JPS61154764A - 構造部材の金属結合の方法及び結合材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少(とも片面を金層化した半導体部品又は金
層部品又は金属基板から成る構成部材の金属結合の方法
、及びこの方法の実施のための結合材料に関する。
層部品又は金属基板から成る構成部材の金属結合の方法
、及びこの方法の実施のための結合材料に関する。
上記の方法は半導体部品と基板の結合にとりわけ応用さ
れる。
れる。
半導体部品を相互に、又は半導体部品と基板又は他の部
品とを温度180ないし350℃で結合する多数の結合
材料、特に軟質はんだ材料が既に公知である。軟質はん
だはいわゆる圧接に比して高い集積度を有するという重
要な利点があるが、長時間限界電流か100Aを越える
電力用半導体の場合は、結合部の交番荷重強さが低いた
め問題が起こる。使用される材料、例えばケイ素、セラ
ミック、銅の熱膨張係数が著しく異なるため負荷のもと
で塑性変形を生じ、それが凝固したはんだ材料の不都合
な組織変化を発生する。とりわけ結合される当該部材に
対するはんだの濡れが不十分な場合に1はんだの凝固の
際に形成される気孔や収縮巣が故障を促進する。しかも
結合される構成部材(例えば銅又は半導体能動素子の金
属化層、例えばCrNIAg)の界面に沿って融状はん
だ(〜0.1 mはんだ)を多量に供給するため、強さ
を著しく減少する脆性相が形成される。
品とを温度180ないし350℃で結合する多数の結合
材料、特に軟質はんだ材料が既に公知である。軟質はん
だはいわゆる圧接に比して高い集積度を有するという重
要な利点があるが、長時間限界電流か100Aを越える
電力用半導体の場合は、結合部の交番荷重強さが低いた
め問題が起こる。使用される材料、例えばケイ素、セラ
ミック、銅の熱膨張係数が著しく異なるため負荷のもと
で塑性変形を生じ、それが凝固したはんだ材料の不都合
な組織変化を発生する。とりわけ結合される当該部材に
対するはんだの濡れが不十分な場合に1はんだの凝固の
際に形成される気孔や収縮巣が故障を促進する。しかも
結合される構成部材(例えば銅又は半導体能動素子の金
属化層、例えばCrNIAg)の界面に沿って融状はん
だ(〜0.1 mはんだ)を多量に供給するため、強さ
を著しく減少する脆性相が形成される。
そこで本発明の目的とする所は、金属牝牛導体部品、金
属部品及び金属化基板の形の構成部分を永続的かつ機能
的に互いに結合することができる方法及び結合材料を示
すことである。
属部品及び金属化基板の形の構成部分を永続的かつ機能
的に互いに結合することができる方法及び結合材料を示
すことである。
本発明に基づき結合される構成部材の間に多層複合材料
を配設し、続いて少くとも所定の熱の作用のもとで、構
成部材に直接臨む複合材料の表層だけがはんだ付けされ
るよ5Kして、構成部材を互いに結合すること罠よって
上記の目的が達成される。
を配設し、続いて少くとも所定の熱の作用のもとで、構
成部材に直接臨む複合材料の表層だけがはんだ付けされ
るよ5Kして、構成部材を互いに結合すること罠よって
上記の目的が達成される。
本方法の実施に適する結合栃料は、金属箔から成る芯層
を設け、その両面を金属表層で被覆したものである。
を設け、その両面を金属表層で被覆したものである。
本発明に基づくはんだ付は法においては、熱的、機械的
及び腐食的に負荷に耐える多層複合材料が接合区域に挿
入される。結合材料は金属の表層を有し、この表層はは
んだ付は温度で芯層の約1ないし5μmの薄い区域と共
に融状の、少くとも極めて変形しやすいはんだ層を形成
する・結合材料は結合される構成部材に固着される。本
発8AKよれば、少くとも3層で構成された結合材料が
使用される。芯ノーは鉛から成り、又は錫ないしはアン
チモンと銀の合金から成る。
及び腐食的に負荷に耐える多層複合材料が接合区域に挿
入される。結合材料は金属の表層を有し、この表層はは
んだ付は温度で芯層の約1ないし5μmの薄い区域と共
に融状の、少くとも極めて変形しやすいはんだ層を形成
する・結合材料は結合される構成部材に固着される。本
発8AKよれば、少くとも3層で構成された結合材料が
使用される。芯ノーは鉛から成り、又は錫ないしはアン
チモンと銀の合金から成る。
芯層の形成のために他の金属を使用することも可能であ
る。酸化物分散強化又は無定形合金を取扱うこともでき
る。いずれにしても材料は必要な交番荷重強さ又は所望
のクリーブ強さを持つ性質のものでなければならない。
る。酸化物分散強化又は無定形合金を取扱うこともでき
る。いずれにしても材料は必要な交番荷重強さ又は所望
のクリーブ強さを持つ性質のものでなければならない。
芯層は2゜ないし60μmの厚さがなければならない。
この芯層の構成部材に臨む表面は、厚さか0.5ないし
2μmで、芯層より融点が低いか、又は芯層と共に易融
共晶合金を形成する、それぞれ1個の表層、例えば錫で
被覆する。本発明方法により半導体部品同士又は半導体
部品と金属部品を互いに結合する場合は、半導体部品の
結合材料に臨む側は、好ましくはアルミニウム・クロム
・ニッケル及び銀合金又はニッケル・銀合金から成る金
属化を具備する。これによって錫の表層と半導体部品の
間に最適の結合が作り出されるう本方法の実施のために
使用される表層の厚さは、結合される構成部材に合わせ
て調整し、はんだ付は温度、特に180ないし350℃
の温度で融状になる区域が拡散過程によりまず初めにほ
ぼ等温に凝固するようにする。前述のよ5に芯層を使用
すれば、両面に被着された錫層と共に狭い区域で鉛−錫
共晶合金を形成し、この共晶合金によって本来のはんだ
付は処理が行われる。
2μmで、芯層より融点が低いか、又は芯層と共に易融
共晶合金を形成する、それぞれ1個の表層、例えば錫で
被覆する。本発明方法により半導体部品同士又は半導体
部品と金属部品を互いに結合する場合は、半導体部品の
結合材料に臨む側は、好ましくはアルミニウム・クロム
・ニッケル及び銀合金又はニッケル・銀合金から成る金
属化を具備する。これによって錫の表層と半導体部品の
間に最適の結合が作り出されるう本方法の実施のために
使用される表層の厚さは、結合される構成部材に合わせ
て調整し、はんだ付は温度、特に180ないし350℃
の温度で融状になる区域が拡散過程によりまず初めにほ
ぼ等温に凝固するようにする。前述のよ5に芯層を使用
すれば、両面に被着された錫層と共に狭い区域で鉛−錫
共晶合金を形成し、この共晶合金によって本来のはんだ
付は処理が行われる。
添加と拡散の際に錫濃度が低いので、短時間で等温凝固
か起こる。鉛製の芯層は約2ないし5μmの周縁帯を除
き熔融しないから、その好適な組織かほとんど維持され
る。熔融「はんだ帯」の合金濃度は小さいから、脆性相
が僅かしか現れない。本発明方法においては、はんだ付
は法の実施のために使用される結合材料を結合される構
成部材に最適に適合させることが可能であるから、謂れ
問題の発生を防止することができる。熱を適用すると共
に圧力を加えて結合を行うならば、場合によっては軽い
μ擦状の運動を行い、周縁帯の熔融を全く廃止してもよ
い。この場合は固体溶接法か敗上げられる訳で、結合材
料の表層、例えば錫か塑性変形され、結合される当該部
材を原子領域で十分に近接することによって金属結合か
生じる。
か起こる。鉛製の芯層は約2ないし5μmの周縁帯を除
き熔融しないから、その好適な組織かほとんど維持され
る。熔融「はんだ帯」の合金濃度は小さいから、脆性相
が僅かしか現れない。本発明方法においては、はんだ付
は法の実施のために使用される結合材料を結合される構
成部材に最適に適合させることが可能であるから、謂れ
問題の発生を防止することができる。熱を適用すると共
に圧力を加えて結合を行うならば、場合によっては軽い
μ擦状の運動を行い、周縁帯の熔融を全く廃止してもよ
い。この場合は固体溶接法か敗上げられる訳で、結合材
料の表層、例えば錫か塑性変形され、結合される当該部
材を原子領域で十分に近接することによって金属結合か
生じる。
本発明のその他の特徴は従属フレイムに表示されている
。
。
次に実施例に基づいて本発明を詣5明する。
唯一の図は、本発明方法を適用して金属部品2と結合し
た半導体部品1を示す。半導体部品1は部品2に臨む側
に金属化7を具備する。ここに示す実施例の場合、金属
化2はアルミニウム・クロム・ニッケル・銀合金から成
る。金属化をとりわlニッケル銀合金又は他の層で形成
することも可能である。半導体部品1と結合される金属
部品はモリブデン製である。いかなる種類かを問わず他
の材料による部品も、膨張係数がこの組合せを許す限り
、本発明方法で半導体部品と結合することができる。本
発明方法の実施のために、結合される部品1及び20間
に多層金隅結合材料3が配設される。この複合材料は、
ここに示す実施例の場合、鉛から成る芯層4を有する。
た半導体部品1を示す。半導体部品1は部品2に臨む側
に金属化7を具備する。ここに示す実施例の場合、金属
化2はアルミニウム・クロム・ニッケル・銀合金から成
る。金属化をとりわlニッケル銀合金又は他の層で形成
することも可能である。半導体部品1と結合される金属
部品はモリブデン製である。いかなる種類かを問わず他
の材料による部品も、膨張係数がこの組合せを許す限り
、本発明方法で半導体部品と結合することができる。本
発明方法の実施のために、結合される部品1及び20間
に多層金隅結合材料3が配設される。この複合材料は、
ここに示す実施例の場合、鉛から成る芯層4を有する。
芯層は20ないし60μmの厚さを有する。鉛の芯層4
の代りに錫・アンチモン・銀合金又は酸化物分散強化合
金又は無定形合金で作製した芯層を使用することもでき
る。上述の材料の代りに他の材料を芯層の形成のために
使用することも可能である。材料は必要な条件を満足し
さえすればよく、特に所望の交番荷重強さないしはクリ
ープ強さを備えさえすればよ〜1.。
の代りに錫・アンチモン・銀合金又は酸化物分散強化合
金又は無定形合金で作製した芯層を使用することもでき
る。上述の材料の代りに他の材料を芯層の形成のために
使用することも可能である。材料は必要な条件を満足し
さえすればよく、特に所望の交番荷重強さないしはクリ
ープ強さを備えさえすればよ〜1.。
この芯層4の、部品1及び2に臨む2つの面に、錫から
成る表層5をそれぞれ被着する。いずれの表層5も0.
5ないし2μmの厚さを有する。
成る表層5をそれぞれ被着する。いずれの表層5も0.
5ないし2μmの厚さを有する。
この結合材料3を2つの部品1及び20間に配設した後
、半導体部品1と金属部品2の本来のはんだ付けが行わ
れる。このために図示の配列を温度180ないし350
℃に熱する。最適の結合のために2つの部品に圧力を加
えることか必要な場合がある。この目的のために、半導
体部品1と金属部品2の外向きの界面に各々1個のf2
ンジャ(ことに図示せず)を押付ける。
、半導体部品1と金属部品2の本来のはんだ付けが行わ
れる。このために図示の配列を温度180ないし350
℃に熱する。最適の結合のために2つの部品に圧力を加
えることか必要な場合がある。この目的のために、半導
体部品1と金属部品2の外向きの界面に各々1個のf2
ンジャ(ことに図示せず)を押付ける。
上述の熱とこの圧縮力の作用のもとで、2つの表Hsか
熔融する。芯層4はごく薄い周縁帯だけが熔融する。芯
層1のこの熔融周縁帯の深さは5μm以内である。芯層
が純鉛襄であれば、この狭い周縁帯に鉛−錫共晶合金か
形成され、これによりて本来のはんだ付は処理が行われ
る。
熔融する。芯層4はごく薄い周縁帯だけが熔融する。芯
層1のこの熔融周縁帯の深さは5μm以内である。芯層
が純鉛襄であれば、この狭い周縁帯に鉛−錫共晶合金か
形成され、これによりて本来のはんだ付は処理が行われ
る。
添加又は拡散の際の錫濃度か低いため、短時間で等温凝
固が起こる。なぜなら鉛か錫領域に又はその逆に拡散さ
れ、そのため生じる合金の液相点又は固相点が上昇する
からである。鉛製の芯層の組織は実質的に維持される。
固が起こる。なぜなら鉛か錫領域に又はその逆に拡散さ
れ、そのため生じる合金の液相点又は固相点が上昇する
からである。鉛製の芯層の組織は実質的に維持される。
はんだの熔融を廃止してもよい。この場合も層及び結合
の基本的構造は、図の構造と同一である。芯層4はやは
り鉛又は鉛合金若しくは銀・錫・アンチモン合金から成
る。両側の被覆5は使用温度に応じて鉛−錫又は鉛−銀
又は純錫の、厚さ工ないし5μmの、塑性変形しゃすい
薄層から成る。
の基本的構造は、図の構造と同一である。芯層4はやは
り鉛又は鉛合金若しくは銀・錫・アンチモン合金から成
る。両側の被覆5は使用温度に応じて鉛−錫又は鉛−銀
又は純錫の、厚さ工ないし5μmの、塑性変形しゃすい
薄層から成る。
部品1及び2と複合中間層3の接合過程は純固体拡散溶
接過程である。温度の作用のもとで超音波摩擦溶接によ
り(熱超音波結合)、又は専ら温度の作用と圧力のもと
で(熱圧着)、接合過程を行うことができる。
接過程である。温度の作用のもとで超音波摩擦溶接によ
り(熱超音波結合)、又は専ら温度の作用と圧力のもと
で(熱圧着)、接合過程を行うことができる。
図は本発明に基づく結合のm1面略図を示す。
1・・・半導体部品、2・・・金属部品、3・・・多層
複合材料、5・・・表層。
複合材料、5・・・表層。
Claims (9)
- (1)少くとも片面を金属化した半導体部品(1)又は
金属部品又は金属基板(2)から成る構成部材の金属結
合の方法において、結合される構成部材(1、2)の間
に多層複合材料(3)を配設し、続いて少くとも所定の
熱の作用のもとで、構成部材(1、2)に直接臨む複合
材料(3)の表層(5)だけがはんだ付けされるように
して、構成部材(1、2)を互いに結合することを特徴
とする方法。 - (2)金属芯層(4)が所定のクリープ強さないしは交
番荷重強さを有する複合材料(3)を構成部材(1、2
)の間に配設し、構成部材(1、2)に臨む芯層(4)
の側に、融点を下げる金属表層(5)をそれぞれ被着し
、この表層(5)が芯層より低い融点を有し、又は芯層
と共に易融共晶合金を作ることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の方法。 - (3)無定形又は近似的に無定形の合金から成り、両側
を表層(5)で被覆した芯層を有する複合材料(3)を
構成部材(1、2)の間に配設することを特徴とする特
許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 - (4)高い交番荷重強さとクリープ強さを有する酸化物
分散強化合金から成り、両側を表層(5)で被覆した芯
層を有する複合材料(3)を構成部材(1、2)の間に
配設することを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の方法。 - (5)鉛又はアンチモン・錫・銀合金から成り、両側を
錫の表層(5)で被覆した複合材料(5)を構成部材(
1、2)の間に配設することを特徴とする特許請求の範
囲第1項又は第2項記載の方法。 - (6)結合材料(3)を間挿して、構成部材(1、2)
を温度180ないし350℃で互いにはんだ付けするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のい
ずれか1項に記載の方法。 - (7)3層(4)が20ないし60μmの厚さを有する
多層複合材料(3)をはんだ付けの前に構成部材(1、
2)の間に配設し、3層(4)の両面に厚さ0.5ない
し2μmの表層(5)をそれぞれ被着することを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか1項
に記載の方法。 - (8)構成部材(1及び2)の間に多層複合材料(3)
を配設し、固体拡散溶接法すなわち熱圧着又は熱超音波
結合により構成部材(1、2)と複合材料(3)を結合
することを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7
項のいずれか1項に記載の方法。 - (9)金属箔から成る3層(4)を設け、その両面を金
属表層(5)で被覆したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の方法の実施のための金属結合材料。 金属箔(4)が鉛又は錫・アンチモン・ 銀合金で製造され、両面が錫の表層(5)で被覆されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第8項に記載の金
属結合材料。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3446780.7 | 1984-12-21 | ||
DE19843446780 DE3446780A1 (de) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Verfahren und verbindungswerkstoff zum metallischen verbinden von bauteilen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61154764A true JPS61154764A (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=6253490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60285883A Pending JPS61154764A (ja) | 1984-12-21 | 1985-12-20 | 構造部材の金属結合の方法及び結合材料 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0186829B1 (ja) |
JP (1) | JPS61154764A (ja) |
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1987
- 1987-05-22 US US07/071,561 patent/US4746055A/en not_active Expired - Fee Related
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EP0186829A2 (de) | 1986-07-09 |
US4746055A (en) | 1988-05-24 |
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