JPH079697B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH079697B2 JPH079697B2 JP22173084A JP22173084A JPH079697B2 JP H079697 B2 JPH079697 B2 JP H079697B2 JP 22173084 A JP22173084 A JP 22173084A JP 22173084 A JP22173084 A JP 22173084A JP H079697 B2 JPH079697 B2 JP H079697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- perfluoroalkyl
- magnetic
- lubricating layer
- polymer
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体に関する。
（従来の技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下CSS方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時に
磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体
面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下CSS方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時に
磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体
面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を磨耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を磨耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52−49805号公報に示される様
な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又
は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする種
々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSにより徐
々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返しにおいて
磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。また
除去された潤滑剤が背色摺動面に厚く局在し、ヘッドと
の吸着を生じるという欠点もあった。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52−49805号公報に示される様
な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又
は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする種
々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSにより徐
々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返しにおいて
磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。また
除去された潤滑剤が背色摺動面に厚く局在し、ヘッドと
の吸着を生じるという欠点もあった。
F3COCF2−CF2−ＯｍCF2−ＯnCF3 直鎖パーフロロアルキルポリエーテル （発明の目的） 上記目的を達成するために、本発明は、下地体と、前記
下地体の上に被覆された磁性媒体と、前記磁性媒体の上
に直接又は保護膜を介して、パーフロロアルキルポリマ
ー、もしくは、前記パーフロロアルキルポリマーと潤滑
剤の混合物からなる潤滑層とから構成され、 前記潤滑層が もしくは もしくは なる構造のパーフロロアルキルポリマーを１つ以上含む
か、 前記潤滑層が もしくは ［n:1以上10以下の整数、m:1以上３以下の整数］ もしくは ［n:1以上20以下の整数、m:1以上２以下の整数］ なる構造の１つ以上の架橋単位で２つ以上のポリマー鎖
が結ばれた２次元構造を有するようにしたものである。
下地体の上に被覆された磁性媒体と、前記磁性媒体の上
に直接又は保護膜を介して、パーフロロアルキルポリマ
ー、もしくは、前記パーフロロアルキルポリマーと潤滑
剤の混合物からなる潤滑層とから構成され、 前記潤滑層が もしくは もしくは なる構造のパーフロロアルキルポリマーを１つ以上含む
か、 前記潤滑層が もしくは ［n:1以上10以下の整数、m:1以上３以下の整数］ もしくは ［n:1以上20以下の整数、m:1以上２以下の整数］ なる構造の１つ以上の架橋単位で２つ以上のポリマー鎖
が結ばれた２次元構造を有するようにしたものである。
（構成の詳細な説明） 次に、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地１は
アルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ
膜、Cr,FeNi,Mo又はＷ等を被覆のある身合金、又はポリ
エステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサルフ
ォン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はC
r,FeNi,Mo,Wなどの金属、、又はガラス板又はセラミッ
クス基板である。次にこの下地体１の上に磁性媒体２と
してFe3O4,γ−Fe2O3などの鉄酸化物又はCo−Ni,Co−Ni
−P,Co−Mn−P,Co−Ni−Mn−P,Co−Re,Co−Mn−Re−P,C
o−Cr,Co−V,Co−Pt,Co−Ni−Pt,Co−Pt−Cr,Co−Pt−
V,Co−Rh,Co−Ni−Mo又はCo−Smなどの金属又は合金を
被覆する。さらに該磁性媒体２の上に下記のようなパー
フロロアルキルポリマーもしくはパーフロロアルキルポ
リマーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されて
いる。
アルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ
膜、Cr,FeNi,Mo又はＷ等を被覆のある身合金、又はポリ
エステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサルフ
ォン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はC
r,FeNi,Mo,Wなどの金属、、又はガラス板又はセラミッ
クス基板である。次にこの下地体１の上に磁性媒体２と
してFe3O4,γ−Fe2O3などの鉄酸化物又はCo−Ni,Co−Ni
−P,Co−Mn−P,Co−Ni−Mn−P,Co−Re,Co−Mn−Re−P,C
o−Cr,Co−V,Co−Pt,Co−Ni−Pt,Co−Pt−Cr,Co−Pt−
V,Co−Rh,Co−Ni−Mo又はCo−Smなどの金属又は合金を
被覆する。さらに該磁性媒体２の上に下記のようなパー
フロロアルキルポリマーもしくはパーフロロアルキルポ
リマーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されて
いる。
本発明で用いられるパーフロロアルキルポリマーの１例
としては次式のような化合物がある。
としては次式のような化合物がある。
RfＲ′ｆ−ＪｎＲ″ｆ−ＯmR＊ｆ ・・・ ただし、Rf、Ｒ＊ｆはC1F21+1（１は１以上の整数）、
ｎは１以上３以下の整数、ｍは10以上20以下の整数であ
る。
ｎは１以上３以下の整数、ｍは10以上20以下の整数であ
る。
Ｊは架橋分子であり、例えば −Ｓ−、−NHCOO−である。
Ｒ′ｆ、Ｒ″ｆをふっ化炭化水素で、各々次式のように
表せる。
表せる。
Ｒ′f:−CF2−、−C2F4− Ｒ″f:−CF2−、−C2F4−、−CF（CF3）CF2− 又、上記で、ｍ＝０であるのが下記の式′である。
RfＲ′ｆ−ＪnR＊ｆ ・・・′ この時、Ｊは−Ｏ−または−NHCOO−である。
Ｒ′ｆは−Ｃ（CF3）２−または−CF（C2F5）−または
−C3F6−であり、Ｊが−NHCOO−ときは−CF（CF3）CF2
−もとりうる。ｎは15以上−CF（CF3）CF2−であり、ｎ
は15以上50以下の整数である。
−C3F6−であり、Ｊが−NHCOO−ときは−CF（CF3）CF2
−もとりうる。ｎは15以上−CF（CF3）CF2−であり、ｎ
は15以上50以下の整数である。
また、次式のように一端又は両端に官能基を有していて
も良い。
も良い。
ＧＲ′ｆ−ＪｎＲ″ｆ−ＯmG＊ ここで官能基ＧまたはＧ＊は−COOCH3である。
また、本発明の別の１例である１つ以上の架橋単位で２
つ以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有するパー
フロロアルキルポリマーは次式〜のように表せる。
つ以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有するパー
フロロアルキルポリマーは次式〜のように表せる。
ここで、で表される式中のＪ′＊は−Ｏ−または−CO
O−であり、Ｒｆは−Ｃ（CF3）CF2−または−CFCF2−
である。またはｎが１もしくは２、ｍが１以上30以下
の整数、はｎが１以上10以下の整数でｍが１以上３以
下、はｎが１以上20以下、ｍが１もしくは２である。
Rf、Ｒ＊ｆ、Ｒ＊＊ｆ、Ｒ＊＊＊ｆはC1F21+1（１は１
以上の整数）である。
O−であり、Ｒｆは−Ｃ（CF3）CF2−または−CFCF2−
である。またはｎが１もしくは２、ｍが１以上30以下
の整数、はｎが１以上10以下の整数でｍが１以上３以
下、はｎが１以上20以下、ｍが１もしくは２である。
Rf、Ｒ＊ｆ、Ｒ＊＊ｆ、Ｒ＊＊＊ｆはC1F21+1（１は１
以上の整数）である。
以上のようなパーフロロアルキルポリマーにより、保護
膜又は磁性媒体への固着が特に強固になる。
膜又は磁性媒体への固着が特に強固になる。
このような強い固着能と配向性のためにヘッドとの摺動
に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドディスク
間への前記ポリマーの集積防止効果によるヘッドとディ
スクの吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られ
る。また、上記パーフロロアルキルポリマーの粘度は分
子鎖長および官能基の種類により10〜1000000Stまで変
化させることができる。また前記ポリマーと混合する潤
滑剤は−CF（CF3）CF2O−や−（CF2CF2−ＯCF2O
を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルポン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエスエル、
ポリフェニルエーテルなどがある。
に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドディスク
間への前記ポリマーの集積防止効果によるヘッドとディ
スクの吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られ
る。また、上記パーフロロアルキルポリマーの粘度は分
子鎖長および官能基の種類により10〜1000000Stまで変
化させることができる。また前記ポリマーと混合する潤
滑剤は−CF（CF3）CF2O−や−（CF2CF2−ＯCF2O
を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルポン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエスエル、
ポリフェニルエーテルなどがある。
第１図は本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である。
第１図において、下地体１、および磁性媒体２、および
前記のポリマーもしくはそれらと潤滑剤の混合物からな
る潤滑層４は第２図と同じであるが磁性媒体２と前記潤
滑層４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSi
O2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物また
はCoO,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2、又はZ
rO2などの金属酸化物又はTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金
属窒化物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物又
はW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,O3またはTa又はそれらの合
金などの金属又は合金が用いられる。
第１図において、下地体１、および磁性媒体２、および
前記のポリマーもしくはそれらと潤滑剤の混合物からな
る潤滑層４は第２図と同じであるが磁性媒体２と前記潤
滑層４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSi
O2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物また
はCoO,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2、又はZ
rO2などの金属酸化物又はTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金
属窒化物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物又
はW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,O3またはTa又はそれらの合
金などの金属又は合金が用いられる。
いずれも前記潤滑層４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することができる。特にニッケル酸化物又はコバ
ルト酸化物またはSiO2はその効果が著しい。
を保持することができる。特にニッケル酸化物又はコバ
ルト酸化物またはSiO2はその効果が著しい。
なお、前記潤滑層４を被覆後、100〜300℃で焼成しても
良い。
良い。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆され表面粗さ0.02μｍに鏡
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52−20
804号公報に示された用のポリ珪酸（珪酸重合物）を回
転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑
層４として下記に示す構造のパーフロロアルキルポリマ
ー （ここでｎ＝1,m＝10である。） の0.1重量％トリフロロトリクロルエタン（以下フタレ
オンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気
ディスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法に
より評価したところ、優れた耐性を有することが確認さ
れた。
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52−20
804号公報に示された用のポリ珪酸（珪酸重合物）を回
転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑
層４として下記に示す構造のパーフロロアルキルポリマ
ー （ここでｎ＝1,m＝10である。） の0.1重量％トリフロロトリクロルエタン（以下フタレ
オンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気
ディスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法に
より評価したところ、優れた耐性を有することが確認さ
れた。
実施例２ 実施例１と同様にして、ただし潤滑層４として下記の構
造のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスク
を作った。
造のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスク
を作った。
ここでｎ＝2,m＝20である。
実施例３ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝3,m＝20である。
実施例４ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
F3CCF2−ＳｎC2F4−ＯmCF3 ここでｎ＝2,m＝10である。
実施例５ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ｎ＝50である。
実施例６ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ｎ＝30である。
実施例７ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
F3CC3F6−ＯnCF3 ここでｎ＝20である。
実施例８ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝15である。
実施例９ 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝2,m＝10である。
実施例10 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝10,m＝３である。
実施例11 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝1,m＝30である。
実施例12 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝20,m＝２である。
実施例13 実施例１と同様にして、但し潤滑層４として保護膜３と
してNiPを500オングストロームめっきし、後280℃で焼
成して表面にNiOを形成させて磁気ディスクを作った。
してNiPを500オングストロームめっきし、後280℃で焼
成して表面にNiOを形成させて磁気ディスクを作った。
実施例14 実施例３と同様にして、但し潤滑層４として保護膜３と
してSiO2を200オングストロームスパッタリングにより
被覆して磁気ディスクを作った。
してSiO2を200オングストロームスパッタリングにより
被覆して磁気ディスクを作った。
実施例15 実施例１と同様にして、但し磁性媒体２としてCoCr合金
をスパッタリング法により被覆し、その上に潤滑層４と
して実施例８と同様のパーフロロアルキルポリマーを被
覆して磁気ディスクを作った。
をスパッタリング法により被覆し、その上に潤滑層４と
して実施例８と同様のパーフロロアルキルポリマーを被
覆して磁気ディスクを作った。
実施例16 実施例15と同様にして、磁性媒体２としてγ−Fe2O3を
スパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
スパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
比較例１ 実施例１と同様にして、但し保護膜３の上に潤滑層４と
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
ｎ＝30〜50 比較例２ 実施例１と同様にして、但し保護膜３の上に潤滑層４と
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
F3CC2F4−ＯｍCF2−ＯnCF3 ｍ＝ｎ＝20〜30 実施例１〜16および比較例1,2で示した磁気ディスクを
用いて荷重15gのAl2O3・TiC製コアを有するヘッドスラ
イダを用いて多数回のCSSの繰り返し磨耗試験とヘッド
吸着の始まる臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得
た。
用いて荷重15gのAl2O3・TiC製コアを有するヘッドスラ
イダを用いて多数回のCSSの繰り返し磨耗試験とヘッド
吸着の始まる臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得
た。
上表の結果より比較例１、２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例１〜14のパーフロロアルキルポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分かった。
エーテルに比べ実施例１〜14のパーフロロアルキルポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分かった。
実施例15、16は保護膜を有しないため、他の実施例より
耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有してい
る。また臨界膜厚についても比較例１、２のパーフロロ
アルキルポリエーテルは極わずかの膜厚でもヘッド吸着
が始まるが、実施例１〜14のパーフロロアルキルポリマ
ー50〜150オングストロームとより厚い膜厚までヘッド
吸着を生じず、大きなマージンを有していることが分か
った。
耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有してい
る。また臨界膜厚についても比較例１、２のパーフロロ
アルキルポリエーテルは極わずかの膜厚でもヘッド吸着
が始まるが、実施例１〜14のパーフロロアルキルポリマ
ー50〜150オングストロームとより厚い膜厚までヘッド
吸着を生じず、大きなマージンを有していることが分か
った。
（発明の効果） 以上のように実施例１〜16で示したパーフロロアルキル
ポリマーは耐久性に優れ、またヘッド吸着を生じにく
く、磁気ディスクの装置の信頼性を飛躍的に向上出来る
こと分かった。
ポリマーは耐久性に優れ、またヘッド吸着を生じにく
く、磁気ディスクの装置の信頼性を飛躍的に向上出来る
こと分かった。
なお、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
が、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明が有効であることは明らである。
が、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明が有効であることは明らである。
第１図および第２図は本発明を示す部分断面図である。 １……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４……
潤滑層
潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】下地体と、前記下地体の上に被覆された磁
性媒体と、前記磁性媒体の上に直接又は保護膜を介し
て、パーフロロアルキルポリマー、もしくは、前記パー
フロロアルキルポリマーと潤滑剤の混合物からなる潤滑
層とから構成され、 前記潤滑層が もしくは もしくは n:15以上50以下の整数 なる構造のパーフロロアルキルポリマーを１つ以上含む
か、 前記潤滑層が もしくは ［n:1以上10以下の整数、m:1以上３以下の整数］ もしくは ［n:1以上20以下の整数、m:1以上２以下の整数］ なる構造の１つ以上の架橋単位で２つ以上のポリマー鎖
が結ばれた２次元構造を有することを特徴とする磁気記
憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22173084A JPH079697B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
| US06/768,834 US4696845A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-23 | Magnetic storage medium with lubricating coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22173084A JPH079697B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104318A JPS61104318A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH079697B2 true JPH079697B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=16771355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22173084A Expired - Lifetime JPH079697B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079697B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920006125B1 (ko) * | 1986-08-28 | 1992-07-27 | 유니시스 코포레이숀 | 표면기록용 표면윤활제 |
| JP2745564B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1998-04-28 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH07216375A (ja) * | 1993-02-24 | 1995-08-15 | Hitachi Maxell Ltd | 潤滑剤 |
| JP5484764B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-05-07 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP22173084A patent/JPH079697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104318A (ja) | 1986-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |