JPS6185896A - 多層配線板 - Google Patents
多層配線板Info
- Publication number
- JPS6185896A JPS6185896A JP20705784A JP20705784A JPS6185896A JP S6185896 A JPS6185896 A JP S6185896A JP 20705784 A JP20705784 A JP 20705784A JP 20705784 A JP20705784 A JP 20705784A JP S6185896 A JPS6185896 A JP S6185896A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- holes
- insulating layer
- wiring board
- layer
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、電子計算機などに使用される高密度かつ信号
伝送の高速用の多層配線板とくにこの多層配線板を製作
するさいに使用されるスルホールに関するものである。
伝送の高速用の多層配線板とくにこの多層配線板を製作
するさいに使用されるスルホールに関するものである。
（発明の背景）
電子計算機においては小形高密度実装のすう勢に応じて
、配線密度の増大と、配線の基板への接続の信頼性向上
のため、従来よｐヌルホールが使用されている。
、配線密度の増大と、配線の基板への接続の信頼性向上
のため、従来よｐヌルホールが使用されている。
従来の多層配線板のスルホールの１（Ｆｉｌは、たとえ
は昭和５８年を子通信学会半尋体・材ｆ＃＋部門全国大
会において発表された講演の講演集第ｎ頁に、ＬＳＩ内
の多層配線について述べられている。然るにこの講演集
には、絶ｌＲ層の厚さ、スルホール径が限定されている
ので、スルホール接続のさいに問題となるスルホール形
成絶縁面の平坦化の問題が明確になっていない。そのた
め、混成集積用多層配線板のように絶縁層の厚さが厚く
、スルホールの径が大きい場合には、スルホール上のＰ
、ｈａを平坦にすることができない懸念がある。多層化
を進めて行くと、この平坦性が増長され、上層部でのス
ルホール接続の確実性が損なわれる問題がある。
は昭和５８年を子通信学会半尋体・材ｆ＃＋部門全国大
会において発表された講演の講演集第ｎ頁に、ＬＳＩ内
の多層配線について述べられている。然るにこの講演集
には、絶ｌＲ層の厚さ、スルホール径が限定されている
ので、スルホール接続のさいに問題となるスルホール形
成絶縁面の平坦化の問題が明確になっていない。そのた
め、混成集積用多層配線板のように絶縁層の厚さが厚く
、スルホールの径が大きい場合には、スルホール上のＰ
、ｈａを平坦にすることができない懸念がある。多層化
を進めて行くと、この平坦性が増長され、上層部でのス
ルホール接続の確実性が損なわれる問題がある。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の問題点ｔ−解決し、複雑な工程を
ぜずに、スルホール接続の良好な厚い絶縁層を有する多
層配線板を提供することにある。
ぜずに、スルホール接続の良好な厚い絶縁層を有する多
層配線板を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は上記の目的を達成するため、スルホールを形成
して、基材上に多層の絶縁層を集積してなる多層配線板
において、上記各絶縁層のスルホールを互いに同一中心
点の周囲の１合しない位置に形成し、下層のスルホール
によって阻害されていた絶縁層の平坦性が回復したとき
、その絶縁層のスルホールを下層のスルホールの上方位
置に形成したことを特徴とするものである。
して、基材上に多層の絶縁層を集積してなる多層配線板
において、上記各絶縁層のスルホールを互いに同一中心
点の周囲の１合しない位置に形成し、下層のスルホール
によって阻害されていた絶縁層の平坦性が回復したとき
、その絶縁層のスルホールを下層のスルホールの上方位
置に形成したことを特徴とするものである。
（発明の実施例）
以下本発明を電子計算機などに使用される多層配線板に
実施した場合の主な製造工程における多層配線板の平面
図（１）およびそのＡ−Ａ’断面正面図（ｂ）を示す図
面について説明する。
実施した場合の主な製造工程における多層配線板の平面
図（１）およびそのＡ−Ａ’断面正面図（ｂ）を示す図
面について説明する。
なお、１示の破線は前工程で形成した状態を示す。第１
図に示す如く、基材１上には既に蒸着あるいはスパッタ
でＡｔ膜もしくはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層膜を成膜し、
この金属膜をホトリングラフィおよびエツチングで、信
号伝送用の配線２１と、中心点３を中／Ｌ？にして上記
配線２１と平行に配置される如く、長方形の端子４１と
を形成しその上にポリイミドフェスを上記配線２１およ
び端子４１上に回転塗布し、熱処理硬化して、所定の厚
