JPH0610869B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH0610869B2 JPH0610869B2 JP59221732A JP22173284A JPH0610869B2 JP H0610869 B2 JPH0610869 B2 JP H0610869B2 JP 59221732 A JP59221732 A JP 59221732A JP 22173284 A JP22173284 A JP 22173284A JP H0610869 B2 JPH0610869 B2 JP H0610869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- compound
- head
- disk
- lubricant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
この傷の発生を防ぐために従来から特開昭52-49805に示
される様な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエー
テル又は、直接パーフロロアルキルポリエーテルを例と
する種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSに
より除々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返しに
おいて磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在しヘ
ッドと磁気記憶体の接触により吸着を生じて離れにくく
なるという欠点もあった。
される様な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエー
テル又は、直接パーフロロアルキルポリエーテルを例と
する種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSに
より除々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返しに
おいて磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在しヘ
ッドと磁気記憶体の接触により吸着を生じて離れにくく
なるという欠点もあった。
（発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッドとディスク
間の吸着を起こさない潤滑層を有する磁気記憶体を提供
することにある。
間の吸着を起こさない潤滑層を有する磁気記憶体を提供
することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、下地体の上に磁
性媒体を被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接又は保
護膜を介してパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロ
ロシクロアルキル燐化合物を含む潤滑剤が被覆してなる
構造を有するものである。
性媒体を被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接又は保
護膜を介してパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロ
ロシクロアルキル燐化合物を含む潤滑剤が被覆してなる
構造を有するものである。
（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ膜、、C
r,FeNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエ
ステル、ポリイミドボリアミドイミドなどのプラスチッ
ク、又はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス板であ
る。次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4γ
−Fe2O3などの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-
Ni-Mn-P,Co-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-P
t,Co-Pt-Cr,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金
属又は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパー
フロロフェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル
燐化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が被覆されてい
る。ここで用いるパーフロロフェニル燐化合物又はパー
フロロシクロアルキル燐化合物は次の様な構造を有す
る。
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ膜、、C
r,FeNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエ
ステル、ポリイミドボリアミドイミドなどのプラスチッ
ク、又はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス板であ
る。次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4γ
−Fe2O3などの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-
Ni-Mn-P,Co-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-P
t,Co-Pt-Cr,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金
属又は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパー
フロロフェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル
燐化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が被覆されてい
る。ここで用いるパーフロロフェニル燐化合物又はパー
フロロシクロアルキル燐化合物は次の様な構造を有す
る。
Ｒf＼ Ｒf＼ Ｒf′−Ｐ… Ｒf′−PO… Ｒf″／ Ｒf″／ ここでRf,Rf′，Rf″はCnF2n+1(CH2)m又はCnF2n+1 のいずれか、又は少なくともすべてがパーフロロフェニ
ル基 パーフロロシクロアルカン などのふっ素化炭化水素である。
ル基 パーフロロシクロアルカン などのふっ素化炭化水素である。
またｎ，ｐは１以上の整数、ｍは０又は１以上の整数で
ある。またＪは結合分子であり−Ｏ−，−Ｓ−， −NHCO−，−NHCOO−， などである。またRfは側鎖にCnF2n+1−の様なパーフ
ロロアルキル基を有するか又は直鎖のパーフロロアルキ
ル基である。
ある。またＪは結合分子であり−Ｏ−，−Ｓ−， −NHCO−，−NHCOO−， などである。またRfは側鎖にCnF2n+1−の様なパーフ
ロロアルキル基を有するか又は直鎖のパーフロロアルキ
ル基である。
また本発明で用いる潤滑剤の１例としてはパーフロロア
ルキルポリエーテル、官能基を有するパーフロロアルキ
ルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテト
ラフロロエチレンテロマーパーフロロカルボン酸、パー
フロロアルコール、パーフロロカルボン酸エステル、パ
ーフロロアルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアル
キルアルコキシシラン、フロロシリコーン、パーフロロ
アルキルスルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸ア
ンモニウム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂
肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級
脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪
族炭化水素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオ
イル、ポリオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエ
ステル、ポリフェニルエーテルなどがある。
ルキルポリエーテル、官能基を有するパーフロロアルキ
ルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテト
ラフロロエチレンテロマーパーフロロカルボン酸、パー
フロロアルコール、パーフロロカルボン酸エステル、パ
ーフロロアルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアル
キルアルコキシシラン、フロロシリコーン、パーフロロ
アルキルスルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸ア
ンモニウム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂
肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級
脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪
族炭化水素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオ
イル、ポリオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエ
ステル、ポリフェニルエーテルなどがある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第２図において、下地体１，および磁性媒体２，お
よび潤滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記
潤滑層４の間に保護膜３が被覆されている。該保護膜３
はSiO2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物
またはCoO,Co3O4,Co2O3,a-Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又は
ZrO2などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの
金属窒化物またはTiCZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物
またはWCr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa又はそれら
の合金などの金属又は合金が用いられる。前記パーフロ
ロフェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化
合物は前記磁性媒体２又は保護膜３に強固に吸着しかつ
前記潤滑剤との相溶性が良いため前記潤滑剤に混合する
ことによりヘッドとディスクの摺動による傷を防ぎ、か
つ潤滑剤がヘッドおよびディスクの摺動面へ集積するこ
とを防ぐことによりディスクとヘッドの吸着を防ぐこと
が出来る。
る。第２図において、下地体１，および磁性媒体２，お
よび潤滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記
潤滑層４の間に保護膜３が被覆されている。該保護膜３
はSiO2,Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物
またはCoO,Co3O4,Co2O3,a-Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又は
ZrO2などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの
金属窒化物またはTiCZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物
またはWCr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa又はそれら
の合金などの金属又は合金が用いられる。前記パーフロ
ロフェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化
合物は前記磁性媒体２又は保護膜３に強固に吸着しかつ
前記潤滑剤との相溶性が良いため前記潤滑剤に混合する
ことによりヘッドとディスクの摺動による傷を防ぎ、か
つ潤滑剤がヘッドおよびディスクの摺動面へ集積するこ
とを防ぐことによりディスクとヘッドの吸着を防ぐこと
が出来る。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆され表面祖さ0.02μｍに鏡
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に下記の
構造のパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロロシク
ロアルキル燐化合物と下記の構造の潤滑剤の混合物の0.
1重量％トリクロルトリフロロエタン（以下フレオンと
称する）溶液を回転塗布法により被覆して潤滑層を形成
し磁気ディスクを作った。
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に下記の
構造のパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロロシク
ロアルキル燐化合物と下記の構造の潤滑剤の混合物の0.
1重量％トリクロルトリフロロエタン（以下フレオンと
称する）溶液を回転塗布法により被覆して潤滑層を形成
し磁気ディスクを作った。
パーフロロフェニルリン化合物 潤滑剤 実施例２ 実施例１と同様にして但し次の構造の様なパーフロロフ
ェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物
と潤滑剤を用いて磁気ディスクを作った。
ェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物
と潤滑剤を用いて磁気ディスクを作った。
パーフロロフェニルリン化合物 潤滑剤 実施例３ 実施例１と同様にして但し保護膜３としてNiPを500Åめ
っきし、後280℃で焼成して表面にNiOを形成させて磁気
ディスクを作った。
っきし、後280℃で焼成して表面にNiOを形成させて磁気
ディスクを作った。
実施例４ 実施例３と同様にして但し保護膜３としてSiO2を200Å
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
実施例５ 実施例２と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr合金を
スパッタリング法により被覆し磁気ディスクを作った。
スパッタリング法により被覆し磁気ディスクを作った。
実施例６ 実施例２と同様にして但し磁性媒体２としてγ−Fe2O3
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例７ 実施例１と同様にして但し次の構造のパーフロロフェニ
ル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物を用
いて磁気ディスクを作った。
ル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物を用
いて磁気ディスクを作った。
比較例１ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
て潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
比較例２ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
て潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
実施例１〜７及び比較例１，２で示した磁気ディスクを
用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有するヘッドス
ライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストッ
プ（CSS）の繰り返し摩耗試験と、1000回CSS繰り返し後
のヘッドとディスク間の吸着を摩擦係数を測定すること
により評価し次表の結果を得た。
用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有するヘッドス
ライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストッ
プ（CSS）の繰り返し摩耗試験と、1000回CSS繰り返し後
のヘッドとディスク間の吸着を摩擦係数を測定すること
により評価し次表の結果を得た。
上表の結果より実施例１〜７のパーフロロフェニル燐化
合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物と潤滑剤の
混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクは比較例１
および２のパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロロ
シクロアルキル燐化合物を含まない潤滑層を有する磁気
ディスクに比べ飛躍的に機械的耐久性が向上しヘッドと
ディスクの吸着が起らないことが分る。
合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物と潤滑剤の
混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクは比較例１
および２のパーフロロフェニル燐化合物又はパーフロロ
シクロアルキル燐化合物を含まない潤滑層を有する磁気
ディスクに比べ飛躍的に機械的耐久性が向上しヘッドと
ディスクの吸着が起らないことが分る。
（発明の効果） 以上の様に実施例１〜７で示したパーフロロフェニル燐
化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物を含む潤
滑剤の混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクは、
優れた機械的耐久性とヘッドとディスクの吸着防止効果
を有し磁気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来る
ことが分った。
化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合物を含む潤
滑剤の混合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクは、
優れた機械的耐久性とヘッドとディスクの吸着防止効果
を有し磁気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来る
ことが分った。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
第１図及び第２図は本発明を示す部分断面図である。 １…下地体、２…磁性媒体、３…保護膜、４…潤滑層で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体を被覆され、更に、
前記磁性媒体の上に直接又は保護膜を介してパーフロロ
フェニル燐化合物又はパーフロロシクロアルキル燐化合
物を含む潤滑剤が被覆されてなる構造を有することを特
徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221732A JPH0610869B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221732A JPH0610869B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104320A JPS61104320A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0610869B2 true JPH0610869B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16771381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221732A Expired - Lifetime JPH0610869B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610869B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071540B2 (ja) * | 1986-04-18 | 1995-01-11 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0668837B2 (ja) * | 1986-04-18 | 1994-08-31 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154648A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS60109028A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59221732A patent/JPH0610869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104320A (ja) | 1986-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |