JP3349198B2 - バイポ−ラトランジスタの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、バイポ−ラトランジス
タの製造方法に係わり、特に薄層のベ−ス層を形成する
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高性能バイポ−ラトランジスタの製造方
法に関する従来の技術については、例えば図６のバイポ
−ラトランジスタ構造の製造方法が提唱されている。同
図において、１は一導電型を有するシリコン基板、２は
逆導電型を有するエピタキシャル成長層、３は絶縁分離
領域、４は活性領域、５は一導電型高濃度埋込拡散層、
６は一導電型低濃度層、７は逆導電型を有するベ−ス領
域、８は一導電型を有するエミッタ領域、９は逆導電型
不純物を高濃度に含んだ多結晶シリコン層、１０はシリ
コン酸化膜、１１はエミッタ電極、１２はシリコン酸化
膜からなる側壁部である。

【０００３】図６のバイポ−ラトランジスタは、以下に
記す製造方法によって形成される。まず、活性領域４の
表面上に逆導電型の不純物を高濃度に含む多結晶シリコ
ン層９とシリコン酸化膜１０とを堆積し、フォトレジス
ト膜からなるマスクを用いて選択的にシリコン酸化膜１
０と多結晶シリコン層９を除去して開口を設け、加熱酸
化によってシリコン酸化膜からなる側壁部１２を形成す
ると同時に外部ベ−ス１７を熱拡散によって形成する。

【０００４】次に、シリコン酸化膜１０及び多結晶シリ
コン層９をマスクとしてエミッタ部の開口を行い、イオ
ン打ち込み法を用いて逆導電型不純物を、次いで一導電
型不純物を導入する。次に、加熱処理を行うことにより
ベ−ス領域７とエミッタ領域８を形成する。そして、エ
ミッタ領域８上にエミッタ電極１１と、多結晶シリコン
層９に接触するベ−ス配線１３とコレクタ電極１４とを
形成する。

【０００５】なお、この種の技術に関連するものとして
は、例えばアイ・イー・デー・エム、テクニカル・ダイ
ジェスト、１９８６年、第４２０頁〜第４２３頁〔Ｔｅ
ｃｈ．Ｄｉｇ．ＩＥＤＭ（１９８６），ｐｐ４２０−４
２３〕が挙げられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
は、多結晶シリコン層９とエミッタ電極１１とを分離す
るシリコン酸化膜１２を約１０００℃、３０分の加熱酸
化によって形成するため、熱拡散によりベ−ス領域の接
合が深くなり、素子の高速動作は望めない。そこで素子
の浅接合形成のためにシリコン酸化膜１２を、極めて薄
い熱酸化膜下地層上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）で形
成する方法が考案されているが、上記の製造方法でも約
９００℃、１０分相当の等価アニ−ルが施されるため浅
接合化が出来たとは言い難い。

【０００７】したがって、本発明の主たる目的は上記従
来の問題点を解消することにあり、製造プロセスを低温
化することによってベ−ス層を薄層化するバイポ−ラト
ランジスタの製造方法を提供することにある。

【０００８】他に、高性能化、高集積化のためにエミッ
タ寸法の微細化が必要であるが上記従来構造ではエミッ
タ寸法の微細化に伴ってエミッタ抵抗が増加する。そこ
で、本発明の他の目的は、エミッタ寸法の微細化を行っ
てもエミッタ抵抗が増加しないエミッタ電極の製造方法
を提供することにある。

【０００９】他に従来の製造方法では、最後のエミッタ
部の開口工程に反応性イオンエッチング法を用いた異方
性エッチングが必要であるが、反応性イオンエッチング
法はシリコン基板表面にダメ−ジを与えるため性能が劣
化する。そこで、本発明の他の目的は最後のエミッタ部
の開口を弗酸系の水溶液で行うことによってシリコン基
板表面にダメ−ジを与えない製造方法を提供することに
ある。

【００１０】他に従来の製造方法では、配線のためのコ
ンタクト孔を形成するのに反応性イオンエッチング法を
用いて絶縁膜を選択的に除去するが、その際、開口部縁
上のエミッタ電極の多結晶シリコンが削除されエミッタ
・ベ−ス間が配線によって短絡する不良が生じる。そこ
で、本発明の他の目的はコンタクト孔形成によって開口
部縁上のエミッタ電極の多結晶シリコンが除去されるの
を防ぐために、開口部縁上のエミッタ電極を厚膜の多結
晶シリコンで製造する方法を提供することにある。

【００１１】また、上記従来の製造方法では、イオン打
ち込み法でベ−ス層を形成するため、イオン打ち込みに
よって生じた欠陥を回復するために９００℃以上のアニ
−ルを施す必要があり、ベ−ス層の薄層化に限界があ
る。そこで本発明の他の目的は無欠陥で薄層のベ−ス層
を形成するバイポ−ラトランジスタの製造方法を提供す
ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、一導電型を
有するコレクタ層が形成された半導体基板上に、ベ−
ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶シリコン
を堆積し、次いで多結晶シリコン上に第１の絶縁膜を積
層する工程と、フォトレジスト膜からなるマスクを用
いて選択的に第１の絶縁膜と多結晶シリコンとを除去し
てベ−スを形成する領域に開口部を形成する工程と、
絶縁膜をマスクとして反対導電型の不純物を導入してベ
−ス領域を形成する工程と、第２の絶縁膜を堆積し、
次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成した一
導電型の不純物を含む非晶質、または多結晶シリコンを
開口部の側壁に形成する工程と、開口部内にベ−ス領
域を露出させる工程と、第１の絶縁膜をマスクとして
開口部を通じて一導電型の不純物を導入してエミッタ領
域を形成する工程とを有して成るバイポ−ラトランジス
タの製造方法により、達成される。

