JPS6176332A - 高周波予備加熱装置 - Google Patents
高周波予備加熱装置Info
- Publication number
- JPS6176332A JPS6176332A JP20326285A JP20326285A JPS6176332A JP S6176332 A JPS6176332 A JP S6176332A JP 20326285 A JP20326285 A JP 20326285A JP 20326285 A JP20326285 A JP 20326285A JP S6176332 A JPS6176332 A JP S6176332A
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- JP
- Japan
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- resin tablet
- resin
- tablet
- electrodes
- section
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/462—Injection of preformed charges of material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランスファーモールド法による樹脂封止方法
およびその方法に使用する高周波予備加熱装置に関する
ものである。
およびその方法に使用する高周波予備加熱装置に関する
ものである。
半導体装置の製造過程に金型を有する成形機にレジン（
樹脂）タブレットを供給して加熱溶融せしめ、溶融した
レジンを金型のキャビティ内に加圧注入してキャビティ
内に封入された半導体素子および半導体素子の電極と接
続された金属リードの一部を覆うように樹脂封止体を形
成する所謂トランスファーモールド法による樹脂封止工
程がある。このよ５な方法においてはレジンタブレット
を約１７０Ｃに加熱された金型のポット内に投入し、加
熱溶融せしめプランジャーにより押圧しキャビティ内に
レジンを注入している。また金型ポット内での加熱溶融
を効率的に行うためレジンタブレットを金型ボ２・）、
１ＭＫ投入する前に予めレジンタブレットを溶融しない
程度例えば約１ｏｏｔ：’に加熱し軟化させている。レ
ジンタブレットを予備加熱する手段としては高周波予備
加熱装置が使用されている。従来の高周波予備加熱装置
は互いに水平方向に離間・して配置された１対の回転し
うるローラーからなる高周波加熱用下部電極と、この下
部電極上に配置された高周波加熱用上部電極とを有し、
この電極間に高周波電圧を印加せしめられるように構成
されている。加熱する際は前記１対のローラーからなる
下部電極上に断面が円形を呈し所定の長さを有するレジ
ンタブレットを載置し、ローラーを回転せしめることＫ
よりレジンタブレットを回転させながら、上部電極と下
部電極との間に高周波電圧を印加し、加熱している。本
願発明者はこのような方法ではレジンタブレットの断面
中心部よりも外周部により多く高周波エネルギーが吸収
されてしまうという問題のあること、そのため外周部の
方が中心部よりもより高温に加熱され、外周部のみが先
に軟化溶融した状態となり、取扱いが難しくなり、樹脂
封止を効率的に行うことができないという欠点のあるこ
とを発見した。
樹脂）タブレットを供給して加熱溶融せしめ、溶融した
レジンを金型のキャビティ内に加圧注入してキャビティ
内に封入された半導体素子および半導体素子の電極と接
続された金属リードの一部を覆うように樹脂封止体を形
成する所謂トランスファーモールド法による樹脂封止工
程がある。このよ５な方法においてはレジンタブレット
を約１７０Ｃに加熱された金型のポット内に投入し、加
熱溶融せしめプランジャーにより押圧しキャビティ内に
レジンを注入している。また金型ポット内での加熱溶融
を効率的に行うためレジンタブレットを金型ボ２・）、
１ＭＫ投入する前に予めレジンタブレットを溶融しない
程度例えば約１ｏｏｔ：’に加熱し軟化させている。レ
ジンタブレットを予備加熱する手段としては高周波予備
加熱装置が使用されている。従来の高周波予備加熱装置
は互いに水平方向に離間・して配置された１対の回転し
うるローラーからなる高周波加熱用下部電極と、この下
部電極上に配置された高周波加熱用上部電極とを有し、
この電極間に高周波電圧を印加せしめられるように構成
されている。加熱する際は前記１対のローラーからなる
下部電極上に断面が円形を呈し所定の長さを有するレジ
ンタブレットを載置し、ローラーを回転せしめることＫ
よりレジンタブレットを回転させながら、上部電極と下
部電極との間に高周波電圧を印加し、加熱している。本
願発明者はこのような方法ではレジンタブレットの断面
中心部よりも外周部により多く高周波エネルギーが吸収
されてしまうという問題のあること、そのため外周部の
方が中心部よりもより高温に加熱され、外周部のみが先
に軟化溶融した状態となり、取扱いが難しくなり、樹脂
