JPS5897133A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS5897133A JPS5897133A JP56195888A JP19588881A JPS5897133A JP S5897133 A JPS5897133 A JP S5897133A JP 56195888 A JP56195888 A JP 56195888A JP 19588881 A JP19588881 A JP 19588881A JP S5897133 A JPS5897133 A JP S5897133A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- alloy
- acid
- salt
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気記録媒体
、いわゆる金属薄膜形磁気記録媒体に関するもので、耐
蝕性および異なる環境下での走行安定性の改良された媒
体の提供を目的とする。
、いわゆる金属薄膜形磁気記録媒体に関するもので、耐
蝕性および異なる環境下での走行安定性の改良された媒
体の提供を目的とする。
近年、磁気記録の分野では記録密度の向上を目的として
、記録媒体の高抗磁力化や高磁束密度化が進められてい
るが、その中でも鉄、コバルト。
、記録媒体の高抗磁力化や高磁束密度化が進められてい
るが、その中でも鉄、コバルト。
ニッケル又はこれらの合金からなる強磁性金属薄膜を非
磁性の基板上にメッキ法、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、スパッタリング法等の手法により数千への厚
さに形成させたいわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体の研
究開発が磁気特性的にすぐれているため意欲的になされ
ている。
磁性の基板上にメッキ法、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、スパッタリング法等の手法により数千への厚
さに形成させたいわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体の研
究開発が磁気特性的にすぐれているため意欲的になされ
ている。
しかしながら、この種の媒体は従来の塗布型磁気記録媒
体（酸化鉄等の粉末をバインダーと共にプラスチック基
板上に塗布し、硬化する。）と比較して、実用特性面で
改良すべき課題を有している。とりわけ、耐蝕性と走行
安定性は、金属薄膜形の媒体の短波長記録特性の圧倒的
優位性を保ちつつ、改良することが強く望まれている。
体（酸化鉄等の粉末をバインダーと共にプラスチック基
板上に塗布し、硬化する。）と比較して、実用特性面で
改良すべき課題を有している。とりわけ、耐蝕性と走行
安定性は、金属薄膜形の媒体の短波長記録特性の圧倒的
優位性を保ちつつ、改良することが強く望まれている。
かかる問題解決にとられた方法は、強磁性層そのものの
耐蝕性を改良した上で、更に保護層を設けるもので、特
開昭６０−７６ρ０１号に開示される飽和脂肪酸の単分
子層、特開昭６１−２０，８ｏ６号に開示される滑性液
体層中に酸化防止剤を含有せしめたもの、特開昭５１−
１４８，４０６号に開示される有機金属化合物薄膜、特
開昭６１−１４０．００４に開示されるポリエチレンの
１００〜１．０ｏｏＡの保護層、特開昭５１〜１３，２
０７号に開示されるＮｉ合金のオーバコート、特開昭６
２−２，４０５号に開示されるＮ ｉ −Ｂ合金等の有
機高分子物質、金属、金属化合物９合金非晶質薄膜等で
保護層を形成することが提案されている。
耐蝕性を改良した上で、更に保護層を設けるもので、特
開昭６０−７６ρ０１号に開示される飽和脂肪酸の単分
子層、特開昭６１−２０，８ｏ６号に開示される滑性液
体層中に酸化防止剤を含有せしめたもの、特開昭５１−
１４８，４０６号に開示される有機金属化合物薄膜、特
開昭６１−１４０．００４に開示されるポリエチレンの
１００〜１．０ｏｏＡの保護層、特開昭５１〜１３，２
０７号に開示されるＮｉ合金のオーバコート、特開昭６
２−２，４０５号に開示されるＮ ｉ −Ｂ合金等の有
機高分子物質、金属、金属化合物９合金非晶質薄膜等で
保護層を形成することが提案されている。
本発明者が従来のこれら各種保護層を検討し、その実験
結果をまとめると（り保護層の厚さは電磁変換特性の低
下を考慮すると５ｏｏＡ以下で、薄ければ薄い程望まし
いが、一般に耐蝕性は膜厚の減少とともに低下する。り
２）高湿試験（４０℃９０％、６０℃９０％の雰囲気放
置）による耐蝕性の劣化には２通りあり、１つは表面に
錆パターンが発生し保護性を失なったものともう１つは
１表面上の変化は見あたらないが磁性層と保護層の接着
性が低下し保護層が削れてくるものである。保護層の材
料にもよるが、はとんど後者のタイプの劣化が前者のも
のより早期に発生する。現在のところ薄くて接着強度の
すぐれた保護層が見い出されていないために実用化が阻
止されている。
結果をまとめると（り保護層の厚さは電磁変換特性の低
下を考慮すると５ｏｏＡ以下で、薄ければ薄い程望まし
いが、一般に耐蝕性は膜厚の減少とともに低下する。り
２）高湿試験（４０℃９０％、６０℃９０％の雰囲気放
置）による耐蝕性の劣化には２通りあり、１つは表面に
錆パターンが発生し保護性を失なったものともう１つは
１表面上の変化は見あたらないが磁性層と保護層の接着
性が低下し保護層が削れてくるものである。保護層の材
料にもよるが、はとんど後者のタイプの劣化が前者のも
のより早期に発生する。現在のところ薄くて接着強度の
すぐれた保護層が見い出されていないために実用化が阻
止されている。
本発明は、上記実用上の重大なる問題点である耐蝕性、
耐摩耗性の解決策を、各種実験を重ねるうちに見い出し
たもので以下にその実施例を図面を用い説明する。
耐摩耗性の解決策を、各種実験を重ねるうちに見い出し
たもので以下にその実施例を図面を用い説明する。
なおここで本発明の要素は、Ｃｏ もしくはＣＯを主成
分とする酸素を含む合金の薄膜上に、第１保護層として
酸化物薄膜層、第２保護層として、パーフルオロアルキ
ルカルボン酸、モジくハハーフルオロアルキルスル７オ
ン酸のアンモニウム塩又は金属塩のいずれかの吸着層を
配設して目的を達成するもので、便宜上説明を第１保護
層までと、第２保護層とに分けて詳しく行うものとする
〇先づ、ここで本発明による磁気記録媒体を製造するの
に用いられる装置の一例を第１図に示す。
分とする酸素を含む合金の薄膜上に、第１保護層として
酸化物薄膜層、第２保護層として、パーフルオロアルキ
ルカルボン酸、モジくハハーフルオロアルキルスル７オ
ン酸のアンモニウム塩又は金属塩のいずれかの吸着層を
配設して目的を達成するもので、便宜上説明を第１保護
層までと、第２保護層とに分けて詳しく行うものとする
〇先づ、ここで本発明による磁気記録媒体を製造するの
に用いられる装置の一例を第１図に示す。
この装置は大別して、蒸発源系と巻取走行系そしてそれ
らを収納している真空槽、さらには真空槽を真空に引く
真空排気系から成っている。
らを収納している真空槽、さらには真空槽を真空に引く
真空排気系から成っている。
真空槽は２室に分離しており、１は磁性層形成用の真空
室、２は第１保護層形成用の真空室となっている。真空
室１，２はそれぞれ真空排気系３により１ｏ−６〜１０
−４［ｔｏｒｒ］迄真空排気されている。磁性層が形成
される基板１１は一般的にはロール状に巻回されたポリ
エステル、ポリイミド。
室、２は第１保護層形成用の真空室となっている。真空
室１，２はそれぞれ真空排気系３により１ｏ−６〜１０
−４［ｔｏｒｒ］迄真空排気されている。磁性層が形成
される基板１１は一般的にはロール状に巻回されたポリ
エステル、ポリイミド。
ポリアミド等のプラスチックフィルムであり、これが巻
出しロール１２にセットされており、引き出された基板
１１はガイドローラー１４に導びかれ、磁性層形成用蒸
着キャン１６．第１保護層形成用蒸着キャン１６に添っ
て走行し最後には巻取りロール１３によって巻き取られ
る。この間、真空室１においては、コバルト又はコバル
トを主体とする合金から成る強磁性材料６が電子ビーム
蒸発源４で加熱蒸発させられ、基板１１に付着する。
出しロール１２にセットされており、引き出された基板
１１はガイドローラー１４に導びかれ、磁性層形成用蒸
着キャン１６．第１保護層形成用蒸着キャン１６に添っ
て走行し最後には巻取りロール１３によって巻き取られ
る。この間、真空室１においては、コバルト又はコバル
トを主体とする合金から成る強磁性材料６が電子ビーム
蒸発源４で加熱蒸発させられ、基板１１に付着する。
その後、次の真空室２においては、スノくツタリング法
と真空蒸着法の２種類のうちどちらかの方式により第１
保護層が形成されるＯ前者は、Ａ４Ｍｇ、 Ｎｉ、 Ｃ
ｒ、 Ｔｉ、 あるいはそれらの酸化物等の耐蝕性材
料７をターゲットとし高周波スノくツタ−源６により、
後者は同様の耐蝕性材料９を電子ビーム蒸発源８により
蒸発付着せしめるものである。
と真空蒸着法の２種類のうちどちらかの方式により第１
保護層が形成されるＯ前者は、Ａ４Ｍｇ、 Ｎｉ、 Ｃ
ｒ、 Ｔｉ、 あるいはそれらの酸化物等の耐蝕性材
料７をターゲットとし高周波スノくツタ−源６により、
後者は同様の耐蝕性材料９を電子ビーム蒸発源８により
蒸発付着せしめるものである。
１０はグロー放電発生用の電極であり、詳細は後述する
。
。
又、各真空室にはガス導入口１７．２０が設けられてお
り、成膜形成時の雰囲気がガスボンベ１９゜２２より調
整器１８．２１を介して導入されたガスによってコント
ロールされる。
り、成膜形成時の雰囲気がガスボンベ１９゜２２より調
整器１８．２１を介して導入されたガスによってコント
ロールされる。
なおここで本発明による磁気記録媒体を第２図に示す。
基板１１は磁気記録媒体用に適した表面を有するプラス
チックフィルムである。２３は金属磁性層であり、これ
は前述した如く、コノくルト。
チックフィルムである。２３は金属磁性層であり、これ
は前述した如く、コノくルト。
又はコバルトを主体とする合金、あるいは更にそれらに
種々の目的により添加金属を微量混入したものから成っ
ている。又、本発明の特徴の１つである酸素も磁性層中
に含まれている。
種々の目的により添加金属を微量混入したものから成っ
ている。又、本発明の特徴の１つである酸素も磁性層中
に含まれている。
−〇合金、Ｃｏ−Ｗ−σ合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｑ合金、
Ｃ。
Ｃ。
−Ｎｂ−０合金、Ｃｏ−Ｒ−０合金（）ｉ＝＝希土類元
素。
素。
Ｌａ、 Ｃｏ、 Ｇｄ、 Ｓｍ等）などのコバルトを主
成分とし、従成分としてＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 Ｍｎ、 Ｃｕ。
成分とし、従成分としてＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 Ｍｎ、 Ｃｕ。
Ｐｄ、 Ｒｈ、 Ｗ、 Ｎｂ、 Ｍｏ、希土類、Ａ４
Ｓｔ、Ｂ、Ｐなどを含み更に、薄膜作成工程中で蒸着膜
中に取込まれる酸素を含む合金より形成されている強磁
性薄膜である。２４は第１保護層でＣｒ、 Ｎｉ、 Ｔ
ｉ。
Ｓｔ、Ｂ、Ｐなどを含み更に、薄膜作成工程中で蒸着膜
中に取込まれる酸素を含む合金より形成されている強磁
性薄膜である。２４は第１保護層でＣｒ、 Ｎｉ、 Ｔ
ｉ。
Ｍｇ、ＡＩ、Ｂｅ、Ｓｔ等の酸化物である。一般にこの
種の酸化物は化学量論的にきちんとしたものになってい
ない。２６は後述の第２保護層である。
種の酸化物は化学量論的にきちんとしたものになってい
ない。２６は後述の第２保護層である。
具体的な実施例を述べる前に、加速した実用試験の試験
方法について簡単に触れる。試料はテープ状に細長くス
リットされ電磁変換特性が測定できるようにリールに巻
かれている。この状態で６０℃９０％の高温高湿雰囲気
中′に放置され一定期間を経過する毎に取り出し、特性
をチェックする０ちなみに最初は３日目に、それ以降は
１週問おきに取り出し、評価はＶＴＲデツキにかけ、録
画再生を行い、再生出力の低下から判断する。さらに出
力の出ないものに関しては、試料宍面を光学顕微鏡で観
察し、腐蝕状態、剥離状態を確認する。
方法について簡単に触れる。試料はテープ状に細長くス
リットされ電磁変換特性が測定できるようにリールに巻
かれている。この状態で６０℃９０％の高温高湿雰囲気
中′に放置され一定期間を経過する毎に取り出し、特性
をチェックする０ちなみに最初は３日目に、それ以降は
１週問おきに取り出し、評価はＶＴＲデツキにかけ、録
画再生を行い、再生出力の低下から判断する。さらに出
力の出ないものに関しては、試料宍面を光学顕微鏡で観
察し、腐蝕状態、剥離状態を確認する。
評価基準は、出力が初期と比べて６ｄＢ以上下がった時
点（もちろん画像が出ないものも）を寿命であると判断
した。
点（もちろん画像が出ないものも）を寿命であると判断
した。
実施例１
第１図に示した装置による試料の作製条件を第１表にま
とめて示す。
とめて示す。
以下余白
この実験では、同一保護層のもとての、磁性層の影響に
ついて調べたものである。すなわち、磁性層を形成する
時の雰囲気を変化させたものである。その結果は第３図
に示す。
ついて調べたものである。すなわち、磁性層を形成する
時の雰囲気を変化させたものである。その結果は第３図
に示す。
第３図の横軸は磁性層中に含まれる酸素原子数の強磁性
原子数（コバルトとニッケルの原子数の和）に対する比
である。これはオージェ電子分光法、Ｘ線マイクロマナ
ライザ、イオンマイクロアナライザ等で調べた。又、深
さ方向に均一でないために平均値を採用した。縦軸は前
述の加速試験で寿命と判定される迄の経過時間である。
原子数（コバルトとニッケルの原子数の和）に対する比
である。これはオージェ電子分光法、Ｘ線マイクロマナ
ライザ、イオンマイクロアナライザ等で調べた。又、深
さ方向に均一でないために平均値を採用した。縦軸は前
述の加速試験で寿命と判定される迄の経過時間である。
図においてＡは第１保護層無しの場合、Ｂは第１保護層
有りの場合である。この図から第１保護層の効果は全体
に見られるが、その程度は強く下の磁性層に依存してい
ることがわかる。すなわち、磁性層の酸素含有率が６％
以上となると極めて顕著は効果が発揮されている。保護
層の膜厚を３０Ａから３００Ａ迄検討したが同様の傾向
があることがわかった。ただ、膜厚の薄い方が絶対的な
寿命が短いのは言うまでもない。又、他の保護層材料、
例エバＡ Ｉ ２０ ａ、 Ｓ １０２． Ｎ ｉｏ、
Ｍ ｇ ｏ、 Ｔ １０２をターゲットにした場合も
、Ｃｒ、Ａ４ Ｂｅ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ。
有りの場合である。この図から第１保護層の効果は全体
に見られるが、その程度は強く下の磁性層に依存してい
ることがわかる。すなわち、磁性層の酸素含有率が６％
以上となると極めて顕著は効果が発揮されている。保護
層の膜厚を３０Ａから３００Ａ迄検討したが同様の傾向
があることがわかった。ただ、膜厚の薄い方が絶対的な
寿命が短いのは言うまでもない。又、他の保護層材料、
例エバＡ Ｉ ２０ ａ、 Ｓ １０２． Ｎ ｉｏ、
Ｍ ｇ ｏ、 Ｔ １０２をターゲットにした場合も
、Ｃｒ、Ａ４ Ｂｅ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ。
Ｍｑ等をターゲットにした場合も同様の効果が得られた
。ただし、金属材料のターゲットとした場合は比較的導
入酸素ガス量を多くしなければならなかった。他に、窒
化物（Ｔ ｘ Ｎ、 ＢＮ、 Ｓ ｉ３Ｎ４ ）。
。ただし、金属材料のターゲットとした場合は比較的導
入酸素ガス量を多くしなければならなかった。他に、窒
化物（Ｔ ｘ Ｎ、 ＢＮ、 Ｓ ｉ３Ｎ４ ）。
炭化物（ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＷＣ）、はう化物（Ｔ ｉＢ
２゜５ＩＢ）等の保護層も検討したが、比較的膜厚の
厚い領域（約３００Ａ以上）においである程度効果が得
られたものの、同一膜厚の酸化物と比べてかなりレベル
が低かった。
２゜５ＩＢ）等の保護層も検討したが、比較的膜厚の
厚い領域（約３００Ａ以上）においである程度効果が得
られたものの、同一膜厚の酸化物と比べてかなりレベル
が低かった。
磁性層中の酸素の役割については、今のところはっきり
はしていないが、酸素を媒介として保護層材料と磁性層
材料が一部結合した領域があるために剥離強度が上がっ
ているものと思われる。
はしていないが、酸素を媒介として保護層材料と磁性層
材料が一部結合した領域があるために剥離強度が上がっ
ているものと思われる。
実施例２
実験条件を第２表に示す。
以下余白
第２表
この実施例では同一磁性層（酸素含有率は１゜チ前後）
に対する保護層の形成方法の違いによる耐蝕性への影響
を調べたものである。結果は第４図に示す。ここで、縦
軸は第３図と同様、耐蝕性の寿命であり、横軸は保護層
の作製方法の違い、すなわち、Ｗは実施例１に示したＣ
ｒあるいはＣｒ２Ｏ３のターゲ丹のＡｒ、０２の混合ガ
スプラズマによるスパッタリング法で形成した場合、Ｘ
はＣｒを酸素雰囲気中で電子ビーム蒸着法で形成した場
合、ＹはＸと同様Ｃｒを酸素雰囲気中で電子ビーム蒸着
しているが、蒸着中に蒸発源の真上に位置しているコイ
ル状の放電電極１ｏに１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を
印加し、コイルの回りにグロー放電を発生させ、この中
を蒸発原子が飛来するようにした場合、ＺもＸと同様で
あるが、この時は蒸着後に第１保護廣用蒸着キャン１６
の横に設置されているコイル状の放電電極１０の発生す
るグロー放電雰囲気中を保護層が通過する過程が加わっ
ている場合をそれぞれ指す。
に対する保護層の形成方法の違いによる耐蝕性への影響
を調べたものである。結果は第４図に示す。ここで、縦
軸は第３図と同様、耐蝕性の寿命であり、横軸は保護層
の作製方法の違い、すなわち、Ｗは実施例１に示したＣ
ｒあるいはＣｒ２Ｏ３のターゲ丹のＡｒ、０２の混合ガ
スプラズマによるスパッタリング法で形成した場合、Ｘ
はＣｒを酸素雰囲気中で電子ビーム蒸着法で形成した場
合、ＹはＸと同様Ｃｒを酸素雰囲気中で電子ビーム蒸着
しているが、蒸着中に蒸発源の真上に位置しているコイ
ル状の放電電極１ｏに１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を
印加し、コイルの回りにグロー放電を発生させ、この中
を蒸発原子が飛来するようにした場合、ＺもＸと同様で
あるが、この時は蒸着後に第１保護廣用蒸着キャン１６
の横に設置されているコイル状の放電電極１０の発生す
るグロー放電雰囲気中を保護層が通過する過程が加わっ
ている場合をそれぞれ指す。
図から明らかな様に、単なる電子ビーム蒸着による保護
層の形成法では十分効果が期待できず、酸素を含むガス
のグロー放電に関係した形成法、すなわち、酸素ガス放
電によるスパッタリング法。
層の形成法では十分効果が期待できず、酸素を含むガス
のグロー放電に関係した形成法、すなわち、酸素ガス放
電によるスパッタリング法。
酸素ガスのグロー放電雰囲気中の蒸着、あるいは蒸着後
の酸素ガスグロー放電雰囲気通過が、程度の差こそあれ
重要であることがわかる。
の酸素ガスグロー放電雰囲気通過が、程度の差こそあれ
重要であることがわかる。
実験は実施例１と同様他の材料（例えばＴｉ。
Ｎｉ、 Ｓ ｔ、 ＡＩ、 Ｍｇ、 Ｂｅ −−−−）
についても検討したが同様の効果が得られた。又、放電
電極１ｏに印加する電圧も、直流、商用周波の交流と検
討したが同様の効果が得られた。なお、電子ビーム蒸着
による保護層の形成はスパッタリング法と比較して成膜
速度を向上することができる長所があり、発明者らの実
験でも１０００Ａ／ｓｅｃの成膜速度においても効果が
確認されている。これも、グロー放電条件、酸素の導入
量等でさらに上げることが可能と思われる。
についても検討したが同様の効果が得られた。又、放電
電極１ｏに印加する電圧も、直流、商用周波の交流と検
討したが同様の効果が得られた。なお、電子ビーム蒸着
による保護層の形成はスパッタリング法と比較して成膜
速度を向上することができる長所があり、発明者らの実
験でも１０００Ａ／ｓｅｃの成膜速度においても効果が
確認されている。これも、グロー放電条件、酸素の導入
量等でさらに上げることが可能と思われる。
この様に本発明は、高温高温の環境試験において効果が
顕著に現われているが、さらに各種腐蝕性カス雰囲気中
試験（ＳＯ２，ＮＨ３，Ｈ２Ｓ、ＨＣｌ。
顕著に現われているが、さらに各種腐蝕性カス雰囲気中
試験（ＳＯ２，ＮＨ３，Ｈ２Ｓ、ＨＣｌ。
Ｎ０２．を数ＰＰＭ含む）においても改善効果が見られ
る。
る。
本発明は前記した第１保護層の上に更に後述の第２保護
層を配することで飛躍的に実用性能を改良するものであ
る。
層を配することで飛躍的に実用性能を改良するものであ
る。
次に第２保護層による改良について詳述する。
この保護層により、耐蝕性の改良は勿論、異なる環境下
での走行安定性を確保できるものである。
での走行安定性を確保できるものである。
即ち前述したＣｏ、又はＣＯを主成分とする酸素を含む
合金薄膜上に酸化物薄膜から成る第１の保護層を配した
ものを用い、その上に、更に耐蝕性に有効な材料である
ところの、パーフルオロアルキルカルボン酸のアンモニ
ウム塩又は金属塩、もＬ＜ｆｄパーフルオロアルキルス
ルホン酸のアンモニウム塩又は金属塩を吸着させて更に
高度な耐食性、走行安定性を得んとするものであり、前
記フッ素化した化合物の特徴である低表面エネルギー性
を利用して、磁気記録媒体の走・行時の摩擦力の低減を
利用するものである。
合金薄膜上に酸化物薄膜から成る第１の保護層を配した
ものを用い、その上に、更に耐蝕性に有効な材料である
ところの、パーフルオロアルキルカルボン酸のアンモニ
ウム塩又は金属塩、もＬ＜ｆｄパーフルオロアルキルス
ルホン酸のアンモニウム塩又は金属塩を吸着させて更に
高度な耐食性、走行安定性を得んとするものであり、前
記フッ素化した化合物の特徴である低表面エネルギー性
を利用して、磁気記録媒体の走・行時の摩擦力の低減を
利用するものである。
パーフルオロアルキルカルボン酸は通常の脂肪酸Ｃ，１
ＬＨ２ｎ＋１ＣＯｏＨのアルキル基の水素を全てフッ素
で置換したものでＣ１Ｆ２．１＋、Ｃ０ＯＨで表わされ
る。同様にパーアルキルスルホン酸ハＣｎＦ２ｎ＋、５
０３Ｈで表わされる。化学的性質は通常の炭化水素鎖カ
ルボン酸およびスルホン酸と良く似ているが、フッ素化
されているので、フッ素の特徴である、電気陰性度が大
きいことと、原子半径が水素より少し大きいことにより
、溶媒への可溶性などに多少の変化が生じる。
ＬＨ２ｎ＋１ＣＯｏＨのアルキル基の水素を全てフッ素
で置換したものでＣ１Ｆ２．１＋、Ｃ０ＯＨで表わされ
る。同様にパーアルキルスルホン酸ハＣｎＦ２ｎ＋、５
０３Ｈで表わされる。化学的性質は通常の炭化水素鎖カ
ルボン酸およびスルホン酸と良く似ているが、フッ素化
されているので、フッ素の特徴である、電気陰性度が大
きいことと、原子半径が水素より少し大きいことにより
、溶媒への可溶性などに多少の変化が生じる。
金属塩となる金属はフルオロカルボン酸あるいはフルオ
ロスルホン酸と反応して塩を形成するものなら何でも良
いが、特に吸着させる相手の第１保護層を構成する酸化
物を構成する金属原子と性質の似かよった金属塩が好ま
しい。
ロスルホン酸と反応して塩を形成するものなら何でも良
いが、特に吸着させる相手の第１保護層を構成する酸化
物を構成する金属原子と性質の似かよった金属塩が好ま
しい。
パーフルオロアルキルカルボン酸もしくはスルホン酸の
アンモニウム塩あるいは金属塩は水あるいは有機溶媒中
に溶かすか、あるいは分散させておき、第１保護膜上に
塗布するか、液中に浸漬することによって吸着反応を行
わせしめる。アルキル基の数が多くなると徐々に水に対
する溶解度が低下するが、第１保護膜と反応して吸着す
る分子の数はそれ程多くないので、有効成分は微量含ま
れていれば十分である。反応後溶媒は熱風乾燥して取り
除く。上記処理を施すことにより第１保護膜の表面は改
質されるが、その一番顕著なものは、水に対する接触角
の増大である。処理を施さない薄膜の接触角は４０°〜
６０°であるが、本発明による処理を行うと、アルキル
基の炭素数が少ないもので６０°以上、炭素数が多いも
のでは９０゜以上になって、著しい撥水性の発現が可能
である。
アンモニウム塩あるいは金属塩は水あるいは有機溶媒中
に溶かすか、あるいは分散させておき、第１保護膜上に
塗布するか、液中に浸漬することによって吸着反応を行
わせしめる。アルキル基の数が多くなると徐々に水に対
する溶解度が低下するが、第１保護膜と反応して吸着す
る分子の数はそれ程多くないので、有効成分は微量含ま
れていれば十分である。反応後溶媒は熱風乾燥して取り
除く。上記処理を施すことにより第１保護膜の表面は改
質されるが、その一番顕著なものは、水に対する接触角
の増大である。処理を施さない薄膜の接触角は４０°〜
６０°であるが、本発明による処理を行うと、アルキル
基の炭素数が少ないもので６０°以上、炭素数が多いも
のでは９０゜以上になって、著しい撥水性の発現が可能
である。
本効果が生じる原因として考えられることは、カルボン
酸のカルボキシル基あるいはスルホン酸基が薄膜と反応
し、分子鎖の反対側のアルキル基（−ｃｎＦ２ｎ＋、）
が外向きに配向するために疎水性が生じると考えられる
。注目すべきことはアルキル基の水素が７ノ素で置換さ
れていることであり、これはポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）の例で見られる如く反応性が少ないこと
から疎水性が通常の−ＣｎＨ２ｎ＋１基より大きくなっ
ている。
酸のカルボキシル基あるいはスルホン酸基が薄膜と反応
し、分子鎖の反対側のアルキル基（−ｃｎＦ２ｎ＋、）
が外向きに配向するために疎水性が生じると考えられる
。注目すべきことはアルキル基の水素が７ノ素で置換さ
れていることであり、これはポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）の例で見られる如く反応性が少ないこと
から疎水性が通常の−ＣｎＨ２ｎ＋１基より大きくなっ
ている。
またＰＴＦＥではその疎水性のゆえ潤滑性が優れている
が、本発明において用いるノ（−フルオロアルキルカル
ボン酸あるいはパーフルオロアルキルスルホン酸におい
てもアルキル基の炭素数が多くなるにつれて摩擦係数の
減少が見られた。ここで更に注目すべきことはアルキル
基が水素からフッ素に置換されているために、アルキル
基の炭素数が８個程度でも通常の水素を持つステアリン
酸（Ｃ１７Ｈ３６ＣＯＯＨ）と同等の撥水性と潤滑性が
得られる。また炭素数が少ないために金属塩が水に可溶
であって、水素を持つステアリン酸の金属塩のように金
属石鹸となって水に不溶ではないので、水溶液として第
１保護膜と反応させられるという重要な特徴がある。以
下に実施例を示し本発明による処理の効果を記す０ 〔実施例３〕 実施例１，２で得たものを第２保護層形成用の基材とし
て用い、フルオロアルキルカルボン酸（炭素数８−〜タ
デ力フルオロオクタン酸）のコノくルト塩、ニッケル塩
、アンモニウム塩を吸着させたＯ ここで吸着層の処理条件は次の通りである。
が、本発明において用いるノ（−フルオロアルキルカル
ボン酸あるいはパーフルオロアルキルスルホン酸におい
てもアルキル基の炭素数が多くなるにつれて摩擦係数の
減少が見られた。ここで更に注目すべきことはアルキル
基が水素からフッ素に置換されているために、アルキル
基の炭素数が８個程度でも通常の水素を持つステアリン
酸（Ｃ１７Ｈ３６ＣＯＯＨ）と同等の撥水性と潤滑性が
得られる。また炭素数が少ないために金属塩が水に可溶
であって、水素を持つステアリン酸の金属塩のように金
属石鹸となって水に不溶ではないので、水溶液として第
１保護膜と反応させられるという重要な特徴がある。以
下に実施例を示し本発明による処理の効果を記す０ 〔実施例３〕 実施例１，２で得たものを第２保護層形成用の基材とし
て用い、フルオロアルキルカルボン酸（炭素数８−〜タ
デ力フルオロオクタン酸）のコノくルト塩、ニッケル塩
、アンモニウム塩を吸着させたＯ ここで吸着層の処理条件は次の通りである。
（１） 組成Ａ ペンタデカフルオロオクタン酸コバ
ルト塩 濃度 （ａ）１ミリモル／ｌ（ホ） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／ｌ（水） （Ｃ）０．１ミリモル／ｌＣ水） ＠）組成 Ｂ ペタンデカフルオロオクタン酸ニッケル
塩 濃度 （ａ）１ミリモル／ｌＣ水）（ｂ） ｏ、
ｓミリモル／１（水） （Ｃ）０．１ ミリモル／１（水） （３）組成Ｃペンタデカフルオロオクタン酸アンモニウ
ム塩 （ａ）１ ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｔｓミリモル／１（水）（） ｏ、１
ミリモル／１（水） なおここで、本明細書中、濃度を表わすミリモル／ｌと
いつ値はパーフルオロアルキルカルボン酸またはパーフ
ルオロアルキルスルホン酸に換算しての値を示しており
、塩に対するモル数を示すのではない。
ルト塩 濃度 （ａ）１ミリモル／ｌ（ホ） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／ｌ（水） （Ｃ）０．１ミリモル／ｌＣ水） ＠）組成 Ｂ ペタンデカフルオロオクタン酸ニッケル
塩 濃度 （ａ）１ミリモル／ｌＣ水）（ｂ） ｏ、
ｓミリモル／１（水） （Ｃ）０．１ ミリモル／１（水） （３）組成Ｃペンタデカフルオロオクタン酸アンモニウ
ム塩 （ａ）１ ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｔｓミリモル／１（水）（） ｏ、１
ミリモル／１（水） なおここで、本明細書中、濃度を表わすミリモル／ｌと
いつ値はパーフルオロアルキルカルボン酸またはパーフ
ルオロアルキルスルホン酸に換算しての値を示しており
、塩に対するモル数を示すのではない。
本実施例中で用いられる蒸着膜中の酸素濃度は平均的に
は１ｏ原子パ一セント程度であるが、表面付近には平均
値より酸素濃度が大きくなっている。
は１ｏ原子パ一セント程度であるが、表面付近には平均
値より酸素濃度が大きくなっている。
第３表に環境試験の結果と、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０
４に対する動摩擦係数の大きさを示す。
４に対する動摩擦係数の大きさを示す。
なお第３表には表面エネルギーの変化を知る目的で、水
に対する接触角の値も合せて示しである。
に対する接触角の値も合せて示しである。
以下余白
第３表から明らかなように、本実施例に示す処理を行う
ことにより得られる媒体の耐食性が改良されることがわ
かる。しかしフルオロカルボン酸塩の対イオンによって
耐食性に幾分かの差が生じていることも理解できる。ま
た潤滑性の付与も可能であって効果があることがわかる
。
ことにより得られる媒体の耐食性が改良されることがわ
かる。しかしフルオロカルボン酸塩の対イオンによって
耐食性に幾分かの差が生じていることも理解できる。ま
た潤滑性の付与も可能であって効果があることがわかる
。
〔実施例４〕
実施例３の場合と同様の基材上にヘプタデカフルオロア
ルキルスルホン酸（０８Ｆ１７ＳＯ３Ｈ）のコバルト塩
、ニッケル塩、およびアンモニウム塩を吸着させた。
ルキルスルホン酸（０８Ｆ１７ＳＯ３Ｈ）のコバルト塩
、ニッケル塩、およびアンモニウム塩を吸着させた。
吸着層の処理条件は次の通りである。
（１）組成Ａ へブタデカフルオロアルキルスルホン
酸コバルト塩 濃度 （ａ）１ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／２（水） （Ｃ）０．１ミリモル／ｚ（水） （２）組成り ヘプタデカフルオロアルキルスルホン酸
ニッケル塩 濃度 （ａ）１ミリモル／２（水） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／ｌ（水） （Ｃ）０．１ ミリモル／２（水） （３） ｍ成ｃ ヘプタデカフルオロアルキルスル
ホン酸アンモニウム塩 （ａ）１ ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｅｓミリモル／ｌＣ水）（Ｃ）０．１
ミリモル／ｌＣ水） 実施例１と同様の摩擦係数の測定と６０℃、９０％Ｒ，
Ｈに、おける゛環境試験の結果を第４表に示す。
酸コバルト塩 濃度 （ａ）１ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／２（水） （Ｃ）０．１ミリモル／ｚ（水） （２）組成り ヘプタデカフルオロアルキルスルホン酸
ニッケル塩 濃度 （ａ）１ミリモル／２（水） （ｂ） ｏ、ｓミリモル／ｌ（水） （Ｃ）０．１ ミリモル／２（水） （３） ｍ成ｃ ヘプタデカフルオロアルキルスル
ホン酸アンモニウム塩 （ａ）１ ミリモル／１（水） （ｂ） ｏ、ｅｓミリモル／ｌＣ水）（Ｃ）０．１
ミリモル／ｌＣ水） 実施例１と同様の摩擦係数の測定と６０℃、９０％Ｒ，
Ｈに、おける゛環境試験の結果を第４表に示す。
以下余白
第４表から明らかなように、ヘプタデカフルオロスルホ
ン酸の金属塩及びアンモニウム塩の酸素含有コバルト薄
膜への耐食性付与効果があることがわかるが、対イオン
の種類によって効果が異なり、金属イオンの方が著しい
効果を示す。
ン酸の金属塩及びアンモニウム塩の酸素含有コバルト薄
膜への耐食性付与効果があることがわかるが、対イオン
の種類によって効果が異なり、金属イオンの方が著しい
効果を示す。
〔実施例６〕
実施例１の中で酸素を１６原子チ含む磁性層を対象にし
て、パーフルオロアルキルカルボン酸（炭素数８：ペン
タデカフルオロオクタン酸、および炭素数１０：ノナデ
カフルオロデカン酸）のコバルト塩、ニッケル塩、アン
モニウム塩、ｌ＜はパーフルオロアルキルスルホン酸（
炭素数８：ヘプタデカフルオロスルホン酸およびエイコ
サフルオロスルホン酸）のコバルト酸、ニッケル塩。
て、パーフルオロアルキルカルボン酸（炭素数８：ペン
タデカフルオロオクタン酸、および炭素数１０：ノナデ
カフルオロデカン酸）のコバルト塩、ニッケル塩、アン
モニウム塩、ｌ＜はパーフルオロアルキルスルホン酸（
炭素数８：ヘプタデカフルオロスルホン酸およびエイコ
サフルオロスルホン酸）のコバルト酸、ニッケル塩。
アンモニウム塩を吸着させた。
本実施例ではパーフルオロアルキルカルボン酸およびパ
ーフルオロアルキルスルホン酸の濃度を０．５ ミＩＪ
モル／１（水）に固定した。
ーフルオロアルキルスルホン酸の濃度を０．５ ミＩＪ
モル／１（水）に固定した。
組成を第６表に示す。
以下余白
上記処理液によって、コバルト・ニッケル酸素合金、磁
性薄膜を処理した。実施例３と同様の環境試験と摩擦係
数の測定を行った。本実施例では環境試験に温度４０’
Ｃ，相対湿度９ｏ％の項目も追加して効果を調べたが、
処理による効果は十分確認できた。
性薄膜を処理した。実施例３と同様の環境試験と摩擦係
数の測定を行った。本実施例では環境試験に温度４０’
Ｃ，相対湿度９ｏ％の項目も追加して効果を調べたが、
処理による効果は十分確認できた。
結果を第６表に示す。第６表から明らかなように、本発
明によれば十分実用性のある媒体が得られる。
明によれば十分実用性のある媒体が得られる。
以下余白
〔実施例６〕
２６ミクロン厚のポリイミドフィルム上にコバルト（９
０％）−クロム（１０％）の合金薄膜を実施例１の条件
で酸素中真空蒸着法で形成し、その磁性膜上にパーフル
オロアルキルカルボン酸（炭素数８：ペンタデカフルオ
ロオクタン酸および炭素数１０：ノナデカフルオロデカ
ン酸）のコバルト（６０％）−クロム（６０％）および
アンモニウム塩を吸着させた。蒸着膜の作成条件は以下
の通りである。
０％）−クロム（１０％）の合金薄膜を実施例１の条件
で酸素中真空蒸着法で形成し、その磁性膜上にパーフル
オロアルキルカルボン酸（炭素数８：ペンタデカフルオ
ロオクタン酸および炭素数１０：ノナデカフルオロデカ
ン酸）のコバルト（６０％）−クロム（６０％）および
アンモニウム塩を吸着させた。蒸着膜の作成条件は以下
の通りである。
（１）組成 コバルト（ｓｏ％）−クロム（１０％）（
２）基板 ２５μｍ厚 ポリイミドフィルム（３）蒸着
スピード １０００Ａ ／５ｅａ（４）膜厚 ２００Ｏ
Ａ なお第１保護層は膜厚を実施例１の条件で、のＡに制御
した。
２）基板 ２５μｍ厚 ポリイミドフィルム（３）蒸着
スピード １０００Ａ ／５ｅａ（４）膜厚 ２００Ｏ
Ａ なお第１保護層は膜厚を実施例１の条件で、のＡに制御
した。
吸着層の処理条件は次の通りである。
（１）組成Ａ ベンタデ力フルオ叶クタン酸拳コバルト
・クロム塩 コバルトニクロム−１：１ 濃度 ０．５ミリモル／１（水） ＠） 組成り ノナデカフルオロデカン酸コバルト
・クロム塩 コバルトニクロム＝１：１ 濃度 ０．６ミリモル／１（水） （３）組成Ｃペンタデカフルオロオクタン酸アンモニウ
ム塩 濃度 ０．５ミリモル／１（水） 前記実施例と同様の摩擦係数の測定と６０１：。
・クロム塩 コバルトニクロム−１：１ 濃度 ０．５ミリモル／１（水） ＠） 組成り ノナデカフルオロデカン酸コバルト
・クロム塩 コバルトニクロム＝１：１ 濃度 ０．６ミリモル／１（水） （３）組成Ｃペンタデカフルオロオクタン酸アンモニウ
ム塩 濃度 ０．５ミリモル／１（水） 前記実施例と同様の摩擦係数の測定と６０１：。
９０％Ｒ，Ｈにおける環境試験の結果を第７表に示す。
以下余白
コバルト・クロム合金はもともと耐食性が良好な合金で
あるがそれでも十分な耐食性を有しているとは言い難い
。本発明による処理をすると、実用に十分な耐食性が得
られるとともに、第１保護層を更に短波長記録時に問題
となるスマーシンクロスを無視できる厚みにまで制御で
きる効果が認められる。
あるがそれでも十分な耐食性を有しているとは言い難い
。本発明による処理をすると、実用に十分な耐食性が得
られるとともに、第１保護層を更に短波長記録時に問題
となるスマーシンクロスを無視できる厚みにまで制御で
きる効果が認められる。
〔実施例７〕
７・８ミクロン厚のポリアミドフィルム上にコバルＢｓ
ｏ％）−ニッケル（２０％） 膜を酸ｉ中真空蒸着法で
形成し第１保護層を実施例２に従っテ形成シソの上ニハ
ーフルオロアルキルヵルボン酸の金属塩又はアンモニウ
ム塩の炭素数の異なるものの２種以上の混合物を吸着さ
せた。本実施例では溶媒として水以外に、第１保護層表
面への濡れ性を改善する目的で極性の有機溶剤を添加し
た。磁性膜としては実施例２で用いたものと同一条件で
作成したものである。処理液の組成を第８表に示す。
ｏ％）−ニッケル（２０％） 膜を酸ｉ中真空蒸着法で
形成し第１保護層を実施例２に従っテ形成シソの上ニハ
ーフルオロアルキルヵルボン酸の金属塩又はアンモニウ
ム塩の炭素数の異なるものの２種以上の混合物を吸着さ
せた。本実施例では溶媒として水以外に、第１保護層表
面への濡れ性を改善する目的で極性の有機溶剤を添加し
た。磁性膜としては実施例２で用いたものと同一条件で
作成したものである。処理液の組成を第８表に示す。
処理液中のトリフルオロ酢酸（ＣＦ３ＣＯＯＨ）やへブ
タフルオロ酪酸（Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＨ）の金属塩やアンモ
ニウム塩の働きは磁性面上への炭素数の多いフルオロカ
ーボンの吸着を助けることである。撥水性には主に炭素
数の多い分子が寄与するものと考えられる。第９表に前
記実施例と同様の評価結果を示す。
タフルオロ酪酸（Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＨ）の金属塩やアンモ
ニウム塩の働きは磁性面上への炭素数の多いフルオロカ
ーボンの吸着を助けることである。撥水性には主に炭素
数の多い分子が寄与するものと考えられる。第９表に前
記実施例と同様の評価結果を示す。
以下余白
以上の様に本発明により酸素雰囲気中で真空蒸着したコ
バルト又はコバルトを主成分とする合金の強磁性薄膜上
の酸化物膜を配した面に処理したものは耐食性、および
摩擦力低減に効果があることがわかる。
バルト又はコバルトを主成分とする合金の強磁性薄膜上
の酸化物膜を配した面に処理したものは耐食性、および
摩擦力低減に効果があることがわかる。
一方、本発明によるものの２０℃６０％ＲＨ〜６０℃９
０％ＲＨ環境中での実際の走行性を調べたところ、きわ
めて安定した走行性を示すことも確認されている。
０％ＲＨ環境中での実際の走行性を調べたところ、きわ
めて安定した走行性を示すことも確認されている。
なお前記実施例中では合金薄膜材料として、酸素中真空
蒸着で作成したコバルト、コバルト・ニッケル合金、コ
バルト・クロム合金について述べたが、Ｃｏ−Ｎｉ −
Ｃｒ−Ｑ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ−σ合金、Ｃｏ−Ｆｅ
−σ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−σ合金。
蒸着で作成したコバルト、コバルト・ニッケル合金、コ
バルト・クロム合金について述べたが、Ｃｏ−Ｎｉ −
Ｃｒ−Ｑ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ−σ合金、Ｃｏ−Ｆｅ
−σ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−σ合金。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ−０合金、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｖ−０合
金。
金。
Ｃｏ −Ｎ １−Ｍｎ−σ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−０合金、
Ｃｏ−Ｒｈ−σ合金、Ｃｏ−Ｗ−〇合金、Ｃｏ−Ｍｏ−
０合金、Ｃｏ−Ｎｂ−σ合金、Ｃｏ−Ｒ−０合金（Ｒ＝
希土類元素Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｓｍ等）などのようにコ
バルトを主成分とし、従成分としてＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃ
ｒ。
Ｃｏ−Ｒｈ−σ合金、Ｃｏ−Ｗ−〇合金、Ｃｏ−Ｍｏ−
０合金、Ｃｏ−Ｎｂ−σ合金、Ｃｏ−Ｒ−０合金（Ｒ＝
希土類元素Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｓｍ等）などのようにコ
バルトを主成分とし、従成分としてＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃ
ｒ。
Ｖ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ｐｄ、 Ｒｈ、 Ｗ、 Ｎｂ、
Ｍｏ、希土類元素Ａｔ、 Ｓｔ、 Ｂ、 Ｐなどを含
む合金薄膜でも同様の効果を確認している０またこれ以
外のコノ；ルトを主成分とする酸素含有合金薄膜でも同
様の効果が十分期待できると考えられる。
Ｍｏ、希土類元素Ａｔ、 Ｓｔ、 Ｂ、 Ｐなどを含
む合金薄膜でも同様の効果を確認している０またこれ以
外のコノ；ルトを主成分とする酸素含有合金薄膜でも同
様の効果が十分期待できると考えられる。
以上のように本発明によると耐蝕性および走行性にすぐ
れた磁気記録媒体を容易に得ることができる０
れた磁気記録媒体を容易に得ることができる０
第１図は本発明による磁気記録媒体を製造するのに用い
られる装置の一例を示す図、第２図は本発明による磁気
記録媒体の断面図、第３図、第４図はそれぞれ前記磁気
記録体の耐蝕性試験結果を示す図である。 １．２・・・・・・真空室、６・・−・・・強磁性材料
、了。 ９・−・・・・耐蝕性材料、１１・・・・・・基板、１
６．１６・・・・・・キャン、２３・・・・・・金属磁
性層、２４・・・・第１保護層、２６・−・・・・第２
保護層０代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか
１名第３図 酸素を男ｆ−（ｈ〕 第４図
られる装置の一例を示す図、第２図は本発明による磁気
記録媒体の断面図、第３図、第４図はそれぞれ前記磁気
記録体の耐蝕性試験結果を示す図である。 １．２・・・・・・真空室、６・・−・・・強磁性材料
、了。 ９・−・・・・耐蝕性材料、１１・・・・・・基板、１
６．１６・・・・・・キャン、２３・・・・・・金属磁
性層、２４・・・・第１保護層、２６・−・・・・第２
保護層０代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか
１名第３図 酸素を男ｆ−（ｈ〕 第４図
Claims (1)
- 非磁性基板上に設けたコバルトを主成分とする強磁性層
上に金属酸化物からなる第１保護層を設け、かつ前記第
１保護層上にパーフルオロアルキルカルボン酸、もしく
はパーフルオロアルキルスルフォン酸のアンモニウム塩
又は金属塩からなる第２保護層を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195888A JPS5897133A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195888A JPS5897133A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897133A true JPS5897133A (ja) | 1983-06-09 |
| JPH028367B2 JPH028367B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16348648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195888A Granted JPS5897133A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897133A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131923A2 (en) * | 1983-07-14 | 1985-01-23 | Magnox Incorporated (DE) | Coating compositions |
| JPS61104328A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS61104319A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS61151830A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-10 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニー | 強磁性記録媒体 |
| JPS62229525A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56195888A patent/JPS5897133A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131923A2 (en) * | 1983-07-14 | 1985-01-23 | Magnox Incorporated (DE) | Coating compositions |
| JPS61104328A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS61104319A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPH0610868B2 (ja) * | 1984-10-22 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
| JPS61151830A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-10 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニー | 強磁性記録媒体 |
| JPS62229525A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028367B2 (ja) | 1990-02-23 |
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