【００１３】代表的な製造工程例を図５に従ってさらに
詳述すると、図示のように一導電型を有するコレクタ層
が形成された半導体基板１６上に、ベ−ス電極となる反
対導電型の不純物を含む多結晶シリコン９を堆積し、次
いでこの多結晶シリコン９上に第１の絶縁膜としてシリ
コン酸化膜１０を積層する工程と、フォトレジスト膜を
マスクとして選択的にシリコン酸化膜１０と多結晶シリ
コン９を除去して真性ベ−ス７を形成する領域に開口部
を形成する工程と、シリコン酸化膜１０をマスクとして
反対導電型の不純物を導入してベ−ス領域７を形成する
工程と、開口部に第２の絶縁膜として薄層のシリコン酸
化膜１２を堆積し、次いで一導電型の不純物を混合した
ガスから形成した非晶質シリコン（または多結晶シリコ
ン）１５を開口部の側壁に形成する工程と、非晶質シリ
コン１５をマスクとして再びベ−ス領域７に開口部を形
成する工程と、開口部を通じて一導電型の不純物を導入
してエミッタ領域８を形成し、多結晶シリコンでエミッ
タ電極１１を形成する工程とを含むバイポ−ラトランジ
スタの製造方法によって達成される。

【００１４】また、上記他の目的は、一導電型を有する
コレクタ層が形成された半導体基板上に、ベ−ス電極
となる反対導電型の不純物を含む多結晶シリコンを堆積
し、次いで多結晶シリコン上に第１の絶縁膜を積層する
工程と、前記多結晶シリコンを反対導電型の不純物源
として、半導体基板中に反対導電型不純物を熱拡散する
ことにより浅いベ−ス領域を形成する工程と、フォト
レジスト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁
膜と多結晶シリコンとを除去してエミッタを形成する領
域に開口部を形成する工程と、第２の絶縁膜を堆積
し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成し
た一導電型の不純物を含む非晶質、または多結晶シリコ
ンを開口部の側壁に形成する工程と、開口部内にベ−
ス領域を露出させる工程と、開口部を通じて一導電型
の不純物を導入してエミッタ領域を形成する工程とを有
して成るバイポ−ラトランジスタの製造方法により、達
成される。

【００１５】代表的な製造工程例を図１３に従ってさら
に詳述すると、図示のように一導電型を有するコレクタ
層が形成された半導体基板１６上に、ベ−ス電極となる
反対導電型の不純物を含む多結晶シリコン９を堆積し、
次いで多結晶シリコン９上に第１の絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜１０を積層する工程と、多結晶シリコン９を反
対導電型の不純物源として半導体基板１６中に反対導電
型不純物を熱拡散することにより浅いベ−ス領域７を形
成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして選択的
にシリコン酸化膜１０と多結晶シリコン９を除去してエ
ミッタを形成する領域に開口部を形成する工程と、開口
部に第２の絶縁膜として薄層のシリコン酸化膜１２を堆
積し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成
した非晶質シリコン（または多結晶シリコン）１５を開
口部の側壁に形成する工程と、非晶質シリコン１５をマ
スクとして再びベ−ス領域７に開口部を形成し、開口部
内にベ−ス領域７を露出させる工程と、開口を通じて一
導電型の不純物を導入してエミッタ領域８を形成する工
程とを含むバイポ−ラトランジスタの製造方法によって
達成される。

【００１６】さらにまた、上記他の目的は、一導電型を
有するコレクタ層が形成された半導体基板上に、ベ−
ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶シリコン
を堆積し、次いで多結晶シリコン上に第１の絶縁膜を積
層する工程と、フォトレジスト膜からなるマスクを用
いて選択的に第１の絶縁膜と多結晶シリコンとを除去し
てベ−スを形成する領域に開口部を形成する工程と、
エピタキシャル成長法を用いて反対導電型の不純物を含
むベ−ス領域を形成する工程と、開口領域に自己整合
的にフォトレジスト膜を埋め込む工程と、前記エピタ
キシャル成長工程の時に開口部領域以外に堆積した第２
のエピタキシャル成長層をフォトレジスト膜をマスクと
して除去する工程と、フォトレジスト膜を除去する工
程と、第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純
物を混合したガスから形成した一導電型の不純物を含む
非晶質、または多結晶シリコンを開口部の側壁に形成す
る工程と、開口部内にエピタキシャル成長法で形成し
たベ−ス領域を露出させる工程と、開口を通じて一導
電型の不純物を導入してエミッタ領域を形成する工程と
を有して成るバイポ−ラトランジスタの製造方法によ
り、達成される。

【００１７】代表的な製造工程例を図１８に従ってさら
に詳述すると、図示のように一導電型を有するコレクタ
層が形成された半導体基板１６上に、ベ−ス電極となる
反対導電型の不純物を含む多結晶シリコン９を堆積し、
次いで多結晶シリコン９上に第１の絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜１０を積層する工程と、フォトレジスト膜をマ
スクとして選択的にシリコン酸化膜１０と多結晶シリコ
ン９とを除去して真性ベ−スを形成する領域に開口部を
形成する工程と、反対導電型の不純物を含むベ−ス領域
７をエピタキシャル成長で形成する工程と、開口領域に
自己整合的にレジスト膜１９を埋め込む工程と、前記エ
ピタキシャル成長工程で堆積した開口領域以外のエピタ
キシャル成長層をレジスト膜１９をマスクとして除去
し、次いでレジスト膜１９を除去する工程と、開口部に
第２の絶縁膜として薄層のシリコン酸化膜１２を堆積
し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成し
た非晶質シリコン（または多結晶シリコン）１５を開口
部の側壁に形成する工程と、非晶質シリコン１５をマス
クとして再びベ−ス領域７に開口部を形成し、開口部内
にエピタキシャル成長で形成したベ−ス領域７を露出さ
せる工程と、開口を通じて一導電型の不純物を導入して
エミッタ領域８を形成する工程とを含むバイポ−ラトラ
ンジスタの製造方法によっても達成される。

