JPS61139038A - プロ−ビング装置 - Google Patents

プロ−ビング装置

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Publication number
JPS61139038A
JPS61139038A JP26137984A JP26137984A JPS61139038A JP S61139038 A JPS61139038 A JP S61139038A JP 26137984 A JP26137984 A JP 26137984A JP 26137984 A JP26137984 A JP 26137984A JP S61139038 A JPS61139038 A JP S61139038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding pads
probing
contact
contactors
glass mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26137984A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumiaki Mitsuda
満田 史昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP26137984A priority Critical patent/JPS61139038A/ja
Publication of JPS61139038A publication Critical patent/JPS61139038A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体製造工程において、ウェーハ上に形成
された半導°体チップの測定を行うプロービング装置に
係り、特にその接触子の構造に圏するものである。
(発明の技術的背景) ウェーハ上に形成された半導体チップの電気的特性試験
を行うためにプロービング装置が使用される。
一般にプロービング装置は試験装置と、半導体チップの
ボンディングパッドに接触する接触子を備えたプロービ
ングヘッドとから構成されている。
第4図は従来用いられているプロービング装置の概略構
成を示した正面図で、特にそのプロービングヘッド部の
##i造を示している。
ウェーハ1上には第5図の平面図に示すように多数の半
導体チップ2が形成されている。このチップ2の周辺部
にはボンディングパッドが多数形成され、このボンディ
ングパッドに接触子である接触針3を接触させて試験装
置4との間でリード線5を介して電気信号の授受を行う
ことにより、半導体チップ2の電気的特性の試験を行う
この際接触針3は接触針固定板6によって相互の位置が
互いに固定されるように構成されている。
接触針3の本数とその相互の配置関係はウェーハ1上に
構成される半導体チップの種類に応じて予め定められて
いる。
第6図はプロービング状態にある半導体チップ2と接触
針3との関係を詳細に示した図である。
チップ2の周辺部に形成されたボンディングパッド7の
配列に合わせて相互の位置が固定された接触針3が、こ
のボンディングパッド7に正確に接触するように固定板
6は構成されている。
このようにしてプロービング装置はウェーハ1上に形成
されたチップ2の電気的試験を順次行う。
〔背景技術の問題点〕
このような従来のプロービング装置では、多数の半導体
チップを測定しているうちに接触針どうしの位置関係に
狂いが生じ、ボンディングパッドとの間に位置ずれを起
こしたり、11先が変形しC針がボンディングパッドの
アルミニウムを鴎つけたりして、正確な測定ができなく
なってしまうという欠点を有している。
また、前述したように接触針どうしの相互位置関係は極
めて厳密な精度を要する!こめ、接触針を製作する段階
で数ミクロンの精度を要する。このため製作コストが高
くしかも保管管理にも手間がかかるという問題がある。
〔発明の目的) 本発明は上述した欠点を解消するためになされたちのC
1正確な測定ができ、しからプロービングヘッドに用い
る接触針を安価なコストで、しかも容易に製作すること
のできるようにしたプロービング装置を提供することを
目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的達成のため、本発明においてはデツプのボンデ
ィングパッドの形成に使用するガラスマスクを用いて導
体膜のパターニングにより形成されたパターニング付基
板を接触子として用いることを特徴としており、安価で
しかも高精度のプロービング装置を提供することができ
るものである。
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明によるプロービング装置の一実施例を
示すもので、特にこのプロービングヘッド部の詳細構造
を示した正面図である。
従来のように複数の接触針を互いに固定するための固定
板を用いる代りに、セラミック基板10を用いる。この
セラミック基板10の表面には予めアルミニウム等の導
体膜が形成されいている。
この導体膜を後述するボンディングパッドの形成に使用
するガラスマスクを用いてパターニングすることにより
ボンディングパッドに対応する位置に導体膜を残存させ
てパターニング付き基板とする。
これによって第1図に承すようにウェーハ1のボンディ
ングパッド7に対応する位置に導体膜からなる接触子1
1が形成される。この接触子11を従来の接触針と同様
にボンディングパッド7に接触させて、プロービングを
行うようにする。
なお接触子11と試験装置(図示せず)とを接続するた
めのリード配線にはセラミック単板10の表面に接触子
11と同一の導体膜によって予め形成しておいてもよい
が、接触子11の形成後に公知の写真蝕刻法等によって
形成してもよい。
このようにウェーハ1上に形成されたチップ内ボンディ
ングパッド7が、パターニングされたガラスマスクを用
いて保護膜13をはがして作られることに着眼し、その
同一ガラスマスクを用いて基板10上に接触子11を形
成するため、接触子11同士の位置ずれはもちろんのこ
と接触子11とボンディングパッド7との間の位置ずれ
もない。
なお、このようにして形成されたボンディングパッドを
用いて、ウェーハとの間で位置合せを行うためには、セ
ラミック基板10の中央部に開孔形成された位置合ぜ窓
14を設け、この窓114Iからウェーハ1上のチップ
のパターニングを眺めて位置合せを行うようにすればよ
い。
第2図はボンディングパッドの形成に使用されるガラス
マスクの平面図を示したちのである。ボンデイングパッ
ドが形成されるべき位置に黒塗部7aが形成された構造
となっている。
第3図は第2図のガラスマスクを用いて形成されたパタ
ーニング付基板の断面構造の詳細を示した。ガラスマス
クの黒塗部7aに対応する位置に接触子11が導体膜に
より形成されている。
〔発明の効果) 以上説明したように従来のプロービング装置では、固定
板に礪械的に固着して形成した接触針を用いていたため
多数のチップを測定していくと接触針の位置ずれが起っ
たり、製作時の精度が要求されるため製作が難しい等の
問題があったが、本発明によるプロービング装置ではボ
ンディングパッドの形成に使用されるガラスマスクを用
いてプロービングヘッドを製作するため、位置ずれが無
く、しかも使い捨てができるほどに製作コストの安価な
プロービング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるプロービング装置を示
したしので、特にそのプロービングヘッドの構造および
チップとの関係を示す断面図、第2図は本発明に用いら
れるボンディングパッドの形成に使用されるガラスマス
クの平面図、第3図は本発明に用いられるプロービング
装置の構成を示す断面図、第4図は従来プロービング装
置の概略構成図、第5図はウェーハ上のチップ配列を示
す平面図、第6図は従来の装置によるプロービング状態
を示す平面図である。 1・・・ウェーハ、2・・・チップ、7・・・ボンディ
ングパッド、7a・・・黒塗部、10・・・セラミック
基板、 □11・・・接触子、12・・・リード配線。 出願人代理人  猪  股    清 61 図 琵 2 図 も3 図 64 口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェーハ上に形成されたチップのボンディングパッ
    ドに、相互の位置が互いに固定された接触子を接触させ
    て前記チップの電気測定を行なうプロービング装置にお
    いて、 前記ボンディングパッドの形成に使用するガラスマスク
    を用いて、基板上に形成された導体膜をパターニングす
    ることにより前記ボンディングパッドに対応する位置に
    導体膜を残存させたパターニング付基板を前記接触子と
    して用いることを特徴とするプロービング装置。 2、導体膜をアルミニウム膜とした特許請求の範囲第1
    項記載のプロービング装置。 3、パターニング付基板中央部に位置合せ用開孔部を形
    成した特許請求の範囲第1項記載のプロービング装置。
JP26137984A 1984-12-11 1984-12-11 プロ−ビング装置 Pending JPS61139038A (ja)

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JP26137984A JPS61139038A (ja) 1984-12-11 1984-12-11 プロ−ビング装置

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JPS61139038A true JPS61139038A (ja) 1986-06-26

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ID=17361027

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JP (1) JPS61139038A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05340964A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp ウエハ及びチップの試験装置
JPH11160356A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05340964A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp ウエハ及びチップの試験装置
JPH11160356A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法

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