングすることにより、そ
の加工性が確保される。さらに、加工後のＡｌ薄膜電極
をアニールすることにより、Ａｌ薄膜電極の基体への密
着性を向上させるとともに、固溶限界を越えたＣｕをマ
イグレートさせて結晶粒界に析出させることが可能にな
り、耐エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイ
グレーション性などを向上させて信頼性（耐久性）を高
めることができるようになる。
【００１５】したがって、ドライエッチングにより容易
に加工することが可能で、しかも信頼性に優れたＡｌ薄
膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント基板
などの種々の電子部品に形成することが可能になる。
に加工することが可能で、しかも信頼性に優れたＡｌ薄
膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント基板
などの種々の電子部品に形成することが可能になる。
【００１６】なお、成膜時の基体温度を１００℃以下に
することにより、効率よく、固溶限界を越える割合でＣ
ｕを含有するＡｌ薄膜電極を形成することが可能にな
る。
することにより、効率よく、固溶限界を越える割合でＣ
ｕを含有するＡｌ薄膜電極を形成することが可能にな
る。
【００１７】また、Ａｌ薄膜電極のＣｕ含有量を、０．
１〜１０重量％の範囲に制御することにより、固溶限界
を越えたＣｕをマイグレートさせて結晶粒界に析出させ
ることが可能になる。
１〜１０重量％の範囲に制御することにより、固溶限界
を越えたＣｕをマイグレートさせて結晶粒界に析出させ
ることが可能になる。
【００１８】さらに、ドライエッチング用のレジストパ
ターンの熱処理条件を１００℃以下、１時間以内とし、
かつ、成膜後１２０時間以内にドライエッチングを行う
ことにより、Ａｌ薄膜電極を容易に加工して、所望のパ
ターンを形成することが可能になる。
ターンの熱処理条件を１００℃以下、１時間以内とし、
かつ、成膜後１２０時間以内にドライエッチングを行う
ことにより、Ａｌ薄膜電極を容易に加工して、所望のパ
ターンを形成することが可能になる。
【００１９】さらに、アニール温度１１０℃以上、アニ
ール時間１時間以上の条件でアニールを行うことによ
り、確実に、Ａｌ薄膜電極の基体への密着性を向上させ
るとともに、固溶限界を越えたＣｕをマイグレートさせ
て結晶粒界に析出させることが可能になり、耐エレクト
ロマイグレーション性や耐ストレスマイグレーション性
などを向上させて信頼性（耐久性）を高めることが可能
になる。
ール時間１時間以上の条件でアニールを行うことによ
り、確実に、Ａｌ薄膜電極の基体への密着性を向上させ
るとともに、固溶限界を越えたＣｕをマイグレートさせ
て結晶粒界に析出させることが可能になり、耐エレクト
ロマイグレーション性や耐ストレスマイグレーション性
などを向上させて信頼性（耐久性）を高めることが可能
になる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を示してその特徴とす
るところをさらに詳しく説明する。なお、この実施例で
は、弾性表面波デバイス用のＡｌ薄膜電極（Ａｌを主成
分とする薄膜電極）を製造する場合を例にとって説明す
る。
るところをさらに詳しく説明する。なお、この実施例で
は、弾性表面波デバイス用のＡｌ薄膜電極（Ａｌを主成
分とする薄膜電極）を製造する場合を例にとって説明す
る。
【００２１】(１)まず、弾性表面波デバイス用の基板
（基体）として、水晶、ＬｉＴａＯ3、又はＬｉＮｂＯ3
からなる基板を用意するとともに、電極材料として、Ａ
ｌ−Ｃｕ又はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを用意した。そして、基
板温度を−２０〜＋１００℃の範囲に調整し、基板上
に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、又はＩＢＳ法（イ
オンビームスパッタ法）により、薄膜（Ａｌ薄膜電極）
を成膜した。なお、電極材料の組成などを制御して、Ａ
ｌ薄膜電極の平均Ｃｕ含有率が０．１〜１０重量％にな
るように調整した。
（基体）として、水晶、ＬｉＴａＯ3、又はＬｉＮｂＯ3
からなる基板を用意するとともに、電極材料として、Ａ
ｌ−Ｃｕ又はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを用意した。そして、基
板温度を−２０〜＋１００℃の範囲に調整し、基板上
に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、又はＩＢＳ法（イ
オンビームスパッタ法）により、薄膜（Ａｌ薄膜電極）
を成膜した。なお、電極材料の組成などを制御して、Ａ
ｌ薄膜電極の平均Ｃｕ含有率が０．１〜１０重量％にな
るように調整した。
【００２２】(２)それから、成膜後のＡｌ薄膜電極に、
線幅０．２〜２０μmのレジストパターンを形成し、成
膜後１２０時間以内に、塩素系のエッチングガスを用い
てＲＩＥ法によりドライエッチングした。なお、このと
き、Ａｌ薄膜電極（サンプル）は、レジストパターンの
熱処理時に、１００℃以下×１時間以内の条件で加熱
（熱処理）する以外は、３０℃以下の温度（常温）に保
持した。なお、線幅０．２〜２０μmのレジストパター
ンを形成したのは、線幅が０．２μm以下の場合には、
ＲＩＥ法によるドライエッチングでは対応できないこ
と、線幅（すなわちＡｌ薄膜電極の幅）が２０μm以上
の弾性表面波デバイスの場合には、特に問題にするほど
