JPS61198778A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/40—Vertical BJTs
- H10D10/421—Vertical BJTs having both emitter-base and base-collector junctions ending at the same surface of the body
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60039091A JPS61198778A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60039091A JPS61198778A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61198778A true JPS61198778A (ja) | 1986-09-03 |
JPH0571132B2 JPH0571132B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-10-06 |
Family
ID=12543402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60039091A Granted JPS61198778A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61198778A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63124564A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60039091A patent/JPS61198778A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63124564A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0571132B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-10-06 |
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