JPS62172795A - セラミツク多層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度実装、高密度配線を可能にするセラミ
ック多層基板に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の小型化、多機能化に伴い、基板の多層
化が図られ、また、熱伝導性、耐熱性。

化学的耐久性に有機材料基板より秀れるセラミック基板
が使われるようになった。

以下図面を参照しながら従来のセラミック多層基板の一
例について説明する。

第３図は従来のセラミック多層基板の断面図であり、９
．ＩＱ、１１はそれぞれ第１．第２．第３層のグリーン
シート、１２は導体層である０第４図、第６図は従来例
のセラミック基板のバイアホールの構成図であり、第４
図は積層前のグリーンシートを示し、１３．１４はそれ
ぞれ第１．第２層のグリーンシート、１６゜１６は導体
層であり、図中亀は導体の回り込み寸法である。第６図
は第１．第２層のグリーンシー）１３．１４の積層ズレ
を示し、２１は導体層１５．１６の未接続部を示してい
る。

上記第３図のようにバイアホールが第１と第２のグリー
ンシートを貫く場合、第４図のように２枚のグリーンシ
ー）１３．１４にそれぞれパンチ等で開孔されたバイア
ホールの上から導体を印刷し、下面から吸引することに
よりバイアホール内壁に導体を被着させ、さらに、下面
に寸法ａで回り込ませた後正確に積層する。前述のよう
にして積層されたグリーンシートを適当枚数を圧着し焼
成することでセラミック多層基板となる。

以上のように構成されたセラミック多層基板は、上記バ
イアホールによって表面積と内部２層目が導通する。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、第１のグリーンシ
ートと第２のグリーンシートを積層する場合、第５図に
示したように積層ズレがあり、しかも第１のグリーンシ
ートのバイアホール下面への導体の回り込み寸法ａが小
さい時、導体の未結線部ができる。この未結線部が多い
と、導体の抵抗値が上がり、信号伝播速度が遅くなり又
、熱的。

機械的衝撃により断線するという機能上かつ信頼性上重
大な問題を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、積層時にズしても導体の未
接続部ができに＜＜、導体の接続抵抗も上がることなく
、しかも、熱的５機械的衝撃にも断線しないセラミック
多層基板を提供するものである。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明のセラミック多層基
板は、第１のグリーンシートに開孔された第１のバイア
ホールよりも径の小さい第２のバイアホールを第２のグ
リーンシートに開孔し、かつ第２のバイアホール周辺の
導体層の径を第１のバイアホールの径よりも充分大きく
構成したものである。

作用 本発明は上記した構成によって、第１のグリーンシート
と第２のグリーンシートの積層ずれがあったとしても、
第２のグリーンシートの第２のバイアホールが第１のグ
リーンシートの第１のバイアホールの径より外に外れる
ことがな、く、しかも第１のバイアホールは第２のグリ
ーンシート上に形成された第２のバイアホール上の充分
大きな径の導体層と接続されることとなる。

実施例 以下、本発明の実施例のセラミｙり多層基板について、
図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の一実施例におけるセラミック多層基板
を示す。１，２はそれぞれガラス、アルミナセラミック
スの第１のグリーンシート、第２のグリーンシートであ
る０３，４はそれぞれＡｇ又はＡｇ／Ｐｄを主成分とす
る第１．第２の導体層であり、第１．第２のグリーンシ
ート１，２に開孔されたバイアホール６．６に設けられ
ている。第１のバイアホール５の径よりも第２のグリー
ンシート２に開孔された第２のバイアホール６の方が径
が小さく、さらに第２のグリーンシート２上に形成され
、第２のグリーンシート２に開孔されたバイアホール６
と同じ中心をもつ導体層４の径の方が大きい。

以上のように構成されたグリーンシートとさらに必要枚
のグリーンシートを積層してプレスし、焼成することに
よりセラミック多層基板を得る。

以上のように本実施例によれば、第１のグリーンシート
１に開孔された第１のバイアホール５の下に第２のグリ
ーンシート６に開孔され、しかも第１のバイアホール６
よりも径の小さい第２のバイアホール６と、第１のバイ
アホール５よりも径の大きい導体層４を設けることによ
り、第１図に示すように第１のグリーンシート１と第２
のグリーンシート６の積層時に位置ずれしても、第１の
グリーンシート１の導体層３と第２のグリーンシート２
の導体層４が接続されることとなり、多少のずれでは未
接続部のないセラミック基板が得られ、完全に接続して
いる為に熱的１機械的衝撃にも断線することがない基板
を得ることができる。

さらに、第１のバイアホール５の径と第２のバイアホー
ル６の径と第１の導体層３の径と第２の導体層６の径は
プロセス等の精度から適当に設定することができる。

なお、上記の実施例において、セラミック基材をガラス
、アルミナセラミックス、導体をＡｇ１又はＡｇ／Ｐｄ
を主成分とするものとしたが、他のセラミック、導体の
組合わせでも良い。

発明の効果 以上のように本発明は、第１のグリーンシートに開孔さ
れた第１のバイアホールと、このバイアホールよりも径
が小さく第２のグリーンシートに開孔された第２のバイ
アホールが重なり、しかも第２のバイアホール周辺の導
体層の径が第１のバイアホールの径よりも充分大きいの
で、第１のグリ−シート、第２のグリーンシートを積層
する際に位置ずれしても未接線部分が殆どないバイアホ
ールを形成することができ、導体抵抗の小さい熱的１機
械的衝撃にも断線しにくいセラミック基板を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるセラミック多層基板
の断面図、第２図は同基板の積層前の断面図、第３図、
第４図、第６図は従来のセラミック多層基板の焼成前の
断面図である。 １．２・・・・・・グリーンシート、３，４・・・・・
・導体層、５．６・・・・・・バイアホール。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ＩＲ
稼 敏 ＦｉＲ’　　　　　　　ｆｉｇ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第１のバイアホールが開孔された第１のグリーンシー
   トと、この第１のバイアホールよりも径の小さい第２の
   バイアホールが開孔され、かつ第１のバイアホールに第
   ２のバイアホールが重なるように第１のグリーンシート
   に積層された第２のグリーンシートを備え、上記第２の
   グリーンシートに開孔された第２のバイアホール周辺の
   導体層の径が上記第１のバイアホールの径よりも充分大
   きいことを特徴とするセラミック多層基板。