JPS61248453A - セラミツク基板および半導体装置の製造方法 - Google Patents
セラミツク基板および半導体装置の製造方法Info
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- JPS61248453A JPS61248453A JP60090359A JP9035985A JPS61248453A JP S61248453 A JPS61248453 A JP S61248453A JP 60090359 A JP60090359 A JP 60090359A JP 9035985 A JP9035985 A JP 9035985A JP S61248453 A JPS61248453 A JP S61248453A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はセラミック基板および半導体装置の製造方法に
係り、特に複数のセラミックパッケージを整列したセラ
ミック基板を用い、組立、封止および試験工程において
多数のICが効率良く処理できるようにした製造方法に
関する。
係り、特に複数のセラミックパッケージを整列したセラ
ミック基板を用い、組立、封止および試験工程において
多数のICが効率良く処理できるようにした製造方法に
関する。
ICなどの半導体装置は日進月歩の勢いで発展しており
、その製造方法もウェハープロセスを始め、組立、試験
工程なども大きく自動化が推進されてきた0例えば、プ
ラスチックICの組立工程においては、複数の半導体チ
ップを一連のリードフレーム上に組み立てして、多数の
リードフレームを同時に封止する方式で量産され、効率
的に処理されている。
、その製造方法もウェハープロセスを始め、組立、試験
工程なども大きく自動化が推進されてきた0例えば、プ
ラスチックICの組立工程においては、複数の半導体チ
ップを一連のリードフレーム上に組み立てして、多数の
リードフレームを同時に封止する方式で量産され、効率
的に処理されている。
しかし、絶縁性、気密性に優れたセラミックICの製造
方法では、上記のプラスチックICに比べて未だその生
産性は効率的とは云えない。従って、セラミック型IC
においても、更にスループットを向上するための製造方
法が望まれている。
方法では、上記のプラスチックICに比べて未だその生
産性は効率的とは云えない。従って、セラミック型IC
においても、更にスループットを向上するための製造方
法が望まれている。
[従来の技術]
従来のセラミックICの製造方法は単体のセラミックパ
ッケージを使用しており、その単体パッケージに半導体
チップを収容し、組立の各工程を経てセラミックICに
完成させている。第4図(alは従来の単体セラミック
パッケージを用いた組立(Assembly)の各処理
工程図である。
ッケージを使用しており、その単体パッケージに半導体
チップを収容し、組立の各工程を経てセラミックICに
完成させている。第4図(alは従来の単体セラミック
パッケージを用いた組立(Assembly)の各処理
工程図である。
即ち、1個の半導体チップ(以下、チップと略称す)1
と単体セラミックパッケージ2とを用意して、パッケー
ジ2にチップを溶着(チップ付a)L、次にワイヤーボ
ンディング(ワイヤー付b)した後、キャップ封止Cし
て、リーク(漏れ)テストdを行なう。次いで、品名を
捺印eし、最後に機能試験fを行なって、完成させてい
る。
と単体セラミックパッケージ2とを用意して、パッケー
ジ2にチップを溶着(チップ付a)L、次にワイヤーボ
ンディング(ワイヤー付b)した後、キャップ封止Cし
て、リーク(漏れ)テストdを行なう。次いで、品名を
捺印eし、最後に機能試験fを行なって、完成させてい
る。
このように、セラミックパッケージを使用したICは、
従来から1個づつ上記の処理工程をランニングさせる組
立方式が用いられている。
従来から1個づつ上記の処理工程をランニングさせる組
立方式が用いられている。
第5図はセラミック型ICの一例の外形を示しており、
3はセラミック・リードレス・チップキャリア(LCC
) 、4は著名なデュアルインライン・パッケージ(D
I T)である。
3はセラミック・リードレス・チップキャリア(LCC
) 、4は著名なデュアルインライン・パッケージ(D
I T)である。
[発明が解決しようとする問題点]
さて、上記のように、単体の、セラミックパッケージを
使って組立する場合、他のパッケージ、例えばり一ドフ
レームを使ったプラスチックICに比べて、セラミック
ICはその工数が多くかかる欠点がある。
使って組立する場合、他のパッケージ、例えばり一ドフ
レームを使ったプラスチックICに比べて、セラミック
ICはその工数が多くかかる欠点がある。
それは、複数のチップを搭載して処理するリードフレー
ムと、1個のチップを搭載しているセラミックパッケー
ジとが、略同等のハンドリング工数を要することから明
らかである。また、自動化機械を使用する場合でも、セ
ラミックパッケージでは処理時間が多くかかる。
ムと、1個のチップを搭載しているセラミックパッケー
ジとが、略同等のハンドリング工数を要することから明
らかである。また、自動化機械を使用する場合でも、セ
ラミックパッケージでは処理時間が多くかかる。
組立工程の中でも、特に封止工程においては、セラミッ
クICは1つづつキャップを被せる作業となり、プラス
チックICのように一括注入して処理できる方式に比べ
て、工数が増加する。
クICは1つづつキャップを被せる作業となり、プラス
チックICのように一括注入して処理できる方式に比べ
て、工数が増加する。
本発明は、このようなセラミックICの処理工数を低減
させて、セラミックICを安価に作成するための製造方
法と、そのためのセラミック基板(パッケージ)を提案
するものである。
させて、セラミックICを安価に作成するための製造方
法と、そのためのセラミック基板(パッケージ)を提案
するものである。
[問題点を解決するための手段]
その問題は、外部端子を備えた複数のセラミックパッケ
ージが、1枚のセラミック基板上に整列して配置され、
且つ、隣接するセラミックパッケージとの間に、破断し
得る接続部が設けられているセラミック基板を用い、こ
のようなセラミック基板上の複数のセラミックパッケー
ジにそれぞれチップを溶着して、組立、封止および試験
の各工程を経た後、個々のセラミック半導体装置(セラ
ミックIC)に分割されるようにした製造方法によって
解決される。
ージが、1枚のセラミック基板上に整列して配置され、
且つ、隣接するセラミックパッケージとの間に、破断し
得る接続部が設けられているセラミック基板を用い、こ
のようなセラミック基板上の複数のセラミックパッケー
ジにそれぞれチップを溶着して、組立、封止および試験
の各工程を経た後、個々のセラミック半導体装置(セラ
ミックIC)に分割されるようにした製造方法によって
解決される。
[作用]
即ち、1枚のセラミック基板上に規則正しくX方向、Y
方向に整列してパッケージを配置し、その状態で工程処
理する。そして、最終工程で破断する。
方向に整列してパッケージを配置し、その状態で工程処
理する。そして、最終工程で破断する。
そうすると、ハンドリングなどの処理工数が短縮されて
、コストダウンすることができる。
、コストダウンすることができる。
[実施例〕
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図は本発明にかかるセラミック基vi10の一実施
例の平面図を示している。本例はLCCの例で、縦に2
つのパフケージ5を接続し、横には3個〜5個のパッケ
ージ5を接続して、1枚のセラミック基板には複数のパ
ッケージが形成されている。点線で示す部分6,7が接
続部で、その部分は破断し易いように、セラミックが楔
((さび)形に作成されている。
例の平面図を示している。本例はLCCの例で、縦に2
つのパフケージ5を接続し、横には3個〜5個のパッケ
ージ5を接続して、1枚のセラミック基板には複数のパ
ッケージが形成されている。点線で示す部分6,7が接
続部で、その部分は破断し易いように、セラミックが楔
((さび)形に作成されている。
第2図(alはその斜視図を示しており、同図(ト))
は第2図(a)のAA”断面図である。第2図には接続
部6,7が明示されており、組立の各工程を終えた後に
、分割用溝8からその接続部6.7で分断されて、単体
のセラミックICに分割される。
は第2図(a)のAA”断面図である。第2図には接続
部6,7が明示されており、組立の各工程を終えた後に
、分割用溝8からその接続部6.7で分断されて、単体
のセラミックICに分割される。
且つ、9は外部端子であり、このようなセラミック基板
はグリーンシートを積層した多層セラミック基板からな
り、内部には多数の内部配線が形成されている。
はグリーンシートを積層した多層セラミック基板からな
り、内部には多数の内部配線が形成されている。
第4図(b)は本発明にかかる組立工程の工程図である
。複数のチップ1とセラミック基板10とを用意して、
複数のパフケージ5に複数のチップをそれぞれ溶着(チ
ップ付a)L、次いでワイヤーボンディング(ワイヤー
付b)を行なう。これらはセラミック基板10を位置決
めしておけば、次々に複数のチップを溶着し、ワイヤー
ボンディングすることができる。従って、位置決めに要
する時間は大幅に減少する。次に、キャップ封着Cも複
数個を同時に自動的に行なうことができ、その他の漏れ
テス)dや捺印e1機能試験fも同様に一括処理される
。そして、最後に単体のセラミックICに分割gされる
。かくして、本発明にかかるセラミック基板を用いるこ
とによって、ハンドリングの工数が大幅に減少する。
。複数のチップ1とセラミック基板10とを用意して、
複数のパフケージ5に複数のチップをそれぞれ溶着(チ
ップ付a)L、次いでワイヤーボンディング(ワイヤー
付b)を行なう。これらはセラミック基板10を位置決
めしておけば、次々に複数のチップを溶着し、ワイヤー
ボンディングすることができる。従って、位置決めに要
する時間は大幅に減少する。次に、キャップ封着Cも複
数個を同時に自動的に行なうことができ、その他の漏れ
テス)dや捺印e1機能試験fも同様に一括処理される
。そして、最後に単体のセラミックICに分割gされる
。かくして、本発明にかかるセラミック基板を用いるこ
とによって、ハンドリングの工数が大幅に減少する。
第3図は分割後のLCC型パッケージを用いたセラミッ
クICの断面図を示しており、11はワイヤー、12は
キャップで、従来のLCC型と何等変わりはな(形成さ
れる。
クICの断面図を示しており、11はワイヤー、12は
キャップで、従来のLCC型と何等変わりはな(形成さ
れる。
[発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明によればセラミ
ック基板を用い、セラミックICの組立処理工数を減少
させて、そのコストダウンに大きく寄与するものである
。
ック基板を用い、セラミックICの組立処理工数を減少
させて、そのコストダウンに大きく寄与するものである
。
なお、上記はLCC型パッケージの例で説明しているが
、その他のDIPやPGA(ピングリッドアレイ)など
のパッケージにも適用できることは云うまでもない。
、その他のDIPやPGA(ピングリッドアレイ)など
のパッケージにも適用できることは云うまでもない。
第1図は本発明にかかるセラミック基板の一実施例の平
面図、 第2図(a)、 (b)はその斜視図と断面図、第3図
はそのICの断面図、 第4図(a)は従来の組立工程図、同図(b)は本発明
にかかる組立工程図、 第5図はセラミックICの外形図である。 図において、 1はチップ、 2は単体パッケージ、3はL
CCパッケージ、4はDITパッケージ、5はセラミッ
ク基板の中の1個のパッケージ、6.7は接続部、
8は分割用溝、9は外部端子、 10はセラミ
ック基板、11はワイヤー、 12はキャップ@
IIl!!4廃明4でラミ、7蒼イ反峠命の@2図 才
(rllJ49!必v−1frfa潤@ 3 図
セラミV)IC/1劇r由うG口@4閃 尾In符図
面図、 第2図(a)、 (b)はその斜視図と断面図、第3図
はそのICの断面図、 第4図(a)は従来の組立工程図、同図(b)は本発明
にかかる組立工程図、 第5図はセラミックICの外形図である。 図において、 1はチップ、 2は単体パッケージ、3はL
CCパッケージ、4はDITパッケージ、5はセラミッ
ク基板の中の1個のパッケージ、6.7は接続部、
8は分割用溝、9は外部端子、 10はセラミ
ック基板、11はワイヤー、 12はキャップ@
IIl!!4廃明4でラミ、7蒼イ反峠命の@2図 才
(rllJ49!必v−1frfa潤@ 3 図
セラミV)IC/1劇r由うG口@4閃 尾In符図
Claims (2)
- (1)分割用溝によつて基板表面が複数の領域に分割さ
れ、各領域に素子搭載部および外部端子が形成されてお
り、前記分割用溝を境に基板を複数に分断できるように
したことを特徴とするセラミック基板。 - (2)単一のセラミック基板の表面を分割用溝によつて
複数の領域に分割し、各領域にはそれぞれ素子搭載部お
よび外部端子を形成しておき、各領域に対して半導体素
子を搭載し、且つ、素子載置部の封止をおこなつた後に
、前記分割用溝を境に前記セラミック基板を複数個のパ
ッケージにするようにしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090359A JPS61248453A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | セラミツク基板および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090359A JPS61248453A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | セラミツク基板および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61248453A true JPS61248453A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13996337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60090359A Pending JPS61248453A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | セラミツク基板および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61248453A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5319521A (en) * | 1992-08-17 | 1994-06-07 | Rockwell International Corporation | Ceramic frames and capsules for Z-axis modules |
JPH06318625A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-11-15 | Trw Inc | 電子装置を大量に同時にシール及び電気接続する方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57120833A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-28 | Hitachi Ltd | Testing method for leakage |
JPS5835367A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-03-02 | 三菱重工業株式会社 | 冷暖房給湯装置 |
JPS5886748A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-24 | Nec Corp | チツプキヤリア−群を構成する基板 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60090359A patent/JPS61248453A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57120833A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-28 | Hitachi Ltd | Testing method for leakage |
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JPH06318625A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-11-15 | Trw Inc | 電子装置を大量に同時にシール及び電気接続する方法 |
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