JPH0610867B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH0610867B2 JPH0610867B2 JP59221729A JP22172984A JPH0610867B2 JP H0610867 B2 JPH0610867 B2 JP H0610867B2 JP 59221729 A JP59221729 A JP 59221729A JP 22172984 A JP22172984 A JP 22172984A JP H0610867 B2 JPH0610867 B2 JP H0610867B2
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- Japan
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- magnetic
- lubricating layer
- magnetic disk
- head
- perfluoroalkyl
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−49805に示される様な以
下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又は、直
鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする種々の潤
滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSにより除々に潤
滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返しにおいて磁気
記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。また除去
された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、ヘッドとの吸
着を生じるという欠点もあった。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−49805に示される様な以
下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又は、直
鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする種々の潤
滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSにより除々に潤
滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返しにおいて磁気
記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。また除去
された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、ヘッドとの吸
着を生じるという欠点もあった。
（発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
（発明の構成） すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面を有する下地体の上
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介して１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰
り返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロアルキ
ル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤
滑層が被覆されてなる構造を有することを特徴としてい
る。
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介して１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰
り返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロアルキ
ル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤
滑層が被覆されてなる構造を有することを特徴としてい
る。
（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化ルルマイト、Ni−Ｐメツキ膜、Cr,F
eNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエステ
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド，ポリサルフォン，
芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr,FeNi,
Mo,Wなどの金属、又はガラス板である。
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化ルルマイト、Ni−Ｐメツキ膜、Cr,F
eNi,MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエステ
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド，ポリサルフォン，
芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr,FeNi,
Mo,Wなどの金属、又はガラス板である。
次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4,γ-Fe2
O3などの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn
-P,Co-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-P
t-Cr,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は
合金を被覆する。
O3などの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn
-P,Co-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-P
t-Cr,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は
合金を被覆する。
さらに該磁性媒体２の上に１つ以上の官能基を有するふ
っ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有す
るパーフロロアルキル化合物もしくは前記化合物と潤滑
剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されている。本発明
で用いられる１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を
含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロ
アルキル化合物の一例としては次の様な構造の化合物が
ある。
っ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有す
るパーフロロアルキル化合物もしくは前記化合物と潤滑
剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されている。本発明
で用いられる１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を
含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロ
アルキル化合物の一例としては次の様な構造の化合物が
ある。
もしくは もしくは ただしRf,R* fはClF2l+1（ｌは１以上の整数） ふっ素化炭化水素である。
すなわち１以上の炭素を含む鎖状構造中に１以上のふっ
素化炭化水素の側鎖を有するか又は直鎖の鎖状構造から
なっている。
素化炭化水素の側鎖を有するか又は直鎖の鎖状構造から
なっている。
Rf″は-CnF2n-（ｎは１以上の整数）， などのふっ素化炭化水素である。
すなわち１以上の炭素を含む鎖状構造中に１以上のふっ
素化炭化水素の側鎖を有するか又は直鎖の鎖状構造から
なっている。
素化炭化水素の側鎖を有するか又は直鎖の鎖状構造から
なっている。
ｋは０又は１以上の整数、ＸはＨ，Ｆ，Cl，Brまたは
Ｇ，Ｇ′，Ｇ′＊は官能基である。ここで官能基Ｇ，G
′，G′*は -NCO,-SH,-SO3H、-SO3M（ＭはNa,K,Li），-CN,-NCS,-N
O2, -CONH2,-I,-COOH,-COOCjH2j+1（ｊは１以上の整数）、-
CiH2iOH（ｉは０又は１以上の整数）、NH2,-CH2=CH2,-S
i(ChH2h+1)gX3=g（ｈは１以上の整数）、ｇは０，１又
は２、ＸはCl又は-OH又はOCfH2f+1（ｆは１以上の整
数）、または -A-Si(ChH2h+1)ｇＸ３＝ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる有機物）である。Ａは例えば
-CO-NH-CH2-CH2-,-NH-CH2-CH(OH)-CH2-CH2-,-NH-CO-CH2
-CH2-,-O-CH2-CH2-,-S-CH2-CH2-, −などである。
Ｇ，Ｇ′，Ｇ′＊は官能基である。ここで官能基Ｇ，G
′，G′*は -NCO,-SH,-SO3H、-SO3M（ＭはNa,K,Li），-CN,-NCS,-N
O2, -CONH2,-I,-COOH,-COOCjH2j+1（ｊは１以上の整数）、-
CiH2iOH（ｉは０又は１以上の整数）、NH2,-CH2=CH2,-S
i(ChH2h+1)gX3=g（ｈは１以上の整数）、ｇは０，１又
は２、ＸはCl又は-OH又はOCfH2f+1（ｆは１以上の整
数）、または -A-Si(ChH2h+1)ｇＸ３＝ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる有機物）である。Ａは例えば
-CO-NH-CH2-CH2-,-NH-CH2-CH(OH)-CH2-CH2-,-NH-CO-CH2
-CH2-,-O-CH2-CH2-,-S-CH2-CH2-, −などである。
上記一般式中官能基Ｇ，Ｇ′，Ｇ′＊は磁性媒体２又
は、第２図に示すような磁性媒体２上に形成された保護
膜３の上に強固に反応して固着するためヘッドの摺動に
よって除去されない。
は、第２図に示すような磁性媒体２上に形成された保護
膜３の上に強固に反応して固着するためヘッドの摺動に
よって除去されない。
この効果は官能基の中でも-Si(ChH2h+1)gX3=g（ｈは１
以上の整数、ｇは０，１又は２ＸはCl又は-OH又はOCfH
2f+1（ｆは１以上の整数）で表わされるシランが最も効
果が有る。官能基Ｇ，Ｇ′，Ｇ′＊は前記パーフロロア
ルキル化合物の分子鎖の一端又は両端よりも繰り返し単
位中に存在する方がパーフロロアルキル化合物分子の保
護膜又は磁性媒体表面との配向が促進され、より強固に
固着することが出来る。
以上の整数、ｇは０，１又は２ＸはCl又は-OH又はOCfH
2f+1（ｆは１以上の整数）で表わされるシランが最も効
果が有る。官能基Ｇ，Ｇ′，Ｇ′＊は前記パーフロロア
ルキル化合物の分子鎖の一端又は両端よりも繰り返し単
位中に存在する方がパーフロロアルキル化合物分子の保
護膜又は磁性媒体表面との配向が促進され、より強固に
固着することが出来る。
官能基はRf′の炭素のどの位置に位置してもよいしRf′
の炭素鎖のどの位置に位置してもよい。
の炭素鎖のどの位置に位置してもよい。
すなわちｍは１以上の整数である。
官能基を含む繰り返し単位はパーフロロアルキル化合物
の主鎖中少くとも１つ以上有れば良い。
の主鎖中少くとも１つ以上有れば良い。
すなわちｐは１以上の整数である。
故に官能基を含まない繰り返し単位の数ｑは０又は１以
上の整数である。
上の整数である。
は１である。
以上の様に繰り返し単位中の官能基により前記パーフロ
ロアルキル化合物の、保護膜又は磁性媒体への固着が特
に強固になりこの様な強い固着能と配向性の為にヘッド
との摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッド
の吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られる。
また上記パーフロロアルキル化合物の粘度は分子鎖長お
よび官能基の種類により10〜1000000cstまで変化させる
ことが出来る。
ロアルキル化合物の、保護膜又は磁性媒体への固着が特
に強固になりこの様な強い固着能と配向性の為にヘッド
との摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッド
の吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られる。
また上記パーフロロアルキル化合物の粘度は分子鎖長お
よび官能基の種類により10〜1000000cstまで変化させる
ことが出来る。
前記パーフロロアルキル化合物４と混合する潤 ーフロロアルキルポリエーテル、ポリテトラフロロエチ
レン、ポリテトラフロロエチレンテロマー、パーフロロ
カルボン酸、パーフロロアルコール、パーフロロカルボ
ン酸エステル、パーフロロアルコールの脂肪酸エステ
ル、パーフロロアルキルアルコキシシラン、フロロシリ
コーン、パーフロロアルキルスルホン酸、パーフロロア
ルキルスルホン酸アンモニウム、脂肪族アルキルアルコ
キシシラン、高級脂肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂
肪酸エステル、高級脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高
級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、ポリアルキレングリコ
ール、シリコーンオイル、ポリオキシエチレン、ネオペ
ンチルポリオールエステル、ポリフェンルエーテルなど
がある。
レン、ポリテトラフロロエチレンテロマー、パーフロロ
カルボン酸、パーフロロアルコール、パーフロロカルボ
ン酸エステル、パーフロロアルコールの脂肪酸エステ
ル、パーフロロアルキルアルコキシシラン、フロロシリ
コーン、パーフロロアルキルスルホン酸、パーフロロア
ルキルスルホン酸アンモニウム、脂肪族アルキルアルコ
キシシラン、高級脂肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂
肪酸エステル、高級脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高
級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、ポリアルキレングリコ
ール、シリコーンオイル、ポリオキシエチレン、ネオペ
ンチルポリオールエステル、ポリフェンルエーテルなど
がある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰り
返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロアルキル
化合物もしくは該化合物の潤滑剤の混合物からなる潤滑
層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層４
の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2,Si3
N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはCoO,
Co3O4,Co2O3,α-Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又はZrO2など
の金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金属窒化
物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物または
Ｗ，Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa又はそれらの合
金などの金属又は合金が用いられる。
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰り
返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロアルキル
化合物もしくは該化合物の潤滑剤の混合物からなる潤滑
層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層４
の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2,Si3
N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはCoO,
Co3O4,Co2O3,α-Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又はZrO2など
の金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaNなどの金属窒化
物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物または
Ｗ，Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa又はそれらの合
金などの金属又は合金が用いられる。
いずれも前記潤滑層４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
なお前記潤滑層４を被覆後、100〜300℃で焼成しても良
い。
い。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆され表面祖さ0.02μｍに鏡
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭５２−
20804号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を
回転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤
滑層４として下記に示す構造のパーフロロアルキル化合
物 ここでｐ＝１〜２，ｑ＝５〜10である。
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭５２−
20804号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を
回転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤
滑層４として下記に示す構造のパーフロロアルキル化合
物 ここでｐ＝１〜２，ｑ＝５〜10である。
の0.1重量％トリフロロトリクロルエタン（以下クレオ
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
実施例２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４としてｐ＝５〜８，
ｑ＝10〜20パーフロロアルキル化合物の0.05重量％クレ
オン溶液を用いて磁気ディスクを作った。
ｑ＝10〜20パーフロロアルキル化合物の0.05重量％クレ
オン溶液を用いて磁気ディスクを作った。
実施例３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝３〜５、ｑ＝５〜10である。
実施例４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝２〜３、ｑ＝２〜４である。
実施例５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝５〜６、ｑ＝５〜10である。
実施例６ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝２〜３、ｑ＝20〜30である。
実施例７ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝１〜３、ｑ＝５〜10である。
実施例８ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝５〜７である。
実施例９ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝３〜５である。
実施例10 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝５〜10である。
実施例11 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝２〜５である。
実施例12 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝30〜40，ｑ＝２〜５である。
実施例13 実施例１と同様にして但し保護膜３としてNiPを500Åめ
っきし、後280℃で焼成して表面にNiOを形成させて磁気
ディスクを作った。
っきし、後280℃で焼成して表面にNiOを形成させて磁気
ディスクを作った。
実施例14 実施例３と同様にして但し保護膜３としてSiO2を200Å
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
実施例15 実施例１と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr合金を
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４として
実施例６と同様のパーフロロアルキル化合物を被覆して
磁気ディスクを作った。
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４として
実施例６と同様のパーフロロアルキル化合物を被覆して
磁気ディスクを作った。
実施例16 実施例７と同様にして但し磁性媒体２としてγ−Fe2O3
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例17 実施例１と同様にして但し、潤滑層４として実施例に示
されたパーフロロアルキル化合物と潤滑剤として次の構
造のパーフロロアルキルアルコキシシランの１％混合物
を用いて磁気ディスクを作った。
されたパーフロロアルキル化合物と潤滑剤として次の構
造のパーフロロアルキルアルコキシシランの１％混合物
を用いて磁気ディスクを作った。
F19C9SC2H4Si(OCH3)3 実施例18 実施例１と同様にして但し、潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。
のパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。
ここでｐ＝１〜２、ｑ＝５〜10である。
実施例19 実施例１と同様にして但し、潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。
のパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。
ここでｐ＝３〜５、ｑ＝３〜５である。
実施例20 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合を用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでｐ＝10である。
比較例１ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
ｎ＝30〜50 比較例２ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
ｍ＝ｎ＝20〜30 実施例１〜20及び比較例１，２で示した磁気ディスクを
用いて荷重150g Al2O3・FiC製コアを有するヘッドスライ
ダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストップ
（CSS）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始まる臨
界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
用いて荷重150g Al2O3・FiC製コアを有するヘッドスライ
ダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストップ
（CSS）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始まる臨
界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
上表の結果より比較例１，２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例１〜13,17〜20のパーフロロアル
キル化合物の耐久性が格段に向上することが分った。
エーテルに比べ実施例１〜13,17〜20のパーフロロアル
キル化合物の耐久性が格段に向上することが分った。
実施例14〜16は保護膜を有しない為、他の実施例より耐
久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有してい
る。また臨界膜厚についても比較例１，２のパーフロロ
アルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド吸
着が始まるが、実施例１〜20のパーフロロアルキル化合
物は50〜150Åとなり厚い膜厚までヘッド吸着を生じ
ず、大きなマージンを有していることが分った。
久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有してい
る。また臨界膜厚についても比較例１，２のパーフロロ
アルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド吸
着が始まるが、実施例１〜20のパーフロロアルキル化合
物は50〜150Åとなり厚い膜厚までヘッド吸着を生じ
ず、大きなマージンを有していることが分った。
（発明の効果） 以上の様に実施例１〜20で示した１つ以上の官能基を有
するふっ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以
上有するパーフロロアルキル化合物または該化合物と潤
滑剤の混合物は耐久性に優れまたヘッド吸着を生じにく
く、磁気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来るこ
とが分った。
するふっ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以
上有するパーフロロアルキル化合物または該化合物と潤
滑剤の混合物は耐久性に優れまたヘッド吸着を生じにく
く、磁気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来るこ
とが分った。
なお、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
第１図及び第２図は本発明の構造の断面を示す概略図で
ある。 図において、 １は下地体、２は磁性媒体、３は保護層、４は潤滑層
ある。 図において、 １は下地体、２は磁性媒体、３は保護層、４は潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに
該媒体上に直接または保護膜を介して１つ以上の官能基
を有するふっ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１
つ以上有するパーフロロアルキル化合物もしくは該化合
物と潤滑剤の混合物が被覆されてなる構造を有すること
を特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221729A JPH0610867B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
| US06/768,834 US4696845A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-23 | Magnetic storage medium with lubricating coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221729A JPH0610867B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104328A JPS61104328A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0610867B2 true JPH0610867B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16771340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221729A Expired - Lifetime JPH0610867B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610867B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920006125B1 (ko) * | 1986-08-28 | 1992-07-27 | 유니시스 코포레이숀 | 표면기록용 표면윤활제 |
| EP0320241A3 (en) * | 1987-12-07 | 1991-12-11 | Hitachi Maxell Ltd. | Magnetic recording medium and process for preparing the same |
| JPH01214380A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-28 | K & K Kogyo Kk | 脚部のプロテクタ |
| JP2884900B2 (ja) * | 1992-04-08 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897133A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS58102331A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS58105431A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59127230A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59221729A patent/JPH0610867B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104328A (ja) | 1986-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |