JPS58147097A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は多層配線板の製造方法、特にバイアホールを高
密度に形成可能ならしめる製造方法−こ関する。

（ｂ）　　技術の背景 電子計算機や過信機等の小屋化や高速化及び高信頼性等
の要求に応え電子機器の性能を向上させるζこは、半導
体装置や受動部品等の回路実装密度を高め、電子回路の
モジ、−ル化及びユニット化が重要である。そのため、
半導体装置や受動部品をチップ化しその多数個が搭載さ
れるセラミック多層配線板は、セラミック基板の上ｌこ
導体パターンと、絶縁層とを交互擾こ印刷・焼成する方
法で作成されたものが一般に使用されている。

（Ｃン　従来技術と問題点 上記印刷法にてなる多層配線板、即ちスクリーン印刷技
術により導体パターンと、基板と同質の絶縁層とを積層
してなる多層配線板は、異層の導体パターン間ｔ−接続
するバイアホール導体も印刷形成される。そのため、バ
イアホールの大きさは直径が０．３　ｍｍ程度以上であ
り、複数個が整列されたバイアホール・ピッチは０．５
−ＳＺ以上にする必要があり、部品搭載密度をより高め
るため障害となっていた。

かかる障害を除去する方法として、通常のスクリーン印
刷によるよりも解像力が良く微細パターンの形成が可能
であることを特徴とする感光性導体用厚膜ペーストラ用
いて導体パターン及び絶縁層パターン（バイアホールパ
ターン）ｔ−形成する方法、及び導体パターンと絶縁層
パターン（バイアホールパターン）ｔ−フォトエツチン
グ技術で形成する方法がある。しかし、前者方法は感光
性導体用厚膜ペーストが高価であるため作成された多連
用し難い欠点がある。

（ｄ）　　発明の目的 本発明の目的は上記問題点ｌこ対処した多層配線板の製
造方法を提供することである。

（・）　発明の構成 上記目的は、基板上の導体層を選択的ｔこエッチイアホ
ール形成部とその周囲を除く上面に第１の絶縁層を積層
形成する工程と、第１の導体パターンと第１の絶縁層と
の隙間に絶縁性ペーストを麿込み法で堀込んで第１の隙
間絶縁層を被着形成する工程と、前記バイアホール形成
部とその周Ｗ！ｉｔ除く上−に印刷法で第２の絶縁層を
被着形成する工程と、前記バイアホール形成部に第２の
絶縁層の厚さにほぼ等しい厚さのバイアホール導体を被
着形成する工程と、第２の絶縁層と前記バイアホール導
体との隙間に絶縁性ベースＩｆ埋込み法で埋込んで第２
の隙間絶縁層を被着形成する工程と所望ｌこより第２の
絶縁層と前記バイアホール導体と第２の隙間絶縁層とを
積層形成したのち最上層のバイアホール導体に接続する
第２の導体パターンを被着形成する形成する工程とｔ含
むことｔ−特徴とした多層配＃板の製造方法により達成
される。

（ｆ）　　発明の実施例 以下、本発明方法の実施例に係わる図面を用いて本発明
を説明する。

第１図は本発明方法の一実施例に係わりバイアホール導
体を介して異層間の導体パターンを接続した概略構成を
示す斜視図であり、第２図及び第３図は前記導体構成の
作成例を示す工ｓｖ！明図、第４図及び第５図は前記構
成の他の作成例を示す工程説明図である。ただし、第１
図は基板及び絶縁層を除いた図示であり、第２図及び第
４図は第１図のＡ−Ａ’を含む側断面図、第３図及び第
５分のみを示したー 第１図１こおいて、セラミック基板（第２〜５図の１）
所定部に集めて整列パターン形成された複数個の第１の
導体パターン２は、その一方の端部近傍にそれぞれパタ
ーン形成されたバイアホール導体３ｔ−介して、［２の
導体パターン４＃こ接続される。そして、各導体パター
ン４の接続部先端に形成された小片パターン４’ｊ’！
、パター／４と４’との隙間からバイアホール導体３の
一部が目視できるようにして、パターン４の形成位置合
せを容易ならしめたものである。従って、パターン４と
４　’　ｔＭ＊ｌこ接続又はパターン４　／　ｔなくし
てもよい。

第２図（イ）及び第３図（イ）ｌこおいて、基板ｌの上
面には導体ペースト（例えば鋼ペースト）ｔ−スクリー
ン印刷法で被着したのち焼成・研磨して上面が平滑な導
体層５を形成させる。

次いで第２図（ロ）及び第３図（ロ）に示す如く、写真
蝕刻法により導体層５を選択的に溶去して複数個の第１
の導体パターン２を形成させる。

次いで第２図（ハ）及び第３図（−９に示す如く、）（
イアホール導体３（第１図）が積層形成される導体パタ
ーン２の端部近傍及びその周囲を除いた上面に、絶縁体
ペースト（例えばガラス・セラミックペースト）をスク
リーン印刷法により塗着・焼成してＷＪｌの絶縁層６を
被着形成させる。

次いで第２図に）及び第３図に）に示す如く、第１の導
体パターン２と第１の絶縁層６とが隔てて形成された隙
間に、適量の前記絶縁体ペース１置きスキージで均す埋
込み法により埋込んだのち乾燥し７、露呈するパターン
２の上に付着した前記乾燥ペーストを研磨で除去してか
ら焼成し第１の隙間絶縁層７を形成さゼる。

次いで第２図（へ）及び第３図（ホ）に示す如く、ノ（
イアホール形成領斌に導体ペーストをスクリーン印刷法
で被着したのち焼成して、各導体）くターン２のバイア
ホール導体被着部を共通に横切る煙量形導体パターン８
ｔ−形成する。

次いで第２■（へ）及び第３図（へ）に示す如く、絶縁
体ペース）ｔ−スクリーン印刷・焼成して、各第１の導
体パターンの先端部２′及び中間部２″を露呈させた第
２の絶縁層９を被着・形成させる。

次いで第２図（ト］及び第３図（ト）に示す如く、導体
パターン８を選択的ｌこエツチングして、各第１の導体
パターン２の上のパイヤホール４体３ｔ−パターン形成
させる。

次いで第２図（ハ）及び第３図（至）ｌこ示す如く、第
２の絶縁層９とパイヤホール導体３とが離れてパターン
形成された隙間（凹部）−ζ絶縁体ペーストを埋込み法
で埋込んで乾燥させたのち、パイヤホール導体３の上ｔ
こ付着した前記乾燥ペースト管研磨で除去してから焼成
し第２の隙間絶縁層１０を形成させる。

次いで第２図（す）及び第３図（’Ｊ）に示す如く、導
体ペース）１−スクリーン印刷・焼成してから上面を平
滑に研磨して、各パイヤホール導体３の中間部が露呈す
る導体パターン１１を被着Φ形成させる。

次いで第２図に）及び第３１１←）に示す如く、導体パ
ターン１１を選択的にエツチングして、第２の導体パタ
ーン４及び４′をパターン形成したのち、第２図に）及
び第３図に）に示す如く、パイヤホール導体３の上方と
その周囲を除く上面に絶縁体ペース）ｔ−スクリーン印
刷・焼成して、第３の絶縁層１２ｔ−被着・形成するこ
とにより第１図に示す多層配線が完成する。

なお、第１図に示した多層配線は第１の導体パターン２
と第２の導体パターンとをパイヤホール導体３で接続し
た２層構造であるが、第２図に示した工程の繰返しによ
り３層以上の導体パターンとその異層間を接続するバイ
ヤホール導体が構成される。また、１回のスクリ−ン印
刷法により形成される導体パターン５，８．１１及び絶
縁層６゜９．１２の厚さは導体パターン密度を高めるた
め約３０μｍとし、１ｇ２図のパイヤホール３及び層間
絶縁層９は１層構成で説明したが、第２図（へ）〜第２
図（イ）の形成工程を繰返すことにより２層以上の厚さ
で構成にすることができる。

第４図及び８５図はパイヤホール導体をめっき法で形成
する中間工Ｓｔ−示したものであり、ｊｌｌ！４図（イ
）及び第５図（イ）はそれぞれ第２図に）及び第３図に
）から引継ぐ工程、第４図（ハ）及び第５図を１はそれ
ぞれｌ！２図（す）及び第３図（す）の工程ｌこ引継が
れるよう−こなる。

第４図（イ）及び第５図（イ）に訃いて、第２図（へ）
及び第３図（へ）ｌこ示した第２の絶縁層９に相当する
絶縁層１３は、絶縁体ペースト會スクリーン印刷したの
ち焼成して被着形成される。

次いで第４図（ロ）及び第５図（ロ））番こ示す如く、
露呈する第１の導体パターン２の上にめっき手段で絶縁
層１３とほぼ同じ厚さのパイヤホール導体１４會被着形
成させる。

次いで第４図（ハ）及び第５図（ハ）に示す如く、絶縁
層１３とパイヤホール導体１４とが形成する隙間（凹部
）に絶縁性ペース）Ｑ埋込み法で埋込んで乾燥させたの
ち、導体１４の上に付着する乾燥ペーストを除去すると
ともにめっき形成によりやや凹凸になった導体１４の上
面管平滑するため研磨してから焼成し、第２図−及び第
３図−に示した第２の間隙絶縁層１０に相当する隙間絶
縁層１５を形成させる。

従って、パイヤホール導体１４は１回の工程で所望厚さ
、即ち印刷法になるバイアホール導体（第２図及び第３
図の３）（７）複数回に相当する厚さに形成できる利点
會有する。

（ｇ）　　発明の効果 以上ｉ５２明した如く本発明方法ｌこよれば、スクリー
ン印刷法と写真蝕刻法の利点を組合せて高密度な多層配
線板の作成、即ちｌ−幅に８本以上の導体パターンと異
層間のし導体パターン接続とｔ−具えた多層配線板の作
成が容易で安価に実現し、例えば平板型ディスプレイ等
を駆動するための高密度ハイブリッドＩＣ基板の作成に
適用してその効果が顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例に係わりバイアホール導
体を介して異層間の導体パ゛ターン１ｋｍ続した概略構
成を示す斜視図、第２図及び第３図は前記導体構成の作
成例を示す工程説明図、第４１！ｌ１１及び＃Ｉ５図は
ｍ配導体構成の他の作成例Ｉζシいて第２図及び第３図
に示した工程と異なる工ａｔ示した説明図である。 なお、図においてｌは基板、２は第１の導体パターン、
３．１４はバイアホール導体、４．４′は［２の導体パ
ターン、５．８．１１は導体層、６は第１の絶縁層、７
は第１の間隙絶縁層、９゜１３は第２０絶朦層、１０．
１５は第２の間隙絶縁層、１２は第３の絶縁ｊＩＩｊを
示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１基板上に複数層の導体パターンと絶縁層とを積層
   形成し所望の異層導体パターン間ｔ−接続するバイアホ
   ールが絶縁層を貫通して形成された多層配線板において
   、基板上の導体層を選択的にエライアホール形成部とそ
   の周囲を除く上面に第１の絶縁層を被着形成する工程と
   、第１の導体パターンと第１の絶縁層との隙間−こ絶縁
   性ペース）１埋込み法で埋込んで第１の隙間絶縁層を被
   着形成する工程と、前記バイアホール形成部とその周囲
   を除く上面に印刷法で第２の絶縁層゛を被着形成する工
   程と、前記バイアホール形成部に第２の絶縁層の厚さに
   ほぼ等しい厚さのバイアホール導体を被着形成する工程
   と、第２の絶縁層と前記バイアホール導体との隙間に絶
   縁性ペーストｔ−埋込み法で麺込んで第２の隙間絶縁層
   を被着形成する工程と所望により第２の絶縁層と前記バ
   イアホール導体と第２の隙間絶縁層とを積層形成したの
   ち最上層のバイアホール導体に接続する第２の導体パタ
   ーンを被着形成する工程とを含むことｔ−特徴とした多
   層配線板の製造方法・ （２）バイアホール導体及び第２の導体パターンはそれ
   らが接続される第１の導体パターンやバイアホール導体
   の一部が目視可能なパターンであることｋｍ徴とした前
   記特許請求の範囲第＋１１項に記載した多層配線板の製
   造方法。