JPS63257294A - 回路形成方法 - Google Patents

回路形成方法

Info

Publication number
JPS63257294A
JPS63257294A JP9131687A JP9131687A JPS63257294A JP S63257294 A JPS63257294 A JP S63257294A JP 9131687 A JP9131687 A JP 9131687A JP 9131687 A JP9131687 A JP 9131687A JP S63257294 A JPS63257294 A JP S63257294A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
thickness
bridge
frame
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9131687A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2566142B2 (ja
Inventor
孝志 荘司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP62091316A priority Critical patent/JP2566142B2/ja
Publication of JPS63257294A publication Critical patent/JPS63257294A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2566142B2 publication Critical patent/JP2566142B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は回路形成方法、詳しくは、セラミックス類の
基板上に導電性金属板よりなる回路部材を接合して回路
を構成する回路形成方法に関するものである。
〔従来の技術〕
セラミックス類の基板への回路の形成方法としては、基
板全面に導電性金属板を接着し、エツチングにより該金
属板の不必要な部分を除去して基板上に所望のパターン
を有する回路を形成する方法、あるいは特開昭52−3
7914号公報に開示されている様に、金属板を打抜き
加工し、所望のパターンになった回路部と外枠を構成す
るフレーム部とをブリッジ部材により一体的に連結した
打抜き金属板を作り、該打抜き金属板全体をセラミック
ス類の基板に接着し、接着完了後にフレーム部とブリッ
ジ部とを除去し、回路部だけを基板上に残す方法とが知
られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記従来の技術のうち、前者においては
、エツチングに時間がかかり、しかも、接合界面のエツ
チング処理が非常にむずかしく、回路解像性が低く、パ
ターン抜けが悪いという欠点が存在している。また、パ
ターン抜けを良くする為、フッ酸の様にエツチング作用
の激しい液を使用しなければならない場合もあるが、こ
の場合においてはセラミックス類の基板の強度が劣化す
る問題が存在していた。
一方、後者においては、ブリッジ部を除去する際、基板
に無理な力が加わりやすく、セラミックス類の基板に傷
や割れが発生する原因となっていた。
又、温度変化が繰返されると、これに伴う収縮、膨張に
より回路部を構成している金属板と基板とが剥離しやす
いという欠点も存在していた。
本発明者は、セラミックス類の基板への回路の形成に関
する上記従来の欠点を除去すべく研究を行った結果、拡
散接合の手法を用いることにより、極めてすぐれた回路
形成方法を開発することに成功し、本発明としてここに
提案するものである。
〔問題点を解決する為の手段〕
この発明は、外枠を構成するフレーム部の内側に所望の
パターンを有する回路部が位置し、フレーム部と回路部
とがブリッジ部によって一体的に連結された導電性を有
する成形金属板をエツチングや打抜き加工等により形成
し、該成形金属板のブリッジ部の片面の厚さをエツチン
グ処理によって前記回路部の厚さより薄くし、しかる後
にエツチング処理面側の回路部に拡散接合用の接着ペー
ストを印刷し、回路部をセラミックス類の基板の所定位
置に接合し、次いでフレーム部とブリ・ノジ部とを除去
することにより、セラミックス類の上に回路を形成せん
とするものである。
次に、この発明を更に具体的に説明する。
セラミックス製基板1としてはA j! z 03 。
SiC,AIN等よりなる厚みQ、5〜l+n程度のも
のが好適に使用できる。
又導電性を有する成形金属板5としては厚み0.5〜2
.Omm程度のCu箔が例示される。
該成形金属板5は第1図に示す様に打抜きあるいはエツ
チングにより、外枠を構成するフレーム部2の内側に所
望のパターンを有する回路部3が位置し、前記フレーム
部2と回路部3とがブリッジ部4により一体的に連結さ
れる様形成される。
その際、回路部3とブリッジ部4との接合箇所には両者
の離脱を容易にする為クサビ部6を形成する。そして、
この成形金属板5の一方の面の回路部3及び他方の面金
面に塩化第二鉄等のレジスト剤を塗布し、エツチング処
理を行い、プリフジ部4及びフレーム部2の厚さ1.を
ハーフエツチングにより回路部3の厚さ【2の半分程度
の厚さとする。なお、このハーフエツチングはブリッジ
部4及びフレーム部2を回路部3から除去しやすくする
為に行うものであり、ブリッジ部4のみに対して行って
も良い。 更に、第2図に示す様に、エツチング処理面
側の回路部3に拡散接合用の接着ペースト7を印刷し、
この接着ペースト7が印刷された回路部3をセラミック
ス類の基板1の所定位置に重畳し、800乃至900℃
で真空又は不活性雰囲気中において加圧接合する。
拡散接合用の接着ペースト7としては、本件出願人が特
願昭61−150005号として提案済みの接着ペース
ト、即ち、重量割合で(以下、同じ) 、Cu及びNi
のうちの少なくとも1種を10〜60%、T 1 % 
N b及びZrの少なくとも1種を10〜80%含み、
残部が実質的にAgである組成を有し、かつ、各成分を
メカニカルアロイ法によって機械的に噛合結合した複合
粉末を有機溶媒中に分散させペースト状にした接着ペー
スト又はCu及びNiのうちの少なくとも1種を10〜
60%、Ti、Nb及びZrO内の少なくとも1種を7
〜80%、希土類元素(Yを含む)のうちの少なくとも
1種を5 ppm〜3%含み、残部が実質的に Agで
ある組成を存し、かつ各成分をメカニカルアロイ法によ
って機械的に噛合結合した複合粉末をを機溶媒中に分散
させペースト状にした接着ペーストが使用される。
なお、上記接着ペーストの好ましい使用態様としては、
まず回路部の接着面に所要量を印刷塗布し、乾燥後、不
活性雰囲気下550〜600℃で焼成してバインダー分
を揮散させ、次いで非酸化性雰囲気中又は1O−3To
rr以下の減圧下でL 〜100 kg/crAの荷重
のもとに600〜900°Cに所要時間加熱し、接合す
る。塗布量は焼成後の膜厚が10〜30μ程度が良い。
あまり薄いと拡散不充分となり接着強度が上がらない。
また100μ以上に厚くなりすぎるとセラミック製の基
板に使用した場合、熱膨張差の影響が大きくなり、基板
に亀裂が生ずるようになる為、好ましくない。
更に第3図、第4図に示す様にセラミックス製の基板1
に回路部3を拡散接合した後、フレーム部2とブリッジ
部4を剥ぎ取って除去し、第5図に示す様に回路の形成
を完成させる。この際、ブリッジ部4はハーフエツチン
グにより回路部3に比して薄くなって−おり、更にブリ
ッジ部4と回路部3との接合箇所にはクサビ部6が設け
られている為、基板1や回路部3に無理な力が加わるこ
となく、このフレーム部2とブリッジ部4を簡単に剥ぎ
取ることができる。
〔実施例1〕 0.5 +n”のタフピッチ銅箔の両面にドライフィル
ムを貼り付け、一方の面は回路部、フレーム部、ブリッ
ジ部以外の除去部分のみを露光させ、レジストとし、回
路部、フレーム部、ブリッジ部が形成される様にした。
反対側の面は回路部のみにレジストが残る様に露光した
その後、この銅箔を塩化第2鉄水溶液でエツチング処理
し、所望のパターンを存する回路部と外枠を構成するフ
レーム部とがブリッジ部によって一体的に連結された成
形金属板を得た。回路部の厚さは0.5+u、ブリッジ
部とフレーム部の厚さは0.25+uであった。
そして、T i 20wt%、Cu40wt%、Ag4
0wt%よりなり、前記各成分をメカニカルアロイ法に
よって機械的に噛合結合した複合粉末を有機溶媒中に分
散させペースト状にした接着ペーストを20μの厚さに
回路部のみに印刷塗布し、120℃で10分間乾燥した
後、600℃で10分間チッ素気流で脱脂処理し、0.
635 **tのアルミナ製の基板に重ね合せ、0.5
 kg/crAの圧力を加え、850℃で10分間チッ
素気流中で加熱し、接合した。
接合完了後フレーム部を指でつまむことにより、フレー
ム部とブリフジ部を取り去った。この様にして得られた
回路の特性を別表に示す。
〔実施例2〕 実施例1と同じ0.5m’のタフピッチ銅箔を実施例1
の成形金属板と同じパターンとなる様に打抜き、その一
方の面は全体を、他方の面は回路部のみをマスキングし
、前記実施例1と同様にエツチング処理し、アルミナ製
の基板に拡散接合させ、フレーム部とブリッジ部を取り
去った。
〔比較例〕
実施例1.2と同じ0.5 wtタフピッチ銅箔の両面
にドライフィルムを貼り付け、回路部、フレーム部、プ
リフジ部以外の除去部分のみを露光させ、回路部、フレ
ーム部、ブリッジ部にレジストが残る様にした。その後
、塩化第2鉄水溶液でエツチング処理し、前記各実施例
と同様にアルミナ製の基板上に回路を形成した。
別表 C発明の効果〕 この発明に係る回路形成方法によれば回路解像性が高く
、回路抜けの良好で精密な回路を形成することができ、
又接合後のフレーム部及びブリッジ部の除去が極めて容
易で、基板に無理な力を加えることなく、基板や回路部
に損傷を生じさせずに精度の高い回路を形成することが
可能である。
又、フッ酸の様にエツチング作用の激しい液を使用する
必要がない為、基板が劣化することもなく、強度の大き
い回路基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明に係る回路形成方法を説明するものであ
り、第1図は成形金属板の平面図、第2図は接着ペース
トを印刷した状態の成形金属板の平面図、第3図は成形
金属板をセラミックス製のブリッジ部を取り去る状態を
説明する為の斜視図である。 1・・・基板、2・・・フレーム部、3・・・回路部、
4・・・ブリッジ部、5・・・成形金属板、6・・・ク
サビ部、7・・・接着ペースト 1F″′、、7.’、j・工・ 第1図 第2図 第3m 第4図     ′ 第5図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外枠を構成するフレーム部の内側に所望のパター
    ンを有する回路部が位置し、フレーム部と回路部とがブ
    リッジ部によって一体的に連結された導電性を有する成
    形金属板をエッチングや打抜き加工等により形成し、該
    成形金属板のブリッジ部の片面の厚さをエッチング処理
    によって前記回路部の厚さより薄くし、しかる後にエッ
    チング処理面側の回路部に拡散接合用の接着ペーストを
    印刷し、回路部をセラミックス製の基板の所定位置に接
    合し、次いでフレーム部とブリッジ部とを除去すること
    により、セラミックス製の基板上に回路を形成すること
    を特徴とする回路形成方法。
  2. (2)ブリッジ部の厚さが回路部の厚さのほぼ1/2で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の回路
    形成方法。
  3. (3)接着ペーストは、重量割合で(以下、同じ)、C
    u及びNiのうちの少なくとも1種を10〜60%、T
    i、Nb及びZrのうちの少なくとも1種を10〜80
    %含み、残部が実質的にAgである組成を有し、かつ、
    各成分をメカニカルアロイ法によって機械的に噛合結合
    した複合粉末を有機溶媒中に分散させペースト状にした
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
    第2項記載の回路形成方法。
  4. (4)接着ペーストは、Cu及びNiのうちの少なくと
    も1種を10〜60%、Ti、Nb及びZrの内の少な
    くとも1種を7〜80%、希土類元素(Yを含む)のう
    ちの少なくとも1種を5ppm〜3%含み、残部が実質
    的にAgである組成を有し、かつ各成分をメカニカルア
    ロイ法によって機械的に噛合結合した複合粉末を有機溶
    媒中に分散させペースト状にしたものであることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の回路形成
    方法。
JP62091316A 1987-04-14 1987-04-14 回路形成方法 Expired - Lifetime JP2566142B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62091316A JP2566142B2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 回路形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62091316A JP2566142B2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 回路形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63257294A true JPS63257294A (ja) 1988-10-25
JP2566142B2 JP2566142B2 (ja) 1996-12-25

Family

ID=14023057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62091316A Expired - Lifetime JP2566142B2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 回路形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2566142B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02230790A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Toshiba Corp セラミックス回路基板の製造方法
JPH03102891A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板の製造方法
JPH06216481A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Toshiba Corp セラミックス銅回路基板
