JP2504558B2 - 熱酸化膜の形成方法 - Google Patents
熱酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2504558B2 JP2504558B2 JP1083387A JP8338789A JP2504558B2 JP 2504558 B2 JP2504558 B2 JP 2504558B2 JP 1083387 A JP1083387 A JP 1083387A JP 8338789 A JP8338789 A JP 8338789A JP 2504558 B2 JP2504558 B2 JP 2504558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- thermal oxide
- temperature
- oxygen
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、熱酸化膜の形成方法に関する。
（従来の技術） 近年の半導体技術の向上により、各種の大規模集積回
路（LSI）が広範な分野で用いられるに到っている。し
かし、その一方で汎用化に伴って苛酷な環境下で使用さ
れるケースも増加しつつあり、そのために例えば高温、
高湿、急激な温度変化、放射線等に対する耐環境性の向
上が常に求められている。
路（LSI）が広範な分野で用いられるに到っている。し
かし、その一方で汎用化に伴って苛酷な環境下で使用さ
れるケースも増加しつつあり、そのために例えば高温、
高湿、急激な温度変化、放射線等に対する耐環境性の向
上が常に求められている。
ところで、LSIの損傷原因の一つにその構成上多用さ
れているシリコン（Si）熱酸化膜の破壊がある。すなわ
ち、例えば、LSIのゲート絶縁膜やキャパシタ絶縁膜と
して多用されているSi熱酸化膜は、電圧を印加すると次
第に疲労し、遂には破壊に至るいわゆる経時破壊が起こ
るが、この現象は上述の高温等の環境要因で甚しく加速
されるため、LSIを苛酷な環境下で用いた場合の主要な
故障原因のひとつになっているのである。昨今ではLSI
の縮小化が一段と進み、これら熱酸化膜に印加される電
界ストレスあるいは電流ストレスが相対的に一層増大す
る傾向にあることから、熱酸化膜の経時破壊によるLSI
の故障は増加の一途を辿っており、経時破壊耐性の強化
が切望されていた。
れているシリコン（Si）熱酸化膜の破壊がある。すなわ
ち、例えば、LSIのゲート絶縁膜やキャパシタ絶縁膜と
して多用されているSi熱酸化膜は、電圧を印加すると次
第に疲労し、遂には破壊に至るいわゆる経時破壊が起こ
るが、この現象は上述の高温等の環境要因で甚しく加速
されるため、LSIを苛酷な環境下で用いた場合の主要な
故障原因のひとつになっているのである。昨今ではLSI
の縮小化が一段と進み、これら熱酸化膜に印加される電
界ストレスあるいは電流ストレスが相対的に一層増大す
る傾向にあることから、熱酸化膜の経時破壊によるLSI
の故障は増加の一途を辿っており、経時破壊耐性の強化
が切望されていた。
従来の薄いSi熱酸化膜の形成方法としては、MOSキャ
パシタを作成する場合を例として説明すると、第４図お
よび第５図に示すようなものがある。第４図は代表的な
MOSキャパシタの構造、第５図はMOSキャパシタのゲート
酸化膜、即ち薄い熱酸化膜（第４図の符号４で示す）を
酸化炉で成長させる際の時間に対する温度およびガスの
シーケンスである。
パシタを作成する場合を例として説明すると、第４図お
よび第５図に示すようなものがある。第４図は代表的な
MOSキャパシタの構造、第５図はMOSキャパシタのゲート
酸化膜、即ち薄い熱酸化膜（第４図の符号４で示す）を
酸化炉で成長させる際の時間に対する温度およびガスの
シーケンスである。
まずMOSキャパシタの製造工程の概要を説明する。十
分に洗浄した単結晶シリコンウェハ（以下単に「Siウェ
ハ」と呼ぶ）１にLOCOS法などによる選択酸化処理を施
して8000Å程度のフィールド酸化膜２と結晶面が露出し
ているモート領域部３を形成する。モート領域部３の結
晶表面の欠陥層を取り除くために、モート領域部３を含
むSiウェハ１全面を一旦軽く酸化した後、モート領域部
３にできた酸化膜をエッチングで除去し、モート領域部
３の結晶面を露出させる（いわゆる犠牲酸化処理）。次
に薄い熱酸化膜４を後述するシーケンスパターンでモー
ト領域部３に所定の膜厚だけ成長させる。つづいてSiウ
ェハ１全面に減圧CVD法を用いてポリSi膜を数1000Å堆
積し、リン拡散あるいはP+イオン注入等の手段でこれを
導電化させた後、周知の選択エッチング手段を用いて前
記薄い熱酸化膜４上にポリシリコン（Si）ゲート電極５
を第４図に示すように形成する。次にポリSiゲート電極
５及びフイールド酸化膜２上にPSGのごとき層間絶縁膜
６を所定の膜厚、例えば4000Å程度常圧CVD法を用いて
堆積し、後に形成するアルミ配線９とポリSiゲート電極
５を結線するためのコンタクトホール７をフォトリソグ
ラフィ技術で開孔する。コンタクトホール７を形成した
後、基板全面にスパッタリング法を用いてAl等の金属薄
膜を蒸着し、つづいてこれを選択エッチングすることに
より、アルミ配線９とパッド電極８をパターニングす
る。次にSiウェハ１全面に渡ってPSGあるいはPSGとプラ
ズマCVD法で生成したSi3N4（窒化シリコン）膜とを積層
したパッシベーション膜10を堆積するとともに、パッド
電極８上のパッシベーション膜10をエッチングで除去し
て、ウェハプロセスを終了する。
分に洗浄した単結晶シリコンウェハ（以下単に「Siウェ
ハ」と呼ぶ）１にLOCOS法などによる選択酸化処理を施
して8000Å程度のフィールド酸化膜２と結晶面が露出し
ているモート領域部３を形成する。モート領域部３の結
晶表面の欠陥層を取り除くために、モート領域部３を含
むSiウェハ１全面を一旦軽く酸化した後、モート領域部
３にできた酸化膜をエッチングで除去し、モート領域部
３の結晶面を露出させる（いわゆる犠牲酸化処理）。次
に薄い熱酸化膜４を後述するシーケンスパターンでモー
ト領域部３に所定の膜厚だけ成長させる。つづいてSiウ
ェハ１全面に減圧CVD法を用いてポリSi膜を数1000Å堆
積し、リン拡散あるいはP+イオン注入等の手段でこれを
導電化させた後、周知の選択エッチング手段を用いて前
記薄い熱酸化膜４上にポリシリコン（Si）ゲート電極５
を第４図に示すように形成する。次にポリSiゲート電極
５及びフイールド酸化膜２上にPSGのごとき層間絶縁膜
６を所定の膜厚、例えば4000Å程度常圧CVD法を用いて
堆積し、後に形成するアルミ配線９とポリSiゲート電極
５を結線するためのコンタクトホール７をフォトリソグ
ラフィ技術で開孔する。コンタクトホール７を形成した
後、基板全面にスパッタリング法を用いてAl等の金属薄
膜を蒸着し、つづいてこれを選択エッチングすることに
より、アルミ配線９とパッド電極８をパターニングす
る。次にSiウェハ１全面に渡ってPSGあるいはPSGとプラ
ズマCVD法で生成したSi3N4（窒化シリコン）膜とを積層
したパッシベーション膜10を堆積するとともに、パッド
電極８上のパッシベーション膜10をエッチングで除去し
て、ウェハプロセスを終了する。
次に、上述したような熱酸化膜４の熱酸化法として一
般的なものに第５図に示すような乾燥酸素（以下dry
O2）法がある。一例として400ÅのSiO2膜を成長する場
合を挙げて説明する。十分な前処理（洗浄）を施した複
数のSiウェハ１を900℃でdry O2雰囲気の酸化炉に導入
し、導入が完了した段階（t1＝10分）で炉内温度を1000
℃まで毎分５℃の速度で昇温する（t2＝20分）。1000℃
に達したところで、しばらくこの温度で保持し、所望の
厚さまで酸化を進行させる。ここで、400Å成長させる
には約42分を要する（t3＝42分）。所望の膜厚に到達す
ると同時にdry O2の導入を停止し酸化炉内に乾燥窒素
（以下dry N2）を導いて酸化膜の付加的な成長を阻止す
るとともに毎分４℃以下の速度で炉内を徐冷し、Siウェ
ハ１を導入した時の温度900℃に安定させる。炉内温度
が900℃になり降温を開始してからt4＝45分程度経過し
たところでSiウェハ１を酸化炉から取り出して酸化全工
程を終了する。なお、酸化膜の成長を阻止するために導
入するガスとしては、dry N2の他に例えばHeやアルゴン
などの不活性ガスでもよい。
般的なものに第５図に示すような乾燥酸素（以下dry
O2）法がある。一例として400ÅのSiO2膜を成長する場
合を挙げて説明する。十分な前処理（洗浄）を施した複
数のSiウェハ１を900℃でdry O2雰囲気の酸化炉に導入
し、導入が完了した段階（t1＝10分）で炉内温度を1000
