JPH069084B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH069084B2 JPH069084B2 JP1817685A JP1817685A JPH069084B2 JP H069084 B2 JPH069084 B2 JP H069084B2 JP 1817685 A JP1817685 A JP 1817685A JP 1817685 A JP1817685 A JP 1817685A JP H069084 B2 JPH069084 B2 JP H069084B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- lubricating layer
- coated
- magnetic memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など)に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など)に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
(従来技術とその問題点) 一般に記録再生磁気ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である(コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下CSS方式と呼ぶ)。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である(コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下CSS方式と呼ぶ)。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩擦させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩擦させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52−49805に示される様
な以下に示す構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテ
ル又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とす
る種々の濁滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSに
より除々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返し
において磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52−49805に示される様
な以下に示す構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテ
ル又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とす
る種々の濁滑剤が提案されてきたが、いずれもCSSに
より除々に潤滑層が除去され多数回のCSSの繰り返し
において磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
(発明の目的) 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い(すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない)潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い(すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない)潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
(発明の構成) すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面を有する下地体の上
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介して炭化水素鎖からなる繰り返し単位を1つ以上含む
ふっ素化炭化水素ポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤
の混合物からなる潤滑層が被覆されてなる構造を有する
磁気記憶体と、環状構造を1つ以上含むふっ素化炭化水
素ポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物からな
る潤滑層が被覆されてなる構造を有することを特徴とす
る磁気記憶体である。
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介して炭化水素鎖からなる繰り返し単位を1つ以上含む
ふっ素化炭化水素ポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤
の混合物からなる潤滑層が被覆されてなる構造を有する
磁気記憶体と、環状構造を1つ以上含むふっ素化炭化水
素ポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物からな
る潤滑層が被覆されてなる構造を有することを特徴とす
る磁気記憶体である。
(作 用) 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体1
はアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Pメッキ
膜、Cr,FeNi,MoまたはW等を被覆のアルミ合金、又は
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサ
ルフォン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又
はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス板である。
次にこの下地体1の上に磁性媒体2としてFe3O4,γ−F
e2O3などの鉄酸化物又はCo−Ni,Co−Ni−P,Co−Mn−
P,Co−Ni−Mn−P,Co−Re,Co−Mn−Re−P,Co−C
r,Co−V,Co−Pt,Co−Ni−Pt,Co−Pi−Cr,Co−Pt
−V,Co−Rh,Co−Ni−Mo又はCo−Smなどの金属又は合
金を被覆する。さらに該磁性媒体2の上に炭化水素鎖か
らなる繰り返し単位を1つ以上含むふっ素化炭化水素ポ
リマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物または環状
構造を1つ以上含むふっ素化炭化水素ポリマーもしくは
該ポリマーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層4が被覆さ
れている。
はアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Pメッキ
膜、Cr,FeNi,MoまたはW等を被覆のアルミ合金、又は
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサ
ルフォン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又
