JPS62282489A - 回路パタ−ンとその回路パタ−ンを用いた回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック基板上に回路パターン用フレームを
直接共晶接合した回路基板に関するものである。

じｊ下余日 （従来技術とその問題点） 従来より、セラミック基板上に金属２例えば銅を直接共
晶接合したＤＢＣ（ダイレフ）＆ンドカツパー）基板は
公知である。

このＤＢＣ基板は、比較的厚みのある金属（銅）を直接
絶縁物（セラミック）上に接合しているため、大電流で
発熱量の大きい素子を載せることができるという利点が
ある反面、基板を製作する上においては、厚みのある金
属（銅）板を定められた位置に正確に位置決めして貼り
合せることが必要であり、かつ貼合せは回路パターン用
金属を銅とした場合鋼−酸素の共晶温度（１０６５℃）
以上、銅の融点（１０８３℃）以下と８う高温の極低酸
素濃度雰囲気で行なわれるため有機物の位置決め材（例
えばアクリル）は使用することができず、無機物の位置
決め材も限定されたものしか使用できないため２位置決
めのために高価な冶具を使用しなければならない。

上記の如き困難な回路ｉ４ターンの位置決めを容易に行
なうべくすでに２例えば特開昭６１−５５９６号公報に
開示されている如く１個々の回路パターン用金属板をブ
リッジ部で連絡してなる回路）４ターンフレームをセラ
ミック基板上に載せて熱処理により直接接合させた後、
常温に冷却してから回路・クターンフレームのブリクジ
部を除去するようにした回路基板の製造方法。

或は、特公昭６０−４１５４号公報に開示されテイル如
く個々回路パターン用フレーム（ランド部）をその周囲
に設けた周辺支持体にノツチを設けたタブに□よって接
続したリードフレームをセラミック基板上に接合した後
２周辺支持体を該支持体の一部を掴み剥取ることにより
回路パターンフレームと周辺支持体（及びタブ）とをノ
ツチ部から分離するようにした回路基板アクセンブリの
製造方法等が提案されている。

ところが、前者においては、ブリッジ部の切離しのため
に二ッ／Ｐ等の切断治具やグラインダ等の機械的切−装
置或は放電加工機、エツチング加工機等の付帯装置が必
要となると共に個々の回路・母７　　’　　　　・ノ　
ｒＷＩ　　−Ｌ　ズー　竺−ＩＩ　　　、、、　　、、
ｊ　　ｂｆ　　Ｉ−ｈ　　シ其　住　１　　　イ　ｌＡ
　＠＠　−一　−（１７ｒ 接続個所が多く、特に回路パターンの中央部に孤立した
パターンの場合２回路パターン間のブリッジ部の分切゛
離し部分も多くなり作業効率を悪くならざるを得ない。

また、後者においては２個々の回路パターン用フレーム
２．／・２１′と周辺支持体１′とを接続板３′により
連結しているために、第６図に示す如く。

回路パターンの中央部に孤立したパターン２１′を有す
る複雑なパターンの場合９周辺支持体１′と孤立したパ
ターン２１′との連結ができないため、孤立したｉ４タ
ーンはその周囲のｉ？ターンとはタブ４等で連結せざる
を得す、前者と同様に孤立パターン２１′とその周囲の
パターン２１′とを切離すための装置が必要となる等の
不具合を免れなかった。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば１周辺支持枠１に接続板３２を。

介して複数の周辺パターン２１を接続すると共に。

前記周辺支持枠１に前記周辺パターン２１間を通る細長
接続板３２を介して孤立・ぐターフ２１’ｒ！続した回
路パターンを用意し、該回路パターンを基板上に接合後
１周辺支持枠１．接続板３２　、細長接続板３２を分離
することを特徴とする回路基板の製造方法が得られる。

（実施例） 以下１本発明を第１図及び第２図に示した実施例に沿い
説明する。なお、第１図と第２図は別個の実施例である
が１回路ノ’？ターンが異なるだけであるから同時に説
明する。

１は周辺支持枠で、この内周には周辺ノＪ？ターン２１
が接続板３１によって接続されている。

この周辺パターン２１の中央には孤立した孤立ツクター
ン２１が設けられており、この孤立パターン２１は前記
周辺パターン２１の間隙を通り周辺支持枠１に接続され
た細長い接続板３２に接続されている。