℃まで毎分５℃の速度で昇温する（t2＝20分）。1000℃
に達したところで、しばらくこの温度で保持し、所望の
厚さまで酸化を進行させる。ここで、400Å成長させる
には約42分を要する（t3＝42分）。所望の膜厚に到達す
ると同時にdry O2の導入を停止し酸化炉内に乾燥窒素
（以下dry N2）を導いて酸化膜の付加的な成長を阻止す
るとともに毎分４℃以下の速度で炉内を徐冷し、Siウェ
ハ１を導入した時の温度900℃に安定させる。炉内温度
が900℃になり降温を開始してからt4＝45分程度経過し
たところでSiウェハ１を酸化炉から取り出して酸化全工
程を終了する。なお、酸化膜の成長を阻止するために導
入するガスとしては、dry N2の他に例えばHeやアルゴン
などの不活性ガスでもよい。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した乾燥酸素法により形成された
熱酸化膜にあっては、使用環境が比較的良好な条件下で
は経時絶縁破壊耐性（真因性の経時破壊耐性）が充分で
ある反面、苛酷な使用環境下では経時絶縁破壊耐性が必
ずしも充分ではなく、耐環境性の向上が切望されてい
る。
熱酸化膜にあっては、使用環境が比較的良好な条件下で
は経時絶縁破壊耐性（真因性の経時破壊耐性）が充分で
ある反面、苛酷な使用環境下では経時絶縁破壊耐性が必
ずしも充分ではなく、耐環境性の向上が切望されてい
る。
また結晶欠陥やLSIプロセス中の汚染、損傷などに起
因した潜在欠陥が一部の熱酸化膜に確率的に取り込まれ
るのは避けられず、熱酸化膜に潜在欠陥を含有したLSI
を除去するために出荷前にスクリーニングが施される。
この処理で熱酸化膜故障率を効果的に低減するには十分
なスクリーニングマージン（真因性の経時破壊耐性と外
因（欠陥）性の経時破壊耐性の比）の確保が肝要だが、
現行のように動作電圧が固定のままLSIの縮小化が進展
しつつある昨今では熱酸化膜への電界ストレスが急激
し、マージン確保が次第に困難となっている。
因した潜在欠陥が一部の熱酸化膜に確率的に取り込まれ
るのは避けられず、熱酸化膜に潜在欠陥を含有したLSI
を除去するために出荷前にスクリーニングが施される。
この処理で熱酸化膜故障率を効果的に低減するには十分
なスクリーニングマージン（真因性の経時破壊耐性と外
因（欠陥）性の経時破壊耐性の比）の確保が肝要だが、
現行のように動作電圧が固定のままLSIの縮小化が進展
しつつある昨今では熱酸化膜への電界ストレスが急激
し、マージン確保が次第に困難となっている。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とし
ては、苛酷な環境下にあっても高い信頼性を具備する熱
酸化膜の形成方法を提供することにある。
ては、苛酷な環境下にあっても高い信頼性を具備する熱
酸化膜の形成方法を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明は、基板上に熱酸化
膜を成長形成する方法であって、第１の温度下において
酸素導入状態で熱酸化膜を所定の初期厚さに成長させる
工程と、初期厚さに成長させた後、少なくとも酸素を含
む雰囲気で前記第１の温度より高い第２の温度に向けて
昇温させる工程と、前記第２の温度下で酸素およびハロ
ゲン元素またはハロゲン化合物を含む雰囲気で前記熱酸
化膜を第２の所望厚さに成長させる工程とを少なくとも
含むことを要旨している。
膜を成長形成する方法であって、第１の温度下において
酸素導入状態で熱酸化膜を所定の初期厚さに成長させる
工程と、初期厚さに成長させた後、少なくとも酸素を含
む雰囲気で前記第１の温度より高い第２の温度に向けて
昇温させる工程と、前記第２の温度下で酸素およびハロ
ゲン元素またはハロゲン化合物を含む雰囲気で前記熱酸
化膜を第２の所望厚さに成長させる工程とを少なくとも
含むことを要旨している。
（作用） 本発明に係る熱酸化膜の形成方法にあっては、第１の
温度下において酸素導入状態で熱酸化膜を初期厚さに成
長後、少なくとも酸素を含む雰囲気のもとに、前記第１
の温度より高い第２の温度に向けて昇温させ、その第２
の温度下で酸素およびハロゲン元素またはハロゲン化合
物を含む雰囲気で熱酸化膜を所望厚さに成長させるよう
にすることで、熱酸化膜の経時破壊耐性を向上させてい
る。
温度下において酸素導入状態で熱酸化膜を初期厚さに成
長後、少なくとも酸素を含む雰囲気のもとに、前記第１
