JPH0610868B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH0610868B2 JPH0610868B2 JP59221731A JP22173184A JPH0610868B2 JP H0610868 B2 JPH0610868 B2 JP H0610868B2 JP 59221731 A JP59221731 A JP 59221731A JP 22173184 A JP22173184 A JP 22173184A JP H0610868 B2 JPH0610868 B2 JP H0610868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lubricant
- rust preventive
- magnetic
- following structure
- rust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついてはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘツ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついてはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘツ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
また、ヘッドまたは磁気記憶体に使われている基板ある
いは軟磁性金属あるいは硬磁性金属は腐食し易い為、従
来から特願昭56-042963に示される様な防錆剤が提案さ
れてきた。
いは軟磁性金属あるいは硬磁性金属は腐食し易い為、従
来から特願昭56-042963に示される様な防錆剤が提案さ
れてきた。
一方ヘッドと磁気記憶体の接触，摺動から両者が傷付く
ことを防ぐために、特開昭52-49805に示すパーフロロア
ルキルポリエーテルの様なふっ素を含む潤滑剤が塗布さ
れているが、これのみでは防錆作用を全く有しない。ま
た前記の防錆剤のみでは傷の防止には全く効果が無く、
さらに前記ふっ素を含む潤滑剤と組み合せ様としても両
者の相溶性が悪く組合せは非常に困難であった。
ことを防ぐために、特開昭52-49805に示すパーフロロア
ルキルポリエーテルの様なふっ素を含む潤滑剤が塗布さ
れているが、これのみでは防錆作用を全く有しない。ま
た前記の防錆剤のみでは傷の防止には全く効果が無く、
さらに前記ふっ素を含む潤滑剤と組み合せ様としても両
者の相溶性が悪く組合せは非常に困難であった。
（本発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れ、かつ防錆作用を有する
潤滑層を有する磁気記憶体を提供することにある。
潤滑層を有する磁気記憶体を提供することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、下地体の上に磁
性媒体を被覆し、更に、前記磁性媒体上に直接又は保護
膜を介してふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる
潤滑層を被覆してなる構造を有するようにしたものであ
る。
性媒体を被覆し、更に、前記磁性媒体上に直接又は保護
膜を介してふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる
潤滑層を被覆してなる構造を有するようにしたものであ
る。
（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１の１例と
してはアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni-Pメッ
キ膜、Cr,FeNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又は
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプ
ラスチック、又はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス
板などのセラミックス類などがある。次にこの下地体１
の上に磁性媒体２の１例としてFe3O4,γ-Fe2O3などの鉄
酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn-P,Co-Re,C
o-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-Pt-Cr,Co-Pt
-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は合金を被覆
する。さらに該磁性媒体２の上にふっ素を有する防錆剤
またはふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる潤滑
層４が被覆されている。
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１の１例と
してはアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni-Pメッ
キ膜、Cr,FeNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又は
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプ
ラスチック、又はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス
板などのセラミックス類などがある。次にこの下地体１
の上に磁性媒体２の１例としてFe3O4,γ-Fe2O3などの鉄
酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn-P,Co-Re,C
o-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-Pt-Cr,Co-Pt
-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は合金を被覆
する。さらに該磁性媒体２の上にふっ素を有する防錆剤
またはふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる潤滑
層４が被覆されている。
本発明で用いられるふっ素を有する防錆剤の一つとして
はパーフロロアルキル化合物誘導体すなわち次式の様な
構造を有するものが有る。
はパーフロロアルキル化合物誘導体すなわち次式の様な
構造を有するものが有る。
Ｒｆ−COOB …(1) BOOC-Rf′-COOB …(2) （Ｒｆ）3-p(Y)pN …(3) （ｐは０又は１又は２である） （Ｒｆ）３−ｐ(Y)pN-NHO2 …(4) Ｒｆ−Ａ …(5) Ａ−Ｒｆ′−Ａ …(6) ここでＢはＨ，NH2 Ｒｆはパーフロロアルキル化合物であり例えば次式で表
わせる CnF2n+1- …(7) Ｒｆ′はパーフロロアルキル化合物であり例えば次式で
表わせる。
わせる CnF2n+1- …(7) Ｒｆ′はパーフロロアルキル化合物であり例えば次式で
表わせる。
-CnF2n- …(11) Ｙはアルキル基CtH2t+1（ｔは０又は１以上の整数）又
はシクロヘキシル基（C6H11）又はフェニル基（C6H5）
である。
はシクロヘキシル基（C6H11）又はフェニル基（C6H5）
である。
(7)〜(13)式中ｎおよびｍおよびｑおよびｒおよびｓは
１以上の整数である ３，ｌは０又は１以上の整数），-OH,-SO3M（ＭはＨ又
はNa又はＫ又はLi又はNH4），-COOR′（Ｒ′は(22)と同