前記接続板３、及び細長接続板３２は９周辺支持枠１と
の接続部の幅に対して１周辺ツクターフ２、及び孤立パ
ターン２１との接続部の幅を小さく形成している。

そして１周辺パターン２１及び孤立ノ母ターン２１の接
続板３２及び細長板３２との接続部には第３図及び第４
図に示す如く半円形の切込みが設けられている。

前記した周辺支持枠ｌ、パターン２１　・２１及び接続
板３２　・３２よりなるリードフレームは金属１例えば
銅板により公知の・ぐンチンダ法或はエツチング法によ
り形成されると共に、第５図に示すとおり、接続板３２
　・３２は、その裏面をハーフエツチングして周辺支持
枠１及びパターン２１・２１よシも厚さを薄くシ、共晶
接合時にセラミック基板との接着を防止している。

このようにして成形したリードフレーム全図示しないセ
ラミック基板上に載置して、極低酸素濃度雰囲気中で熱
処理して直接共晶接合した後２周辺支持枠１の一部を掴
み剥取れば２周辺パターン２１及び孤立パターン２２は
セラミック基板に密着しており、かつ接続板３２　・３
２はハーフエツチングして薄くすると共にパターン２１
　・２１との接続部の幅を小さクシ、半円状の切込みを
設けているため、・クターン２１　・２１と接続板３１
　・３２との接続部に荷重が集中して、そこから破断し
て分離される。

従って、セラミック基板上には周辺パターン２１及び孤
立パターン２１のみが残り、セラミック回路基板が得ら
れる。

（発明の効果） 本発明によれば２周辺パターンの中央に孤立パターンを
有する複雑な回路１？ターンであっても周辺支持枠を掴
み剥取ることによりパターンを形成できるので９回路パ
ターンの正確な位置決めが可能であると共に周辺支持枠
及び接続板の分離も容易であり、正確な回路・そターン
の製作が容易となり、製作工数も低減できるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の回路パターンの１例を示す
平面図、第３図は同周辺／４’ターンと接続板との接続
部の詳細図、第４図は同孤立パターンと細長接続板との
接続部の詳細図、第５図は接続板のハーフエツチングを
示す断面図、第６図は従来の回路パターンの１例を示す
平面図である。 １・・・周辺支持枠、２１・・・周辺パターン、２２・
・・孤立パターン、３１・・・接続板、３２・・・細長
接続板つ第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、周辺支持枠（１）に接続板（３＿１）を、介して複
   数の周辺パターン（２＿１）を接続すると共に、前記周
   辺支持枠（１）に前記周辺パターン（２＿１）間を通る
   細長接続板（３＿２）を介して孤立パターン（２＿２）
   を接続した回路パターンを用意し、該回路パターンを基
   板上に接合後、周辺支持枠（１）、接続板（３＿１）、
   細長接続板（３＿２）を分離することを特徴とする回路
   基板の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の回路基板の製造方法に
   おいて、前記回路パターンにおける前記周辺パターン（
   ２＿１）と前記接続板（３＿１）との接続部、前記孤立
   パターン（２＿２）と前記細長接続板（３＿２）との接
   続部に、切込みを設けたことを特徴とする回路基板の製
   造方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載の回路基板の製造方法に
   おいて、前記周辺パターン（２＿１）と前記接続板（３
   ＿１）との接続部、前記孤立パターン（２＿１）と前記
   細長接続板（３＿２）との接続部をハーフエッチングし
   、前記周辺支持枠（１）、前記周辺パターン（２＿１）
   、孤立パターン（２＿２）よりも板厚を薄くすることを
   特徴とする回路基板の製造方法。 ４、特許請求の範囲第３項記載の回路基板の製造方法に
   おいて、前記接続部をハーフエッチングする場合に、前
   記接続部の表面のうち、前記基板と対向する面をハーフ
   エッチングすることを特徴とする回路基板の製造方法。 ５、周辺支持枠（１）と、該周辺支持枠（１）の内周に
   接続板（３＿１）を介して接続される複数の周辺パター
   ン（２＿１）と、前記周辺支持枠（１）の内周に前記周
   辺パターン（２＿１）の間を通る細長接続板（３＿２）
   を介して接続される孤立パターン（２＿２）とを有する
   ことを特徴とする回路パターン。 ６、特許請求の範囲第５項記載の回路パターンにおいて
   、前記周辺パターン（２＿１）と前記接続板（３＿１）
   との接続部、前記孤立パターン（２＿２）と前記細長接
   続板（３＿２）との接続部に、切込みを設けたことを特
   徴とする回路パターンフレーム。 ７、特許請求の範囲第５項記載の回路パターンにおいて
   、前記周辺パターン（２＿１）と前記接続板（３＿１）
   との接続部、前記孤立パターン（２＿２）と前記細長接
   続板（３＿２）との接続部の板厚が、前記周辺支持枠（
   １）、前記周辺パターン（２＿１）、前記孤立パターン
   よりも薄いことを特徴とする回路パターン。