の温度より高い第２の温度に向けて昇温させ、その第２
の温度下で酸素およびハロゲン元素またはハロゲン化合
物を含む雰囲気で熱酸化膜を所望厚さに成長させるよう
にすることで、熱酸化膜の経時破壊耐性を向上させてい
る。
（実施例） 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明のMOSキャパシタにおけるシリコン（S
i）熱酸化膜の形成に適用した場合の実施例で、時間に
対する温度およびガスのシーケンスを示すものである。
なお、MOSキャパシタの構造としては、前述した第４図
と同じものとする。
i）熱酸化膜の形成に適用した場合の実施例で、時間に
対する温度およびガスのシーケンスを示すものである。
なお、MOSキャパシタの構造としては、前述した第４図
と同じものとする。
選択酸化を行い犠牲酸化処理後再びモート領域部３に
結晶面を露出させたSiウェハ１を十分洗浄（前処理）し
た後、成長開始温度である900℃でdry O2雰囲気に保持
された酸化炉に導入し、導入が完了してからしばらくそ
のまま緩やかに初期厚さ、例えば少なくとも60Å、望ま
しくは160Å（t10＝約55分）成長させる。次にdry O2雰
囲気中に例えば１％〜10％、望ましくは３〜５％のHCl
ガスを混入するとともに炉内温度を毎分５℃の割合で上
げ、成長温度である1000℃まで昇温させた（ｔ＝20分）
後、温度を一定に保ち酸化炉に導入後モート領域部３に
成長した熱酸化膜の総膜厚が所望の値になるまで酸化を
進行させる。所望の膜厚になったところで（例えば400
Åの熱酸化膜ならｔ＝14分）、ただちに酸化炉内への酸
素導入及びHClガス導入を停止すると同時に、dry N2を
導き酸化を停止させるとともに、速くとも例えば毎分４
℃／分の速度で炉内温度を暫時減少させる。そして、炉
内温度が900℃になったところで温度を一定とし、降温
を開始してからｔ（45分程度）経過した時にSiウェハ１
を酸化炉外に搬出し、酸化工程を終了する。
結晶面を露出させたSiウェハ１を十分洗浄（前処理）し
た後、成長開始温度である900℃でdry O2雰囲気に保持
された酸化炉に導入し、導入が完了してからしばらくそ
のまま緩やかに初期厚さ、例えば少なくとも60Å、望ま
しくは160Å（t10＝約55分）成長させる。次にdry O2雰
囲気中に例えば１％〜10％、望ましくは３〜５％のHCl
ガスを混入するとともに炉内温度を毎分５℃の割合で上
げ、成長温度である1000℃まで昇温させた（ｔ＝20分）
後、温度を一定に保ち酸化炉に導入後モート領域部３に
成長した熱酸化膜の総膜厚が所望の値になるまで酸化を
進行させる。所望の膜厚になったところで（例えば400
Åの熱酸化膜ならｔ＝14分）、ただちに酸化炉内への酸
素導入及びHClガス導入を停止すると同時に、dry N2を
導き酸化を停止させるとともに、速くとも例えば毎分４
℃／分の速度で炉内温度を暫時減少させる。そして、炉
内温度が900℃になったところで温度を一定とし、降温
を開始してからｔ（45分程度）経過した時にSiウェハ１
を酸化炉外に搬出し、酸化工程を終了する。
次に、上述したごとき工程で形成された熱酸化膜の経
時破壊耐性を従来工程で形成された熱酸化膜の経時破壊
耐性との比較において説明する。なお、比較パラメータ
としては、熱酸化膜に定電流ストレスを印加し、熱酸化
膜が破壊に至るまでに膜中を通過した総電荷量（単位面
積当り）Ｑを用いて行うが、膜中に電流を注入するとき
の向きとして、ゲート電極からSiウェハ（基板）１に向
って流す正極性とこの逆の極性とがあるが、一般的な傾
向として後者の極性の方が熱酸化膜にとっては厳しいの
で、後者を採用する。
時破壊耐性を従来工程で形成された熱酸化膜の経時破壊
耐性との比較において説明する。なお、比較パラメータ
としては、熱酸化膜に定電流ストレスを印加し、熱酸化
膜が破壊に至るまでに膜中を通過した総電荷量（単位面
積当り）Ｑを用いて行うが、膜中に電流を注入するとき
の向きとして、ゲート電極からSiウェハ（基板）１に向
って流す正極性とこの逆の極性とがあるが、一般的な傾
向として後者の極性の方が熱酸化膜にとっては厳しいの
で、後者を採用する。
第２図（ａ）および第２図（ｂ）はそれぞれ従来工程
および本実施例の工程で形成された熱酸化膜４について
の逆極性で定電流ストレスをかけた場合の経時破壊試験
結果を示すものである。試験条件は、使用したSiウェハ
１がＰ型で面方位（100）の比抵抗８〜12Ωcmの鏡面仕
上げ、酸化膜厚が約400Å、キャパシタ面積が1.26×10
-3cm2、サンプル数が約50点である。また、電流ストレ
ス値については、本実施例が10mA/cm2であるのに対し、
従来例はこの値では１秒以内で壊れてしまうので0.625m
A/cm2とした。
および本実施例の工程で形成された熱酸化膜４について
の逆極性で定電流ストレスをかけた場合の経時破壊試験
結果を示すものである。試験条件は、使用したSiウェハ
１がＰ型で面方位（100）の比抵抗８〜12Ωcmの鏡面仕
上げ、酸化膜厚が約400Å、キャパシタ面積が1.26×10
-3cm2、サンプル数が約50点である。また、電流ストレ
ス値については、本実施例が10mA/cm2であるのに対し、
従来例はこの値では１秒以内で壊れてしまうので0.625m
A/cm2とした。
従来方法による熱酸化膜については、サンプルのすべ
てが通過電荷量Ｑ＝１［c/cm2］以下の値で経時破壊し
てしまうのに対し、本実施例で作成したサンプルは約２
桁も通過電荷量Ｑが増大し、通過電荷量Ｑが最大で50
［c/cm2］に達するほどのものも存在する。また本実施
例によれば、図示していないが通過電荷量Ｑ＝１［c/cm
2］以下で絶縁破壊するサンプル数としては、17％であ
り従来例に比べ際立った優越性を見せている。なお、酸
化法については記述はないが、Alゲート,P型基板を用い
て約400Åの熱酸化膜に対して同様の試験を行った結果
が例えば文献Philips Journal of Research,Vol40,N
o3, 1985, P137〜P163（D.R.Wolters and J.J.Van
der Schoot）の第４図、第５図に掲載されている。
しかし、いずれも通過電荷量Ｑ＜0.1［c/cm2］であり、
本実施例が極めて有効であることがわかる。
てが通過電荷量Ｑ＝１［c/cm2］以下の値で経時破壊し
てしまうのに対し、本実施例で作成したサンプルは約２
桁も通過電荷量Ｑが増大し、通過電荷量Ｑが最大で50
［c/cm2］に達するほどのものも存在する。また本実施
例によれば、図示していないが通過電荷量Ｑ＝１［c/cm
2］以下で絶縁破壊するサンプル数としては、17％であ
り従来例に比べ際立った優越性を見せている。なお、酸
化法については記述はないが、Alゲート,P型基板を用い
て約400Åの熱酸化膜に対して同様の試験を行った結果
が例えば文献Philips Journal of Research,Vol40,N
o3, 1985, P137〜P163（D.R.Wolters and J.J.Van
der Schoot）の第４図、第５図に掲載されている。
しかし、いずれも通過電荷量Ｑ＜0.1［c/cm2］であり、
本実施例が極めて有効であることがわかる。
なお、本実施例では、900℃から1000℃へ昇温工程か
ら酸素にHClガスを混入させたが、第３図に示す如く、1
000℃における成長工程においてのみ酸素にHClガスを混
入させてもよく、本実施例と略同様の特性の熱酸化膜が
得られる。
ら酸素にHClガスを混入させたが、第３図に示す如く、1
000℃における成長工程においてのみ酸素にHClガスを混
入させてもよく、本実施例と略同様の特性の熱酸化膜が
得られる。
また、本実施例では、1000℃での成長工程終了後、直
ちにdry N2を導入すると共に温度降下を開始している
が、dry N2の導入状態で暫時1000℃を維持してアニール
処理をした後に温度降下させる工程も考えられるが、効
果としては同様である。
ちにdry N2を導入すると共に温度降下を開始している
が、dry N2の導入状態で暫時1000℃を維持してアニール
処理をした後に温度降下させる工程も考えられるが、効
果としては同様である。
さらに、本実施例では、dry O2への添加ガスとしてHC
lを用いたが、これに限定されず、他に例えばCl2やトリ
クロルエチレン等のハロゲン元素やハロゲン化合物の蒸
気でもよい。
lを用いたが、これに限定されず、他に例えばCl2やトリ
クロルエチレン等のハロゲン元素やハロゲン化合物の蒸
気でもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、第１の温度下に
おいて酸素導入状態で熱酸化膜を初期厚さに成長後、少
なくとも酸素を含む雰囲気のもとに、前記第１の温度よ
り高い第２の温度に向けて昇温させ、その第２の温度下
で酸素およびハロゲン元素またはハロゲン化合物を含む
雰囲気で熱酸化膜を所望厚さに成長させるようにするこ
とで、熱酸化膜の経時破壊耐性を向上させているので、
苛酷な環境下にあっても高い信頼性を具備する熱酸化膜
を提供することができる。
おいて酸素導入状態で熱酸化膜を初期厚さに成長後、少
なくとも酸素を含む雰囲気のもとに、前記第１の温度よ
り高い第２の温度に向けて昇温させ、その第２の温度下
で酸素およびハロゲン元素またはハロゲン化合物を含む
雰囲気で熱酸化膜を所望厚さに成長させるようにするこ
とで、熱酸化膜の経時破壊耐性を向上させているので、
苛酷な環境下にあっても高い信頼性を具備する熱酸化膜
を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は当該一実
施例の効果を説明するための図、第３図は本発明の他の
実施例を示す図、第４図および第５図は従来例を示す図
である。 １……Siウェハ ２……フィールド酸化膜 ３……モート領域部 ４……熱酸化膜 ５……ポリSiゲート電極 ６……層間絶縁膜 ７……コンタクトホール ８……パッド電極 ９……アルミ配線 10……パッシベーション膜
施例の効果を説明するための図、第３図は本発明の他の
実施例を示す図、第４図および第５図は従来例を示す図
である。 １……Siウェハ ２……フィールド酸化膜 ３……モート領域部 ４……熱酸化膜 ５……ポリSiゲート電極 ６……層間絶縁膜 ７……コンタクトホール ８……パッド電極 ９……アルミ配線 10……パッシベーション膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に熱酸化膜を成長形成する方法であ
って、第１の温度下において酸素導入状態で熱酸化膜を
所定の初期厚さに成長させる工程と、初期厚さに成長さ
せた後、少なくとも酸素を含む雰囲気で前記第１の温度
より高い第２の温度に向けて昇温させる工程と、前記第
２の温度下で酸素およびハロゲン元素またはハロゲン化
合物を含む雰囲気で前記熱酸化膜を所望厚さに成長させ
る工程とを少なくとも含むことを特徴とする熱酸化膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083387A JP2504558B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 熱酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083387A JP2504558B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 熱酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260638A JPH02260638A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2504558B2 true JP2504558B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=13801011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083387A Expired - Lifetime JP2504558B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 熱酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504558B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3398903B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2003-04-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100263645B1 (ko) * | 1997-10-17 | 2000-09-01 | 윤종용 | 이중산화막형성방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894353A (en) * | 1988-04-29 | 1990-01-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of fabricating passivated tunnel oxide |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083387A patent/JP2504558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02260638A (ja) | 1990-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3128811B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5506178A (en) | Process for forming gate silicon oxide film for MOS transistors | |
| US4746377A (en) | Semiconductor device with thermally oxidized insulating and arsenic diffusion layers | |
| JPH0311635A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2504558B2 (ja) | 熱酸化膜の形成方法 | |
| JP3612144B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2636783B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6261976B1 (en) | Method of forming low pressure silicon oxynitride dielectrics having high reliability | |
| KR100287266B1 (ko) | 실리콘산화막형성방법및모스트랜지스터의게이트산화막 | |
| JPH06216377A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11177048A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH0964319A (ja) | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 | |
| JP3142457B2 (ja) | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JPH0822991A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0807966A1 (en) | Heat treatment method for semiconductor substrate | |
| JPH06260644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2834344B2 (ja) | 半導体装置の絶縁膜の製造方法 | |
| US4840917A (en) | Method of interface state reduction in MNOS capacitors | |
| JPH0456453B2 (ja) | ||
| JP2669611B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0682652B2 (ja) | シリコン熱酸化膜の形成方法 | |
| KR100600290B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 | |
| JPH04324632A (ja) | 半導体装置の絶縁膜の製造方法 | |
| JPH06196459A (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP3078109B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |