JPS61151830A - 強磁性記録媒体 - Google Patents

強磁性記録媒体

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JPS61151830A
JPS61151830A JP60284535A JP28453585A JPS61151830A JP S61151830 A JPS61151830 A JP S61151830A JP 60284535 A JP60284535 A JP 60284535A JP 28453585 A JP28453585 A JP 28453585A JP S61151830 A JPS61151830 A JP S61151830A
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layer
chromium
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sputtering
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カーメン デニス モー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はデータ、オーディオおよびビデオ記録の分野に
有用な薄膜磁気記録媒体に関する。本発明(工特にその
ような金属薄膜磁気媒体を腐食および記録と再生の装置
におけるトランスジューサとの接触によって生ずる摩滅
から保護するための手段に関する。
背景の技術 高密度情報記憶に対する要求の増加に刺激されて、改良
された高密度磁気記録媒体を開発する努力が拡大されて
きた。その結果として、顔料/結合剤媒体エリも高い記
録密度の可W?、な金属薄膜磁気記録媒体に可成の関心
が集中してきた。金属薄膜媒体は、記録層の表面に対し
て垂直な磁化の容易な軸を有する場合には垂直記録に使
用することもできる(米国特許第4.210,946号
参照〕。
既知の金属薄膜磁気記録媒体に共通な問題昏工それらが
摩滅とjO!損を受は易いことにある。金属薄膜VC接
触するトランスジューサのヘッドはそれを侵食するかま
たはその他の損害を与える傾向を有する。僅かの侵食で
も、高ビツト密度記録が使用される場合にはデータの可
成な損失を生ずる。金属薄膜媒体の侵食と激しい摩滅を
伴う用途は増加しており、ビデオテープと電子カメラが
その2つの例である。
米国特許第4.210,946号の薄膜媒体はコバルト
/クロム合金である。しかし、コバルト/クロムの表面
は硬く℃ざらざらなので、記録/再生ヘッドの表面tひ
つかいて媒体とヘッド両方の損傷を生ずる可能性がある
薄膜強磁性媒体用の有機保護トップ、コートまたは潤滑
剤がその媒体の十分な保#Itl−達成するために研究
されてきた。そのような被覆材に含丁れるのは脂肪酸エ
ステル型のワックス類(例えば、カルナバワックス)で
ある。磁気記録技術−係で知られているその他の潤滑剤
はシリコーン、液体パラフィン、直鎖脂肪酸、例えはミ
リスチン酸、パルミチン酸およびステアリン酸である。
若干のそのような保護トップコートの有する欠点は記録
/再生過程の間にトランスジューサ上に潤滑物質が堆積
することで、それは記録またを工再生のトランスジュー
サの性能の低下と多分詰まりを生じさせる。
本発明の目的はそのような媒体の表面を改質することに
より金属薄膜磁気媒体の耐久性を改良することである。
発明の開示 上記の目的は、記録媒体の表面に有機潤滑剤の接着を促
進する金属薄膜自身の改質から成る保護NIt−導入し
てトランスジューサのヘッドと記録媒体の寿命を著しく
増加させることにより実現された。
本発明を要約すると、 (4)非磁性基材、 (B)  前記基材のコバルト/クロム合金から成るi
性層、 (C)前記(B)部の磁性層上の、コバルトトクロムの
酸化物、窒化物および炭化物、またはそのような酸化物
、炭化物および窒化物の組合せから成る群より選択され
るコバルトとクロムの反応生成物から成る結合層であっ
て、その結合層に金属のコバルトとクロムが実質的に存
在しないことを特徴とするもの、および中) 前記(C
)部の結合層の上の潤滑剤層から成る強磁性記録媒体で
ある。
酸化物層の化学種は本質において結晶性であることが判
明した。酸化コバルトが存在する場合には、その実質上
すべてがスピネル構造の00304結晶性酸化物であっ
た。
以下の議論の大部分は、クロムとコバルトの酸化物であ
る結合層を取扱うことになる。しかし、酸化物に関して
述べられることは、特に指摘されなければ、炭化物およ
び窒化物に同等に適用される。
結合層は記録媒体の表[T]t−完全に酸化された(雪
化されたまたは炭化された)表面に変え、その表面は潤
滑剤と一様にそして完全に結合して後者が容易に除かれ
ることを防ぐ。金属の媒体表面を反応性酸素スパッタリ
ング処珈することによってこの層が形成される。
本発明の記録媒体は上記の他の層t−有することもある
。例えば、磁気記録層(B)と非磁性基材(A)との間
に挿入された低い保磁力(すなわち、B部の層より低い
)の磁性材料(例えば、ニッケルー鉄−モリブデン合金
)の層が存在することもある。
この低保磁力層は適当な合金を基材上にスパッタリング
することにより形成することができる。この種の媒体は
米国特許第4.210.946号に記載されており、そ
してその低保磁力層は(B)部のコバルト/クロム合金
の保磁力の5分の1より大きくない保磁力1−有するも
の、例えば、鉄、ニッケルおよびモリブデンの合金、と
して述べられている。
従って、磁性層は基材と直接接触している必要がない。
この開示の製品は終始一貫して侵れた耐摩耗性を示し、
そして記録/再生の特性は低下しない。
これらの改良された薄膜磁気記録媒体は非常に高い記録
蕾度において極めて良好な信号と雑音の比(8N比)t
−示す。
詳細な説明 本発明の強磁性記録媒体の基材は、記録媒体として使用
するために便利な形に製造することのできるものであれ
ばiかなる非磁性材料であってもよい。その基材は高分
子材料、例えば二軸配向ポリエステル、ポリイミド、ポ
リカーざネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリスルホン、またはポリプロピレンオキシド
、の薄い柔軟なウェブの形をした支持体から成るもので
よい。ポリイミドは特に滑らかな表面を与えるようであ
る。またその代りに、基材は非磁性の金属または合金、
例えは、アルミニウム、銅、黄餉、またはベリリウム−
銅合金、のものでもよい。それは!だガラス、ケイ素、
またはセラミックから作られたものであってもよい。
基材の厚さは、硬質ディスク、フロッピィディスクおよ
びテープのような用途に使用されるものと同じ位でよい
。基材はまた硬い板またはシートであってもよい。本発
明の1つの態様において、基材は厚さ約25〜125p
111の柔軟な2紬配向ポリエチレンテレフタレートフ
イルムである。
磁性層におけるコバルト対クロムの原子比に一般に約7
5/25〜90/10の範囲であり、84/16が代表
的である。その他の元素(例えば、タンタル)は、媒体
の磁気特性を妨害しない限り、コバルトおよびクロムと
合金にしてもよい。
磁性層の厚さは代表的には約200〜10.000オン
グストロームの範囲にある。本発明の1つの態様におい
ては、磁性層は0oOrの柱状結晶から成り、その結晶
は結晶成長方向に平行な六方最密充填a軸を有する。柱
状結晶は基材表面に対して垂直または実質上法線方向に
関して実質的に90゜以下の角度に配回されている。後
者の場合にを工、a化の容易軸は同様に基材表面に対し
法線方向であり、そしてそのような媒体は垂直磁化を支
持することにより′1iII密度記録用の手段を提供す
る。
結合層は通常約40〜300オングストローム、好まし
くは約40〜150オンゲス、トロームの厚さft有す
る。厚過ぎる結合層は結果としてスペーシングロスを生
じることがある。スペーシングロスとはトランスジュー
サまたは記録ヘラVと磁性層または記録媒体の間に何ら
かの被覆がある場合に起る出力信号の損失である。本発