封止を効率的に行うことができないという欠点のあるこ
とを発見した。
本発明は上記した従来技術の問題および欠点に着目して
成されたものであり、その目的はレジンタブレットの外
周部よりも中心部をより軟化した状態となるように予備
加熱し、レジンタブレットの取扱いを容易Ｋ、また樹脂
封止を効率的に行いうるような樹脂封止方法およびその
方法に使用する高周波予備加熱装置を提供することにあ
る。
成されたものであり、その目的はレジンタブレットの外
周部よりも中心部をより軟化した状態となるように予備
加熱し、レジンタブレットの取扱いを容易Ｋ、また樹脂
封止を効率的に行いうるような樹脂封止方法およびその
方法に使用する高周波予備加熱装置を提供することにあ
る。
上記目的を達成するため本願の第１の発明は断面が円形
を呈し、所定の長さを有する固体状のレジンタブレット
を成形機に供給して加熱溶融せしめ、前記成形機内に封
入された被封正体をトランスファーそ−ルビ法により樹
脂封止する方法において、前記レジンタブレットの長さ
方向にわたりその断面中心部が外周部よりも軟化した状
態となるように前記レジンタブレットを高周波加熱法に
より予備加熱し、その後この予備加熱されたレジンタブ
レットを成形機に供給することを特徴とするものである
。また本願の第２の発明は一対の高周波加熱用電極を具
備してなり、前記電極間には断面が円形を呈し所定の長
さを有する固体状のレジンタブレットを収納せしめうる
空間を有し、前記電極は前記レジンタブレットの長さ方
向にわたりその断面中心部を外周部よりも軟化した状態
に加熱しうるように高周波電圧を印加せしめられるよう
に構成されてなることを特徴とするものである。
を呈し、所定の長さを有する固体状のレジンタブレット
を成形機に供給して加熱溶融せしめ、前記成形機内に封
入された被封正体をトランスファーそ−ルビ法により樹
脂封止する方法において、前記レジンタブレットの長さ
方向にわたりその断面中心部が外周部よりも軟化した状
態となるように前記レジンタブレットを高周波加熱法に
より予備加熱し、その後この予備加熱されたレジンタブ
レットを成形機に供給することを特徴とするものである
。また本願の第２の発明は一対の高周波加熱用電極を具
備してなり、前記電極間には断面が円形を呈し所定の長
さを有する固体状のレジンタブレットを収納せしめうる
空間を有し、前記電極は前記レジンタブレットの長さ方
向にわたりその断面中心部を外周部よりも軟化した状態
に加熱しうるように高周波電圧を印加せしめられるよう
に構成されてなることを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例にもとづき詳細に説明する。第１
図は本発明の一実施例である樹脂封止方法忙おけるレジ
ンタブレットの予備加熱状態を示すものである。第１図
（ａ）は斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−４
線矢視断面図である。断面が円形を呈し所定の長さを有
するレジンタブレット１を互いに離間して配置された二
つのローラー２および３上に載置する。４．５はそれぞ
れ二つのローラ２，３上に載置されたレジンタブレット
１の上。
図は本発明の一実施例である樹脂封止方法忙おけるレジ
ンタブレットの予備加熱状態を示すものである。第１図
（ａ）は斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−４
線矢視断面図である。断面が円形を呈し所定の長さを有
するレジンタブレット１を互いに離間して配置された二
つのローラー２および３上に載置する。４．５はそれぞ
れ二つのローラ２，３上に載置されたレジンタブレット
１の上。
下に配置された高周波加熱装置の上部電極および下部電
極である。この上部電極および下部電極の巾Ｗはレジン
タブレットの径Ｗ′よりも小さく形成されている。また
上部電極および下部電極の長さＬはレジンタブレットの
長さＬ′よりも大きく形成されている。二つのロー２２
．３を例えば同図矢印Ａで示すよう忙同じ方向に回転さ
せることＫよリレジンタブレット１を同図矢印Ｂで示す
方向に回転させながら、上部電極４および下部電極５間
に高周波電圧を印加し、レジンタブレットを加熱する。
極である。この上部電極および下部電極の巾Ｗはレジン
タブレットの径Ｗ′よりも小さく形成されている。また
上部電極および下部電極の長さＬはレジンタブレットの
長さＬ′よりも大きく形成されている。二つのロー２２
．３を例えば同図矢印Ａで示すよう忙同じ方向に回転さ
せることＫよリレジンタブレット１を同図矢印Ｂで示す
方向に回転させながら、上部電極４および下部電極５間
に高周波電圧を印加し、レジンタブレットを加熱する。
このような加熱法忙よれば、レジンタブレットの外周部
は回転により二つの電極間に位置したときのみエネルギ
ーが加えられるが、断面中心部は常に二つの電極間に位
置してエネルギーが加えられるため単位時間当りにレジ
ンタブレット１に加えられるエネルギーは外周部より中
心部の方が多くなり、結果的に外周部よりも中心部の方
がより高温に加熱され軟化した状態となる。このように
して約１００Ｃ位の温度に予備加熱したレジンタブレッ
ト１を成形機の金型に設けられたポット（図示せず）Ｋ
投入する。金型は約１７０Ｃ位に予め加熱しておく。前
記予備加熱されたレジンタブレットは約１７０Ｃ位に加
熱された金型ボット内に投入されること罠よりさらに高
温に加熱され溶融する。このポット内で溶融されたレジ
ンは成形機圧設けられたプランジャー（図示せず）によ
り加圧され、金型に設けられた流路（ランナー）を通り
、各キャビティ内に注入される、このようにして各キャ
ビティ内に封入された半導体素子および半導体素子の電
極と接続された金属リードの一部を注入されたレジンで
被覆する。
は回転により二つの電極間に位置したときのみエネルギ
ーが加えられるが、断面中心部は常に二つの電極間に位
置してエネルギーが加えられるため単位時間当りにレジ
ンタブレット１に加えられるエネルギーは外周部より中
心部の方が多くなり、結果的に外周部よりも中心部の方
がより高温に加熱され軟化した状態となる。このように
して約１００Ｃ位の温度に予備加熱したレジンタブレッ
ト１を成形機の金型に設けられたポット（図示せず）Ｋ
投入する。金型は約１７０Ｃ位に予め加熱しておく。前
記予備加熱されたレジンタブレットは約１７０Ｃ位に加
熱された金型ボット内に投入されること罠よりさらに高
温に加熱され溶融する。このポット内で溶融されたレジ
ンは成形機圧設けられたプランジャー（図示せず）によ
り加圧され、金型に設けられた流路（ランナー）を通り
、各キャビティ内に注入される、このようにして各キャ
ビティ内に封入された半導体素子および半導体素子の電
極と接続された金属リードの一部を注入されたレジンで
被覆する。
第２図は本発明の他の実施例である樹脂封止方法におけ
るレジンタブレットの予備加熱状態を示すものである。
るレジンタブレットの予備加熱状態を示すものである。
第２図（ａ）は斜視図、第２図（ｂｌは第２図（ａ）の
■−Ｈ線にそった断面図である。断面が円形を呈し所定
の長さを有するレジンタブレット６を例えばフッ素樹脂
のように耐熱性を有し、レジンに対し接着性の良くない
絶縁材からなる支持板７上に載置する。支持板７にはレ
ジンタブレット６の径よりも小さい径の開孔８を形成し
ておく。
■−Ｈ線にそった断面図である。断面が円形を呈し所定
の長さを有するレジンタブレット６を例えばフッ素樹脂
のように耐熱性を有し、レジンに対し接着性の良くない
絶縁材からなる支持板７上に載置する。支持板７にはレ
ジンタブレット６の径よりも小さい径の開孔８を形成し
ておく。
タブレット６は断面中心部が前記開孔内に露出されるよ
うに載置する。９，１０はそれぞれ高周波加熱用の上部
電極、下部電極である。前記電極９゜１０は例えば円形
でその径がレジンタブレットの径よりも小さいものを使
用する。前記レジンタブレットと電極９．１０とは同心
状に位置せしめ、上部電極９と下部電極１０との間に高
周波電圧を印加し、レジンタブレットを印加する、この
ような加熱法によれば電極９．１０の径はレジンタブレ
ットの径よりも小さく、またレジンタブレットと同心状
忙位置するから、レジンタブレット６の外周部は電極９
．１０に高周波電圧を印加して形成される高周波電界か
ら外れるためレジンタブレットの断面中心部に多くのエ
ネルギーが加えられ、加熱される。したがってレジンタ
ブレットの外周部よりも中心部の方をより軟化した状態
とすることができる。このようにして約１００ｃ位の温
度に予備加熱したレジンタブレット６を成形機の金型に
設けられたポット（図示せず）に投入する。
うに載置する。９，１０はそれぞれ高周波加熱用の上部
電極、下部電極である。前記電極９゜１０は例えば円形
でその径がレジンタブレットの径よりも小さいものを使
用する。前記レジンタブレットと電極９．１０とは同心
状に位置せしめ、上部電極９と下部電極１０との間に高
周波電圧を印加し、レジンタブレットを印加する、この
ような加熱法によれば電極９．１０の径はレジンタブレ
ットの径よりも小さく、またレジンタブレットと同心状
忙位置するから、レジンタブレット６の外周部は電極９
．１０に高周波電圧を印加して形成される高周波電界か
ら外れるためレジンタブレットの断面中心部に多くのエ
ネルギーが加えられ、加熱される。したがってレジンタ
ブレットの外周部よりも中心部の方をより軟化した状態
とすることができる。このようにして約１００ｃ位の温
度に予備加熱したレジンタブレット６を成形機の金型に
設けられたポット（図示せず）に投入する。
金型は約１７０１：’位の高温に予め加熱しておく。
金型ポット内く投入されたレジンタブレットはさらに高
温に加熱されるため溶融する。こ−のポット内で溶融し
たレジンは成形機に′！＆けられたプラン。
温に加熱されるため溶融する。こ−のポット内で溶融し
たレジンは成形機に′！＆けられたプラン。
ジャー（図示せず）により加圧され、金型く設けられた
ランナーを通り、金型の各中ヤビテイ内に注入される。
ランナーを通り、金型の各中ヤビテイ内に注入される。
このよう忙して各キャビティ内に封入された半導体素子
等の被封止物を注入されたレジンで被覆する。