【００１８】上記何れの製造方法においても、多結晶シ
リコン９、第１の絶縁膜としてのシリコン酸化膜１０、
第２の絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２、非晶質シリ
コン１５及びエミッタ電極１１の形成は、ＣＶＤ法によ
り成膜するが、非晶質シリコン１５の形成は低温処理が
できることから減圧ＣＶＤ法によることが望ましい。

【００１９】また、開口部の側壁に形成される第２の絶
縁膜としての薄層のシリコン酸化膜１２及び一導電型の
不純物を含む非晶質、または多結晶シリコン１５の積層
総膜厚は、極力薄く、しかも絶縁耐圧が十分に補償でき
るものであることが必要であり、実用的には０．１〜
０．３μｍが好ましく、その内の非晶質、または多結晶
シリコンの厚み分は０．０５〜０．１５μｍが望まし
い。

【００２０】なお、上記半導体基板及びエピタキシャル
成長層としては、シリコン半導体が一般的であるが、そ
の他例えばＧａＡｓ等の化合物半導体であってもよいこ
とは云うまでもない。

【００２１】

【作用】多結晶シリコン９とエミッタ電極１１とを分離
する領域を、第２の絶縁膜となる薄層のＣＶＤ酸化膜１
２と、減圧化学気相成長法（減圧ＣＶＤ法）を用いて約
５００℃で堆積した反対導電型の不純物を含んだ非晶質
シリコン１５とで形成することによってプロセスを低温
化する。この製造方法によりベ−ス層７の薄層化が実現
でき、素子の高速化が図れる。

【００２２】多結晶シリコン９とエミッタ電極１１を分
離する領域を第２の絶縁膜となる薄層のＣＶＤ酸化膜１
２と一導電型の不純物を含んだ非晶質シリコン１５で形
成し、エミッタ部開口を非晶質シリコン１５をマスクと
して弗酸系の水溶液で行う。この製造方法によりエミッ
タ寸法の微細化を行ってもエミッタ抵抗が増加しないエ
ミッタ電極が形成できる。

【００２３】エミッタ部開口を一導電型の不純物を含ん
だ非晶質シリコン１５をマスクとして弗酸系の水溶液で
シリコン酸化膜１２の除去を行う。この製造方法により
シリコン基板表面にダメ−ジを与えることなくシリコン
酸化膜１２を選択的に除去することができる。

【００２４】開口部縁上の多結晶シリコンエミッタ電極
を厚膜化する。この製造方法によりコンタクト孔形成で
開口部縁上のエミッタ電極１１が薄層化するのを防ぐこ
とができる。

【００２５】多結晶シリコン９を反対導電型の不純物源
として、半導体基板１６中に反対導電型不純物を熱拡散
することによって浅いベ−ス領域７を形成する。この製
造方法によりベ−スのイオン打ち込み工程とイオン打ち
込みによる欠陥を削除できるためプロセスの簡略化と低
温化ができ、ベ−ス層の薄層化による素子の高速化が図
れる。

【００２６】エピタキシャル成長法によってベ−ス層７
を形成することにより、ベ−ス層の薄層化が実現でき、
素子の高速化が図れる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳細
に説明する。 〈実施例１〉図１〜図５は、本発明に係るバイポ−ラト
ランジスタの要部である活性領域４の状態を示した製造
工程の断面図であり、以下、順次これらの工程図に従っ
て説明する。

【００２８】先ず図１に示すように、一導電型を有する
コレクタ層が形成されたシリコン半導体基板１６上に、
ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶シリ
コン９を周知のＣＶＤ法にしたがって堆積する。なお、
活性領域４の周囲には絶縁分離領域３が形成されてい
る。

【００２９】次に図２に示すように、多結晶シリコン９
上に第１の絶縁膜となるシリコン酸化膜１０を周知のＣ
ＶＤ法にしたがって積層し、フォトレジスト膜をマスク
として選択的に反応性イオンエッチング法を用いてシリ
コン酸化膜１０と多結晶シリコン９を除去して真性ベ−
ス７を形成する領域に開口部７ａを形成する。

【００３０】次に図３に示すように、加熱処理を行って
外部ベ−ス１７を形成した後、シリコン酸化膜１０をマ
スクとしてイオン打ち込み法を用いて反対導電型の不純
物を導入し、加熱処理で反対導電型の不純物を活性化し
て真性ベ−ス領域７を形成する。次いで第２の絶縁膜と
なる薄層のシリコン酸化膜１２をＣＶＤ法を用いて短時
間で堆積させる。なお、この場合には８００℃×３０分
で、厚さ０．０５μｍのシリコン酸化膜１２を堆積させ
た。

【００３１】次に図４に示すように、一導電型の不純物
（リンまたは砒素）を混合した反応ガス、例えばジシラ
ン(Si₂H₆)とフォスフィン(PH₃)の混合ガスを用い、減圧
ＣＶＤ法により５００℃で反応させて膜厚０．１μｍの
一導電型の不純物を含んだ非晶質シリコン１５を堆積さ
せた。減圧ＣＶＤ法の代わりに通常のＣＶＤでもよい
が、低温処理を可能とすることから減圧ＣＶＤ法が好ま
しい。そして、反応性イオンエッチング法を用いて非晶
質シリコン１５を図示のように開口部７ａの側壁に残
し、他の部分を選択的に除去する。このエッチング量
は、上記の方法で被着した非晶質シリコン１５の膜厚程
度とする。

