JPS6163027A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6163027A JPS6163027A JP18562084A JP18562084A JPS6163027A JP S6163027 A JPS6163027 A JP S6163027A JP 18562084 A JP18562084 A JP 18562084A JP 18562084 A JP18562084 A JP 18562084A JP S6163027 A JPS6163027 A JP S6163027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum silicide
- film
- silicon
- silicon oxide
- silicide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製：′Ｐ１方法、特に半導体基板
の半導体領域あるいは半導体基板上の多結晶半導体等の
半導体と接続される電極あるいは配線をモリブデンシリ
サイド膜により形成中る半導体装置の製造方法に関する
ものであり、半導体と電極あるいは配線を為すモリブデ
ンシリサイ＋′嗅との接触抵抗をより小さくすることが
できる新規な半導体装置の製造方法を提供しようとする
ものである。
の半導体領域あるいは半導体基板上の多結晶半導体等の
半導体と接続される電極あるいは配線をモリブデンシリ
サイド膜により形成中る半導体装置の製造方法に関する
ものであり、半導体と電極あるいは配線を為すモリブデ
ンシリサイ＋′嗅との接触抵抗をより小さくすることが
できる新規な半導体装置の製造方法を提供しようとする
ものである。
従来技術
半導体集積回路（ＩＣ）の電極あるいは配線材料として
多結晶シリコンが少なからず用いられている。しかしな
がら多結晶シリコンは不純物をドープしたとして屯電気
抵抗が比較的大きい、そのため、ＩＣの高集積化により
電極が小さく、あるいは、配線の幅が誇く、配線長さが
短くなると、多結晶シリコンからなる電極、配線の電気
抵抗が大きいことが隻勾で、看ない問題となる。そこで
、・電極あるいは配線ｔｆ島結晶シリコンに代えてモリ
ブデンシリサイドＲｇ、で形成することにより低措、種
化を関ることが例λば特開昭５７−１０７０３０号公輯
；によ番１擦冨さね、でいる、その公報に記載された枝
術は、半４０１一層に接触する電極をモリブデンシリサ
イドＩＩＱによ１１形薩し、＠ｌ鴛四気中において高温
アニール＠理を旙して該膜の低抵抗化を図るというへの
である。
多結晶シリコンが少なからず用いられている。しかしな
がら多結晶シリコンは不純物をドープしたとして屯電気
抵抗が比較的大きい、そのため、ＩＣの高集積化により
電極が小さく、あるいは、配線の幅が誇く、配線長さが
短くなると、多結晶シリコンからなる電極、配線の電気
抵抗が大きいことが隻勾で、看ない問題となる。そこで
、・電極あるいは配線ｔｆ島結晶シリコンに代えてモリ
ブデンシリサイドＲｇ、で形成することにより低措、種
化を関ることが例λば特開昭５７−１０７０３０号公輯
；によ番１擦冨さね、でいる、その公報に記載された枝
術は、半４０１一層に接触する電極をモリブデンシリサ
イドＩＩＱによ１１形薩し、＠ｌ鴛四気中において高温
アニール＠理を旙して該膜の低抵抗化を図るというへの
である。
発明が解決しようとする問題へ
ところで、電極あるいは配線をモリブデンシリサイド悦
により形成する場合低抵抗化のために高温７二−ル２処
理は不可欠であるが、この処理によってモリブデンシリ
サイド膜と半導体とのコンタクト抵抗が比較的大１着く
なるという問題がある。この問題について第２図に咲っ
て具体的に説明する。同図においてａはシリコン半導体
基板、ｂは該半導体基板の表面部に１尺択的に形成され
たＰ型あるいはＮ！Ｉｊの半４体領域、Ｃはシリコン酸
化膜等からなる絶縁Ｓ、ｄは該絶縁膜Ｃに形成されたコ
ンタクト用ｗａｇを通してヒ記半導体領域すに接続され