さの絶縁ｒ？１５１を形成している。第１図においては
、ヒドラジン系の湿式エツチングあるいは０２のドライ
エツチング（図示せず）にて上記絶縁層５１に上記９１
−子４１の一端部と接続する如く、スルホール６１を形
成する工程を示している。次いで、第２図に示す如く上
記絶縁層５１の上面に上記基材ｌ上に配線２１および端
子４１を形成したと同一の方向で配ｌ／Ｊ’Ｚ２および
端子部を形成する。ただし、積層時の１間の相互影響を
少なくするため、配！！２２は上記配線２１と直交する
方向に形成している。また端子４２は上記中心点３を中
心にして、上記端子４１に対して９０°回動し、その一
端部が上記スルホール６１に接続する如く形成している
。次いで、第３図に示す如く、ポリイミドフェスを上記
配Ｉ！ｎおよび端子４２上に回転塗布し、熱処理硬化し
て、所定の厚さの絶ａＮ５２を形成する。このとき、上
記スルホール６１の上部は上記絶縁層５２の厚さよりも
浅い凹部７１を形成している。然る後、上記スルホール
６１の場合と同一方法によシ中心点３を中心にして、上
記スルホール６１に対して９０°回動し、上記端子４２
の他端部に接続する如くスルホール６２を形成する。次
いで、第４図に示す如く上記と同一方法によシ配置＃Ａ
２３ｔ−上記配線ｎと直交する如く形成し、端子部を、
上記中ＩＬ）点３を中心にして９０°回動し、上記スル
ホール６２に一端部が接続する如く形成する。以下上記
の方法にて第５図乃至第７図に示す如くスルホール６３
、６４ 、絶縁層５３ 、５４ 、配線層および端子
部を形成したのち、上記スルホール６１の上方の絶縁層
５４の上面の上記凹部７１が第６図に示す凹部７２の如
く小さくなフ、遂に第７図に示す如く凹部７３がなくな
ると、第８図に示す如く配線５．および端子４５が第１
図に示す位置に達する。
図に示す如く、基材１上には既に蒸着あるいはスパッタ
でＡｔ膜もしくはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層膜を成膜し、
この金属膜をホトリングラフィおよびエツチングで、信
号伝送用の配線２１と、中心点３を中／Ｌ？にして上記
配線２１と平行に配置される如く、長方形の端子４１と
を形成しその上にポリイミドフェスを上記配線２１およ
び端子４１上に回転塗布し、熱処理硬化して、所定の厚
さの絶縁ｒ？１５１を形成している。第１図においては
、ヒドラジン系の湿式エツチングあるいは０２のドライ
エツチング（図示せず）にて上記絶縁層５１に上記９１
−子４１の一端部と接続する如く、スルホール６１を形
成する工程を示している。次いで、第２図に示す如く上
記絶縁層５１の上面に上記基材ｌ上に配線２１および端
子４１を形成したと同一の方向で配ｌ／Ｊ’Ｚ２および
端子部を形成する。ただし、積層時の１間の相互影響を
少なくするため、配！！２２は上記配線２１と直交する
方向に形成している。また端子４２は上記中心点３を中
心にして、上記端子４１に対して９０°回動し、その一
端部が上記スルホール６１に接続する如く形成している
。次いで、第３図に示す如く、ポリイミドフェスを上記
配Ｉ！ｎおよび端子４２上に回転塗布し、熱処理硬化し
て、所定の厚さの絶ａＮ５２を形成する。このとき、上
記スルホール６１の上部は上記絶縁層５２の厚さよりも
浅い凹部７１を形成している。然る後、上記スルホール
６１の場合と同一方法によシ中心点３を中心にして、上
記スルホール６１に対して９０°回動し、上記端子４２
の他端部に接続する如くスルホール６２を形成する。次
いで、第４図に示す如く上記と同一方法によシ配置＃Ａ
２３ｔ−上記配線ｎと直交する如く形成し、端子部を、
上記中ＩＬ）点３を中心にして９０°回動し、上記スル
ホール６２に一端部が接続する如く形成する。以下上記
の方法にて第５図乃至第７図に示す如くスルホール６３
、６４ 、絶縁層５３ 、５４ 、配線層および端子
部を形成したのち、上記スルホール６１の上方の絶縁層
５４の上面の上記凹部７１が第６図に示す凹部７２の如
く小さくなフ、遂に第７図に示す如く凹部７３がなくな
ると、第８図に示す如く配線５．および端子４５が第１
図に示す位置に達する。
したがって、上記スルホールの位置の中心点を中心にし
て、９０°宛回動することにより、スルホールの深さが
絶縁層の淳さに一致するので、接続が確実に行える。ま
た配線層間で、配線が常に直交し、かつ接続端子間の間
隔量が一定に保持され、これらの間に所定の配線数を通
過させることができるので、計算機用の多層配線板の設
計に大きな制約を与えるのを防止することができる。
て、９０°宛回動することにより、スルホールの深さが
絶縁層の淳さに一致するので、接続が確実に行える。ま
た配線層間で、配線が常に直交し、かつ接続端子間の間
隔量が一定に保持され、これらの間に所定の配線数を通
過させることができるので、計算機用の多層配線板の設
計に大きな制約を与えるのを防止することができる。
（発明の効果）
本発明は以上述べたる如く、スルホールの形成位置を層
毎に中心点を中心にして回動して前工程のスルホールの
形成位置と異なる位置にし、スルホールの上方の絶縁層
面に凹みがなくなって平坦な面になったとき、そのスル
ホールの上方同一位置にスルホールを形成するようにし
たものであるから、スルホールの深さは積層の１数に依
存することなく、常に絶縁層の厚さに等しくすることが
でき、これによって、スルホールの接続が層毎にばらつ
かず、信頼性の高い多層配線板を形成することができる
。
毎に中心点を中心にして回動して前工程のスルホールの
形成位置と異なる位置にし、スルホールの上方の絶縁層
面に凹みがなくなって平坦な面になったとき、そのスル
ホールの上方同一位置にスルホールを形成するようにし
たものであるから、スルホールの深さは積層の１数に依
存することなく、常に絶縁層の厚さに等しくすることが
でき、これによって、スルホールの接続が層毎にばらつ
かず、信頼性の高い多層配線板を形成することができる
。
第１図乃至第８図は本発明を電子計算機などに使用され
る多層配線板に実施した場合の主な製造工程を示し、（
ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）図の人−人′断面正
面図である。 １・・・基材、２１ 、 Ｚ２ 、２３ 、２４・・・
配線、３・・・中ｒ□点、４１ 、４２ 、４３ 、４
４ 、４５・・・スルホール接続用端子、５１゜５２
、５３ 、５４・・・絶縁層、６１ 、６２ 、６３
、６４・・・スルホール。
る多層配線板に実施した場合の主な製造工程を示し、（
ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）図の人−人′断面正
面図である。 １・・・基材、２１ 、 Ｚ２ 、２３ 、２４・・・
配線、３・・・中ｒ□点、４１ 、４２ 、４３ 、４
４ 、４５・・・スルホール接続用端子、５１゜５２
、５３ 、５４・・・絶縁層、６１ 、６２ 、６３
、６４・・・スルホール。
Claims (1)
- スルホールを形成して基材上に多層の絶縁層を集積して
なる多層配線板において、上記各絶縁層に形成されるス
ルホールを互いに同一中心点の周囲の重合しない位置に
形成し、下層のスルホールによつて阻害されていた絶縁
層の平坦性が回復したとき、その絶縁層のスルホールを
上記下層のスルホールの上方位置に形成するようにした
ことを特徴とする多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20705784A JPS6185896A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20705784A JPS6185896A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 多層配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185896A true JPS6185896A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0481878B2 JPH0481878B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16533489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20705784A Granted JPS6185896A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423495A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| CN105792525A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-07-20 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 一种pcb介质层的制作方法 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20705784A patent/JPS6185896A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423495A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| CN105792525A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-07-20 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 一种pcb介质层的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481878B2 (ja) | 1992-12-25 |
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