JPS61140177A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS61140177A
JPS61140177A JP26335684A JP26335684A JPS61140177A JP S61140177 A JPS61140177 A JP S61140177A JP 26335684 A JP26335684 A JP 26335684A JP 26335684 A JP26335684 A JP 26335684A JP S61140177 A JPS61140177 A JP S61140177A
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JP
Japan
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gate electrode
nitride film
melting point
high melting
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP26335684A
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English (en)
Inventor
Makoto Ogura
小倉　良
Yoshio Nomura
野村　吉雄
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Nippon Precision Circuits Inc
Original Assignee
Nippon Precision Circuits Inc
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Publication date
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Publication of JPS61140177A publication Critical patent/JPS61140177A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28202—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a nitrogen-containing ambient, e.g. nitride deposition, growth, oxynitridation, NH3 nitridation, N2O oxidation, thermal nitridation, RTN, plasma nitridation, RPN
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置に関し、とりわけ、ゲート電極に
モリブデン、タングステンなどの高融点金属を用いたＭ
ＯＳ　トランジスタに関するものである。
〔従来の技術〕
従来、ＭｏＳトランジスタのゲート電極としてはポリシ
リコンゲートが一般的であるが、これは抵抗が犬き（、
高速化にとって妨げとなっている。
そこで低抵抗でかつ微細化のし易さなどの長所をもつモ
リブデン、タングステンなどの高融点金属が注目されて
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
モリブデン、タングステンなどの高融点金属ゲートは、
上述の利点の反面、工Ｃ製造には不可欠である熱処理や
酸処理などに弱いことのほか、ナト１７ウムなどの不純
物汚染ＫｓＷ＜信頼性に欠けるという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は高融点金属ゲートにおける信頼性の問題を解
決するために、ゲート電極を７リコン窒化寝にて被覆し
て不純物汚染を防ぐ工うに構成した点に特徴を有するも
のである。
〔実施例〕
シリコン基板１に、不純物拡散層にエリソース２、ドレ
イン３を構成する。ついでＳ１０．の酸化膜４を形成し
た後さらにその上にシリコン窒化模５（ＳｉＮ）を減圧
０ＶＤ（生成温度７００℃）で形成する。そしてゲート
電極６としてモリブデン嗅をパターン形成して（第２図
）、さらにシリコン窒化膜７で被覆して、モリブデン喚
を包むように覆ってしまう（第３図）。
〔発明の効果〕
上述の構成工すなる本発明にかかる半導体装置は、パタ
ーン形成した高融点金属からなるゲート電極をあらかじ
め７リコン窒化模で覆って保護することに工り不純物汚
染を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例で、第１〜第５図はそれぞれ製造
工程を追って示す断面図である。 ５・・・シリコン窒化膜 ６・・・ゲート電極 ７・・・シリコン窒化膜 以　　　上 第１図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ゲート電極を高融点金属で構成し、上記ゲート電
    極をシリコン窒化膜にて被覆したＭＯＳトランジスタを
    有する半導体装置。
  2. （２）上記高融点金属はモリブデンまたはタングステン
    である特許請求の範囲第１項の半導体装置。
JP26335684A 1984-12-13 1984-12-13 半導体装置 Pending JPS61140177A (ja)

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JPS61140177A true JPS61140177A (ja) 1986-06-27

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6415978A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPH01181467A (ja) * 1988-01-08 1989-07-19 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH08139311A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54159186A (en) * 1978-06-07 1979-12-15 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPS5591872A (en) * 1978-12-29 1980-07-11 Nec Corp Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54159186A (en) * 1978-06-07 1979-12-15 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPS5591872A (en) * 1978-12-29 1980-07-11 Nec Corp Manufacture of semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6415978A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPH01181467A (ja) * 1988-01-08 1989-07-19 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH08139311A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法

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