JP2009246391A (ja) * 2009-07-27 2009-10-22 Kyocera Corp セラミック配線基板の製造方法
WO2015046280A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 三菱マテリアル株式会社 Cu/セラミックス接合体、Cu/セラミックス接合体の製造方法、及び、パワーモジュール用基板
WO2018110104A1 (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 Jx金属株式会社 回路基板用金属板、回路基板、パワーモジュール、金属板成形品及び、回路基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5237914A (en) * 1975-07-30 1977-03-24 Gen Electric Method of directly combining metal to ceramics and metal
JPS615596A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 株式会社東芝 回路基板の製造方法およびこれに使用する回路パタ−ンフレ−ム
JPS62282489A (ja) * 1986-05-31 1987-12-08 株式会社住友金属セラミックス 回路パタ−ンとその回路パタ−ンを用いた回路基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5237914A (en) * 1975-07-30 1977-03-24 Gen Electric Method of directly combining metal to ceramics and metal
JPS615596A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 株式会社東芝 回路基板の製造方法およびこれに使用する回路パタ−ンフレ−ム
JPS62282489A (ja) * 1986-05-31 1987-12-08 株式会社住友金属セラミックス 回路パタ−ンとその回路パタ−ンを用いた回路基板の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02230790A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Toshiba Corp セラミックス回路基板の製造方法
JPH03102891A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板の製造方法
JPH06216481A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Toshiba Corp セラミックス銅回路基板
JP2009246391A (ja) * 2009-07-27 2009-10-22 Kyocera Corp セラミック配線基板の製造方法
WO2015046280A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 三菱マテリアル株式会社 Cu/セラミックス接合体、Cu/セラミックス接合体の製造方法、及び、パワーモジュール用基板
US10016956B2 (en) 2013-09-30 2018-07-10 Mitsubishi Materials Corporation Cu/ceramic bonded body, method for manufacturing Cu/ceramic bonded body, and power module substrate
WO2018110104A1 (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 Jx金属株式会社 回路基板用金属板、回路基板、パワーモジュール、金属板成形品及び、回路基板の製造方法
JP2018098467A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 Jx金属株式会社 回路基板用金属板、回路基板、パワーモジュール、金属板成形品及び、回路基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2566142B2 (ja) 1996-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3768601B2 (ja) フラックスレス・フリップ・チップ・ボンディングおよびその製造方法
JP3152344B2 (ja) セラミック回路基板
JPS63257294A (ja) 回路形成方法
JP3997293B2 (ja) 点接合または線接合を有する金属−セラミックス複合基板の製造方法
JPH05198917A (ja) セラミックス配線基板の製造方法
JP2886317B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JPH03101153A (ja) 銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法
JP3175503B2 (ja) チップ型圧電共振部品
JPH04322491A (ja) セラミックス回路基板の製造法
JP4668476B2 (ja) 接合体の製造方法
JP3015491B2 (ja) AlN基板
JP2986532B2 (ja) AlN/Cuクラッド基板の製造方法
JPH04146685A (ja) 修復パッド及びその製造方法
JP2702732B2 (ja) 薄膜形成用ターゲット
JPH0567864A (ja) セラミツクス基板及びそのメタライズ方法
JP2556963B2 (ja) セラミツク基板の半田付方法
JPS6378742A (ja) 高熱伝導性銅貼基板の製造方法
JPS6381894A (ja) セラミツクス回路基板の製造方法
JPS6314493A (ja) 多層セラミツク基板の製造方法
JPH0799380A (ja) セラミックス−金属接合体のパターン形成方法
JPS62119186A (ja) 感熱ヘツド用グレ−ズドセラミツク基板
JPH0497591A (ja) 多層配線基板のパターン形成方法
JPH04170088A (ja) 銅板接合セラミックス基板のパターン形成方法
JPH0424990A (ja) セラミックス基板の回路形成方法
JPS603879A (ja) 端子の製造方法