等の被封止物を注入されたレジンで被覆する。
第３図は本発明のさらに他の実施例である樹脂封止方法
におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す。第３
図（ａ）はその斜視図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
１１線にそった断面図である。本実施例では第２図の実
施例で示した円板状の電極に代えてそれぞれ半球状の上
部電極１１．下部電極１２を使用すること釦より電極間
距離の最も近い所が電界が最も強くなることを利用して
レジンタブレット６の中心部を最も高温度に加熱し、中
心部から外周部に向かうに従ってリニアに加熱温度を変
化させることができる。
におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す。第３
図（ａ）はその斜視図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
１１線にそった断面図である。本実施例では第２図の実
施例で示した円板状の電極に代えてそれぞれ半球状の上
部電極１１．下部電極１２を使用すること釦より電極間
距離の最も近い所が電界が最も強くなることを利用して
レジンタブレット６の中心部を最も高温度に加熱し、中
心部から外周部に向かうに従ってリニアに加熱温度を変
化させることができる。
以上、実施例で述べたように本発明によればレジンタブ
レットの中心部を外周よりも軟化した状態に予備加熱す
ることができるので、レジンタブレットの変形を防止す
ることができ、取扱いが容易となり、樹脂封止を効果的
に行うことが可能となる。またレジンタブレットの変形
を防止しうろことから、従来のよう忙レジンタブレット
の変形忙起因して生じるレジンモールドの際の気泡の発
生を防止することができるため樹脂封止の歩留り向上を
図ることができる。
レットの中心部を外周よりも軟化した状態に予備加熱す
ることができるので、レジンタブレットの変形を防止す
ることができ、取扱いが容易となり、樹脂封止を効果的
に行うことが可能となる。またレジンタブレットの変形
を防止しうろことから、従来のよう忙レジンタブレット
の変形忙起因して生じるレジンモールドの際の気泡の発
生を防止することができるため樹脂封止の歩留り向上を
図ることができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例である樹脂封止方法に
おけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す斜視図、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＴ−１’線にそった断面図で
ある。 第２図（ａ）は本発明の他の実施例である樹脂封止方法
におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す斜視図
、同図（ｈ）は同図（ａ）の■−■線にそった断面図で
ある。 第３図（ａ）は本発明のさらに他の実施例である樹脂封
止方法におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す
斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）の１−■線にそった断
面図である。 １．６・・・レジンタブレット、２，３・・・ローラー
、４．９．１１・・・高周波加熱用上部電極、５，１０
゜１２・・・高周波加熱用下部電極、７・・・支持板。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 １ 図 （ｂｒ 第 ２ 図 （ａ−） （’ｏ）
おけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す斜視図、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＴ−１’線にそった断面図で
ある。 第２図（ａ）は本発明の他の実施例である樹脂封止方法
におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す斜視図
、同図（ｈ）は同図（ａ）の■−■線にそった断面図で
ある。 第３図（ａ）は本発明のさらに他の実施例である樹脂封
止方法におけるレジンタブレットの予備加熱状態を示す
斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）の１−■線にそった断
面図である。 １．６・・・レジンタブレット、２，３・・・ローラー
、４．９．１１・・・高周波加熱用上部電極、５，１０
゜１２・・・高周波加熱用下部電極、７・・・支持板。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 １ 図 （ｂｒ 第 ２ 図 （ａ−） （’ｏ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、断面が円形を呈し所定の長さを有する固体状のレジ
ンタブレットを成形機に供給して加熱溶融せしめ、前記
成形機内に封入された被封止体をトランスファーモール
ド法により樹脂封止する方法において、前記レジンタブ
レットの長さ方向にわたりその断面中心部が外周部より
も軟化した状態となるように前記レジンタブレットを高
周波加熱法により予備加熱し、その後この予備加熱され
たレジンタブレットを成形機に供給することを特徴とす
る樹脂封止方法。 ２、その間に固体状のレジンタブレットを収納しうる空
間を有して略平行な位置に配置された１対の電極を具備
してなり、前記電極間に高周波電圧を印加せしめられる
ように構成されてなることを特徴とする高周波予備加熱
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326285A JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326285A JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4531778A Division JPS54137970A (en) | 1978-04-19 | 1978-04-19 | High-frequency standby heater and method for resin sealing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176332A true JPS6176332A (ja) | 1986-04-18 |
| JPH0260500B2 JPH0260500B2 (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=16471119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20326285A Granted JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62261410A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | プリヒ−タ装置 |
| NL1026407C2 (nl) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het beheersbaar omhullen van elektronische componenten. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221019A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-17 | Tamotsu Nishi | Production of multilayered glass in frame |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20326285A patent/JPS6176332A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221019A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-17 | Tamotsu Nishi | Production of multilayered glass in frame |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62261410A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | プリヒ−タ装置 |
| NL1026407C2 (nl) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het beheersbaar omhullen van elektronische componenten. |
| WO2005120799A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Fico B.V. | Method and device for controllable encapsulation of electronic components |
| US8425826B2 (en) | 2004-06-11 | 2013-04-23 | Fico B.V. | Method and device for controllable encapsulation of electronic components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260500B2 (ja) | 1990-12-17 |
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