JPS6047747B2 - 誤動作防止回路 - Google Patents

誤動作防止回路

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JPS6047747B2
JPS6047747B2 JP12754077A JP12754077A JPS6047747B2 JP S6047747 B2 JPS6047747 B2 JP S6047747B2 JP 12754077 A JP12754077 A JP 12754077A JP 12754077 A JP12754077 A JP 12754077A JP S6047747 B2 JPS6047747 B2 JP S6047747B2
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JP
Japan
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diode
malfunction prevention
anode
transistor
voltage
Prior art date
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Expired
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JP12754077A
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English (en)
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JPS5461487A (en
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勝夫 毛利
雄平 阿部
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5461487A publication Critical patent/JPS5461487A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路の回路構成に関し、とくに集積回路
における出力端子に侵入した雑音によつて集積回路内の
トランジスタが誤動作するのを防止するためのものであ
る。
第1図はバイポーラ形の集積回路を模式図的に示した
基本構造図、第2図は第1図の集積回路を結線した回路
図である。
第1図及び第2図において、1は集積回路、2は集積回
路のサブストレート基板でサブストレート基板2は接地
される。2 1および22はNPN形のトランジスタで
、11はトランジスタ21のエミッタ端子、12はベー
ス端子、13はコレクタ端子、14はトランジスタ22
のエミッタ端子、15はベース端子、16はコレクタ端
子であり、エミッタ端子11および 14は接地されて
いる。
23はトランジスタ21’のコレクタと基板2およびト
ランジスタ22のコレクタで構成される寄生トランジス
タで、この寄生トランジスタ23の存在が回路に誤動作
を生じる要因となつている。
24は抵抗で、端子18はトランジスタ21のコレクタ
端子13に接続され、端子19は通常電源に接続されて
いる。
25は集積回路1の出力端子でトランジスタ22のコレ
クタ端子に接続され、さらに入力端子25にはトランジ
スタ22の負荷26が接続されている。
第3図は出力端子25に雑音が侵入した時の出力端子2
5の電圧波形図で、このような雑音は通常トランジスタ
22がオフ状態の時に侵入し、とくに集積回路の周囲で
モータやリレーなどのインダクタンス性の装置が起動、
停止時に発生し侵入する場合が多い。トランジスタ22
がオフし、出力端子25に雑音が侵入していない状態で
は、第3図の時i?00からt1までに示すように出力
端子25の電圧は負荷26によつて決められる一定電圧
V25に保たれている。時間t1で雑音が侵入した場合
、時間!までは集積回路1に何等の変化がないか、時間
らにおいて、出力端子25の電圧がトランジスタ23の
ベースとエミッタ間の電圧VBEだけ接地電圧0■より
も低下すると、基板2からトランジスタ22のコレクタ
端子16へトランジスタ23のベース電流が流れるため
、トランジスタ23はオンし、トランジスタ21がオフ
状態の場合抵抗24に電流が流れ、トランジスタ21の
コレクタ端子13の電圧は低下する。すなわちトランジ
スタ21がオンしているにもかかわらず、コレクタ端子
13の電圧は低下し、トランジスタ21がオンになつた
状態と同等の状態になる。通常コレクタ端子13は他の
トランジスタ28に接続されているので、他のトランジ
スタ28はコレクタ端子13の電圧の低下によつて動作
し、誤動作を引き起すことになる。なおトランジスタ2
1がオン状態の場合には、コレクタ端子13の電圧が低
下しているため誤動作を起すことはない。第4図は従来
の誤動作防止回路の回路図でダイオード27が誤動作を
防止するために接続されている。この回路は出力端子2
5に雑音が侵入した場合に、トランジスタ23のベース
からエミッタへ流れる電流に代えて、ダイオード27の
アノードからカソードへ電流を流し、トランジスタ23
がオンになるのを防止しようとするものである。しかし
、この回路において、トランジスタ23をオンさせずに
、ダイオード27をオンにするためには、トランジスタ
23のベースとエミッタ間の電圧■BEよりも、ダイオ
ード27のアノードとカソード間の電圧Vpが小さいと
いう条件が必要である。一般に半導体素子の特性のバラ
ツキは大きく、トランジスタ■BEやダイオードのVF
のバラツキは大きく第4図に示した従来の誤動作防止回
路においては、確実に誤動作を防止することは困難であ
つた。なお、出力端子25と接地間をコンデンサで接続
すると、雑音の侵入を防止することができるが、トラン
ジスタ22のオフの時にコンデンサに蓄積された電荷が
、トランジスタ22がオンになつた時に大きなコレクタ
電流となつてトランジスタ22を流れ、トランジスタ2
2が破壊するために使用することができない。
本発明の目的はより確実に誤動作を防止するための回路
を提供することで、誤動作防止用のダイオードを順方向
にバイアスすることによりトランジスタ23のベースと
エミッタ間の電圧に対し、ダイオードのアノードとカソ
ード間の電圧のバラツキの影響を小さくして、確実にダ
イオードがオンするようしたものである。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第5図は本発明の実施例を示す図路図で、46が本発明
の誤動作防止回路の主要部てある。出力端子25には誤
動作防止のためのダイオード43のカソードが接続され
、ダイオード43のアノードには抵抗41の一方の端子
とダイオード42のアノードが接続されている。抵抗4
1の他方の端子は電源に接続され、ダイオード42のカ
ソードは接地されている。また、ダイオード43のアノ
ードには端子44が接続され、端子44と接地間にはコ
ンデンサ45が接続されている。ここで、抵抗41とダ
イオード42はダイオード43のバイアス電源を構成す
る。このバイアス電源の電圧は雑音に対してはダイオー
ド43が確実に動作し、トランジスタ22がオンの時に
はダイオード43がオンにならないように決定するのが
最も望ましい。この回路において、ダイオード43のア
ノードとカソード間の電圧を■F43、ダイオード42
のアノードとカソード間の電圧をVF42とすれば、出
力端子25に第3図に示すような雑音が侵入した場合に
、出力端子25の電肛■5がV25=■F42−VF4
3になつた時にダイオード43はオンになる。この時■
F4。−VF43〉一■BEであればトランジスタ23
はオンになることはない。例えばダイオード42及び4
3を同一の集積回路に組込めば、同一のプロセスで作ら
れるため、両ダイオードのVF4。及び■,はほぼ等し
くなるため■F42−■F43=ニ0となり、出力端子
25の電圧が接地電圧0Vになるとダイオード43がオ
ンになるためトランジスタ23がオンになることはない
。また、この回路においてはトランジスタ22がオンの
場合には出力端子25の電圧が0Vにはならないのでダ
イオード43はオンにならない。端子44に接続された
コンデンサ44は高周波の雑音に対して動作を確実にす
るために付加したものである。上記した実施例において
は、ダイオード42と抵抗41によつてダイオード43
にバイアス電圧を与えたが、抵抗41をツェナーダイオ
ードや複数個のダイオードを直列に接続した場合、ダイ
オード42を抵抗で構成した場合、さらにダイオード4
2を複数のダイオードを直列に接続した場合も誤動作防
止回路としての機能をはたすことは可能である。
なお、従来技術においては、出力端子25にコンデンサ
を接続すると、コンデンサに蓄積された電荷によつて、
トランジスタ22が破壊されたが、本実施例においては
端子44の電圧が低いために、コンデンサ45に蓄積さ
れる電荷量が小さく、トランジスタ22が破壊されるこ
とはない。
以上説明したように、本発明によれば、誤動作防止のた
めのダイオードに順方向のバイアス電圧を与えることに
より、ダイオードのアノードとカソード間の電圧のバラ
ツキの影響を受けずに、確実に動作をする誤動作防止回
路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はバイポーラ形集積回路の基本構造図、第2図は
上記集積回路の結線図、第3図は出力端子に雑音が侵入
した時の電圧波形図、第4図は従来の誤動作防止回路の
回路図、第5図は本発明による誤動作防止回路の1実施
例を示す回路図である。 1・・・・・・集積回路、2・・・・・・サブストレー
ト基板、22・・・・・・NPN形トランジスタ、25
・・・・・・出力端子、27,43・・・・・・誤動作
防止用ダイオード、41・・・・・・抵抗、42・・・
・・・ダイオード、45・・・・コンデンサ、46・・
・・・・バイアス電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 P形のサブストレート基板を有する集積回路に構成
    された複数個のNPN形トランジスタのうち、少なくと
    も1個のNPN形のトランジスタのコレクタが集積回路
    の出力端子に接続され、誤動作防止用ダイオードのカソ
    ードが上記出力端子に接続され、アノードが接地された
    回路において、上記誤動作防止用ダイオードのアノード
    と接地間に、上記誤動作防止用のダイオードが順方向に
    バイアスされるようにバイアス電源が接続された誤動作
    防止回路。 2 バイアス電源の電圧が誤動作防止用のダイオードの
    アノードとカソード間電圧にほぼ等しい、特許請求の範
    囲第1項記載の誤動作防止回路。 3 誤動作防止用のダイオードのアノードにアノードが
    接続され、カソードが接地された第2のダイオードと、
    一方の端子が第2のダイオードのアノードに接続され、
    他方の端子に電圧が印加された抵抗によつてバイアス電
    源が構成された特許請求の範囲第1項又は、第2項記載
    の誤動作防止回路。 4 誤動作防止用ダイオードのアノードにアノードが接
    続され、カソードが接地された第2のダイオードと、一
    方の端子が第2のダイオードのアノードに接続され、他
    方の端子に電圧が印加された抵抗と、第2のダイオード
    に並列に接続されたコンデンサとによつてバイアス電源
    が構成された特許請求の範囲第1項又は第2項記載の誤
    動作防止回路。
JP12754077A 1977-10-26 1977-10-26 誤動作防止回路 Expired JPS6047747B2 (ja)

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JPS5461487A JPS5461487A (en) 1979-05-17
JPS6047747B2 true JPS6047747B2 (ja) 1985-10-23

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01109030U (ja) * 1988-01-19 1989-07-24
US10744922B2 (en) 2017-04-12 2020-08-18 Audi Ag Method for operating a transport system and corresponding transport system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01109030U (ja) * 1988-01-19 1989-07-24
US10744922B2 (en) 2017-04-12 2020-08-18 Audi Ag Method for operating a transport system and corresponding transport system

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JPS5461487A (en) 1979-05-17

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