JPH03205896A - 多層プリント回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 各種電子機器の構戒に広く使用される多層プリント回路
基板の製造方法に関し、 多層に積層されたそれぞれ各層を平坦な配線層に形成す
ることができる新しい多層プリント回路基板の製造方法
の提供を目的とし、 絶縁基体のパターン形或面に一定厚みの有機絶縁層とレ
ジスト膜を重層して、当該レジスト膜と該有機絶縁層と
を形成される導体パターンの部分のみを除去して該絶縁
基体を露出させ、当該絶縁基体の露出面と該レジスト膜
の上面に上記有機絶縁層と同一厚みの導体膜を施して、
該レジスト膜と当該レジスト膜の上面の該導体膜を除去
することにより所定の導体パターンを形或し、該導体パ
ターンおよび該有機絶縁層の上面に無機絶縁層を施した
後に上記導体パターンの形成を繰り返す。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、各種電子機器の構戒に広く使用される多層プ
リント回路基板の製造方法に関する。

最近、電算機あるいは通信機器等の構威に使用される多
層プリント回路基板は回路規模の増大と高速化の要求に
伴い、絶縁基体に形成される導体パターンは各層におい
て微細化と高密度化が行われるとともに多層化が必要と
なっている。そのため各層に形成される導体パターンに
突起が生じると実装時の加熱により導体パターンが断線
するので、それぞれの層に形或する導体パターンが平坦
となる新しい多層プリント回路基板の製造方法が必要と
されている。

〔従来の技術］ 従来の一般的な多層プリント回路基板の製造方法は、第
３図の工程順側断面図に示すように、（ａ）は、絶縁基
体ｌの導体パターン形成面全体にポリイミド樹脂を約２
０μｍ厚みに塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパ
ターンを形或する以外の部分に有機絶縁層２を形成した
状態、（ｂ）は、スパッタリング等により前記絶縁基体
ｌの露出面と有機絶縁層２の上面に約６μｍの銅よりな
る導体薄膜３を施した状態、 （ｃ）は、前記有機絶縁層２の上部，即ち導体パターン
を形成する以外の導体ｍＷＡ３表面に、厚み約１０μｍ
のマスクレジスト層４を形成した状態、（ｄ）は、上記
マスクレジスト層４から露出している前記導体薄膜３に
対して、有機絶縁層２の上面と同一となるように電解あ
るいは無電解銅めっきにより導体５゛を形成した状態、 （ｅ）は、上記マスクレジスト層４を除去するとともに
有機絶縁層２の上面に施された導体薄膜３を除去するこ
とにより、絶縁基体１に施した有機絶縁層２と同一平面
上で導体パターン５を露出させて第１層を形成した状態
、 （ｆ）は、上記第１層の表面に例えば０．　５μｍの酸
化シリコンよりなる無機絶縁層６で覆って、第１層の導
体パターン５と接続させるビア孔を形成し、電解銅めっ
き等により導電金属をビア孔に充填することによりビア
７を形或する。そして無機絶縁層６の上面に対して前記
（ａ）〜（ｅ）の工程順序により第２層の導体パターン
５を形成させた状態、の工程順を繰り返すことにより多
層プリント回路基板が製造されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上説明した従来の製造方法で問題となるのは、第３図
に示すようにパターンを形或する以外の部分に形成した
有機絶縁層２と絶縁基体ｌの露出面に施された導体蒲膜
３の表面に、マスクレジスト層４を前記有機絶縁層２と
同一位置に形或することが困難である。そのため第４図
に示すように有機絶縁層２とマスクレジスト層４との間
に位置ずれが発生し、このマスクレジスト層４から露出
している前記導体薄膜３に対して銅めっき等により導体
パターン５を形成すると、その断面形状に段差が生じて
いるのでこのような層を多数積層されると、電子部品等
の実装時における加熱，熱膨張により微細な導体パター
ンに断線が発生するという問題が生じている。

本発明は上記のような問題点に鑑み、多層に積層された
それぞれ各層を平坦な配線層に形或することができる新
しい多層プリント回路基板の製造方法の提供を目的とす
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、第１図に示すように絶縁基体１の表面に有機
絶縁層１２とレジスト膜１４を重層して、当該レジスト
膜１４と該有機絶縁層１２を形成される導体パターン形
或部分のみを除去して該絶縁基体１を露出させ、当該絶
縁基体１の露出面と該レジスト膜１４の上面に上記有機
絶縁層１２と同一厚みの導体ｌ１１３を施して、該レジ
スト１１１１４と当該レジスト膜１４の上面の該導体膜
１３を除去することにより所定の導体パターン１５が形
成され、その上面に無機絶縁層６を施した後に上記導体
パターン１５の形成を繰り返す。

〔作　用〕

本発明では、絶縁基体１の表面に重層された有機絶縁層
１２とレジスト膜１４の導体パターンの部分のみを除去
して前記絶縁基体ｌを露出させ、その絶縁基体１を露出
面に上記有機絶縁層１２と同一厚みの導体膜１３を施し
て、前記レジスト膜１４とその上面の導体［１３を除去
することで導体パターン１５を形成しているため、形成
される導体パターン１５の表面は有機絶縁層ｌ２の上面
と同一平面となり、無機絶縁層６を介して順次導体パタ
ーン１５を形成すると、積層されるそれぞれの各層が平
坦となって実装時に導体パターン１５の断線が発生しな
い多層プリント回路基板を形成することが可能となる。

〔実　施　例〕

以下図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。

第２図は本実施例による多層プリント回路基板の製造方
法の工程順側断面図を示し、図中において、第３図と同
一部材には同一記号を付している。

（ａ）は、絶縁基体１の導体パターン形成面全体に約２
０μｍ厚みのポリイ短ド樹脂よりなる有機絶縁層ｌ２を
施し、その上面に約１０μｍのレジスト膜１４を形成し
た状態、 （ｂ）は、スパッタリング等により前記レジスト膜１４
の表面にクローム等の金属薄膜を施し、エッチングによ
り導体パターン形或部を除去してマスクｌ６を形成した
状態、 （ｃ）は、上記マスク１６より露出した部分の有機絶縁
層１２とレジスト膜１４を酸素プラズマ等で除去して絶
縁基体ｌの表面を露出させた状態、（ｄ）は、前記絶縁
基体ｌの露出面とマスクｌ６の上面にスパッタリング等
で前記有機絶縁層１２と同一厚さ．即ち約２０ａｍの導
体膜１３を形成した状態、（ｅ）は、上記マスクレジス
ト膜１４を除去することによりマスク１６と、当該マス
ク１６の上面に施された導体膜１３を除去して、絶縁基
体１に施した有機絶縁層１２と同一平面上となる導体パ
ターン１５を露出させることにより第１層を形成した状
態、（ｆ）は、従来と同様に上記第１層の表面に例えば
０．５μｍの酸化シリコンよりなる無機絶縁層６で覆っ
て、第１層の導体パターン１５と接続させるビア孔を形
成し、電解銅めっき等により導電金属をビア孔に充填す
ることによりビア７を形或する。

そして無機絶縁層６の上面に対して前記（ａ）〜（ｅ）
の工程順序により第２層の導体パターン１５を形成させ
た状態、 の順序により多層プリント回路基板を形成している。

その結果、該レジスト膜１４を除去してｌマスク１６と
当該マスクｌ６の上面に施された導体膜１３を除くと、
導体パターン１５の表面は有機絶縁層１２の上面と同一
平面となるので形成される導体パターン１４は有機絶縁
層１２と同一平面状となるから、積層されたそれぞれの
各層が平坦となって実装時に導体パターン１５に断線が
生じない多層プリント回路基板を形成することができる
。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な製造方法で、積層されたそれぞれの各層が平坦とな
って実装時に導体パターンの断線が発生しない等の利点
があり、著しい信頼性向上の効果が期待できる多層プリ
ント回路基板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理を説明する側断面図、第２図は本
実施例による多層プリント回路基板の製造方法を示す工
程順側断面図、 第３回は従来の製造方法を示す工程順側断面図、第４図
は課題を示す側断面図である。 図において、 ｌは絶縁基体、 ６は無機絶縁層、 ７はビア、 １２は有機絶縁層、 １３は導体膜、 １４はレジスト膜、 １５は導体パターン、 １６はマスク、 を示す。 第 １ 図 の恕遵クバ去ｆ示４】ネか東イ則輔図 第２図 工ＩＩ：喉償１断面図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁基体（１）のパターン形成面に一定厚みの有機絶
   縁層（１２）とレジスト膜（１４）を重層して、当該レ
   ジスト膜（１４）と該有機絶縁層（１２）とを形成され
   る導体パターンの部分のみを除去して該絶縁基体（１）
   を露出させ、当該絶縁基体（１）の露出面と該レジスト
   膜（１４）の上面に上記有機絶縁層（１２）と同一厚み
   の導体膜（１３）を施して、該レジスト膜（１４）と当
   該レジスト膜（１４）の上面の該導体膜（１３）を除去
   することにより所定の導体パターン（１５）を形成し、
   該導体パターン（１５）および該有機絶縁層（１２）の
   上面に無機絶縁層（６）を施した後に、上記導体パター
   ン（１５）の形成を繰り返してなることを特徴とする多
   層プリント回路基板の製造方法。