JPS5992599A - 厚膜混成集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、絶縁層を介して、上部導体と下部導体とを基
板上に積層して成る集積回路の製造方法に係り、上部導
体と下部導体とをスルーホールを通して電気的に確実に
接続できるようにした厚膜混成集積回路の製造方法に関
する。

〔従来技術〕

半導体の小型化と高密度化に応えて現在は、絶縁層を挾
んで多ノーに積層した導体をスルーホールによって接続
して成る厚膜混成集積回路が実用化されている− この厚膜混成集積回路は、更に小型化、高密度化の傾向
にあり、これに伴って、搭載部品の小型化、厚膜抵抗体
の２層形成、配線部の細線化及びスルーホールを多用し
た配線の高密度化が実施されつつある。

上記厚膜混成集積回路は、一般的には、アルミナ基板上
に、印刷、焼成技術によって、配線導体、抵抗等の受動
素子を厚膜ペーストによって形成した後に、ＩＣチップ
等の能動素子を接続する方法が採用されているが、この
方法によつ−Ｃ高密度化を計る為には、配線の多層化と
細線化が必要となる。

従来の厚膜混成集積回路の製造方法は、第１図及び第２
図に示すようにして行なわれていた。

即ち図において、アルミナ基板１上に下部導体２を形成
した後、誘電体ペーストを使った厚膜印刷技術によって
所定部分に層間絶縁膜３を形成し、この層間絶縁膜３の
上に上部導体４を形成して、スルーホール部５によって
下部導体２と上部導体４を接続するようにしたものであ
る。

上記製造工程において、捷すまず小型化、高密度化、及
び細線化するに伴って、スルーホール部５の孔は、例え
ば２００μφ以下と小さくする必要が生じ、その上層間
絶縁膜３の厚さは、層間の耐湿信頼性を向上させるため
に３０〜４０μｍ以上に厚くする必要がある。

例えば層間絶縁膜３の形成は、誘電体ペーストを使用し
て、２〜３回印刷、乾燥した後、同時に空気雰囲気中で
焼成するので、乾燥後の誘電体ペーストの厚さは、５０
〜７０μｍと厚くなる。

このように高密度化、細線化が進むにつれ、スノーホー
ルの孔径がますます小さくなると共に層間絶縁膜の厚さ
が厚くなる。７ その結果、従来の製造方法では、第１図に示すように層
間絶縁層３の端部で段切れ８が発生したり、又第２図に
示すように、微細且つ高密度スルーホールの為、上部導
体４の印刷充填不足９が生じ、上部導体４と下部導体２
との接続が不良となり、厚膜混成集積回路の製造歩留り
を低下させると共に、製品の信頼性を低下させるという
技術的な問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は、上記従来技術の問題点を鑑みなされたもので
あり、上ＶＡ４体と下部導体とを確実に接続し、高密度
化、細線化に対し充分対応可能な厚膜混成業績回路の製
造方法を提供せんとするものである。

〔発明の概要〕

即ち本発明は、従来のように、基板上に下部導体を形成
する際に、１回の工程で単に基板上に下部導体パターン
を形成するのではなく、更にスルーホール部に凸状のパ
ターンを形成する工程を行ない、スルーホールの微少化
、及び層・　３　・ 間絶縁層の厚さの増大に対し、段切れや充填不足をなく
すようにしたものであって、基板上に下部導体パターン
を形成した後、更に該パターンのスルーホール部に導電
体ペーストによって凸状のパターンを形成して下部導体
と成し、これを乾燥、焼成した後、上記凸状のスルーホ
ール部に合せて層間絶縁層を形成し、次にこの層間絶縁
層の上に上部導体層を形成して、乾燥及び焼成すること
により、段切れや充填不足を発生させることなく凸状の
スルーホール部を介して、上部導体と下部導体とを確実
に接続できるようにしたことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下本発明の一実施例について、詳細に説明する。詳細
な説明に当って、第３図により実施例の概略を説明する
。図において、基板１上に下部導体２を形成した後、更
に該下部導体２のスルーホール部に凸状のパターン６を
形成する。

このように凸状のパターン６を形成した後に、下部導体
２を乾燥し焼成する。次に上記凸状の・　４　・ パターン６（スルーホール部）に合せて、下部導体２の
上に層間絶縁層３を形成し、更にこの層間絶縁層３の上
に、上部導体４を形成して、乾燥及び焼成する。

このようにすることによって、スルーホール部は、凸状
パターン６が突出した状態になって実質上スルーホール
部において層間絶縁層３のノー厚さを薄くしたのと同じ
になり、上部導体４と凸状パターン６とが接続され、上
部導体４と下部導体２とが確実に接続されることになる
。

以下その詳細について更に詳しく説明する。

第３図において、先ずアルミナ基板１上に、下部導体２
を印刷、乾燥し、次いで、パターン印刷スクリーンを交
換して、スルーホール部に該当する下部導体２上に、同
一種類の導体ペーストを使って凸状のパターン６を印刷
、乾燥し、これを焼成することによって、スルーホール
部を凸状とした下部導体２を成形する。

次に、層間絶縁層６を印刷するだめのスクリーンのスノ
ーホール部を、下部導体２上に成形した凸状パターン６
に合せ、誘電体ペーストを使用して、２〜３回印刷、乾
燥をくり返し行ない、膜厚５０〜７０μｍ程度の層間絶
縁層３を、下部導体２上に形成する。次に上部導体４を
層間絶縁層３の上に形成し焼成する。

以上のように構成した本実施例において、以下作用を説
明する。

先ず第１の工程において、基板１上に下部導体２を形成
し、続いて第２工程において、印刷用スクリーンを交換
し、同じく印刷、乾燥することにより下部導体２のスル
ーホール部に凸状のパターン６が形成され、これを焼成
することによって、スルーホール部に凸状を有す下部導
体２が形成される。

この下部導体２の上に、スルーホール部を合せて、層間
絶縁層３を形成することにより、下部導体２に形成した
凸状パターン６は、層間絶縁層６のスルーホール部に突
出した状態で形成される。この状態で、層間絶縁層３の
上に下部導体４）、印刷、乾燥することにより、導体ペ
ーストがスルーホールの中に入り込み、この導体ペース
トと凸状パターン６とが接続され、上部導体４と下部導
体２とが接続される。

上記導体ペーストと凸状パターン６との接続は、凸状パ
ターン６が層間絶縁ノーのスルーホール内に突出してい
るために、このスルーホールの深さが浅くなり、実質上
、層間絶縁ノー３の厚さが、スルーホールの直径に比べ
薄いのと同じ結果となる。従って、上部導体４を層間絶
縁層３の上に形成する際、スルーホールへの導体ペース
トの入り込みが良好と々す、且つスルーホールの孔が浅
いので段切れがなく、上部導体４と下部導体２は接続さ
れる。

〔発明の効果〕

以上詳述した通り本発明の厚膜混成集積回路の製造方法
によれば、基板上に形成する下部導体を二工程に分けて
、下部導体のスルーホール部を凸状に成形するようにし
たので、層間絶縁層のスルーホールに上記凸出部を突出
させ、スルー央−ルの孔の深さを浅くすることができの
・　７　・ で、多層配線をもった厚膜回路が、高密度化、配線の微
細化がなされ、スルーホールの孔が小さくなり且つ層間
絶縁層が厚くなっても、上部導体層の形成の際、導体ペ
ーストの入り込みが良好となり、且つ段切れもなく、上
部導体と下部導体の接続が確実に行なうことができる。

このことから、ますます小型化、高密度化。

細線化されていく技術動向に対応することができ、更に
製造の歩留りを向上させると共に製品の信頼性をも向上
させるなど、顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、従来の厚膜混成集積回路のスルー
ホール部のたて断面図、第３図は、本発明の一実施例で
あり、厚膜混成集積回路のスルーホール部のたて断面図
である。 １・・・基板　２・・・下部導体　６・・・層間絶縁層
４・・・上部導体　５・・・スルーホール部　６川凸、
　８　。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁層を介して、上部導体と下部導体とを基板上に積層
   して成る厚膜混成集積回路の製造方法において、基板上
   に下部導体パターンを形成した後、該パターンのスルー
   ホール部に導電体ペーストによって凸状に形成して下部
   導体と成し、次いで該下部導体を乾燥した後焼成し、次
   にこの下部導体のスルーホールに合せて層間絶縁層を形
   成した後この層間絶縁層の上に上部導体層を形成し、乾
   燥及び焼成して集積回路を形成したことを特徴とする厚
   膜混成集積回路の製造方法。