るようにＦｔ１４７されたモリブデンシリサイドｌ１１
２からなる電極〒ある。
により形成する場合低抵抗化のために高温７二−ル２処
理は不可欠であるが、この処理によってモリブデンシリ
サイド膜と半導体とのコンタクト抵抗が比較的大１着く
なるという問題がある。この問題について第２図に咲っ
て具体的に説明する。同図においてａはシリコン半導体
基板、ｂは該半導体基板の表面部に１尺択的に形成され
たＰ型あるいはＮ！Ｉｊの半４体領域、Ｃはシリコン酸
化膜等からなる絶縁Ｓ、ｄは該絶縁膜Ｃに形成されたコ
ンタクト用ｗａｇを通してヒ記半導体領域すに接続され
るようにＦｔ１４７されたモリブデンシリサイドｌ１１
２からなる電極〒ある。
ところで、モリブデンシリサイドｎ！２からなる電極ｄ
を形成した埠ト述のように高温アニール処理ヲ１１＠す
と、電極を為ナモリブデンシリサイド膜ｄの表面に自然
にＦｌ成された酸化膜（自然酸化膜）ｅ中の酸素ｆが千
の帆欅山にモリブデンシリサイド１ｌＩ２ｄ内を拡散し
て該モリブデンシリサイドＩＱ ｄと半導体領域すとの
界面に蓄積する、そして、その界面に蓄積された酸鼻ｆ
によって半導体領域す表面が酸化され、薄いとはいえシ
リコン酸化膜（ＳｉＣ）２）が形成される。その結襲、
ＴＬ極、即ち、モリブデンソリサイｌ’ Ｉｌｌ：’、
ｄと半Ｊ４体領域すとの間のコンタクト抵抗が太きく
なる。こ机が、高温アニール処理によってモリブデンシ
リサイトロクと半導体とのコンタクト抵抗を大きくする
原因となる。そして、この半導体領域す表面が酸化され
るのを防止するにはヒ記目然酸化膜ｅが形成されないよ
うにする必要があるが、一般的な製造プロセスによれば
モリブデンシリサイドＨｄのＭ着後、高温アニール処理
を施すまでにウニへが一度空気中に出されるので自然耐
化ＨＱ ｅが必ず形成されてしまうので半メキ体笛鰻す
表面が酸化されるのを防止することかで鼻なかった。
を形成した埠ト述のように高温アニール処理ヲ１１＠す
と、電極を為ナモリブデンシリサイド膜ｄの表面に自然
にＦｌ成された酸化膜（自然酸化膜）ｅ中の酸素ｆが千
の帆欅山にモリブデンシリサイド１ｌＩ２ｄ内を拡散し
て該モリブデンシリサイドＩＱ ｄと半導体領域すとの
界面に蓄積する、そして、その界面に蓄積された酸鼻ｆ
によって半導体領域す表面が酸化され、薄いとはいえシ
リコン酸化膜（ＳｉＣ）２）が形成される。その結襲、
ＴＬ極、即ち、モリブデンソリサイｌ’ Ｉｌｌ：’、
ｄと半Ｊ４体領域すとの間のコンタクト抵抗が太きく
なる。こ机が、高温アニール処理によってモリブデンシ
リサイトロクと半導体とのコンタクト抵抗を大きくする
原因となる。そして、この半導体領域す表面が酸化され
るのを防止するにはヒ記目然酸化膜ｅが形成されないよ
うにする必要があるが、一般的な製造プロセスによれば
モリブデンシリサイドＨｄのＭ着後、高温アニール処理
を施すまでにウニへが一度空気中に出されるので自然耐
化ＨＱ ｅが必ず形成されてしまうので半メキ体笛鰻す
表面が酸化されるのを防止することかで鼻なかった。
本発明はこのような門’Ｊｎ ＆ ＠決すべ（為された
ものであ（）、シリコン半４体とそれに接続される電極
あるいは配置線を為すモリブデンシリサイド膜との界面
にシリコン酸化物が生じるのを防止することを目的とす
るものである。
ものであ（）、シリコン半４体とそれに接続される電極
あるいは配置線を為すモリブデンシリサイド膜との界面
にシリコン酸化物が生じるのを防止することを目的とす
るものである。
問題点を解決するための手段
Ｅ記問題点を解決するための本発明半導体装置の製造方
法は、モリブデンシリサイド膜に対する低抵抗化のため
の活性化をモリブデンシリサイド膜表面にシリコン膜を
形成した状態で行うことを特徴とするものである。
法は、モリブデンシリサイド膜に対する低抵抗化のため
の活性化をモリブデンシリサイド膜表面にシリコン膜を
形成した状態で行うことを特徴とするものである。
作用
本発明によれば、モリブデンシリサイド膜表面にシリコ
ン膜を形成１７た状態で活性化を行うので、モリブデン
シリサイド膜表面に自然酸化膜が形成されるのを防止す
ることができる。又、イリにモリブデンシリサイド１ｌ
Ｉ２表面に薄い７リコン酸化ｆｆりが形成されたとして
もそのシリコン酸化！ｌ々中の酸素がモリブテンシリサ
イドよりも活性化エネルギーの強いシリコン綽に２リト
ラー、プされる。
ン膜を形成１７た状態で活性化を行うので、モリブデン
シリサイド膜表面に自然酸化膜が形成されるのを防止す
ることができる。又、イリにモリブデンシリサイド１ｌ
Ｉ２表面に薄い７リコン酸化ｆｆりが形成されたとして
もそのシリコン酸化！ｌ々中の酸素がモリブテンシリサ
イドよりも活性化エネルギーの強いシリコン綽に２リト
ラー、プされる。
徒って、モリブデンシリサイドＨｑと半４体との界面に
シリコン酸化膜が形成されるのを防Ｉヒすることができ
る。
シリコン酸化膜が形成されるのを防Ｉヒすることができ
る。
実施例
以下に、太９Ａ明半導体装置の製儲方法を添付図面に示
した実施例に々って詳細に説、明する。
した実施例に々って詳細に説、明する。
第１図（Ａ）乃至ＣＦ）は本発明患導体装置の製造方法
の実施の一例を工程順に示す断面図である。
の実施の一例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）Ｎ型半瀉体票板１表面を加執酸化干ることにより
シリコン酸化１１１２（１９ＦｒＩ６０００ Ａ） ２
ｔ 形成し、該シリコン酸化膜２を！択エツチングす
ることにより拡散窓３を形成し、その後 リＣに薄いシ
リコン酸化膜４を加熱酸化により形成する。しかる後、
例えばホウ？、Ｂをイオン打込み法により半導体基機１
表面部に形成する。そのイオン打込エネルギーが例１１
ｆ３０ＫｅＶ、濃度が例封ば２Ｘ１０”／ｃｒｔＩＪで
ある。５は卆のイオン打込みにより形成されたイオンＦ
ｒ込み六である。第１図（Ａ）はイオン打込み終了後の
欣能を示十。
シリコン酸化１１１２（１９ＦｒＩ６０００ Ａ） ２
ｔ 形成し、該シリコン酸化膜２を！択エツチングす
ることにより拡散窓３を形成し、その後 リＣに薄いシ
リコン酸化膜４を加熱酸化により形成する。しかる後、
例えばホウ？、Ｂをイオン打込み法により半導体基機１
表面部に形成する。そのイオン打込エネルギーが例１１
ｆ３０ＫｅＶ、濃度が例封ば２Ｘ１０”／ｃｒｔＩＪで
ある。５は卆のイオン打込みにより形成されたイオンＦ
ｒ込み六である。第１図（Ａ）はイオン打込み終了後の
欣能を示十。
（Ｂ）次に、半導体基板１表面にＣＶＤ法によりノリコ
ン酸化１１１２（ｎ’：！厚３０００人）６を形成し、
そのψ、イオン・打込みされたホウｉＢを接散してＰＪ
！！Ｉ拡散Ｉ５７を形成する。この拡散はＮ ？ 雰Ｑ
気で温度を例えば１０００℃にして例えば３０分間行う
、第１図ｒＢ）は拡散層７を形成１７た後の状態を示す
。
ン酸化１１１２（ｎ’：！厚３０００人）６を形成し、
そのψ、イオン・打込みされたホウｉＢを接散してＰＪ
！！Ｉ拡散Ｉ５７を形成する。この拡散はＮ ？ 雰Ｑ
気で温度を例えば１０００℃にして例えば３０分間行う
、第１図ｒＢ）は拡散層７を形成１７た後の状態を示す
。
（Ｃ）次に、Ｐ型疵散層７ ｋｍ対するコンタクト窓８
を形成するための選択的エツチングをシリコン酸化１１
Ｑ ６及び４に対して施し、Ｐタ砿散層７表面を部分的
に霧出させる。第１図（Ｃ）はコンタクト窓８の形成後
の状態を示す。
を形成するための選択的エツチングをシリコン酸化１１
Ｑ ６及び４に対して施し、Ｐタ砿散層７表面を部分的
に霧出させる。第１図（Ｃ）はコンタクト窓８の形成後
の状態を示す。
（Ｄ）次に、スパ９りｉｚ法によりモリブデンシリサイ
ｌ−′Ｎ （Ｍｏ Ｓ ｉ ｘ ｒｘが例えば２ 、５
］ ）９を形成する。ｙ、ｔ７ｑは例えば２０００Ａで
、Ｍ。
ｌ−′Ｎ （Ｍｏ Ｓ ｉ ｘ ｒｘが例えば２ 、５
］ ）９を形成する。ｙ、ｔ７ｑは例えば２０００Ａで
、Ｍ。
ＳｉｔとＳｔのｃｏ −５ｏｕｔｔｅｒによりＭ ｏ
Ｓ ｉｚ、ｙｌｕ９を得る。ａＬｒ４（Ｄ）はモリブデ
ンシリサイド膜９の形成後の状態を示す。
Ｓ ｉｚ、ｙｌｕ９を得る。ａＬｒ４（Ｄ）はモリブデ
ンシリサイド膜９の形成後の状態を示す。
（Ｅ）モリブデンシリサイＫＲ４９の形吃後その形成に
用いたスパｉ４荻葺装萱から半４休ウェハを出したすす
ることな（引き較いてシリコン膜（ＩＩ！２Ｉｌ００Ａ
）１０をスパ７りＭ若により形成する、第１図（Ｅ）は
シリコンｌ１ｇ１Ｏ形成後の状態を示す。
用いたスパｉ４荻葺装萱から半４休ウェハを出したすす
ることな（引き較いてシリコン膜（ＩＩ！２Ｉｌ００Ａ
）１０をスパ７りＭ若により形成する、第１図（Ｅ）は
シリコンｌ１ｇ１Ｏ形成後の状態を示す。
（Ｆ）次に、シリコン１１ｔ１１０及びモリブデンシリ
サイドＩＩ！９をプラズマエツチング法（ＣＦ４＋０２
）によりＩｓ的にニー・手ングすることにより電極とす
る。
サイドＩＩ！９をプラズマエツチング法（ＣＦ４＋０２
）によりＩｓ的にニー・手ングすることにより電極とす
る。
その後、窒素（Ｎ？）雰−気中で１０００℃の温度で加
熱する高温アニール処理を半導体つ、ハに３０分間施し
、次いで４００℃の温度で６０分間加熱するフォーミン
グ処理を施す、第１図（Ｆ）は電極形成後の状態を示す
。
熱する高温アニール処理を半導体つ、ハに３０分間施し
、次いで４００℃の温度で６０分間加熱するフォーミン
グ処理を施す、第１図（Ｆ）は電極形成後の状態を示す
。
このような半導体装置の製造方法によれば、モリブデン
シリサイド膜９の形成後半導体基板をスパッタ′ＭＲ装
屏から出して空気市に曝したりすることなくモリブデン
シリサイドＩＩＪ ９４面にシリコン膜１０を形成する
ので、モリブデンシリサイド膜１０；ｉ面に自六醜化瞳
が形成されない、従って、従来の闇ｎ屯であるところの
自然酸化膜内の酸素がモリブデンシリサイド膜内に拡敬
されモリブデンシリサイド膜と拡散層との界面に達し、
拡散層表面にシリコン酸化膜が形成され、コンタクト抵
抗が増大することを防１１−することができる。
シリサイド膜９の形成後半導体基板をスパッタ′ＭＲ装
屏から出して空気市に曝したりすることなくモリブデン
シリサイドＩＩＪ ９４面にシリコン膜１０を形成する
ので、モリブデンシリサイド膜１０；ｉ面に自六醜化瞳
が形成されない、従って、従来の闇ｎ屯であるところの
自然酸化膜内の酸素がモリブデンシリサイド膜内に拡敬
されモリブデンシリサイド膜と拡散層との界面に達し、
拡散層表面にシリコン酸化膜が形成され、コンタクト抵
抗が増大することを防１１−することができる。
ちなみに、従来の場合、即ち、モリブデンシリサイド膜
表面にシリコン膜を形成しない場合と。
表面にシリコン膜を形成しない場合と。
本発明の場合、即ち、モリブデンシリサイドＩ９表面に
シリコン膜を形成して高温アニール処理を１７た場合と
を比較すると、コンタクト抵抗を１割以ヒ小さくするこ
とができた。下記の表は具体的にコンタブト抵梼をを来
の場合と未発明の場合とについて比較したものである。
シリコン膜を形成して高温アニール処理を１７た場合と
を比較すると、コンタクト抵抗を１割以ヒ小さくするこ
とができた。下記の表は具体的にコンタブト抵梼をを来
の場合と未発明の場合とについて比較したものである。
尚、この試験においてコンタクト４Ｈ杭の測定は４端子
法で行ない、測定にあたり予めモリブデンシリサイド膜
表面（伊東の場合）ｊ＆Ｉろいはシリコン膜１０表面（
本発明の場合）なライトエ・２手ングした。又 電極と
して形成されたモリブデンシリサイド膜は共にＭ ｏ
Ｓ ｒｘ５であり、叉膜厚が２０００Ａである。そして
、木発甲の場合においてモリブデンシリサイＫＩＱ９表
面に形成したシリコン膜１０のＩｌ（＋厚は１００五で
ある。
法で行ない、測定にあたり予めモリブデンシリサイド膜
表面（伊東の場合）ｊ＆Ｉろいはシリコン膜１０表面（
本発明の場合）なライトエ・２手ングした。又 電極と
して形成されたモリブデンシリサイド膜は共にＭ ｏ
Ｓ ｒｘ５であり、叉膜厚が２０００Ａである。そして
、木発甲の場合においてモリブデンシリサイＫＩＱ９表
面に形成したシリコン膜１０のＩｌ（＋厚は１００五で
ある。
尚、本発明においてモリブデンソリサイドＩＩ２の表面
に形成したシリコン膜は高温アニール処理後除去しても
ｐい。
に形成したシリコン膜は高温アニール処理後除去しても
ｐい。
ヒ記実施例は本発明を来４体基板の表面に通釈された拡
散層を接続される電極の形成に適用したものであるが１
未発岨は半導体基板トに絶縁Ｈ・≧を介して形成された
多結晶のシリコン層と接触する配線層の形成にも適用中
ることができる。
散層を接続される電極の形成に適用したものであるが１
未発岨は半導体基板トに絶縁Ｈ・≧を介して形成された
多結晶のシリコン層と接触する配線層の形成にも適用中
ることができる。
発明の効斃
以上に述べたように、大発明半導体装置の製造方法は、
モリブデンシリサイド嗅にせする低抵抗化のための活性
化をモリブデンシリサイに１９表面にシリコン■すを形
成した状態で行うことを特徴とするものであるｅ Ｑ？
内で、太必明半導体装置の製造方法によれば、モリブデ
ンシリサイド膜表面にシリコンＩＩσを形成した状態で
活性化を行うので、モリブデンシリサイド膜表面に自然
酸化膜が形成されるのを防１１−することがで謄る６Ｖ
イダにモリブデンシリサイド膜表面に薄くシリコン酸
化膜が形成されたとしてもシリコ／の力がモリブデンソ
リサイドよりも活性化エネルギーが強い、交って、その
シリコン酸化映出の酸素がソリコンロタによりトラップ
される８従って、モリブデンシリサイド膜と半導体との
界面にシリコン酸化膜が形成されるのを防ｔｂすること
ができる。
モリブデンシリサイド嗅にせする低抵抗化のための活性
化をモリブデンシリサイに１９表面にシリコン■すを形
成した状態で行うことを特徴とするものであるｅ Ｑ？
内で、太必明半導体装置の製造方法によれば、モリブデ
ンシリサイド膜表面にシリコンＩＩσを形成した状態で
活性化を行うので、モリブデンシリサイド膜表面に自然
酸化膜が形成されるのを防１１−することがで謄る６Ｖ
イダにモリブデンシリサイド膜表面に薄くシリコン酸
化膜が形成されたとしてもシリコ／の力がモリブデンソ
リサイドよりも活性化エネルギーが強い、交って、その
シリコン酸化映出の酸素がソリコンロタによりトラップ
される８従って、モリブデンシリサイド膜と半導体との
界面にシリコン酸化膜が形成されるのを防ｔｂすること
ができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明半導体ＪＩｅ置の製造
方法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２ＩＡは従
来技術の問題点を示す断面図である。 符号の説明 １（７）・φ・半導体、 ９・拳φモリブデンシリサイド膜、 １０・・・シリコン膜 第 １ 図 第２図
方法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２ＩＡは従
来技術の問題点を示す断面図である。 符号の説明 １（７）・φ・半導体、 ９・拳φモリブデンシリサイド膜、 １０・・・シリコン膜 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- （１）半導体と直接接続される電極あるいは配線をモリ
ブデンシリサイド膜により形成し、該モリブデンシリサ
イド膜に対する低抵抗化のための活性化をモリブデンシ
リサイド膜表面にシリコン膜を形成した状態で行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18562084A JPS6163027A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18562084A JPS6163027A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163027A true JPS6163027A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16173975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18562084A Pending JPS6163027A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001568A1 (en) * | 1989-07-14 | 1991-02-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for fabricating semiconductor devices |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18562084A patent/JPS6163027A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001568A1 (en) * | 1989-07-14 | 1991-02-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for fabricating semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59132136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6213819B2 (ja) | ||
| JPS6163027A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04186746A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02298074A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタの製造方法 | |
| JPH1074922A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH03165066A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS61256672A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3260311B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01238144A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59138363A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH022311B2 (ja) | ||
| JPH0380542A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR850000037B1 (ko) | 셀프얼라인 금속전극 복합 mos의 제조방법 | |
| JPS6037147A (ja) | 電極配線 | |
| JPS6188543A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58159376A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH065586A (ja) | 薄膜半導体基板の製法 | |
| JPS5968950A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60780A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6455853A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS63110748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0159731B2 (ja) | ||
| JPH01233726A (ja) | 半導体装置の製造方法 |