JPS61104328A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明ｒｔ磁磁的的記憶装置磁気ディスク装置または磁
気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその
製造方法に関すふ。

（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気周分の空間を作り、この状態で記＠再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。

以下Ｃ８Ｓ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時［１
１気記憶休の回転がとま、す、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。

これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついＫはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。ま・た前記接触摩擦状態においてヘッドのわず
かな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘ
ッドおよび何気記憶体表面に傷を作ることもある。

さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくぐなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−４９８０５　　Ｋ示され
る様な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル
又は、直鎖パー７０ロアルキルポリエーテルを例とする
種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣ８Ｓ　Ｋ
よ夕除々に潤滑層が除去され多数回のＣ８Ｓの繰り返し
において磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。

側鎖バー７０ロアルキルボリエーテル 同上 Ｆ　ｓ　Ｃｏ　−ｆ　ＣＦｘ　−ＣＦ　ｔ　−ＯＨＣＦ
ｔ−０＋ｎＣＦｍ直鎖パー７０ロアルキルボ、リエーテ
ル（発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮ｔｊｉＪ特性を悪化させない）潤滑剤を有する
磁気記憶体を提供することにある。

（発明の構成） すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面を有する下地体の上
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介して１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰
り返し単位を少くとも１つ以上有するパーフロロアルキ
ル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤
滑層が被覆されてなる構造全有することを特徴としてい
る。

（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。′第１図
は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアル
ミ合金又は、陽極酸化ルルマイト、Ｎ１−Ｐメッキ膜、
Ｃｒ　、　Ｆ　ｅ　Ｎ　ｒ　ａ　Ｍ　ｏ　　またはＷ等
’ｔ−Ｍ覆のアルミ合金、又はポリエステル、ポリイミ
ド。

ポリアミドイミド、ポリサル７オン、芳香族ポリエーテ
ルなどのプラスチック、又はＣｒ　、　Ｆ　ｅ　Ｎ　ｔ
　＊Ｍｏ、Ｗなどの金属、又はガラス板である。

次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてｐｅｓＱａ、
１−Ｆｅｇｏｓなどの鉄酸化物又はＣｏ−Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、　Ｃｏ　−Ｍｎ　−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎｉ
　−Ｍｎ　−Ｐ。

Ｃｏ−Ｒｅｅ　Ｃｏ−Ｍｎ　−Ｒｅ　−Ｐ、　Ｃｏ−Ｃ
ｒ、　Ｃｏ−Ｖ。

Ｃｏ−Ｐｔ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、　Ｃｏ−Ｐｔ−０ｒ
、　Ｃｏ　−Ｐｔ−Ｖ、　Ｃｏ−ＲＩＬ　Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｍｏ又は（’ｏ　−５ｍなどの金属又は合金を被覆する
。

さらに該磁性媒体２の上に１つ以上の官能基を有するふ
っ素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有す
るパー７０口アルキル化合物もしくは前記化合物と潤滑
剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されている。本発明
で用いられる１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を
含む繰り返し単位に少くとも１つ以上有するパークロロ
アルキル化合物の一例としては次の様な構造の化合物が
ある。

もしくは もしくは ただしｎ（、Ｒｆ　はＣＩＦｚｔ＋、（ｌ　ｒｊ：　１
以上の整数）Ｒｆ′は−ＣＦ＋、　−ＣＦ−ＣＦｚ−、
−Ｃ（Ｃ１ρｍ）−ＣＦｚ−。

−ＣＦ　（ＣＦ　ｓ）　−Ｃ；’Ｆ−，−９（ＣｚＦｓ
）　−、−Ｃ；Ｆ−ＣＦｚ−ｃＦｚ−−Ｃ−ＣＦ　ｚ　
−、−ＣＦ−ＣＦ　−、−ＣＦ　＊−ＣＦ−ＣＦ　２−
。

−に’Ｆ−９Ｆ−ＣＦ　ｚ　＋、　−に”Ｆ−ＣＦ　！
−９Ｆ−・−９Ｆ−９Ｆ。

ＣＦ　＋、　−ＣＦ　！　−９−ＣＦ　ｚ　−、−ＣＦ
　（ＣＦ　ｓ）　−（、’−、−ＣＣＦ　ｚ　−９−、
−９−ＣＦ　ｚ　−９＋、　−９−にｌ’Ｆ　−９−な
どのふっ素化炭化水素である。

すなわち１以上の炭素を含む鎖状構造中に１以上のふっ
紫化炭化水翠の側鎖を有するか又ａ直鎖の鎖状構造から
なっている。

Ｒ（”ａ−ＣｎＦｚｎ−（ｎは１リーヒの整数）、−Ｃ
Ｆ−ＣＦ２−。

占Ｆ３ すなわち１以上の炭素を含む鎖状構造中に１以上のふっ
素化炭化水素の側鎖を有するか又は直鎖の鎖状構造から
なっている。

ｋはＯ又は１以上の整数、Ｘは）（、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒま
たｖｉＧ、　Ｇ’、　　Ｇ　　は官能基である。ここで
官能基Ｇ、Ｇ、Ｇは −ＮＧＯ，−ＳＨ，−８０ｓＨ％−８０５Ｍ　（ＭｕＮ
ａ、　Ｋ。

Ｈ２，−１，−ＣＯＯＨ，−ＣＯＯＣＪ　）Ｌ　ｚ　Ｊ
＋ｔ　（ｊは１以上の整数）、−Ｃ１）（ｔｊＯＨ（’
け０又は１以上の整数）、ＮＩ（ｚ、−ＣＨｚ＝ＣＨｚ
、−８ｉ　（ＣｈＨ２Ｂ＋ｓ）ｇＸｓ＝ｇ（ｈは１以上
の整数）、ｇは０，１又は２、ｘｕｃｉ又は−ＣＨ又け
０ＣｒＨ２ｔ＋ｔ　　”は１以上の整数）、または −Ａ−８ｉ　（ＣｈＨｘ　ｈ−１−ｔ　）　ｇ　Ｘｓ＝
ｇ（ｈ、　ｇ、′ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ・
０・Ｓの１つ以上の元素からなる有機物）でちる。

Ａは例えば−Ｃ０−ＮＨ−ＣＨｚ　−ＣＨｚ　＋、　−
ＮＨ−ＣＨｘ−ＣＨ（ＯＨ）　−ＣＨ２−ＣＨ冨−、−
ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ雪−ＣＨ２＋、−０−ロー０−針Ｈ２
＋、−上記一般式中官能基Ｇ、Ｇ、Ｇｔよ磁性媒体２又
は、第２図に示すような磁性媒体２上に形成された保護
膜３の上に強固に反応して固着するためヘッドの摺動に
よって除去されない。

この効果は官能基の中でも一３ｉ　（ＣｈＨｘ　ｈ＋ｔ
）ｇＸｓ−ｇ（ｈは１以上の整数１ｇは０，１又は２Ｘ
ｉｊ　Ｃ，ｌｌ　又ｈ　ＯＨ又（’ｆ　ＱＣｔＨ２ｔ　
−１−ｓ　　（’　ハＩ　以上の整数）で表わされるシ
ランが最も効果が有る。

官能基Ｇ、Ｇ、Ｇ　　は前記バー７ｍロアルキ馴ヒ金物
の分子鎖の一端又は両端よりも繰り返し単位中に存在す
る方がパーフロロアルキル化合物分子の保握膜又は磁性
媒体表面との配向が促進され、より強固に固着すること
が出来る。

官能基けＲｆ′の炭素のどの位置に位置してもよいしＲ
２′の炭素鎖のどの位置に位置してもよい。

すなわちｍは１以上の整数である。

官能基を含む繰り返し単位はパーフロロアルキル化合物
の主鎖中小くとも１つ以上有れば良い。

すなわちｐは１以上の整数である。

故に官能基を含まない繰り返し単位の数ｑはＯ又は１以
上の整数である。

またＪ　、　Ｊ／　、　Ｊ″、　ＪＩ＊　け−０−、−
８＋、−針以上の様に繰り返し単位中の官能基により前
記バー７０口アルキル化合物の、保穫膜又は磁性媒体へ
の固着が特に強固になりこの様な強い固着能と配向性の
為にヘッドとの摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効
果とヘッドの吸着全防止する効果の２つの効果が同時に
得られる。また上記パー７０口アルキル化合物の粘度は
分子鎖長および官能基の種類により１０〜１０００００
０ｃｓｔまで変化させることが出来る。

前記バー７０口アルキル化合物４と混合する潤−フロロ
アルキルポリエーテル、ポリテトラ７０ロエチレン、ポ
リテトラフロロエチレンテロマー、パー７０ロカルボン
酸、パーフロロアルコール、パー７０ロカルポン酸エス
テル、パー７０ｏ　７　、ＩＩ／コールの脂肪酸エステ
ル、パー７０ロアルキルアルコキシシラン、７０ロシリ
コーン、パー７０ロアルキルスルホン酸ｓバー７０ロア
ルキルスルホン酸アンモニウム、脂肪族アルキルアルコ
キシシラン、高級脂肪酸、高級脂おアルコール、高級脂
勢酸エステ々、高級脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高
級脂姉酸、長鎖脂肪族炭化水素、ポリアルキレングリコ
ール、シリコーンオイル、ポリオキシエチレン、ネオベ
ンチルホリオールエステル、ポリフェンルエーテルなど
がある。

第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である
。第２図において、下地体１１および磁性媒体２、およ
び１つ以上の官能基を有するふっ素化炭素を含む繰り返
し単位を少くとも１つ以上有するパー７０口アルキル化
合物もしくは該化合物の向滑剤の混合物からなる潤滑層
４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層４の
間に保護膜が被欄されている。該保護膜３はＳ　ｒ　Ｏ
ｚ　＊　Ｓ　ｔ　！Ｎ４．ＳｉＣ又はケイ酸重合物など
のケイ素化合物マタはＣｏｄ、Ｃｏ５ｏ４．Ｃｏｚｏｏ
、（１−Ｆｅ！０１．Ｃｒ１Ｏｓ、Ｃｒｏｌ、Ｔｉ１ｔ
、又はＺｒ０ｚ　などの金属酸化物またはＴｉＮ、　Ｚ
ｒＮ、　ＣｒＮ又はＴａＮｅど）金属窒化物またはＴｉ
ｃ、ＺｒＣ，ＣｒＣ又はＴａＣなどの金属炭化物または
Ｗ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｎｉｐ、Ｒｕ、Ｒｈ。

Ｍｎ、Ｍｏ、ＱｓまたはＴａ又はそれらの合金などの金
属又は合金が用いられる。

いずれも前記潤滑層４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはＳｉｎ！はその効果が著るしい。

なお前記潤滑層４を被覆後、１００〜３００℃で焼成し
ても良い。

次に実施例によシ本発明の詳細な説明する。

実施例１ ニッケルー燐めりき膜が被覆され表面祖さ０．０２μｍ
に鏡面仕上げされた下地体１の゛上Ｋｆｆｉ性媒体２と
してコバルト−ニッケルー燐合金を０．０５μｍの厚さ
くめっきした。次にこの磁性媒体２の上に保護膜３とし
て特開昭５２−２０８０４号公報に示された様なポリ珪
酸（珪酸重合物）を回転塗布法により被覆する。次にこ
の保護膜３の上に潤滑層４として下記に示す構造のパー
フロロアルキル化合物 ここでｐ＝１〜２．　　　ｑ＝５〜１０である。

の０．１ｉｉ％トリフロロトリクロルエタン（以下フレ
オンと称する）溶液を回転塗布法によ夕被覆して、磁気
ディスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法に
より評価したところ、優れた耐久性を有することが確認
された。

実施例２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４としてｐ＝５〜８．
ｑ＝１０〜２０パーフロロアルキル化合物の０．０５５
重量％フレオン液を用いて磁気ディスクを作った。

実施例３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ここでｐ＝３〜５、　　ｑ＝５〜１０である。

実施例４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ここでｐ＝２〜３．　　４＝２〜４である。

実施例５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ここでｐ＝５〜６、　　ｑ二５〜１０である。

実施例６ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ここでｐ＝＝２〜３、　　ｑ＝２０〜３０である。

実施例７ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
バー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

実施例８ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスク全作っ
た。

ＣＦｚ（）ｌ−１ ここでｐ＝５〜７である。

実施例９ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
バー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ＣＦｚ 実施例１０ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

ＣＦｚ ここで９＝５〜１０である。

実施例１１ 実施例１と同様にして但し聞滑層４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。

実施例１２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク全作っ
た。

ここでｐ＝３０〜４０．　　ｑ＝２〜５である。

実施例１３ 実施例１と同様にして但し保護膜３としてＮｉＰを５０
０Ａめっきし、後２８０℃で焼成して表面ＫＮｉＯを形
成させて磁気ディスクを作った。

実施例１４ 実施例３と同様にして但し保ｉｉＩ膜３として８ｉ０ｚ
ｆ２００Ａスパツタリングにより被覆して磁気ディスク
を作った。

実施例１５ 実施例１と同様釦して但し磁性媒体２としてＣｏＣｒ合
金をスパッタリング法により被覆しその上に内溝７ｉｉ
１４として実施例６と同様のパー７０口アルキル化合物
を被覆して磁気ディスクを作った。

実施例１６ 実施例７と同様にして但し磁性媒体２としてγ−Ｆｅ＊
Ｏｍをスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを
作った。

実棒例１７ 実施例１と同様にして但し、ｄ」滑Ｊｆｓ４として実施
例に示されたパー７０口アルキル化合物と潤滑剤として
次の構造のパー７０ロアルキルアルコキシシランの１％
混合物を用いて磁気ディスクを作った。

Ｐｘ＊Ｃ＊５ＣｘＨａＳｉ　（ＯＣＩ−１ｓ）ｓ実施例
１８ 実施例１と同様にして但し、潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。

ＯＨＯ ここでｐ＝１〜２、ｑ＝５〜１０である。

実施例１９ 実施例１と同様にして但し、潤滑層４として下記の構造
のパー７０口アルキル化合物を用いて磁気ディスクを作
った。

実施例２０ 実施例１と同様にして但し潤滑＃４として下記の構造の
パー７０口アルキル化合を用いて磁気ディスクを作った
。

比較例１ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。

比較例２ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑）９４４
として下記の構造を有するパー７０ロアルキルポリエー
テルを被覆して磁気ディスクを作った。

ＦｓＣ−←Ｃ＊Ｌｉ’４−０→伍←Ｃト０→＝−ＣＦａ
ｍ＝ｎ＝２０〜３０ 実施例１〜２０及び比較例１，２で示した磁気ディスク
を用いて荷重１５０．￥　Ａｌ２Ｏ５・ＦｉＣｆｉコア
を有するヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・
スタートのストップ（Ｃ８８）の繰り返し摩耗試験と、
ヘッド吸着の始まる臨界膜厚を測定したところ次表の結
果を得た。

上表の結果より比較例１，２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例１〜１３．１７〜２０のパー７０
口アルキル化合物の耐久性か格段に向上することが分っ
た。

実施例１４〜１６は保獲膜を有しない為、他の実施例よ
り耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性ヲ有して
いる。また臨界膜厚についても比較例１．２のバー７０
ロアルキルボリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド
１着が始まるが、実施例１〜２０のパー７０口アルキル
化合物は５０〜１５０Ａとなり厚い膜厚までヘッド吸着
を生じず、大きなマージンを有していることが分った・ （発明の効果） 以上の様に実施例１〜２０で示した１つ以上の官能基を
有するふっ素化炭素を含む繰り返し単位金少（とも１つ
以上有するパー７０口アルキル化合物または該化合物と
媚滑剤の混合物は耐久性に優れまたヘッド吸着を生じに
くく、磁気ディスク装置の信穎性を飛躍的に向上出来る
ことが分った。

なお、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の構造の断面を示す概略図で
ある。 図において。 ［け下地体、　　２Ｆｉ磁性媒体、　　３＃′ｉ保護層
。 ４は潤滑層 メー骨 ニニ→＝ モヨ口二 −４．闇肴層 −３，イ１＊貝雪耐 −２，忌↓主媒俸 −１，千児１条 、圓 、４．閣蒲層 −２，砒ヒ謀１不 一１．千他１本

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該媒体上に直
   接または保護膜を介して１つ以上の官能基を有するふっ
   素化炭素を含む繰り返し単位を少くとも１つ以上有する
   パーフロロアルキル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の
   混合物が被覆されてなる構造を有することを特徴とする
   磁気記憶体。