【００３２】この時の反応性イオンエッチング処理に際
しては、下地のシリコン酸化膜１２が効果的にストッパ
ーの役割を果たし、ベース７表面を保護する。従って従
来のようにオーバーエッチングによりベース７表面に結
晶欠陥を発生させたり、甚だしくはベース７をエッチン
グしてしまうと云った問題がなく、信頼性の高いエッチ
ングを実現することができる。

【００３３】次に図５に示すように、非晶質シリコン１
５をマスクとして弗酸系の水溶液で開口部７ａの薄層の
シリコン酸化膜１２をエッチング除去し、ベ−ス領域７
を露出させる。このエッチングによりベ−ス領域７を露
出させる工程は、上記のような湿式エッチングが好まし
く、ドライエッチングはベ−ス領域７に結晶欠陥を発生
させる恐れがあり、好ましくない。そして、開口を通じ
て一導電型の不純物を導入してエミッタ領域８を形成す
る。この例では図示のように一導電型の不純物を含む第
２の非晶質シリコンを形成し、加熱処理によってエミッ
タ領域８と多結晶シリコンエミッタ電極１１とを同時に
形成した。

【００３４】以上の工程により実施例１のバイポ−ラト
ランジスタが形成された。このあとは図６の従来例で示
したように通常の製造工程にしたがって、ベ−ス配線１
３、コレクタ電極１４を形成した。

【００３５】本実施例によれば、多結晶シリコン９とエ
ミッタ電極１１を分離する領域を薄層のＣＶＤ酸化膜１
２と減圧化学気相成長法（減圧ＣＶＤ法）によって約５
００℃で堆積した一導電型の不純物を含んだ非晶質シリ
コン１５とで形成するため、プロセスの低温化が図れ
る。これによりベ−ス領域７の反対導電型の不純物の拡
散が減少しベ−ス層７が薄層化されたため素子の高速化
が図れた。また、本構造により多結晶シリコンエミッタ
電極中の電流密度が低減されたためエミッタ抵抗が約３
０％低下した。さらにまた、エミッタ形成のために、開
口部内にベース領域７を露出させるに際しては、非晶質
シリコン１５をドライエッチング工程とし、さらに下地
のＣＶＤ酸化膜１２を湿式によるエッチング工程とする
ため、ベース領域７に結晶欠陥を発生させることなく極
めて信頼性の高い選択エッチングを実現することができ
た。

【００３６】〈実施例２〉図７は、ＳＩＣＯＳ（sidewa
ll base contact structure）トランジスタのエミッタ
電極１１の形成に、本発明の製造方法を適用したもので
ある。なお、エミッタ電極１１の形成工程は、実施例１
と同様なので説明を省略する。

【００３７】〈実施例３〉図８は、エミッタ８とベ−ス
引き出し電極９を自己整合的に分離できるトランジスタ
（通称ＳＳＴと呼ばれている）のエミッタ電極１１の形
成に、本発明の製造方法を適用したものである。なお、
エミッタ電極１１の形成工程は、実施例１と同様なので
説明を省略する。

【００３８】〈実施例４〉図９〜図１３も実施例１の工
程図と同様に要部である活性領域４の状態を製造工程の
順に示した断面図である。先ず図９に示すように、一導
電型を有するコレクタ層が形成された半導体基板１６上
にベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶シ
リコン９を堆積する。

【００３９】次いで図１０に示すように、多結晶シリコ
ン９上に第１の絶縁膜となるシリコン酸化膜１０を積層
し、多結晶シリコン９を反対導電型の不純物源として、
半導体基板１６中に反対導電型不純物を熱拡散すること
により、浅いベ−ス領域７を形成する。多結晶シリコン
９に、イオン打ち込み法で反対導電型の不純物を導入し
た場合、イオン打ち込みで生じた欠陥を回復するために
加熱処理を必要とする。ただし、この加熱処理とベ−ス
領域形成の加熱処理は兼用できる。

【００４０】また、浅いベ−ス領域７を形成するために
反対導電型の不純物を混合した反応ガス、例えばモノシ
ラン(SiH₄)とジボラン(B₂H₆)の混合ガスを５００℃で反
応させて形成した反対導電型の不純物を含んだ非晶質シ
リコンから約７００℃の加熱処理で多結晶シリコン９を
形成することも可能である。この方法によって形成した
多結晶シリコン９の粒径は数μｍの大粒径に成長するた
め、イオン打ち込み法によって形成した多結晶シリコン
と比べ比抵抗が約半分になる。本実施例によって作製し
た素子で回路を構成した場合、回路性能が約１割向上す
る。

【００４１】次に図１１に示すように、フォトレジスト
膜をマスクとして反応性イオンエッチング法により選択
的にシリコン酸化膜１０と多結晶シリコン９とを除去し
てエミッタを形成する領域に開口部７ａを形成し、図示
のように第２の絶縁膜となる薄層のシリコン酸化膜１２
をＣＶＤ法を用いて短時間で堆積する。なお、開口部の
形成及びシリコン酸化膜１２の形成方法は、実施例１の
図２及び図３の場合と同様である。

【００４２】次に図１２に示すように、加熱処理により
外部ベ−ス１７を形成する。このあとは実施例１と同様
の工程に従い、開口部７ａの側壁に一導電型の不純物を
含む非晶質シリコン１５を形成した後、図１３に示すよ
うにエミッタ電極１１を形成し、目的とするバイポ−ラ
トランジスタを形成した。

【００４３】本実施例によれば、真性ベ−ス領域７を熱
拡散で形成するためイオン打ち込みによって生じた欠陥
を回復するための加熱処理が必要なく、無欠陥の薄いベ
−ス層７が得られ素子の高速動作が可能になった。

【００４４】〈実施例５〉図１４〜図１８も実施例１の
工程図と同様に要部である活性領域４の状態を製造工程
の順に示す断面図である。先ず図１４に示のように、一
導電型を有するコレクタ層が形成された半導体基板１６
上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結
晶シリコン９を堆積した後、多結晶シリコン９上に第１
の絶縁膜となるシリコン酸化膜１０を積層する。

【００４５】次に図１５に示すように、フォトレジスト
膜をマスクとして反応性イオンエッチング法によりシリ
コン酸化膜１０と多結晶シリコン９とを選択的に除去し
て真性ベ−ス７を形成する領域に開口部７ａを形成す
る。その後、図示のようにエピタキシャル成長法を用い
て反対導電型の不純物を含む真性ベ−ス領域７を形成す
る。本実施例では、表面が単結晶シリコンでない部分に
は多結晶シリコン膜が堆積するが、選択エピタキシャル
成長法を用いた場合には開口部分の活性領域にのみ単結
晶シリコン膜が成長する。

【００４６】次に図１６に示すように、フォトレジスト
を塗布し、反応性イオンエッチング法により開口領域に
自己整合的にレジスト膜１９を埋め込む。そして、エピ
タキシャル成長工程で堆積した開口領域以外の多結晶シ
リコン膜をレジスト膜１９をマスクとして除去した後、
次いでレジスト膜１９も除去する。この図は、開口領域
に埋め込まれたレジスト膜１９が除去される前の段階を
示している。

【００４７】この後は実施例１と同様の工程に従い、第
２の絶縁膜となる薄いシリコン酸化膜１２を堆積した
後、図１７に示すように開口部の側壁に一導電型の不純
物を含む非晶質シリコン１５を形成する。

【００４８】次に、図１８に示すように、非晶質シリコ
ン１５をマスクとして弗酸系の水溶液で開口部の薄層の
シリコン酸化膜１２を除去し、エピタキシャル成長で形
成したベ−ス領域７を露出させ、その跡にエミッタ電極
１１を形成し、目的とするバイポ−ラトランジスタを形
成した。

【００４９】本実施例によれば、真性ベ−ス領域７をエ
ピタキシャル成長法で形成するため薄層のベ−ス層７を
得ることができ、素子の高速動作が可能になった。ま
た、真性ベ−ス領域７をエピタキシャル成長法を用いて
Si(1-x)Ge(x)で形成することも可能である。

【００５０】〈実施例６〉図１９〜図２３も実施例１の
工程図と同様に要部である活性領域４の状態を製造工程
の順に示す断面図である。ただし、本実施例では構造は
少し異なるが、実施例２の場合と同様にＳＩＣＯＳ（si
dewall base contact structure）トランジスタに、実
施例５の技術を適用したものである。

【００５１】先ず図１９に示すように、一導電型を有す
るコレクタ層が形成された半導体基板１６の表面を酸化
してシリコン酸化膜１８を形成する。次に、シリコン酸
化膜１８上にベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含
む多結晶シリコン９と第１の絶縁膜となるシリコン酸化
膜１０を順次積層する。そして、図示のようにフォトレ
ジスト膜をマスクとして反応性イオンエッチング法によ
り、これらシリコン酸化膜１０と多結晶シリコン９とを
選択的に除去して真性ベ−ス７を形成する領域に開口部
７ａを形成し、シリコン酸化膜１８を露出させる。

【００５２】次に図２０に示すように、弗酸系の水溶液
で開口部のシリコン酸化膜１８を除去し、真性ベ−ス７
を形成する領域を露出させ、図示のようにエピタキシャ
ル成長法を用いて反対導電型の不純物を含む真性ベ−ス
領域７を形成する。

【００５３】その後の工程は、図２１〜２３に示すよう
に実施例５の図１６〜図１８と同様の工程で素子を形成
する。本実施例の構造はベ−ス・コレクタ間容量を低減
できるため素子の高速化ができる。

【００５４】〈実施例７〉図２４〜図２７も実施例１の
工程図と同様に要部である活性領域４の状態を製造工程
の順に示す断面図である。先ず図２４に示すように、一
導電型を有するコレクタ層が形成された半導体基板１６
上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結
晶シリコン９を堆積する。次いで多結晶シリコン９上に
第１の絶縁膜となるシリコン酸化膜１０を積層する。

【００５５】次に図２５に示すように、フォトレジスト
膜をマスクとして選択的に反応性イオンエッチング法を
用いてシリコン酸化膜１０と多結晶シリコン９とを除去
して真性ベ−ス７を形成する領域に開口部７ａを形成す
る。そして、加熱処理を行って外部ベ−ス１７を形成す
る。次に、シリコン酸化膜１０をマスクとして反対導電
型の不純物を混合したガスからの拡散で反対導電型の不
純物を開口部に導入し、図示のように加熱処理で反対導
電型の不純物を活性化してベ−ス領域７を形成する。

【００５６】この後の各工程は、実施例１の図３〜図５
と同様であり、先ず図２６に示すように第２の絶縁膜と
なる薄層のシリコン酸化膜１２をＣＶＤ法を用いて短時
間で堆積させ、続いて開口部の側壁に一導電型の不純物
を含んだ非晶質シリコン１５を形成する。

【００５７】次に図２７に示すように、非晶質シリコン
１５をマスクとして弗酸系の水溶液で開口部の薄層のシ
リコン酸化膜１２を除去し、ベ−ス領域７を露出させ
る。続いて図示のように一導電型の不純物を含む第２の
非晶質シリコンを形成し、加熱処理することによりエミ
ッタ領域８と多結晶シリコンエミッタ電極１１とを同時
に形成する。

【００５８】以上の工程により目的とするバイポ−ラト
ランジスタが形成された。この後は通常の製造工程にし
たがって、ベ−ス配線１３、コレクタ電極１４を形成す
る。本実施例でもプロセスの低温化によってベ−ス領域
７の反対導電型の不純物の拡散が減少し、薄層のベ−ス
層７が形成されるため素子の高速化が図れた。

【００５９】〈実施例８〉図２８は、エミッタ幅を０．
１μｍに狭小化したバイポ−ラトランジスタに実施例１
のエミッタ電極形成技術を適用した場合の要部断面図を
示したものである。 従来の製造方法では、エミッタ８
をイオン打ち込み法で形成するため開口部の周辺部分は
不純物が拡散しにくく（プラグ効果）、均一な不純物プ
ロファイルを得るのが困難であった。近年、素子の高性
能化、高集積化を目的としてエミッタ寸法を縮小する傾
向にあるが、従来の製造方法ではプラグ効果が顕著にな
るため電流利得や遮断周波数の減少、高エミッタ抵抗化
を招き素子の高性能化は望めない。しかし、実施例１と
同様の製造法によればエミッタ幅を０．１μｍに縮小し
てもプラグ効果はなく高性能で、従来と同程度のエミッ
タ抵抗が得られた。

【００６０】また、実施例１と同様に反応性イオンエッ
チング法を用いて、開口部の側壁に一導電型の不純物を
含む非晶質シリコン１５を形成するが、開口部の第２の
絶縁膜となるシリコン酸化膜１２と非晶質シリコン１５
とは、反応性イオンエッチングに対する選択比を高くで
きるのでシリコン酸化膜１２はエッチングされることは
ない。すなわち、シリコン酸化膜１２は、非晶質シリコ
ン１５のドライエッチングに際し、ストッパとして効果
的な役割を果たす。この後、弗酸系の水溶液で開口部の
シリコン酸化膜１２を除去すれば、無欠陥のシリコン表
面を得ることができる。

【００６１】〈実施例９〉図２９は、最後の実施例とな
るバイポ−ラトランジスタの要部断面図を示したもので
ある。基本的には実施例１と同様の製造方法であるが、
特徴的なところは図示のように一導電型の不純物を含む
非晶質シリコン１５と多結晶シリコンエミッタ電極１１
との間に金属層の如き良導体層２０を形成したことにあ
る。以下、上記特徴部分について説明する。

【００６２】開口部の側壁に一導電型の不純物を含む非
晶質シリコン１５を形成した後、その上に金属、または
シリサイド層等の良導体層２０を形成する。この例では
良導体層層２０にチタンナイトライド（ＴｉＮ）を用い
た。この良導体層はチタンナイトライドに限定されるこ
となく種々の金属、シリサイド等を選択して使用でき
る。そして、図示のように一導電型の不純物を含む第２
の非晶質シリコンを形成し、加熱処理することによりエ
ミッタ領域８と多結晶シリコンエミッタ電極１１とを同
時に形成する。本実施例は実施例１と比べ更にエミッタ
抵抗を下げることができる。

【００６３】なお本発明は上記実施例に限られるもので
はなく、種々変形して実施できる。例えば、上記一導電
形の不純物をｎ型、反対導電形の不純物をｐ型とすれ
ば、上記何れの実施例のバイポーラトランジスタもｎｐ
ｎ型半導体装置となり、また、上記実施例中のｎ型とｐ
型を総て反対にすればｐｎｐ型半導体装置を作製するこ
とができる。さらにまた、半導体基板もシリコン半導体
に限らず、化合物半導体においても同様に実現できるこ
とは云うまでもない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したごとく本発明により所期の
目的を達成することができた。すなわち、ベ−ス層を薄
層化できるので素子の高速動作が可能になる。また、本
発明によりエミッタ抵抗を従来の約７０％に低減でき
る。さらに、本発明によりコンタクト孔形成工程で開口
部縁上のエミッタ電極が除去されエミッタ・ベ−ス間が
電気的に短絡するのを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例（実施例１）となるバイポー
ラトランジスタの製造工程を示す要部構成断面図。

【図２】同じくその断面図。

【図３】同じくその断面図。

【図４】同じくその断面図。

【図５】同じくその断面図。

【図６】従来のバイポーラトランジスタの製造工程を示
す断面図。

【図７】同じく他の実施例（実施例２）となる製造工程
を示す要部断面図。

【図８】同じく異なる他の実施例（実施例３）となる製
造工程を示す要部断面図。

【図９】同じく異なる他の実施例（実施例４）となる製
造工程を示す要部断面図。

【図１０】同じくその断面図。

【図１１】同じくその断面図。

【図１２】同じくその断面図。

【図１３】同じくその断面図。

【図１４】同じく異なる他の実施例（実施例５）となる
製造工程を示す要部断面図。

【図１５】同じくその断面図。

【図１６】同じくその断面図。

【図１７】同じくその断面図。

【図１８】同じくその断面図。

【図１９】同じく異なる他の実施例（実施例６）となる
製造工程を示す要部断面図。

【図２０】同じくその断面図。

【図２１】同じくその断面図。

【図２２】同じくその断面図。

【図２３】同じくその断面図。

【図２４】同じく異なる他の実施例（実施例７）となる
製造工程を示す要部断面図。

【図２５】同じくその断面図。

【図２６】同じくその断面図。

【図２７】同じくその断面図。

【図２８】同じく異なる他の実施例（実施例８）となる
製造工程を示す要部断面図。

【図２９】同じく異なる他の実施例（実施例９）となる
製造工程を示す要部断面図。

【符号の説明】

１…一導電型を有するシリコン基板、２…逆導電型を有
するエピタキシャル成長層、３…絶縁分離領域、
４…活性領域、５…一導電型高濃度埋込
拡散層、 ６…一導電型低濃度層、７…逆導電型
を有するベ−ス領域、 ７ａ…開口部、８…一導電型
を有するエミッタ領域、９…逆導電型不純物を高濃度に
含んだ多結晶シリコン層、１０…第１の絶縁膜、
１２…第２の絶縁膜、１１…エミッタ電極、
１３…ベ−ス配線、１４…コレクタ電
極、１５…非晶質シリコンから形成した一導電型多結晶
シリコン層、１６…一導電型を有するコレクタ層が形成
された半導体基板、１７…逆導電型を有する外部ベ−ス
領域、１８…シリコン酸化膜、 １９…レ
ジスト膜、２０…良導体層（シリサイド電極）。

フロントページの続き (72)発明者 紺野 秋彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 平３−272144（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−264735（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−268433（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−250629（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−118934（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−74786（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−278545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−154267（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−29304（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/331 H01L 29/732

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジス
   ト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と多
   結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開口
   部を形成する工程と、絶縁膜をマスクとして反対導電
   型の不純物を導入してベ−ス領域を形成する工程と、
   第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純物を混合
   したガスから形成した一導電型の不純物を含む第１の非
   晶質シリコンを開口部の側壁に形成する工程と、開口
   部内にベ−ス領域を露出させる工程と、前記第１の絶縁膜をマスクとして前記開口部に第２の
   非晶質シリコンを堆積し 、 前記第１の非晶質シリコン及
   び前記第２の非晶質シリコンを熱処理して エミッタ領域
   とエミッタ電極を形成する工程とを有して成るバイポ−
   ラトランジスタの製造方法。
2. 【請求項２】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記多結晶シ
   リコンを反対導電型の不純物源として、半導体基板中に
   反対導電型不純物を熱拡散することにより浅いベ−ス領
   域を形成する工程と、フォトレジスト膜からなるマス
   クを用いて選択的に第１の絶縁膜と多結晶シリコンとを
   除去してエミッタを形成する領域に開口部を形成する工
   程と、第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純
   物を混合したガスから形成した一導電型の不純物を含む
   第１の非晶質シリコンを開口部の側壁に形成する工程
   と、開口部内にベ−ス領域を露出させる工程と、前
   記開口部に第２の非晶質シリコンを堆積し 、 前記第１の
   非晶質シリコン及び前記第２の非晶質シリコンを熱処理
   してエミッタ領域とエミッタ電極を形成する工程とを有
   して成るバイポ−ラトランジスタの製造方法。
3. 【請求項３】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジス
   ト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と多
   結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開口
   部を形成する工程と、エピタキシャル成長法を用いて
   反対導電型の不純物を含むベ−ス領域を形成する工程
   と、開口領域に自己整合的にフォトレジスト膜を埋め
   込む工程と、前記エピタキシャル成長工程の時に開口
   部領域以外に堆積した第２のエピタキシャル成長層をフ
   ォトレジスト膜をマスクとして除去する工程と、フォ
   トレジスト膜を除去する工程と、第２の絶縁膜を堆積
   し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成し
   た一導電型の不純物を含む第１の非晶質シリコンを開口
   部の側壁に形成する工程と、開口部内にエピタキシャ
   ル成長法で形成したベ−ス領域を露出させる工程と、
   前記開口部に第２の非晶質シリコンを堆積し 、 前記第１
   の非晶質シリコン及び前記第２の非晶質シリコンを熱処
   理してエミッタ領域とエミッタ電極を形成する工程とを
   有して成るバイポ−ラトランジスタの製造方法。
4. 【請求項４】上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物
   を含む多結晶シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、
   一導電型の不純物を含む第1の非晶質シリコン、及び、
   第２の非晶質シリコンの何れの成膜工程をも、ＣＶＤに
   よる成膜工程として成る請求項１乃至３何れか一つに記
   載のバイポ−ラトランジスタの製造方法。
5. 【請求項５】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジス
   ト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と多
   結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開口
   部を形成する工程と、絶縁膜をマスクとして反対導電
   型の不純物を導入してベ−ス領域を形成する工程と、
   第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純物を混合
   したガスから形成した一導電型の不純物を含む非晶質シ
   リコンを開口部の側壁に形成する工程と、開口部内に
   ベ−ス領域を露出させる工程と、第１の絶縁膜をマス
   クとして開口部を通じて一導電型の不純物を導入してエ
   ミッタ領域を形成する工程とを有して成るバイポ−ラト
   ランジスタの製造方法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
   シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
   純物を含む非晶質シリコン、及び、エミッタ電極の何れ
   の成膜工程をも、ＣＶＤによる成膜工程として成り、 上記第１、第２の絶縁膜をシリコン酸化膜で構成すると
   共に、第２の絶縁膜と一導電型の不純物を含む非晶質シ
   リコンとの積層総膜厚を０．１〜０．３μｍとして成る
   バイポ−ラトランジスタの製造方法。
6. 【請求項６】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記多結晶シ
   リコンを反対導電型の不純物源として、半導体基板中に
   反対導電型不純物を熱拡散することにより浅いベ−ス領
   域を形成する工程と、フォトレジスト膜からなるマス
   クを用いて選択的に第１の絶縁膜と多結晶シリコンとを
   除去してエミッタを形成する領域に開口部を形成する工
   程と、第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純
   物を混合したガスから形成した一導電型の不純物を含む
   非晶質シリコンを開口部の側壁に形成する工程と、開
   口部内にベ−ス領域を露出させる工程と、開口部を通
   じて一導電型の不純物を導入してエミッタ領域を形成す
   る工程とを有して成るバイポ−ラトランジスタの製造方
   法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
   シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
   純物を含む非晶質シリコン、及び、エミッタ電極の何れ
   の成膜工程をも、ＣＶＤによる成膜工程として成り、 上記第１、第２の絶縁膜をシリコン酸化膜で構成すると
   共に、第２の絶縁膜と一導電型の不純物を含む非晶質シ
   リコンとの積層総膜厚を０．１〜０．３μｍとして成る
   バイポ−ラトランジスタの製造方法。
7. 【請求項７】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジス
   ト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と多
   結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開口
   部を形成する工程と、エピタキシャル成長法を用いて
   反対導電型の不純物を含むベ−ス領域を形成する工程
   と、開口領域に自己整合的にフォトレジスト膜を埋め
   込む工程と、前記エピタキシャル成長工程の時に開口
   部領域以外に堆積した第２のエピタキシャル成長層をフ
   ォトレジスト膜をマスクとして除去する工程と、フォ
   トレジスト膜を除去する工程と、第２の絶縁膜を堆積
   し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成し
   た一導電型の不純物を含む非晶質、または多結晶シリコ
   ンを開口部の側壁に形成する工程と、開口部内にエピ
   タキシャル成長法で形成したベ−ス領域を露出させる工
   程と、開口を通じて一導電型の不純物を導入してエミ
   ッタ領域を形成する工程とを有して成るバイポ−ラトラ
   ンジスタの製造方法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
   シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
   純物を含む非晶質シリコン、または多結晶シリコン、及
   びエミッタ電極の何れの成膜工程をも、ＣＶＤによる成
   膜工程として成り、 上記第１、第２の絶縁膜をシリコン酸化膜で構成すると
   共に、第２の絶縁膜と一導電型の不純物を含む非晶質、
   または多結晶シリコンとの積層総膜厚を０．１〜０．３
   μｍとして成るバイポ−ラトランジスタの製造方法。
8. 【請求項８】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジス
   ト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と多
   結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開口
   部を形成する工程と、絶縁膜をマスクとして反対導電
   型の不純物を導入してベ−ス領域を形成する工程と、
   第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純物を混合
   したガスから形成した一導電型の不純物を含む非晶質シ
   リコンを開口部の側壁に形成する工程と、開口部内に
   ベ−ス領域を露出させる工程と、第１の絶縁膜をマス
   クとして開口部を通じて一導電型の不純物を導入してエ
   ミッタ領域を形成する工程とを有して成るバイポ−ラト
   ランジスタの製造方法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
   シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
   純物を含む非晶質シリコン、及び、エミッタ電極の何れ
   の成膜工程をも、ＣＶＤによる成膜工程として成り、 上記一導電型の不純物を含む非晶質シリコンの形成を減
   圧ＣＶＤ法により行う工程として成るバイポ−ラトラン
   ジスタの製造方法。
9. 【請求項９】一導電型を有するコレクタ層が形成された
   半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不純
   物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコ
   ン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、前記多結晶シ
   リコンを反対導電型の不純物源として、半導体基板中に
   反対導電型不純物を熱拡散することにより浅いベ−ス領
   域を形成する工程と、フォトレジスト膜からなるマス
   クを用いて選択的に第１の絶縁膜と多結晶シリコンとを
   除去してエミッタを形成する領域に開口部を形成する工
   程と、第２の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純
   物を混合したガスから形成した一導電型の不純物を含む
   非晶質シリコンを開口部の側壁に形成する工程と、開
   口部内にベ−ス領域を露出させる工程と、開口部を通
   じて一導電型の不純物を導入してエミッタ領域を形成す
   る工程とを有して成るバイポ−ラトランジスタの製造方
   法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
   シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
   純物を含む非晶質シリコン、及び、エミッタ電極の何れ
   の成膜工程をも、ＣＶＤによる成膜工程として成り、 上記一導電型の不純物を含む非晶質シリコンの形成を減
   圧ＣＶＤ法により行う工程として成るバイポ−ラトラン
   ジスタの製造方法。
10. 【請求項１０】一導電型を有するコレクタ層が形成され
    た半導体基板上に、ベ−ス電極となる反対導電型の不
    純物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリ
    コン上に第１の絶縁膜を積層する工程と、フォトレジ
    スト膜からなるマスクを用いて選択的に第１の絶縁膜と
    多結晶シリコンとを除去してベ−スを形成する領域に開
    口部を形成する工程と、エピタキシャル成長法を用い
    て反対導電型の不純物を含むベ−ス領域を形成する工程
    と、開口領域に自己整合的にフォトレジスト膜を埋め
    込む工程と、前記エピタキシャル成長工程の時に開口
    部領域以外に堆積した第２のエピタキシャル成長層をフ
    ォトレジスト膜をマスクとして除去する工程と、フォ
    トレジスト膜を除去する工程と、第２の絶縁膜を堆積
    し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成し
    た一導電型の不純物を含む非晶質、または多結晶シリコ
    ンを開口部の側壁に形成する工程と、開口部内にエピ
    タキシャル成長法で形成したベ−ス領域を露出させる工
    程と、開口を通じて一導電型の不純物を導入してエミ
    ッタ領域を形成する工程とを有して成るバイポ−ラトラ
    ンジスタの製造方法において、 上記ベ−ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶
    シリコン、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、一導電型の不
    純物を含む非晶質シリコン、または多結晶シリコン、及
    びエミッタ電極の何れの成膜工程をも、ＣＶＤによる成
    膜工程として成り、 上記一導電型の不純物を含む非晶質シリコン、または多
    結晶シリコンの形成を減圧ＣＶＤ法により行う工程とし
    て成るバイポ−ラトランジスタの製造方法。