JPH02137516A - 半導体スイッチ駆動回路 - Google Patents

半導体スイッチ駆動回路

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JPH02137516A
JPH02137516A JP29195488A JP29195488A JPH02137516A JP H02137516 A JPH02137516 A JP H02137516A JP 29195488 A JP29195488 A JP 29195488A JP 29195488 A JP29195488 A JP 29195488A JP H02137516 A JPH02137516 A JP H02137516A
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JP
Japan
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terminal
transistors
transistor
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switch
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JP29195488A
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JPH0683044B2 (ja
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Tetsuo Yoshino
吉野 哲夫
Yuichiro Nagataki
長滝 雄一郎
Tadakatsu Kimura
木村 忠勝
Yasunobu Inabe
井鍋 泰宣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電力消費が小である半導体スイッチ駆動回路に
関し特に2個以上のスイッチ群から1個のスイッチのみ
を排他的に駆動する半導体スイッチ駆動回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のスイッチ駆動回路でロウレベルの論理入
力電圧でスイッチをオン状態としくアクティブロウ)、
かつスイッチがオフの状態でのスイッチ駆動回路の電力
消費を低減しようとした場合には、特公昭61−905
17に示される回路を複数個組み合せ、第3図の如く構
成するのが一般的であった。ここで6は第1のスイッチ
としてのPNPNサイリスタ、35は第2のスイッチと
してのPNPNサイリスタ、34および5と、32.3
3および34はそれぞれこれらスイッチのアノード端子
、カソード端子およびゲート端子である。また1は正電
圧源を接続する端子であり、2,31はスイッチ制御信
号入力端子である。これら入力端子2,31に供給され
るスイッチ制御信号は互いに排他的であり、入力端子2
,31は同時にロウレベル(通常OV)になることがな
いものとする。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに第3図の回路は次の点に関し冗長な構成となっ
ている。
(1)差動対トランジスタが2組必要である(トランジ
スタ21.22と37.38)。
(2)基準電圧を作成する回路が各入力ごとに存在する
(ダイオード24.25と47.48、抵抗26と46
)。
(3)ゲート電流を作成するダイオードが9,10およ
び44.45と各入力ごとに2個づつ必要である。
(4)ダイオード9,10および44.45の低電流域
での必要以上のインピーダンス増大の影響を防止する抵
抗、8,43が各入力ごとに必要となる。
これらの点はLSIにより回路を実現しようとする場合
にはチップサイズの増大をまねき、個別部品での実現で
は部品点数の増大となって表われいずれもコストの上昇
をまねくという欠点をもたらす。
〔課題を解決するための手段〕
本発明による駆動回路は、排他的動作を行なう複数の半
導体スイッチと、これを駆動するための電流を供給する
複数の駆動用トランジスタと、この駆動用トランジスタ
とエミッタを共通に接続し差動対を構成する1個の基準
電圧検出トランジスタと、このトランジスタのベース端
子に基準電圧を与える1個の基準電圧回路と、この差動
対トランジスタのエミッタに電流を供給するための抵抗
を介してエミッタを電源端子に接続した1個のトランジ
スタと、このトランジスタのベース端子と電源端子間に
接続された1本の抵抗と、−組の直列接続ダイオード群
と、さらにこのベース端子と駆動用トランジスタのベー
ス端子との間に接続された複数の抵抗を有する。
すなわち、本発明の特徴は、基準電圧をベースに受ける
第1のトランジスタに対して第2および第3のトランジ
スタをそれぞれ差動型式に接続し、これら第2および第
3のトランジスタのベースを第1および第2の制御入力
端子にそれぞれ接続すると共にこれらのコレクタを第1
および第2の駆動出力端子にそれぞれ導き、さらに、第
1および第2の制御入力端子の少なくとも一方に供給さ
れるアクティブ入力レベルに応答して動作する電流源を
第1ないし第3のトランジスタのエミッタ共通接続点に
結合したことにある。
かくして、本発明による半導体スイッチ駆動回路は、 (1)差動対トランジスタの素子数域、(2)基準電圧
回路の共有化、 (3)ゲート電流作成ダイオードの削減、(4)ダイオ
ードのインピーダンスコントロール用抵抗の削減、 等の効果をもたらす。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例である。
ここで抵抗26、ダイオード24.25は基準電圧回路
であり基準電圧検出用トランジスタ22ベースに基準電
圧を供給する。他のトランジスタ21.37のコレクタ
は逆流防止上ダイオード13゜39を通してPNPNス
イッチ6.35のそれぞれのゲート端子5,34に接続
されている。また差動対を構成するトランジスタ21と
22.37と22のエミッタはトランジスタ12のコレ
クタに接続され、このトランジスタ12のベースは直列
ダイオード9,10および抵抗8に接続される。
またこのトランジスタ12のベースは抵抗27゜42を
介して各駆動用トランジスタ21.37のベースへ接続
されている。
さて、端子1に定電圧(通常5V)を加え制御入力端子
2,31にハイレベル(通常=5v)を印加した場合の
動作を考える。この時にはトランジスタ37,21.1
2はすべてoff’しているため電流が流れずPNPN
スイッチ6.35はいずれも駆動されることはない。ま
たこの時の消費電力は基準電圧発生回路(抵抗26、ダ
イオード24゜−〇− 25)のみで定まり小さくおさえることが可能である。
次に制御入力端子2がロウレベル(通常OV)となった
場合の動作を考える。この時抵抗27を通じてダイオー
ド9,10に電流が流れ端子電圧(=2Vn)が発生す
る。このためトランジスタ12には (2VD  VIE) /R1、・a 12なるコレク
タ電流が流れる。ここでVDはダイオード9,11の端
子電圧、VBEはトランジスタ120ベースエミツタ電
圧、R1、は1抵抗11の抵抗値、α12はトランジス
タ12のベース接地電流増巾率である。この電流はさら
にトランジスタ21を通してPNPNスイッチ6のゲー
トに加えられスイッチを駆動する。この時トランジスタ
37はオフしておりPNPNスイッチ35は駆動されな
い。制御入力端子31にロウレベルを印加した場合の動
作も通電されるトランジスタが異なるだけで同様である
。これらの動作は制御入力端子2゜31が同時にロウレ
ベルにならないかぎり、フェイルセイフ機能、小電力消
費、大きな雑音余裕のすべてを第3図の従来構成より少
ない素子数で実現している。
第2図は本発明の第2の実施例である。本実施例では制
御入力端子に増巾用トランジスタ28゜29を加えるこ
とにより制御入力電流を小さくおさえた例である。
以上の実施例では2個のPNPNスイッチを示している
が、PNPNスイッチを3個以上に増やした構成等も用
意に実現できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、排他的動作を行なう複数
の半導体スイッチを駆動する半導体スイッチ駆動回路に
おいて駆動電流を供給する複数の駆動用トランジスタと
、この複数の駆動用トランジスタとエミッタを共通に接
続し差動対を構成する1個の基準電圧検出トランジスタ
と、このトランジスタのベース端子に基準電圧を与える
1個の基準電圧回路と、この差動対を構成するトランジ
スタのエミッタ接続点にコレクタを接続し、抵抗を介し
てエミッタを電源端子に接続した1個のトランジスタと
このトランジスタのベース端子と電源端子間に接続され
た1本の抵抗と、−組の直列ダイオード群とさらにこの
ベース端子と各駆動用トランジスタのベース端子との間
に接続された複数の抵抗よりなり少ない素子数で低消費
電力の半導体スイッチ駆動回路を実現できるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す回路図、第3図は従来技術
の例を示す回路図である。 1・・・・・・電源端子、2,31・・・・・・スイッ
チ制御信号入力端子、6.35・・・・・・PNPNス
イッチ、26゜24、25・・・・・・第1の基準電圧
回路、46,47゜48・・・・・・第2の基準電圧回
路、9,10・・・・・・第1の直列ダイオード群、4
4,45・・・・・・第2の直列ダイオード群、21,
22,37.38・・・・・・差動対トランジスタ。 代理人 弁理士  内 原   音

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベースに基準電圧を受ける第1のトランジスタと、この
    トランジスタに対してそれぞれ差動型式に接続された第
    2および第3のトランジスタと、これら第2および第3
    のトランジスタのベースにそれぞれ接続された第1およ
    び第2の制御入力端子と、前記第2および第3のトラン
    ジスタのコレクタにそれぞれ接続された第1および第2
    の駆動出力端子と、前記第1ないし第3のトランジスタ
    のエミッタ共通接続点に結合され前記第1および第2の
    制御入力端子の少なくとも一方に供給されるアクティブ
    制御レベルに応答して動作する電流源とを有することを
    特徴とする半導体スイッチ駆動回路。
JP29195488A 1988-11-18 1988-11-18 半導体スイッチ駆動回路 Expired - Lifetime JPH0683044B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29195488A JPH0683044B2 (ja) 1988-11-18 1988-11-18 半導体スイッチ駆動回路

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JP29195488A JPH0683044B2 (ja) 1988-11-18 1988-11-18 半導体スイッチ駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02137516A true JPH02137516A (ja) 1990-05-25
JPH0683044B2 JPH0683044B2 (ja) 1994-10-19

Family

ID=17775616

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JP29195488A Expired - Lifetime JPH0683044B2 (ja) 1988-11-18 1988-11-18 半導体スイッチ駆動回路

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JP (1) JPH0683044B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6223434B1 (en) 1997-04-02 2001-05-01 Sango Co., Ltd. Muffler and its manufacturing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6223434B1 (en) 1997-04-02 2001-05-01 Sango Co., Ltd. Muffler and its manufacturing method

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