様）である。ここでＲは-CnH2n+1（ｎは１以上の整
数）である。
１以上の整数である ３，ｌは０又は１以上の整数），-OH,-SO3M（ＭはＨ又
はNa又はＫ又はLi又はNH4），-COOR′（Ｒ′は(22)と同
様）である。ここでＲは-CnH2n+1（ｎは１以上の整
数）である。
また別のふっ素を有する防錆剤はクロロトリフルオロエ
チレン低重合体すなわち次式で表わせる ここでｕは１以上の整数 またさらに別のふっ素を有する防錆剤は環状ホスホニト
リレートエステルすなわち次式で表わせる。
チレン低重合体すなわち次式で表わせる ここでｕは１以上の整数 またさらに別のふっ素を有する防錆剤は環状ホスホニト
リレートエステルすなわち次式で表わせる。
又は ここでＸは Ｒｆ又はＲｆ-CH2-でありＲｆは(1)，(3)，(4)(5)式で
表わしたものと同様である。
表わしたものと同様である。
また別のふっ素を有する防錆剤はパーフロロアルキルエ
ーテルホスフェートエステルであり次式で表わせる。
ーテルホスフェートエステルであり次式で表わせる。
ここでＲｆは(7)，(8)，(9)，(10)式で表わしたものと
同様である。ｗは１又は２又は３である。
同様である。ｗは１又は２又は３である。
また別のふっ素を有する防錆剤はパーフロロ環状イミン
であり、次式で表わせる。
であり、次式で表わせる。
Ｒｆ′は(11)，(12)，(13)式で表わしたものと同様であ
る。
る。
また別のふっ素を有する防錆剤はパーフロロアルキルキ
レート化剤であり、次式で表わせる。
レート化剤であり、次式で表わせる。
Ｒｆは(7)，(8)，(9)，(10)式で表わしたものと同様で
ある またＫはＣ＝Ｏ，COOH，OH，SH，NH2などの官能基であ
る。
ある またＫはＣ＝Ｏ，COOH，OH，SH，NH2などの官能基であ
る。
Ｒは-ChH2h-, （ｈは１以上の整数）などのアルキル基である。
上記のふっ素を含む防錆剤は腐食を防ぐだけでなく、潤
滑作用をも有しており、単独で用いることも出来るが、
次の潤滑剤と混合して用いることにより一層の効果を発
揮することが出来る。
滑作用をも有しており、単独で用いることも出来るが、
次の潤滑剤と混合して用いることにより一層の効果を発
揮することが出来る。
また上記の防錆剤を組合せて用いることも出来る。また
ふっ素を含む防錆剤はふっ素を含まない防錆剤に比べよ
り防錆効果が優れていることが分った。これはふっ素の
強い電気陰性度により防錆剤分子がより強く下地表面に
吸着する為と思われる。
ふっ素を含む防錆剤はふっ素を含まない防錆剤に比べよ
り防錆効果が優れていることが分った。これはふっ素の
強い電気陰性度により防錆剤分子がより強く下地表面に
吸着する為と思われる。
本発明で用いるふっ素を有する防錆剤を含ませる潤滑剤
の一例としては次の様なものがある。
の一例としては次の様なものがある。
(1) パーフロロアルキルポリエーテル Ｒｆ−Ｇ …(20) Ｇ−Ｒｆ′−G* …(21) Ｒｆ，Ｒｆ′はそれぞれ(7)，(8)，(9)，(10)および(1
1)，(12)，(13)式で表わしたものと同様である。
1)，(12)，(13)式で表わしたものと同様である。
Ｇ，G*は−Ｆ又は-COOH,-COONH2,-OH,-NCO, -COOCH3,-OCONH-C2H4Si(OC2H5)3,-Si(R)3-x(OR)
x（ｘは１又は２又は３，Ｒは-CnH2n+1（ｎは１以上
の整数）），-SO3M（ＭはＨ，Ｋ，Li,Na又はNH4），-CO
OR′（Ｒ′は(22)と同様）などのいづれかの官能基であ
る。
x（ｘは１又は２又は３，Ｒは-CnH2n+1（ｎは１以上
の整数）），-SO3M（ＭはＨ，Ｋ，Li,Na又はNH4），-CO
OR′（Ｒ′は(22)と同様）などのいづれかの官能基であ
る。
(2) シリコーンオイル Ｒ′はCjZ2j+1（ＺはＨ，Ｆ，Cl，BrまたはＩである） Ｇ，G*は(20)，(21)で示したものと同じ構造の分子であ
る。
る。
Ｒ″はＲ′またはＧと同じ構造の分子である。
(3) パーフロロアルカン CnF2n+2 …(23) ｎは３以上の整数 上記以外にも脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂
肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級
脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪
族炭化水素，ポリアルキレングリコール，シリコーンオ
イル，ポリオキシエチレン，ネオペンチルポリオール脂
肪酸エステル，ポリフェニルエーテルなどがある。
肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級
脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪
族炭化水素，ポリアルキレングリコール，シリコーンオ
イル，ポリオキシエチレン，ネオペンチルポリオール脂
肪酸エステル，ポリフェニルエーテルなどがある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび潤滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記
潤滑層４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３の
１例としてはSiO2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケ
イ素化合物またはNiO,CuO,Cu2O,CoO,Co3O4,Co2O3,α-Fe
2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,Ta2O5,又はZrO2などの金属酸化物
またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金属窒化物またはB4C,
TiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物またはW,Cr,Ir,Ni
p,Ru,Rh,Mn,Mo,O3またはTa又はそれらの合金などの金属
又は合金が用いられる。
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび潤滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記
潤滑層４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３の
１例としてはSiO2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケ
イ素化合物またはNiO,CuO,Cu2O,CoO,Co3O4,Co2O3,α-Fe
2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,Ta2O5,又はZrO2などの金属酸化物
またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金属窒化物またはB4C,
TiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物またはW,Cr,Ir,Ni
p,Ru,Rh,Mn,Mo,O3またはTa又はそれらの合金などの金属
又は合金が用いられる。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆され表面祖さ0.02μｍに鏡
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑層
４として次の構造のパーフロロアルキル化合物誘導体か
らなる防錆剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる
潤滑剤の１対１混合物の0.1重量％よりクロルトリフロ
ロエタン（以下フレオンと称する）溶液を回転塗布法に
より被覆して磁気ディスクを作った。この磁気ディスク
を後述の評価法により評価したところ、優れた機械的耐
久性と耐食性を有することが確認された。
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑層
４として次の構造のパーフロロアルキル化合物誘導体か
らなる防錆剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる
潤滑剤の１対１混合物の0.1重量％よりクロルトリフロ
ロエタン（以下フレオンと称する）溶液を回転塗布法に
より被覆して磁気ディスクを作った。この磁気ディスク
を後述の評価法により評価したところ、優れた機械的耐
久性と耐食性を有することが確認された。
防錆剤 潤滑剤 実施例２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の１対１混合
物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスクを
作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の１対１混合
物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスクを
作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の１対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の１対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.5重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.5重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 C8H17COONH2 潤滑剤 実施例５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.1対１混
合物の0.3重量％トルエン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.1対１混
合物の0.3重量％トルエン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
防錆剤 C16F33C2H4Si(OCH3)3 潤滑剤 実施例６ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルカンからなる潤滑剤の１対１混
合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルカンからなる潤滑剤の１対１混
合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
防錆剤 潤滑剤 C10F20 実施例７ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.2重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.2重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 C8F17-NH-C8F17 潤滑剤 実施例８ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 (C7F17)3N・HNO2 潤滑剤 実施例９ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パークロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パークロロアルキル化合物誘導体からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１０ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
クロロトリフルオロエチレン低重合体からなる防錆剤と
下記の構造のネオペンチルポリオール脂肪酸エステルか
らなる潤滑剤の１対１混合物の0.4重量％メチルエチル
ケトン溶液を被覆して磁気ディスクを作った。
クロロトリフルオロエチレン低重合体からなる防錆剤と
下記の構造のネオペンチルポリオール脂肪酸エステルか
らなる潤滑剤の１対１混合物の0.4重量％メチルエチル
ケトン溶液を被覆して磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１１ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
クロロトリフルオロエチレン低重合体からなる防錆剤と
下記のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤
の１対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁
気ディスクを作った。
クロロトリフルオロエチレン低重合体からなる防錆剤と
下記のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤
の１対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁
気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
環状ホスホニトリレートエステルからなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
環状ホスホニトリレートエステルからなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.5対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
環状ホスホニトリレートエステルからなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルカンからなる潤滑剤の１対１混
合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
環状ホスホニトリレートエステルからなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルカンからなる潤滑剤の１対１混
合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディスク
を作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキルエーテルホスフェートエステルから
なる防錆剤と下記の構造のパーフロロアルキルポリエー
テルからなる潤滑剤の0.5対１混合物の0.1重量％フレオ
ン溶液を被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルエーテルホスフェートエステルから
なる防錆剤と下記の構造のパーフロロアルキルポリエー
テルからなる潤滑剤の0.5対１混合物の0.1重量％フレオ
ン溶液を被覆して磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキルホスフェートエステルからなる防錆
剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.
1対１混合物の0.1重量％トルエン溶液を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
パーフロロアルキルホスフェートエステルからなる防錆
剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.
1対１混合物の0.1重量％トルエン溶液を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１６ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキルホスフェートエステルからなる防錆
剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.
5対１混合物の0.5重量％フレオン溶液を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
パーフロロアルキルホスフェートエステルからなる防錆
剤と下記の構造のシリコーンオイルからなる潤滑剤の0.
5対１混合物の0.5重量％フレオン溶液を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
防錆剤 (C7F15-O)2P(O)(OH) 潤滑剤 実施例１７ 実施例と同様にして但し潤滑層４として下記の構造のパ
ーフロロ環状イミンからなる防錆剤と下記の構造のパー
フロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤の0.3対１
混合物の0.2重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディス
クを作った。
ーフロロ環状イミンからなる防錆剤と下記の構造のパー
フロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤の0.3対１
混合物の0.2重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディス
クを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１８ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロ環状イミンからなる防錆剤と下記の構造のパ
ーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤の１対１
混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディス
クを作った。
パーフロロ環状イミンからなる防錆剤と下記の構造のパ
ーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑剤の１対１
混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して磁気ディス
クを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例１９ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキルキレート化剤からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルキレート化剤からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.1対１混合物の0.3重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例２０ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキルキレート化剤からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.3対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルキレート化剤からなる防錆剤と下記
の構造のパーフロロアルキルポリエーテルからなる潤滑
剤の0.3対１混合物の0.1重量％フレオン溶液を被覆して
磁気ディスクを作った。
防錆剤 潤滑剤 実施例２１ 実施例１と同様にして但し保護膜３としてNiPを５００
Åめっきし、後２８０℃で焼成して表面にNiOを形成さ
せて磁気ディスクを作った。
Åめっきし、後２８０℃で焼成して表面にNiOを形成さ
せて磁気ディスクを作った。
実施例２２ 実施例３と同様にして但し保護膜３としてSiO2を２００
Åスパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作っ
た。
Åスパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例２３ 実施例１９と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr合金
をスパッタリング法により被覆してその上に実施例１９
で示した潤滑層を被覆し磁気ディスクを作った。
をスパッタリング法により被覆してその上に実施例１９
で示した潤滑層を被覆し磁気ディスクを作った。
実施例２４ 実施例２３と同様にして但し磁性媒体２としてγ-Fe2O3
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例２５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として潤滑剤なしに
防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
実施例２６ 実施例１３と同様にして但し潤滑層４として潤滑剤なし
に防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
に防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
実施例２７ 実施例１４と同様にして但し潤滑層４として潤滑剤なし
に防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
に防錆剤のみを用いて磁気記憶体を作った。
比較例１ 実施例７と同様にして但し防錆剤なしで潤滑剤のみを用
いて磁気ディスクを作った。
いて磁気ディスクを作った。
比較例２ 実施例２３と同様にして但し防錆剤としてふっ素を含ま
ない次の構造のアルキルキレート化剤を用いて磁気ディ
スクを作った。
ない次の構造のアルキルキレート化剤を用いて磁気ディ
スクを作った。
比較例３ 実施例２３と同様にして但し比較例２に示した防錆剤の
みで潤滑剤を用いずに磁気ディスクを作った。
みで潤滑剤を用いずに磁気ディスクを作った。
実施例１１〜２７及び比較例１，２，３で示した磁気デ
ィスクを用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有する
ヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スタート
・ストップ（ＣＳＳ）の繰り返し摩耗試験を行ない傷が
生じた回数を次表に示す。
ィスクを用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有する
ヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スタート
・ストップ（ＣＳＳ）の繰り返し摩耗試験を行ない傷が
生じた回数を次表に示す。
また相対湿度９８％、温度９０℃において１０日間環境
試験を行ない、エラーの増加率を調べた結果を次表に示
す。
試験を行ない、エラーの増加率を調べた結果を次表に示
す。
上表の結果より実施例１〜２７のふっ素を有する防錆剤
と潤滑剤の混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスク
は比較例１の防錆剤なしの磁気ディスクまた比較例２お
よび３のふっ素を含まない防錆剤に比べ飛躍的に耐食性
が向上することが分る。
と潤滑剤の混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスク
は比較例１の防錆剤なしの磁気ディスクまた比較例２お
よび３のふっ素を含まない防錆剤に比べ飛躍的に耐食性
が向上することが分る。
また実施例２５〜２７の耐久性評価の結果からふっ素を
含む防錆剤はそれ自体が潤滑性を有していることが分
る。またふっ素を含む防錆剤は潤滑剤と組み合せること
によりさらに耐久性が向上することが比較例１と実施例
１〜２７の比較により分る。
含む防錆剤はそれ自体が潤滑性を有していることが分
る。またふっ素を含む防錆剤は潤滑剤と組み合せること
によりさらに耐久性が向上することが比較例１と実施例
１〜２７の比較により分る。
（発明の効果） 以上の様に実施例１〜２７で示したふっ素を有する防錆
剤またはふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる潤
滑層は優れた機械的耐久性と優れた耐食性を有し磁気デ
ィスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分っ
た。
剤またはふっ素を有する防錆剤を含む潤滑剤からなる潤
滑層は優れた機械的耐久性と優れた耐食性を有し磁気デ
ィスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分っ
た。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク，磁気テープ，磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
フロッピーディスク，磁気テープ，磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
第１図及び第２図は本発明を示す部分断面図である。 １……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４……
潤滑層である。
潤滑層である。
Claims (1)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、更に、
前記磁性媒体上に直接又は保護膜を介してふっ素を有す
る防錆剤を含む潤滑剤からなる潤滑層が被覆されてなる
構造を有することを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221731A JPH0610868B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221731A JPH0610868B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104319A JPS61104319A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0610868B2 true JPH0610868B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16771368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221731A Expired - Lifetime JPH0610868B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610868B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719368B2 (ja) * | 1985-08-23 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2771806B2 (ja) * | 1986-01-09 | 1998-07-02 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS639011A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| WO1996001303A1 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-18 | Hmt Technology Corporation | Lubricant composition and method |
| JP2624206B2 (ja) * | 1994-12-26 | 1997-06-25 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| JP2006165430A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インダクタンス部品およびその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687236A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-15 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57152543A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5897133A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS58105431A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5919235A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気テ−プ |
| JPS59107428A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-21 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体の潤滑層形成法 |
| JPS59146442A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59221731A patent/JPH0610868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687236A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-15 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57152543A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5897133A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS58105431A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5919235A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気テ−プ |
| JPS59107428A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-21 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体の潤滑層形成法 |
| JPS59146442A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104319A (ja) | 1986-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4696845A (en) | Magnetic storage medium with lubricating coating | |
| JP3294760B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0668833B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3223238B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0610868B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP2745564B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0618080B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP2893240B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3319184B2 (ja) | 潤滑剤およびこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH0610867B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH079697B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0610869B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS63281218A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH069084B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0654539B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0619832B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0913064A (ja) | 潤滑剤及びそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPS6061918A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP3024769B2 (ja) | 磁気ハードディスク | |
| JPS63245492A (ja) | 潤滑剤とこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2897309B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH10149527A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08319492A (ja) | 潤滑剤およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH08138233A (ja) | 潤滑剤およびこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH07320255A (ja) | 潤滑剤およびこれを用いた磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |