JPS5846693A - セラミツク基板に銅箔を接着する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック基板にｗＩＩ４箔を撤看する方法に
関する〇 オーディオアンプ等のスピーカー駆動用出力回路や安定
化電＃ｉ回ｗＩＣは、集積回路（■０）に比較的大電流
な流子ことが可能な外付は回路を付加したハイブリッド
証の集積回路が用いられている。

これは、伺えば１０な含む＊　ｔａ　＃部品がセラミッ
ク基板上に取り付けられカバーを被せられた構造のもの
で、これらの部品の間の電気接続は主として、セラミッ
ク基板上に接着された所定のパターンに形成された導電
性金属箔？介して行なわれている・ 従来この金属箔の材料としては鋼箔あるいは金。

銀の箔が用いられており、セラミック基板との緩着性の
嵐いモリブデンやタングステンを中間層としてセラ２ツ
ク基゛［表面に熱処理により接着されていた〇 ところが、このような従来のものではや間層形成のため
の材料費や加工費が簡幽な上６二、鋼箔の電気抵抗が中
間層の材料の拡散によって高抵抗化する雌点があった〇 本発明は以上のような従来法の一点？解消するもので、
鋼箔をセラミック基板上に強固に接着するために両者の
闇５二酸化＠な含む中間層を介在させ、これを所蔵条件
で熱処理Ｔることを特徴とするセライック基板に一品を
嬢叡°「る方法を提供しようとするものでるる。

Ｔなわち１本発明の方法においては、１す一品の表面あ
るいはセラミック基板の表面に酸化鋼（ＯｕＯ）を含む
中間層が形成される０この中間層は、鋼箔を硝酸ナトリ
ウム（ＮａＮＯ３）水溶液等に浸漬して、ｄｒｋｉＣ酸
化鋼（Ｏｕｒ）の破膜を膜厚約０．０５μ〜ｌＯμ程度
に形成したり。

あるいはペースト状の酸化鋼の粉末をセラミック基板上
に厚膜法により２〜２０μの厚さにグリントすることに
より得られる。

次にセラミック基板上に上記の表向に酸化ｊｉｌｉ−形
成させた鋼箔を載せ、あるいはセラミック基板上に形成
させた酸化鋼の層上へ一品を械せ、これらを窒素やアル
ゴンガ誠等の不活性ガスを封入した処理槽内に収容され
、熱処理が行なわれる〇上記不活性ガスの純度は、９９
．９９９パ一セント以上が好ましい。

なお、セライック基板としては例えば９０〜９９．５−
アルξナが使用される。

上記の熱処理は、１０６０〜１０９υＣの１度で２〜ｌ
Ｏ分Ｓ度行なわれる。

以上の熱処理により、上記中間！−に含まれた酸化鋼（
ＯｕＯ）の一部が亜酸化銅（０ｕ７０　）に還元されて
活性化し、ｌｌ４ｉとセラミック基板とは強固に接着さ
れる〇 上述のように１本発明の方法によれば、中間ノーとして
鋼箔と同質の安価な材料を用いてｇ１４箔ｔセラ建ツク
基板ｌ二強固に接着させることができる〇筐た１本発明
においては、−漬が中間ｔ＝よる。

例えば抵抗増加等の悪影響を受けることがないから、こ
の櫨の電気部品の高周波特性、１１％伝導性。

誘電特性、＊気抵抗等を改善し、その品質の同上に大き
く寄与Ｔる＠ 以下１本発明の実施例について説明する＠実施例 厚さ０．０７ｍの鋼箔を濃度１０優の硝藏ナトリウ゛ム
水溶液中に９０　’（３で５分間浸漬処理した〇この処
理によって、１１４Ｍ表［ｉｌに厚さ約０．１μのポ化
＠破膜が形成された。

次にこの濯化Ａｄ膜な介して９６−アルξナが、　らな
るセラミック基板上に鋼箔を電ね合せ、−匿９９．９９
９ＳＯ）’Ａ素ガス’ＰＴｌ（Ｊ７０”Ｏ±５’Ｏｒ５
分熱処理を行なった。

このようにして得られた基板に、第１図に示すように鋼
箔ｌを接４した側と反対側のセラミック基板２の下面に
、■溝３を形成し、萱４上に橋渡しした説上面（二所ボ
の錘５をのせていわゆるＰＬ試験を行なった。

この鋼箔ｌを接窃した基板は、０．５ＪＣ９／−以上の
虚さに耐え、かつ第２図のように折損した後鋼、＠１と
セライック基板２とのｙ＃面のψｊ扇はほとんど認めら
れなかった。

比較例 ９６＠アル建すからなるセラミック基板の表向に厚膜法
により厚さ２０μのモリブデン層を形成し、その上に厚
さ０．０５’ｓｕ＋の鋼箔を電ね合わせ。

１０７０℃で５分熱処理した。

このようにして得られた基板について、上記したＰＬ試
験？行なったところ０．８　ｋｇ／ａｔの重さで基板が
折損しその際鋼箔］とセラミック基板２との境界面は折
損部から１閣にわたって剥離した６さらに、上記本発明
の実施例と、比較例とを同一層、厚で同一幅の′電気抵
抗を測定して比・較したところ１本発明のものは比較例
のものに比べて２゜囁低い値であった。

【図面の簡単な説明】

ｗＩ１図は本発明の方法により得られた基板を試験Ｔる
ＰＬ試験法の側面区、第２凶はＰＬ試験により折損した
基板のＩＩＩ面図である◎ｌ・・・・・鋼箔 ２・・・・・・セラミック４板 ３・・・・・・Ｖ溝 ４・・・・・台 （５）・・・・・錘 （７３１７）代通人　弁理士　　則近虐佑（ほか１名） 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．１！Ａ箔とセラミック基板との間に戚化綱を含む中
   間層を介在させ、これを不活性ガス雰囲気中で熱処理す
   ることを特徴とするセラミック４板に鋼箔４を炭層する
   方法。 ２、純［９９，９９９パ一セント以上の不活性ガス雰囲
   気中で、１０６０’０〜１ｔ１９Ｌｌ’（！のｉｌｌ＆
   で熱処理することな特徴とする特許請求の範囲！Ｊ１項
   紀記載）セラきツク基板に鋼箔を接着する方法。 ３、＠箔表面を硝酸ナトリウム水＃Ｎｇにより１波化処
   理して中間層を形成することｔ峙倣とする特許請求の範
   囲４１項または＃＆２項記載のセラミック基板Ｃ二鋼箔
   を接着する方法０ ４、中間層が、＆＃！化鋼の粉末を混入したペーストの
   塗布ノーから成ることを％砿とする％ｌｆｆ請求の範囲
   第１項または秦２項記畝のセラミック４！！仮に鋼箔を
   撤着する方法。