明の耐化物結合層の粒子の大きさは約30オングストロ
ーム((転)であると測定された。
磁性層は種々な技法、例えば電気めっき、真空蒸着、ス
パッタリング、およびイオンめっきなど、によって調製
することができる。真空蒸着は一般に速やかな蒸着速度
の効用として長さ方向の薄膜a気媒体を発生させる場合
に使用される。−ガスバッタリング技法は垂直方向の薄
膜磁気媒体全提供するためにより多く応用することがで
きる。一般に、垂直品質の媒体は良好な結晶化度(θs
o < 16°〕と約30〜1500エルステツドの垂
直保磁力を有するものである。
陰極スパッタリング法では、アルデンガスイオンがスパ
ッタリング1内の固体合金ターゲット陰極に衝突して、
そのターゲットの表面近くの金属原子に加速イオンのモ
ーメンタム全転移することによって金m原子t−追い出
す。基材は陽極に置かれ、合金の原子(CoOr )は
陽極と陰極の闇の空間t−横切って基材の上に蒸着また
は凝縮する。本発明の実施において、既知のスパッタリ
ング技法が磁性層を発生させるために使用される。
コバルト−クロム(強磁、性)層形成の完了近くの時に
、#1節した童の適当なガスが、既知の方法で、スパッ
タリング室内へ導入される。例えば、高純度の酸素がス
が蒸着の最後の約3分i!1にスパッタリング室に導入
され、同時にスパッタリング室の圧は約6〜約12 ミ
IJ )ル増加する。結合層を成長させるためのスパッ
タリング工程のこの部分の間、スパッタリングガスは必
ずしもアルプンでなくてもよい。例えは、純酸素であっ
てもよい。
反応性酸素イオンはターゲット区域に向って加速され、
そこで強磁性層に結合し、かくして結合層を形成する。
表面を炭素化するためには、上記の工程中で酸素をメタ
ンまたはアセチレンガスと置換すればよい。窒化物結合
層を造るためには、その代りに窒素またはアンモニアの
工うな窒素源を置換する。また酸素、炭素源および窒素
源全同時にスパッタリング室中へ導入して、酸化物、炭
化物および窒化物を同時に形成させることも可能である
スパッタリングによる結合層の蒸着は強磁性層上にスパ
ッタリングの直後にその工程の1段階として必ずしも行
なわなくてもよいし、またその層を蒸着するために使用
した同じスパッタリング装置内で行う必要もない。結合
層の酸化物、窒化物または炭化物を別の装量の中で別の
工程として蒸着させることができるし、強磁性層が形成
されてしまった後のある時に蒸着させてもよい。
大抵の金属膜の表面は大気暴露の結果として自然酸化を
受けることが誌められるが、そのような手段は金属酸化
物の均一同質の分布を与えない。
コバルトとクロムの反応生成物(例えば、酸化物〕は潤
滑剤層の潤滑剤のための結合の部位を構成する。そして
酸化されないまた・工反応されすり残すれている表面上
の点は潤滑剤が効果的に結合しない点になる。X線光電
子分光法(XP8 )分析は、本発明の媒体の表面上の
すべての金属種が反応生成物(例えば、酸化物)になっ
ていることを示した。−万、本発明の結合層を有しない
コバルト/クロム媒体の対照用資料は表面の可成の部分
が酸化されていないことを示した。
スパッタリング方法には数種のものがある。すなわち、
直流スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ト
リオ−トスバッタリング8よびラジオフリーケンシー(
R2)スパッタリングなどがある。このらの種類のスパ
ッタリング方法のいずれも本発明の記録媒体の製造に使
用することができると信じられる。陰極ターゲットは取
付板を通して水を循環させることにより冷却することが
望ましい。
コバルト−クロム合金をスパッタリングすると、その上
にスパッタリングを受ける高分子基材を波打たせること
が発見された。この間Mt−軽減するために、基材の両
側をコーティングすることにより基材のいずれかの側の
波打ち効果が他の備の同効果を相殺するようにできる。
所望の結合層を得ることは反応性スパッタリング工程の
間の膜成長速度に依存する。例えば、約25A/分の膜
成長速度でスパッタリングされる保護層は本発明によっ
て求められる有益な結果を与えない。−万、50A/分
またはそれ以上の膜成長速度はそのような結果(例えば
、改良された耐久性と潤滑剤の結合)t−与える。
潤滑剤またはトップコート(本発明のD部〕の種類は決
定的に重要ではなく、金属薄膜記録媒体用に使用されて
いる大抵の有機+11清剤は適当である。使用できる潤
滑剤の代表的な例はミリスチン酸と米国特許第4.40
4.247号(第3−7欄参照)に記載の低表面エネル
ギー被覆材である。一般に、前記引用特許は、内部層ま
たはプライマーとパーフルオロポリエーテルの七ツマー
セグメントの外部層から成る保護層を開示している。内
部および外部の層材料は、媒体上に被Hさせた後、次に
その場で重合させ、内部層を介してパーフルオロポリエ
ーテル潤滑剤を記録媒体に結合する。
本発明の保護層における酸化物または炭化物の部位はこ
の種の潤滑剤のために優れた結合部位を提供する。
上記の潤滑剤に適するパーフルオロポリエーテルは次の
一般式を有するものが好ましい。
Q (R,)kOalF2a−z          
   (jり上式中、qはRHに接続した重合性の基か
ら成り、R,kL多数の無作為に分布したパーフルオロ
アルキレンオキシドの反復単位を表わし、その単位は一
般式(oay2aO)で表わされる枝分れまたは直鎖構
造であってよく、上式中容単位の&を工独立に1〜4の
整数であり、kはそのような単位の数であって1〜30
0の値1に有し、従ってセグメントR2は好!L<tX
500〜20.000+D&平均分子童を有し、そしC
Zをニー00 &F2aやl耽はqである。
米国特許第4.404,247号に記載の内部層組成物
の他に、また少なくとも1つの芳香族、脂環式またはヘ
テロ原子部分を含む重合性ホスホリル化モノマーまたは
オリデマーの普通の有機溶媒(例えば、メチルエチルケ
トン)中溶液を使用することもできる。そのような組成
物の例はヒドロキシゾ田ポキシル化ビスフェノール人の
ホスホリル化ゾメタクリレートである。
潤滑剤は多種の技法によって塗布することができる。例
えば、はけ塗り、ワイヤー[趙エナイ7コーティング1
、吹き付け、グラビヤコーティング、スピンコーティン
グおよびディップコーティングなどである。スピンコー
ティングでは、コーティング材料の溶液が勢いよく回る
記録媒体円板に塗布されてから、次に溶媒が蒸発させら
れて薄い層を残す。前記のパーフルオロポリエーテルを
塗布する場合には、前記のようにA、Bおよび0の各部
から成る磁気記録媒体はまずプライマー溶液で被覆され
、数秒間乾燥されてから、パーフルオロポリエーテルの
溶液中で被覆される。プライマー溶液の代表的濃度を1
約0.05〜1.Owt/マol %であり、パーフル
オロポリエーテルの代表的濃度はフッ素化溶媒巾約0.
05〜4・Qwt/vo1%である。
被覆した記録媒体が乾燥した後、それは真窒中で紫外線
に露出される。5〜6分が代表的露出時間である。光重
合の間、その糸は真空中または不活性3凹気中に保持す
ることにエリ酸素のない状態に維持しなければならない
。光重合開始剤または増感剤(例えば、ベンゾフェノン
またはベンゾイン)を潤滑剤組成物に混入することもあ
る。その他の方法(例えば、電子線硬化)もパーフルオ
ロポリエーテル潤滑剤t−重合させるために使用するこ
とができる。その複合被覆の厚さは2種の溶液(fライ
マーとパーフルオロポリエーテル)を作るために使用さ
れる溶媒の割合によって調節することができる。
本発明【1次の実施例によってさらに明瞭にされるが、
それらの実施例は純粋に例証を意図されたものである。
実施例■ 庫さ約0.05鴫のポリイミド基材ディスクを無、線周
波数ダイオードスパッタリング装置〔パーキン・エルマ
ー・タプル4400)の陽極基材ホルダー上に置いた。
スパッタリング陰極ターゲットを工Oo Or金合金8
3原子チのOoと17原子チのOr  )から成ってい
た。スパッタリング室は約1.5〜1.7 X 10−
7)ルのバックグランド圧まで排気した。アルゴンガス
を約6ミリトルの圧で毎分約38.9標準立方cm (
sea/1fiin、)の流速で導入した。スパッタリ
ングの間、基材全外部の駆動手段によって廻転させ、そ
してターゲットの電力レベルは約1100ワツトでター
ゲット電位は約1800ffルトであった。基材上に約
87分間のコバルト/クロム合金のスパッター蒸着の後
、酸素ガスを約47.4 ace /min、の流速と
1ItJ6ミリトルの圧でスパッタリング装置の中へ導
入した。スパッタリングをさらに3分間ターゲット電圧
を約1800ボルトに維持し℃続け、その間にターゲッ
ト電力レベルを約1250ワツトに上げた。その結果得
られた薄膜は約5000オングストロームの厚さを有し
ていた。
X線光電子分光法(xps )表面分析を強磁性膜の一
部(最外層の30〜60X)について行なった。XP3
スペクトルはアルデンイオンビームスパッタリングの後
試料の表面でそして不連続なサンプリング深さで行なっ
た。その結果は、表面はコバルトとクロームの酸化物か
ら成り、本質的にいずれの金属種も存在しないことを示
している。深さのプロフィールは、酸化コバルトが約1
00オングストロームの厚さにあり、その下のコバルト
金属に急激に転移しており、約150オングストローム
以上の深さにあるコバルトはすべてコバルト金属として
存在することを示した。酸化り、ロムもまた記録媒体中
約100オンゲストローAで支配的にクロム金属への転
移を明示した。しかし、クロムの転移領域はコバルトは
ど急激な変化を見せなかった。
−xps表面分析をさらに対照用資料について行なった
。この資料は前記のように調製したが、ただ蒸着の最後
の3分間に酸素の導入を行なわなかった。(分析は新鮮
な試料と周囲条件で熟成した試料の両方について行なっ
た。〕その結果は、クロムは熟成および非熟成両試料に
おいて殆ど100チ酸化されることを示している。コバ
ルトは初めに約45%コバルト金属と55%酸化コバル
トであり、6週間の熟成の後では30%金属と70%酸
化コバルトである。
本発明の強磁性薄膜は、膜中へ少なくとも100オング
ストロームまで達する殆ど純粋す酸化クロムと酸化コバ
ルトの領域を有し、次のような保護層により被覆されて
いる。
0.15wt/マo1%のプライマー溶液が得られたが
、これは150Iのヒドロキシプロポキシル化ビスフェ
ノール人のホスホリル化ジメタクリレー)eloodの
メチルエチルケトンのような普通の有機溶媒に溶解して
調製したものであった。そのヒドロキシプロポキシル化
ビスフェノ−、TI/Aのジメタクリレートはビスフェ
ノール人とグリシジルメタクリレートの反応生成物であ
り、その合成法は米国特許第3.066,112号に教
示されている。それは次のようにしてホスホリル化する
ことができる。
試  薬 10.0部(重量〕ヒrロキシフロポキシル化ビスフェ
ノール人のジメタクリ レート 1.6部(重量)  N、N−ジエチルアミドジクロロ
リンf!!! (15,0部の乾燥ベンゼン中) 1.7部(重j1)  )リエチルアミン(40部の乾
燥ベンゼン中〕 40.0部1坦)乾燥ベンゼン 上記の成分の反応混合物を約40°Cで約12時間攪拌
して、ホスホリル化生成物を得た。次にその生成物を濾
過することによりトリエチルアミン塩酸塩を除去した。
その濾液から減圧中にベンゼンとその他の揮発物を除い
た。残留物をベンゼン中で洗ってから、次にベンゼンを
、例えば、60−65°で20 W Hgの圧の下に除
き、粘稠なプライマーを得た。
パーフルオロポリエーテル溶液は0.11の0F20H
2−00−OH=OH2 t−10011のフッ素化溶媒(ミネソタ・マイニング
・アンド・マニュコアクチュアリング・カンパニー製の
フルオリナート(Fluorinert) F O−7
7溶媒)に溶解することにより調製した。
前記の薄膜強磁性媒体をプライマーで被覆させ、乾燥さ
せ、次にパーフルオロポリエーテル溶液テ被覆させ、そ
して再び乾燥させた。被覆した記録媒体を次にM−21
8ダブルサイデツド・エクスポージュアCシステム(M
 −218Double−sidedExposure
 System、 Oolight、工na、、 Mi
nneapolia。
1(inneaota) t−使用して真空中で、2個
の400ワツト中圧水銀ランプを使用して紫外線照射を
受けさせた。この処理は潤滑剤被覆を重合させて厚さ約
7〜30 nm を有するトップコートまたは潤滑剤を
得た。
実施例■ 潤滑剤を施さない他は実施例Iと同様にして製造した薄
膜コバルトクロム記録媒体にミリスチン酸型の潤滑剤溶
液金スピンコーティングしてから、次に乾燥させて、約
1〜30 nmの潤滑剤の厚さを得た。
本発明の記録媒体を次の装置と手順を使用して試験した
。試験される媒体を半径方向に引伸して、自走した円形
の枠に貼り付けてぴんと張ったディスクを形成させた(
σ1伸ばされた表面の記録媒体)。
VHSビデオのリングヘッドがそのディスク上の読み出
しと書込みに使用された。このヘッドを蓄音器のピック
アップアームの配置と類似した釣合いのとれたアームの
上に取付けた。良好な読み出し/書込み性能が、過度の
媒体摩損を生ずるこ・となしに、得られることを認めた
。その場合ヘッドは媒体上に約3.51の力を作用して
いた。
一般的試験の手順は次の段階から成っていた。
1、 試料の記録性能の高密度試験を基線を確定するた
めに行なう。そのような試験では、単一のトラックを媒
体上に、0から約220.000フラックス変化/イン
チ(または22Q kfci)の段階で増加させて種々
の記録密度で記録する。
出力をデシベル(+LB)で各記録密度において測定す
る。
2.1本のトラックを中位の密度(3Q kfci)で
ディスク上に書込む。記録された信号の伽幅を次に周期
的に(60秒毎が代表的である)測定して信号振幅の著
しい損失(それは媒体の摩損を示す)が起るかど5か全
決定する。そのような損失が検出されるならば、試験を
停止する。
さもなくば、予め決めた時間間隔の後に試験を停止する
3、なお1回の高密度記録試験を行なってから、その結
果を初めの試験で得られた結果と比較する。もし試料の
寿命が到達していなければ、前記第2段階を反復しても
よい。ディスクの寿命は、(1)視覚(顕微鏡)検査で
媒体および/またはヘッドに物理的損傷が観察されるま
で、または■高密度読み出し/書込み性能に、通常他の
良好な試料の試験と結び付けられる、約5 dBより大
なる変化を観察するまでに要する時間として定義される
。寿命はその試料が生き残る通過回数によって記録され
る。ある場合にはそれは分で記録される。それらの2つ
の値は媒体の回転速度と関連する。その速度は通常約7
5インチ/秒(1,9m/win、)である。
このような試験を実施する際に、リングヘッドに潤滑剤
の堆積が起るかどうかを観察するよう注意しなければな
らない。そのような堆積はスペーシングロス、すなわち
、ヘッド上に堆積された潤滑剤の厚さのために生ずる信
号強度の損失を起し得る。そのような信号の損失は、若
干の潤滑剤の損失の他は、直接に記録媒体の損傷または
劣化のために生ずるものではない。もし潤滑剤の堆積を
ヘッドから拭い去れば、信号の振幅は増加し得る。
本発明は特定の潤滑剤に限定されないで、改良された結
合層と潤滑剤との組合せに依存する。これらの耐久性試
験の目的は、他の層によって影響される強嶽性記録層(
B)の耐久性を測定することである。従って、潤滑剤の
堆積による信号損失は試験されている媒体について誤解
させる印象を与えることがあり得る。
実施例■のポリイミド基材およびパーフルオロポリエー
テルとプライマー潤滑剤システムを使用して、本発明の
記録媒体および(C)部の結合層がない他はすべての点
で同じ対照用試料について耐久性試験を行なった。対照
用試料の寿命は一般に非常に短いものであった。可成の
変動はあるが、30分を超す寿命はまれであった。−万
、本発明の媒体の寿命は大いに改良されて、一般に3〜
10時間の範囲にあり、若干の試料は10時間の後もま
だ走行していた。2つの典型的試料の比較を下記の第1
表に示す。
本発明のその他の態様は本明細書またはそこに開示され
た本発明の実施例から当業者には明らかであろう。ここ
に述べられた原理に対する種々の省略、修正および変更
は当業者によって前記の特許請求の範囲により示される
本発明の真の範囲、と精神から逸脱することなくなし得
ることである。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(A)非磁性基材、 (B)前記基材上のコバルト/クロム合金から成る磁性
    層、 (C)前記(B)部の磁性層上の、コバルトとクロムの
    酸化物、窒化物および炭化物ならびにそのような酸化物
    、窒化物および炭化物の組合せから成る群より選択され
    るコバルトとクロムの反応生成物から成る結合層で、そ
    の保護する層に金属のコバルトとクロムが実質的に存在
    しないもの、および (D)前記(C)部の結合層の上の潤滑剤層、から成る
    強磁性記録媒体。
  2. (2)前記(C)部の反応生成物がコバルトとクロムの
    酸化物である、特許請求の範囲第1項に記載の記録媒体
  3. (3)結合層が酸化コバルトを含有し、その酸化コバル
    トの実質上すべてが立方スピネル型構造のCo_3O_
    4である、特許請求の範囲第2項に記載の記録媒体。
  4. (4)前記(B)部の磁性層が約75/25と90/1
    0の間のコバルト対クロムの比を有し、そして磁性層の
    厚さが約200と10,000オングストロームの間で
    ある、特許請求の範囲第1項に記載の記録媒体。
  5. (5)前記(C)部の結合層が約40から約300オン
    グストロームまでの厚さを有する、特許請求の範囲第1
    項の記録媒体。
  6. (6)強磁性記録媒体の製造に際して、 (i)非磁性基材を、コバルト/クロム合金から成る磁
    性層でその合金を基材にスパッタリングすることにより
    被覆する工程、 (ii)基材上に十分な厚さのコバルト/クロム合金を
    被覆させた後、炭化水素、窒素、アンモニアおよび酸素
    から成る群より選択されるガスをスパッタリング工程に
    導入して、そのガスによりコバルトとクロムの反応生成
    物の層を蒸着させ、そしてスパッタリング工程を次の条
    件、すなわち (a)少なくとも毎分50オングストロームのフィルム
    成長速度、および (b)ガスと共にスパッタされるコバルトとクロムを完
    全に反応させるように設定された スパッタリング条件、 において実施する工程、 (iii)コバルトとクロムの反応生成物の層を、記録
    媒体を潤滑にするために役立つ潤滑剤で被覆する工程、 から成ることを特徴とする、強磁性記録媒体を製造する
    方法。
  7. (7)前記工程(iii)がまた次の諸工程、すなわち
    、(イ)工程(ii)から得られた反応生成物の層を、
    少なくとも1つの芳香族、脂環式またはヘテロ原子部分
    を含む重合性のホスホリル化モノマーまたはオリゴマー
    の、普通の有機溶媒中の希薄溶液から成る第1層により
    被覆させる工程、 (ロ)前記第1層を乾燥させる工程、 (ハ)第1層の上に一般式 Q(R_f)_kCaF_2_a−Z を有するパーフルオロポリエーテルの第2の希薄溶液を
    被覆させる工程 〔上式中、QはR_fに接続した重合性の基から成り、
    R_fは多数の無作為に分布したパーフルオロアルキレ
    ンオキシドの反復単 位を表わし、その単位は一般式(CaF_2_aO)で
    表わされる枝分れまたは直鎖構造であつ てよく、上式中各単位のaは独立に1〜4 の整数であり、kはそのような単位の数で あつて1〜300の値を有し、従つてセグ メントR_fは500〜20,000の数平均分子量を
    有し、そしてZは−OCaF_2_a_+_1とQから
    選択される〕、 (ニ)前記パーフルオロポリエーテルを乾燥させる工程
    、および (ホ)乾燥したプライマーとパーフルオロポリエーテル
    被覆材を重合させる工程、 から成る、特許請求の範囲第6項に記載の方法。
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