JPS59225590A - 高密度多層配線基板 - Google Patents
高密度多層配線基板Info
- Publication number
- JPS59225590A JPS59225590A JP10117583A JP10117583A JPS59225590A JP S59225590 A JPS59225590 A JP S59225590A JP 10117583 A JP10117583 A JP 10117583A JP 10117583 A JP10117583 A JP 10117583A JP S59225590 A JPS59225590 A JP S59225590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- density multilayer
- pattern
- multilayer wiring
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分壓〕
本発明は・高密度多層配線基板・特に−電子装置叫に使
用される集積回路実装用の高密度多層配線基板に関する
。
用される集積回路実装用の高密度多層配線基板に関する
。
従来の高密度多層配線基板は、セラミック基板と、前記
セラミック基板の上に形成され第１のパターンを構成す
る第１のメタル層と、前記第１のメタル層の上に形成さ
れ接続穴を有する有機絶縁層と、スパッ夛によシ前記接
続穴を含めて前記有機絶縁層の上に形成され前記第１の
パターンと前記接続穴のスパッタを介して接続された第
２のパターンを構成する第２のメタル層とを含んで構成
される。
セラミック基板の上に形成され第１のパターンを構成す
る第１のメタル層と、前記第１のメタル層の上に形成さ
れ接続穴を有する有機絶縁層と、スパッ夛によシ前記接
続穴を含めて前記有機絶縁層の上に形成され前記第１の
パターンと前記接続穴のスパッタを介して接続された第
２のパターンを構成する第２のメタル層とを含んで構成
される。
すなわち、従来の尚密度多層配縁基板は、下部のメタル
層、肩機帖緑層、上部のメタル層の順の層構成の場合、
上下のメ、タル層の間の接続は、スパッタ等によ多形成
された上部のメタル層の金属が、予め有機絶縁層にあけ
られた上下のメタル層を接続するための接続穴の内壁お
よびその接続穴によシ露出した下部のメタル層の表向を
連続的に櫟うことによシ、なされていた。
層、肩機帖緑層、上部のメタル層の順の層構成の場合、
上下のメ、タル層の間の接続は、スパッタ等によ多形成
された上部のメタル層の金属が、予め有機絶縁層にあけ
られた上下のメタル層を接続するための接続穴の内壁お
よびその接続穴によシ露出した下部のメタル層の表向を
連続的に櫟うことによシ、なされていた。
しかるに、このような高＋２Ｉ！Ｉ一度多層配線基板に
おける接続は、接続穴の径や形状や上部のメタル層の厚
さ等の各種の製造条件によって接続の良否が左右される
ため、信頼性が低く、また接続不良となった場合の修正
が困難で、かつ多大の時間を要する。
おける接続は、接続穴の径や形状や上部のメタル層の厚
さ等の各種の製造条件によって接続の良否が左右される
ため、信頼性が低く、また接続不良となった場合の修正
が困難で、かつ多大の時間を要する。
すなわち、従来の高密度多層配線基板は信頼性が低く接
続不良の修正が困難であるという欠点がありだ。
続不良の修正が困難であるという欠点がありだ。
本発明の目的は信頼性を向上でき、接続不良の修正を容
易にできる高密度多層配線基板を提供することにおる。
易にできる高密度多層配線基板を提供することにおる。
□すなわち、本発明の目的は、上下のメタル層の間を、
冶機絶縁層に設けられた接続穴に充填・キ＾アされた導
電性有様物ペーストによυ接続することによシ上記欠点
を解決し、上下のメタル層の間の接続を信頼性の高いも
のとするとともに、接続不良の修正に賛していた多大な
る時間を不要とする高密度多層配線基板を提供すること
にある。
冶機絶縁層に設けられた接続穴に充填・キ＾アされた導
電性有様物ペーストによυ接続することによシ上記欠点
を解決し、上下のメタル層の間の接続を信頼性の高いも
のとするとともに、接続不良の修正に賛していた多大な
る時間を不要とする高密度多層配線基板を提供すること
にある。
本発明の高密度多層配線基板は、セラミック基板と、前
記セラミック基板の上に形成され第１のパターンを構成
する第１のメタル層と、前記第１のメタル層の上に形成
され接続穴を有する有機絶縁層と、前記接続穴に充填さ
れた導電性有機物ペーストと、前記有機絶縁層の上に形
成され前記第１のパターンと前記導電性有機物ペースト
を介して接続された第２のパターンを構成する第２のメ
タル層とを含んで構成される。
記セラミック基板の上に形成され第１のパターンを構成
する第１のメタル層と、前記第１のメタル層の上に形成
され接続穴を有する有機絶縁層と、前記接続穴に充填さ
れた導電性有機物ペーストと、前記有機絶縁層の上に形
成され前記第１のパターンと前記導電性有機物ペースト
を介して接続された第２のパターンを構成する第２のメ
タル層とを含んで構成される。
すなわち、本発明の高密度多層配線基板は、所定のパタ
ーンで形成された第１のメタル層を有するセラミック基
板と、上下のメタル層を接続するための接続穴を有する
有機絶縁層と、前記接続穴に充填・キ為アされた導電性
有機物ペーストと、前記有機絶縁層の上部に所定のパタ
ーンで形成され 前記導電性有機物ペーストによシ下部
のメタル層と接続された第２のメタル層とを含んで構成
される。
ーンで形成された第１のメタル層を有するセラミック基
板と、上下のメタル層を接続するための接続穴を有する
有機絶縁層と、前記接続穴に充填・キ為アされた導電性
有機物ペーストと、前記有機絶縁層の上部に所定のパタ
ーンで形成され 前記導電性有機物ペーストによシ下部
のメタル層と接続された第２のメタル層とを含んで構成
される。
次に１本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であり、第２図
（ａ）〜（ｄ）は、第１図に示す実施例の製造工程・２
図（ａ）に示すようにセラミック基板１の上にメタル層
２を形成する。
（ａ）〜（ｄ）は、第１図に示す実施例の製造工程・２
図（ａ）に示すようにセラミック基板１の上にメタル層
２を形成する。
次に、このメタル層２の上に有機絶縁層３を形成する。
この有機絶縁層３には上下のメタル層を接続するための
接続穴が察２図（ｂ）に示すように設けられている。
接続穴が察２図（ｂ）に示すように設けられている。
・、５次に、ｗＪｚ図（Ｃ）に示すように、この接続穴
に導電性有機物ペースト４を充填・キュアする。
に導電性有機物ペースト４を充填・キュアする。
さらに第２図（ｄ）に示すように上部のメタル層５を形
成する。このメタル層５は導電性有機物ペースト４によ
りメタル層２と接続されている。
成する。このメタル層５は導電性有機物ペースト４によ
りメタル層２と接続されている。
さらに、メタル層５の上に有機絶縁層３を形成し、導電
性有機物ペースト４を充填し、その上にメタル層６を形
成したものが第１図に示しである。
性有機物ペースト４を充填し、その上にメタル層６を形
成したものが第１図に示しである。
この実施例では３つのメタル層と２つの有機絶縁層を持
つ高密度多層配線基板について説明し、メタル層２とメ
タル層５およびメタル層５とメタル層６とは、各々導電
性有機物ペースト４により接続されている。
つ高密度多層配線基板について説明し、メタル層２とメ
タル層５およびメタル層５とメタル層６とは、各々導電
性有機物ペースト４により接続されている。
上述の実施例では３つのメタル層と２つの有機絶縁層を
有する例について説明したが少なくとも２つのメタル層
と１つの有機絶縁層を有し、この間が接続穴に充填され
た導電性有機物ペーストで接続されていれによくメタル
層と有機絶縁層を交互に（−１層にも積層したものも□
本発明に含まれる。
有する例について説明したが少なくとも２つのメタル層
と１つの有機絶縁層を有し、この間が接続穴に充填され
た導電性有機物ペーストで接続されていれによくメタル
層と有機絶縁層を交互に（−１層にも積層したものも□
本発明に含まれる。
すなわち、本発明の高密度多層配線基板は、所定のパタ
ーンで形成された第１のメタル層を有するセラミック基
板と、 ■ 上下メタル層接続用穴ｉ有する有機絶縁層 ■ 該接続用穴に充填・キュアされた導電性有機物ペー
スト ■ 該有機絶縁層の上部に所定のパターンで形成され、
該導電性有機物ペーストにより下部のメタル層と接続さ
れたメタル層 の■〜■によ＃）ｌる構造を１回以上くシ返して形成さ
れる上部層とにより構成されるものを含むものである。
ーンで形成された第１のメタル層を有するセラミック基
板と、 ■ 上下メタル層接続用穴ｉ有する有機絶縁層 ■ 該接続用穴に充填・キュアされた導電性有機物ペー
スト ■ 該有機絶縁層の上部に所定のパターンで形成され、
該導電性有機物ペーストにより下部のメタル層と接続さ
れたメタル層 の■〜■によ＃）ｌる構造を１回以上くシ返して形成さ
れる上部層とにより構成されるものを含むものである。
本発明の高密度多層配線基板は、有機絶縁層の接続穴を
第２のメタル層を形成するときのスパッタによシ埋める
代りに尋電性有機物ペーストを充填して埋めることによ
シ、製造条件によって接続の良否が左右されずにすむの
で、信頼性を向上できるとともに接続不良のときの修正
を容易に行なうことができるという効果がある。
第２のメタル層を形成するときのスパッタによシ埋める
代りに尋電性有機物ペーストを充填して埋めることによ
シ、製造条件によって接続の良否が左右されずにすむの
で、信頼性を向上できるとともに接続不良のときの修正
を容易に行なうことができるという効果がある。
すなわち、本発明の嶋密度多層配線基板は、有機絶縁層
の上下のメタル層を導電性有機物ペーストによシ接続す
る構造をとる仁とによシ、信頼性の高い接続が実現でき
るという効果がある。
の上下のメタル層を導電性有機物ペーストによシ接続す
る構造をとる仁とによシ、信頼性の高い接続が実現でき
るという効果がある。
また、本発明の高密度多層配線基板は、従来多大な時間
を要していた接続不良部位の修正が不要になるという効
果もある。
を要していた接続不良部位の修正が不要になるという効
果もある。
第１図は 本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ
）〜（ｄ）は第１図に示す実施例の製造工程のそれぞれ
における断面図である。 １・・・・・・上２ミック基板、２・・・・・・メタル
層、３・・・・・・有機絶縁層、４・・・・・・導電性
有機物ペースト、５・・・・・・メタル層、６・・・・
・・メタル層。
）〜（ｄ）は第１図に示す実施例の製造工程のそれぞれ
における断面図である。 １・・・・・・上２ミック基板、２・・・・・・メタル
層、３・・・・・・有機絶縁層、４・・・・・・導電性
有機物ペースト、５・・・・・・メタル層、６・・・・
・・メタル層。
Claims (1)
- セラミック基、板と、前記セラミ５ツク基板の上に形成
され第１のパぞ−ンを構成する第１のメタル層と、前記
第１のメタル層の上、に形成され接続穴を有する有機絶
縁層と、前記接続穴に充填された導電性有機物テ、＝ス
暫と、前記有機絶縁層の上に形成され前記第１のパター
ンと前記導電性有機物ベーストを介して接ｉされた第２
のパターンを構成する第２のメタル彎とを含むことを特
徴とする高密度多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117583A JPS59225590A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高密度多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117583A JPS59225590A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高密度多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225590A true JPS59225590A (ja) | 1984-12-18 |
Family
ID=14293664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10117583A Pending JPS59225590A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高密度多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223198A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | ダイソー株式会社 | 多層配線板の製法 |
| JPH03158233A (ja) * | 1989-08-01 | 1991-07-08 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多層相互接続体 |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP10117583A patent/JPS59225590A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223198A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | ダイソー株式会社 | 多層配線板の製法 |
| JPH0342714B2 (ja) * | 1985-07-23 | 1991-06-28 | ||
| JPH03158233A (ja) * | 1989-08-01 | 1991-07-08 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多層相互接続体 |
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