の耐ストレスマイグレーションは必要がなく、また、エ
レクトロマイグレーションも１０5Ａ／cm2以上の条件で
ないと発生しないことを考慮したものである。
線幅０．２〜２０μmのレジストパターンを形成し、成
膜後１２０時間以内に、塩素系のエッチングガスを用い
てＲＩＥ法によりドライエッチングした。なお、このと
き、Ａｌ薄膜電極（サンプル）は、レジストパターンの
熱処理時に、１００℃以下×１時間以内の条件で加熱
（熱処理）する以外は、３０℃以下の温度（常温）に保
持した。なお、線幅０．２〜２０μmのレジストパター
ンを形成したのは、線幅が０．２μm以下の場合には、
ＲＩＥ法によるドライエッチングでは対応できないこ
と、線幅（すなわちＡｌ薄膜電極の幅）が２０μm以上
の弾性表面波デバイスの場合には、特に問題にするほど
の耐ストレスマイグレーションは必要がなく、また、エ
レクトロマイグレーションも１０5Ａ／cm2以上の条件で
ないと発生しないことを考慮したものである。
【００２３】(３)そして、ドライエッチングを行うこと
により所定のパターンに加工したＡｌ薄膜電極を、循環
式オーブン、ホットプレート、ランプアニール炉（以
上、雰囲気はいずれも空気又は窒素雰囲気）、又は真空
アニール炉（真空雰囲気）を用いて、１１０℃以上の温
度で１時間以上のアニールを行った。
により所定のパターンに加工したＡｌ薄膜電極を、循環
式オーブン、ホットプレート、ランプアニール炉（以
上、雰囲気はいずれも空気又は窒素雰囲気）、又は真空
アニール炉（真空雰囲気）を用いて、１１０℃以上の温
度で１時間以上のアニールを行った。
【００２４】上記の手順にしたがって、Ａｌ薄膜電極の
成膜、加工、アニールを行うことにより、加工が容易
で、Ｃｕ残渣やそれに起因する電極腐食がなく、かつ、
基体への密着性が大きく、信頼性（耐久性）に優れたＡ
ｌ薄膜電極を形成することができた。
成膜、加工、アニールを行うことにより、加工が容易
で、Ｃｕ残渣やそれに起因する電極腐食がなく、かつ、
基体への密着性が大きく、信頼性（耐久性）に優れたＡ
ｌ薄膜電極を形成することができた。
【００２５】［具体例］(１) 基板温度２５℃で、ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｌ−
Ｃｕ（２重量％）を電子ビーム蒸着法により蒸着して成
膜した後、ＲＩＥ法による加工を行い、線幅１．５μm
のくし歯状電極を形成した。このくし歯状電極を観察し
たところ、Ｃｕ残渣の発生及びそれによる腐食の発生は
全く認められなかった。
Ｃｕ（２重量％）を電子ビーム蒸着法により蒸着して成
膜した後、ＲＩＥ法による加工を行い、線幅１．５μm
のくし歯状電極を形成した。このくし歯状電極を観察し
たところ、Ｃｕ残渣の発生及びそれによる腐食の発生は
全く認められなかった。
【００２６】(２)また、前記くし歯状電極が形成された
ＬｉＴａＯ3基板を窒素雰囲気の循環式オーブンに入れ
て１５０℃×８時間のアニールを行った。アニール後の
Ａｌ薄膜電極を観察したところ、Ａｌ薄膜電極中のＣｕ
が結晶粒界に凝集していることが確認された。
ＬｉＴａＯ3基板を窒素雰囲気の循環式オーブンに入れ
て１５０℃×８時間のアニールを行った。アニール後の
Ａｌ薄膜電極を観察したところ、Ａｌ薄膜電極中のＣｕ
が結晶粒界に凝集していることが確認された。
【００２７】(３)さらに、アニール後のＡｌ薄膜電極に
ついて耐電力寿命試験を行い、その信頼性（耐久性）を
評価したところ、信頼性（耐久性）がアニールを行って
いないＡｌ薄膜電極の約２倍、従来の高温で成膜したＡ
ｌ薄膜電極の約３倍に向上していることが確認された。
ついて耐電力寿命試験を行い、その信頼性（耐久性）を
評価したところ、信頼性（耐久性）がアニールを行って
いないＡｌ薄膜電極の約２倍、従来の高温で成膜したＡ
ｌ薄膜電極の約３倍に向上していることが確認された。
【００２８】なお、上記実施例では、弾性表面波デバイ
ス用のＡｌ薄膜電極を製造する場合を例にとって説明し
たが、本発明は、弾性表面波デバイス用のＡｌ薄膜電極
を製造する場合に限らず、ＬＳＩ、プリント基板、各種
コンデンサ、フィルタ、発振子などの種々の電子部品の
Ａｌ薄膜電極を形成する場合にも適用することが可能で
ある。
ス用のＡｌ薄膜電極を製造する場合を例にとって説明し
たが、本発明は、弾性表面波デバイス用のＡｌ薄膜電極
を製造する場合に限らず、ＬＳＩ、プリント基板、各種
コンデンサ、フィルタ、発振子などの種々の電子部品の
Ａｌ薄膜電極を形成する場合にも適用することが可能で
ある。
【００２９】なお、本発明は、さらにその他の点におい
ても上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨
の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可
能である。
ても上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨
の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可
能である。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、本発明のＡｌ薄膜電極の
製造方法は、成膜時の基体温度を１００℃以下にして、
乾式薄膜形成方法により、該基体上にＣｕを所定の割合
で含有するＡｌ薄膜電極を形成した後、Ａｌ薄膜電極が
エージングされて結晶粒界にＣｕが析出する前にドライ
エッチングすることによりＡｌ薄膜電極を加工し、その
後、加工されたＡｌ薄膜電極をアニールするようにして
いるので、Ａｌ薄膜電極に固溶限界を越える割合でＣｕ
を含有させることが可能になるとともに、加工性が確保
され、さらに、固溶限界を越えた量のＣｕを結晶粒界中
に析出させることが可能になり、耐エレクトロマイグレ
ーション性や耐ストレスマイグレーション性などを向上
させることができる。
製造方法は、成膜時の基体温度を１００℃以下にして、
乾式薄膜形成方法により、該基体上にＣｕを所定の割合
で含有するＡｌ薄膜電極を形成した後、Ａｌ薄膜電極が
エージングされて結晶粒界にＣｕが析出する前にドライ
エッチングすることによりＡｌ薄膜電極を加工し、その
後、加工されたＡｌ薄膜電極をアニールするようにして
いるので、Ａｌ薄膜電極に固溶限界を越える割合でＣｕ
を含有させることが可能になるとともに、加工性が確保
され、さらに、固溶限界を越えた量のＣｕを結晶粒界中
に析出させることが可能になり、耐エレクトロマイグレ
ーション性や耐ストレスマイグレーション性などを向上
させることができる。
【００３１】したがって、ドライエッチングにより容易
に加工することが可能で、しかも信頼性に優れたＡｌ薄
膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント基板
などの種々の電子部品に形成することが可能になる。
に加工することが可能で、しかも信頼性に優れたＡｌ薄
膜電極を、弾性表面波デバイスやＬＳＩ、プリント基板
などの種々の電子部品に形成することが可能になる。
【００３２】また、ドライエッチングを行うことが困難
になる前、すなわち、結晶粒界中にＣｕがマイグレート
して凝集する前に、ドライエッチングによりＡｌ薄膜電
極の加工を行うようにしているため、凝集したＣｕが残
渣となること、及びそれに起因する電極腐食を防止する
ことができる。
になる前、すなわち、結晶粒界中にＣｕがマイグレート
して凝集する前に、ドライエッチングによりＡｌ薄膜電
極の加工を行うようにしているため、凝集したＣｕが残
渣となること、及びそれに起因する電極腐食を防止する
ことができる。
Claims (4)
- 【請求項１】成膜時の基体温度を１００℃以下にして、
乾式薄膜形成方法により、該基体上にＣｕを所定の割合
で含有するＡｌ薄膜電極（Ａｌを主成分とする薄膜電
極）を形成する工程と、 形成されたＡｌ薄膜電極がエージングされて結晶粒界に
Ｃｕが析出する前にドライエッチングすることによりＡ
ｌ薄膜電極を加工する工程と、 加工されたＡｌ薄膜電極をアニールする工程とを具備す
ることを特徴とするＡｌ薄膜電極の製造方法。 - 【請求項２】Ａｌ薄膜電極のＣｕ含有量が、０．１〜１
０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の
Ａｌ薄膜電極の製造方法。 - 【請求項３】ドライエッチング用のレジストパターンの
熱処理条件を１００℃以下、１時間以内とし、かつ、成
膜後１２０時間以内にドライエッチングすることを特徴
とする請求項１又は２記載のＡｌ薄膜電極の製造方法。 - 【請求項４】 アニール温度１１０℃以上、アニール時
間１時間以上の条件でアニールを行うことを特徴とする
請求項１，２又は３記載のＡｌ薄膜電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30539194A JP3341504B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | Ａｌ薄膜電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30539194A JP3341504B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | Ａｌ薄膜電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139050A JPH08139050A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3341504B2 true JP3341504B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=17944564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30539194A Expired - Lifetime JP3341504B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | Ａｌ薄膜電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341504B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929723A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-27 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave apparatus having an electrode that is a doped alloy film |
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1994
- 1994-11-14 JP JP30539194A patent/JP3341504B2/ja not_active Expired - Lifetime
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