はCr,FeNi,Mo,Wなどの金属、又はガラス板である。
次にこの下地体1の上に磁性媒体2としてFe3O4,γ−F
e2O3などの鉄酸化物又はCo−Ni,Co−Ni−P,Co−Mn−
P,Co−Ni−Mn−P,Co−Re,Co−Mn−Re−P,Co−C
r,Co−V,Co−Pt,Co−Ni−Pt,Co−Pi−Cr,Co−Pt
−V,Co−Rh,Co−Ni−Mo又はCo−Smなどの金属又は合
金を被覆する。さらに該磁性媒体2の上に炭化水素鎖か
らなる繰り返し単位を1つ以上含むふっ素化炭化水素ポ
リマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物または環状
構造を1つ以上含むふっ素化炭化水素ポリマーもしくは
該ポリマーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層4が被覆さ
れている。
本発明で用いられる主鎖中にパーフロロポリエーテル鎖
に加え、炭化水素鎖を含む繰り返し単位を1つ以上有す
るふっ素化炭化水素ポリマーの例としては次式の様な構
造の化合物である。
に加え、炭化水素鎖を含む繰り返し単位を1つ以上有す
るふっ素化炭化水素ポリマーの例としては次式の様な構
造の化合物である。
Rf′はふっ素化炭化水素で−Ch(CkF2k+1)2h−(hは1
以上の整数、kは0又は1以上の整数である)m又はn
は1以上の整数 R,R*はClX2i+1(iは1以上の整数、XはH又はF又
はCl,Br,I)J,J″,Jは、 −NHCO−,−NHCOO−, 又はこれらの異種の結合である。
以上の整数、kは0又は1以上の整数である)m又はn
は1以上の整数 R,R*はClX2i+1(iは1以上の整数、XはH又はF又
はCl,Br,I)J,J″,Jは、 −NHCO−,−NHCOO−, 又はこれらの異種の結合である。
本発明で用いる主鎖中にパーフロロポリエーテル鎖に加
え、フェニル基を含む繰り返し単位を1つ以上有するふ
っ素化炭化水素ポリマーの例としては次式の様な構造の
化合物である。
え、フェニル基を含む繰り返し単位を1つ以上有するふ
っ素化炭化水素ポリマーの例としては次式の様な構造の
化合物である。
各記号は式で表わしたものと同様である。pは0又は
1である。但しRφは などである。
1である。但しRφは などである。
ここでXはH,F,Cl,Br,I,R″はCtX2t(tは0
又は1以上の整数)また〜式の中に官能基を含んで
いても良い。
又は1以上の整数)また〜式の中に官能基を含んで
いても良い。
有効な官能基は −NCO,−SH,−SO3H,−SO3M(MはNa,K,Li),−C
N,−NCS,−NO2, −CCONH2,−I,−COOH,−COOCjH2j+1(jは1以上
の整数)、−CiH2jOH(iは0又は1以上の整数)、N
H2,−CH2=CH2,−Si(ChH2h+1)gX3=g(hは1
以上の整数、gは0,1又は2、XはCl又は−OH又はOC
fH2f+1(fは1以上の整数))、または -A-Si(ChH2h1)gX3=g (h,g,Xは上記と同様。又AはC,H,N,O,S
の1つ以上の元素からなる有機物)である。
N,−NCS,−NO2, −CCONH2,−I,−COOH,−COOCjH2j+1(jは1以上
の整数)、−CiH2jOH(iは0又は1以上の整数)、N
H2,−CH2=CH2,−Si(ChH2h+1)gX3=g(hは1
以上の整数、gは0,1又は2、XはCl又は−OH又はOC
fH2f+1(fは1以上の整数))、または -A-Si(ChH2h1)gX3=g (h,g,Xは上記と同様。又AはC,H,N,O,S
の1つ以上の元素からなる有機物)である。
例えば などである。
上記一般式中官能基Gは磁性媒体2又は、第2図に示す
ような磁性媒体2上に形成された保護膜3の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。この効果は官能基の中でも−Si(ChH2h+1)gX3=g(h
は1以上の整数、gは0,1又は2、XはCl又は−OH又はOCfH
2f+1(fは1以上の整数))で表わされるシランが最も
効果が有る。また舎式中に含まれる環状構造は磁性媒
体2又は保護膜3に吸着し、固着する。また,式中
のふっ素化炭化水素は表面エネルギーを下げヘッドとデ
ィスクの吸着を減少させる。
ような磁性媒体2上に形成された保護膜3の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。この効果は官能基の中でも−Si(ChH2h+1)gX3=g(h
は1以上の整数、gは0,1又は2、XはCl又は−OH又はOCfH
2f+1(fは1以上の整数))で表わされるシランが最も
効果が有る。また舎式中に含まれる環状構造は磁性媒
体2又は保護膜3に吸着し、固着する。また,式中
のふっ素化炭化水素は表面エネルギーを下げヘッドとデ
ィスクの吸着を減少させる。
この様な強い固着能と低表面エネルギーの為にヘッドと
の摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドデ
ィスク間への潤滑層の集積を防止し、ヘッドとディスク
の吸着を防止する効果の2つの効果が同時に得られる。
また上記パーフロロアルキルポリエーテルの粘度は分子
鎖長および官能基の種類により10〜1000000cs
tまで変化させることが出来る。〜式に示された前
記ふっ素化炭化水素ポリマーと混合する潤滑剤の例とし
ては を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオシエチレン、ネオペンチルポリオールエステル、ポ
リフェニルエーテルなどがある。
の摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドデ
ィスク間への潤滑層の集積を防止し、ヘッドとディスク
の吸着を防止する効果の2つの効果が同時に得られる。
また上記パーフロロアルキルポリエーテルの粘度は分子
鎖長および官能基の種類により10〜1000000cs
tまで変化させることが出来る。〜式に示された前
記ふっ素化炭化水素ポリマーと混合する潤滑剤の例とし
ては を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオシエチレン、ネオペンチルポリオールエステル、ポ
リフェニルエーテルなどがある。
第2図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第2図において、下地体1、および磁性媒体2、潤
滑層4は第1図と同じであるが磁性媒体2と前記潤滑層
4の間に保護膜が被覆されている。該保護膜3はSiO2,
Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物または
CoO,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CoO3,TiO2,
又はZrO2などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaN
などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaCなどの金
属窒窒化物またはW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,O
sまたはTa又はそれらの合金などの金属又は合金が用い
られる。
る。第2図において、下地体1、および磁性媒体2、潤
滑層4は第1図と同じであるが磁性媒体2と前記潤滑層
4の間に保護膜が被覆されている。該保護膜3はSiO2,
Si3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物または
CoO,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CoO3,TiO2,
又はZrO2などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaN
などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaCなどの金
属窒窒化物またはW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,O
sまたはTa又はそれらの合金などの金属又は合金が用い
られる。
いずれも前記潤滑層4と良く反応し、強固に該潤滑層4
を保持することが出来る。特にニツケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
を保持することが出来る。特にニツケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
なお前記潤滑層4を被覆後、100〜300℃で焼成し
ても良い。
ても良い。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例1 ニツケル一燐めつき膜が被覆され表面粗さ0.02μm
に鏡面仕上げされた下地体1の上に磁性媒体2としてコ
バルト−ニッケル−燐合金を0.05μmの厚さにめつ
きした。次にこの磁性媒体2の上に保護膜3として特開
昭52−20804号公報に示された様なポリ珪酸(珪
酸重合物)を回転塗布法により被覆する。次にこの保護
膜3の上に潤滑層4として下記の構造のふっ素化炭化水
素ポリマー ここでm=10,n=50である。0.1重量%トリフ
ロロトリクロルエタン(以下フレオンと称する)溶液を
回転塗布法により被覆して、磁気ディスクを作った。こ
の磁気ディスクを後述の評価法により評価したところ、
優れた耐久性を有することが確認された。
に鏡面仕上げされた下地体1の上に磁性媒体2としてコ
バルト−ニッケル−燐合金を0.05μmの厚さにめつ
きした。次にこの磁性媒体2の上に保護膜3として特開
昭52−20804号公報に示された様なポリ珪酸(珪
酸重合物)を回転塗布法により被覆する。次にこの保護
膜3の上に潤滑層4として下記の構造のふっ素化炭化水
素ポリマー ここでm=10,n=50である。0.1重量%トリフ
ロロトリクロルエタン(以下フレオンと称する)溶液を
回転塗布法により被覆して、磁気ディスクを作った。こ
の磁気ディスクを後述の評価法により評価したところ、
優れた耐久性を有することが確認された。
実施例2 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでm=20,n=20である。
実施例3 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでm=10,n=20である。
実施例4 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
ここでm=50である。
実施例5 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ふっ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでn=10,m=10である。
実施例6 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造ふ
っ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
っ素化炭化水素ポリマーを用いて磁気ディスクを作っ
た。
ここでn=20,m=10である。
実施例7 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
ここでn=10,m=20である。
実施例8 実施例1と同様にして但し潤滑層4として下記の構造の
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
パーフロロアルキルポリエーテルを用いて磁気ディスク
を作った。
ここでn=10,m=15である。
実施例9 実施例1と同様にして但し潤滑層4として保護膜3とし
てNiPを500Åめっきし、後280℃で焼成して表面
にNiOを形成させて磁気ディスクを作った。
てNiPを500Åめっきし、後280℃で焼成して表面
にNiOを形成させて磁気ディスクを作った。
実施例10 実施例3と同様にして但し潤滑層4として保護膜3とし
てSiO2を200Åスパッタリングにより被覆して磁気デ
ィスクを作った。
てSiO2を200Åスパッタリングにより被覆して磁気デ
ィスクを作った。
実施例11 実施例1と同様にして但し磁性媒体2としてCoCr合金を
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層4として
実施例7と同様の潤滑層を被覆して磁気ディスクを作っ
た。
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層4として
実施例7と同様の潤滑層を被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例12 実施例11と同様にして但し磁性媒体2としてγ−Fo2c
3をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作
った。
3をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作
った。
比較例1 実施例1と同様にして但し保護膜3の上に潤滑層4とし
て下記の構造を有するパーフフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
n=30〜50 比較例2 実施例1と同様にして但し保護膜3の上に潤滑層4とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
m=n=20〜30 実施例1〜14及び比較例1,2で示した磁気ディスク
を用いて荷重15gのAl2O3・TiC製コアを有するヘッド
スライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・スト
ップ(CSS)の繰り返し摩耗試験とヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
を用いて荷重15gのAl2O3・TiC製コアを有するヘッド
スライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・スト
ップ(CSS)の繰り返し摩耗試験とヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
上表の結果より比較例1,2のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例1〜12のふっ素化炭化水素ポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分った。
エーテルに比べ実施例1〜12のふっ素化炭化水素ポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分った。
実施例11,12は保護膜を有しない為、他の実施例よ
り耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有して
いる。また臨界膜厚についても比較例1,2のパーフロ
ロアルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド
吸着が始まるが、実施例1〜14のふっ素化炭化水素ポ
リマーは80〜150Åとより厚い膜厚までヘッド吸着
を生じず、大きなマージンを有していることが分った。
り耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有して
いる。また臨界膜厚についても比較例1,2のパーフロ
ロアルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド
吸着が始まるが、実施例1〜14のふっ素化炭化水素ポ
リマーは80〜150Åとより厚い膜厚までヘッド吸着
を生じず、大きなマージンを有していることが分った。
(発明の効果) 以上の様に本発明の磁気記憶体はふっ素化炭化水素ポリ
マーは耐久性に優れ、またヘッド吸着を生じにくく、磁
気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分
った。
マーは耐久性に優れ、またヘッド吸着を生じにくく、磁
気ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分
った。
なお、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
がフロツピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
がフロツピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
第1図及び第2図は本発明の例を示す部分断面図であ
る。 1…下地体、2…磁性媒体、3…保護膜、4…潤滑層で
ある。
る。 1…下地体、2…磁性媒体、3…保護膜、4…潤滑層で
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに
該媒体上に直接または保護膜を介して主鎖中にパーフロ
ロポリエーテル鎖に加え、炭化水素鎖またはフェニル基
を含む繰り返し単位を1つ以上有するふっ素化炭化水素
ポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物が被覆さ
れてなる構造を有することを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1817685A JPH069084B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1817685A JPH069084B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61178724A JPS61178724A (ja) | 1986-08-11 |
JPH069084B2 true JPH069084B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=11964304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1817685A Expired - Lifetime JPH069084B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH069084B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2633230B2 (ja) * | 1985-09-26 | 1997-07-23 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1817685A patent/JPH069084B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61178724A (ja) | 1986-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4696845A (en) | Magnetic storage medium with lubricating coating | |
JP4654339B2 (ja) | 磁気ディスク | |
WO2009123043A1 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
WO2008038799A1 (fr) | Lubrifiant pour disque magnétique, procédé de fabrication afférent et disque magnétique | |
JP3294760B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2008257852A (ja) | ポリマー性ペルフルオロポリエーテルホスフォート潤滑剤トップコート | |
JP4099860B2 (ja) | 液体潤滑剤およびそれを用いた磁気記録媒体とその製造方法 | |
JP3223238B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
WO2009123037A1 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2001006155A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JP2004152460A (ja) | 磁気ディスクおよびその製造方法 | |
JP3463713B2 (ja) | 潤滑剤及び磁気記録媒体 | |
JPH0610867B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH069084B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH079697B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0610868B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0618080B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JP2893240B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0654539B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0619832B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0610869B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JP2897156B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3024769B2 (ja) | 磁気ハードディスク | |
JPS6061918A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH10149527A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |