JPS61140177A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS61140177A JPS61140177A JP26335684A JP26335684A JPS61140177A JP S61140177 A JPS61140177 A JP S61140177A JP 26335684 A JP26335684 A JP 26335684A JP 26335684 A JP26335684 A JP 26335684A JP S61140177 A JPS61140177 A JP S61140177A
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Classifications
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、とりわけ、ゲート電極に
モリブデン、タングステンなどの高融点金属を用いたM
OS トランジスタに関するものである。
モリブデン、タングステンなどの高融点金属を用いたM
OS トランジスタに関するものである。
従来、MoSトランジスタのゲート電極としてはポリシ
リコンゲートが一般的であるが、これは抵抗が犬き(、
高速化にとって妨げとなっている。
リコンゲートが一般的であるが、これは抵抗が犬き(、
高速化にとって妨げとなっている。
そこで低抵抗でかつ微細化のし易さなどの長所をもつモ
リブデン、タングステンなどの高融点金属が注目されて
いる。
リブデン、タングステンなどの高融点金属が注目されて
いる。
モリブデン、タングステンなどの高融点金属ゲートは、
上述の利点の反面、工C製造には不可欠である熱処理や
酸処理などに弱いことのほか、ナト17ウムなどの不純
物汚染KsW<信頼性に欠けるという欠点があった。
上述の利点の反面、工C製造には不可欠である熱処理や
酸処理などに弱いことのほか、ナト17ウムなどの不純
物汚染KsW<信頼性に欠けるという欠点があった。
この発明は高融点金属ゲートにおける信頼性の問題を解
決するために、ゲート電極を7リコン窒化寝にて被覆し
て不純物汚染を防ぐ工うに構成した点に特徴を有するも
のである。
決するために、ゲート電極を7リコン窒化寝にて被覆し
て不純物汚染を防ぐ工うに構成した点に特徴を有するも
のである。
シリコン基板1に、不純物拡散層にエリソース2、ドレ
イン3を構成する。ついでS10.の酸化膜4を形成し
た後さらにその上にシリコン窒化模5(SiN)を減圧
0VD(生成温度700℃)で形成する。そしてゲート
電極6としてモリブデン嗅をパターン形成して(第2図
)、さらにシリコン窒化膜7で被覆して、モリブデン喚
を包むように覆ってしまう(第3図)。
イン3を構成する。ついでS10.の酸化膜4を形成し
た後さらにその上にシリコン窒化模5(SiN)を減圧
0VD(生成温度700℃)で形成する。そしてゲート
電極6としてモリブデン嗅をパターン形成して(第2図
)、さらにシリコン窒化膜7で被覆して、モリブデン喚
を包むように覆ってしまう(第3図)。
上述の構成工すなる本発明にかかる半導体装置は、パタ
ーン形成した高融点金属からなるゲート電極をあらかじ
め7リコン窒化模で覆って保護することに工り不純物汚
染を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。
ーン形成した高融点金属からなるゲート電極をあらかじ
め7リコン窒化模で覆って保護することに工り不純物汚
染を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。
図面は本発明の実施例で、第1〜第5図はそれぞれ製造
工程を追って示す断面図である。 5・・・シリコン窒化膜 6・・・ゲート電極 7・・・シリコン窒化膜 以 上 第1図
工程を追って示す断面図である。 5・・・シリコン窒化膜 6・・・ゲート電極 7・・・シリコン窒化膜 以 上 第1図
Claims (2)
- (1)ゲート電極を高融点金属で構成し、上記ゲート電
極をシリコン窒化膜にて被覆したMOSトランジスタを
有する半導体装置。 - (2)上記高融点金属はモリブデンまたはタングステン
である特許請求の範囲第1項の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26335684A JPS61140177A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26335684A JPS61140177A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61140177A true JPS61140177A (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=17388342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26335684A Pending JPS61140177A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61140177A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6415978A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
JPH01181467A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08139311A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54159186A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS5591872A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-11 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26335684A patent/JPS61140177A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54159186A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS5591872A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-11 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01181467A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08139311A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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