JP2592990B2 - 電圧制御回路 - Google Patents

電圧制御回路

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JP2592990B2
JP2592990B2 JP31103190A JP31103190A JP2592990B2 JP 2592990 B2 JP2592990 B2 JP 2592990B2 JP 31103190 A JP31103190 A JP 31103190A JP 31103190 A JP31103190 A JP 31103190A JP 2592990 B2 JP2592990 B2 JP 2592990B2
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智宏 久米
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、CRタイマーのバッファ回路等で用いられる
電圧制御回路に関し、特に、入力インピーダンスが高
く、出力インピーダンスが低く、しかも入力電圧より高
い電圧が出力側に印加されてもその影響が入力側に現わ
れない電圧制御回路に関する。
(従来の技術) 前記のように入力インピーダンスが高く且つ出力イン
ピーダンスが低い電圧制御回路を個別部品で構成するに
は、トランジスタをコレクタ接地型式で使用すればよい
ことは知られており、該トランジスタのベースを入力と
し、エミッタを出力とすれば、出力電圧は入力電圧に応
じて変化する。
そして、入力電圧よりも高い電圧が出力側に強制印加
されても、その影響が入力側に現われないようにするた
めには、ベース・エミッタ間の逆耐圧定格が入出力間に
予想される電位差よりも大きいトランジスタを選定すれ
ばよい。
(発明が解決しようとする課題) しかるに、半導体集積回路においては、一の導電型ト
ランジスタについてはベース・エミッタ間の逆耐圧が大
きいものを製造することができるが、他の導電型トラン
ジスタについてはベース・エミッタ間の逆耐圧が著しく
小さいものしか製造できない場合がある。例えばNPN型
トランジスタのベース・エミッタの逆耐圧がPNP型トラ
ンジスタのベース・エミッタ間の逆耐圧に比べて著しく
小さい場合を挙げることができる。
前記の場合には、コレクタ接地のNPN型トランジスタ
1段では出力側の高電圧印加に耐えることができないの
で、PNP型トランジスタのコレクタ接地を採用せざるを
得ず、回路構成の自由度が制限されるという問題点があ
る。
本発明は前記の問題点に鑑みてなされたものであり、
入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低
く、しかも入力電圧よりも高い電圧が出力側に印加され
てもその影響が入力側に現われない電圧制御回路を提供
することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明の電圧制御回路は、出力段のコレクタ接地のト
ランジスタのベース・エミッタ間に加わる逆バイアス電
圧をダイオードで制限するものである。
具体的に本発明が講じた解決手段は、エミッタが負荷
に接続されたコレクタ接地の第1導電型トランジスタ
と、該第1導電型トランジスタのベース・エミッタ間に
接続され該第1導電型トランジスタのベース・エミッタ
間接合と逆方向の接合を有するダイオードと、コレクタ
及びベースが前記第1導電型トランジスタのベースに接
続されベース・エミッタ間の逆耐圧が前記第1導電型ト
ランジスタよりも大きい第1の第2導電型トランジスタ
と、エミッタが前記第1の第2導電型トランジスタのエ
ミッタに接続されたコレクタ接地の第2の第2導電型ト
ランジスタと、前記第1及び第2の第2導電型トランジ
スタのエミッタ同士の接続点に接続された電流源とを備
えている構成とするものである。
(作用) 前記の構成により、入力段の第2の第2導電型トラン
ジスタと出力段の第1導電型トランジスタとがいずれも
コレクタ接地型式であるから、入力インピーダンスが高
く、出力インピーダンスが低い。しかも3つのトランジ
スタを通して出力電圧が入力電圧に応動して変化する。
また、入力電圧よりも高い電圧が出力段である第1導
電型トランジスタのエミッタに強制印加されると、入出
力間の電位差が第1導電型トランジスタのベース・エミ
ッタ間接合と第1の第2導電型トランジスタのベース・
エミッタ間接合とに分圧される。そして、これらのベー
ス・エミッタ間接合はいずれも逆バイアスとなる。とこ
ろが、第1導電型トランジスタには該第1導電型トラン
ジスタのベース・エミッタ間接合とは逆方向の接合を有
するダイオードが並列接続されているから、該第1導電
型トランジスタのベース・エミッタ間に加わる電圧はダ
イオードと同じく小さい順バイアス電圧になる。この分
だけ第1の第2導電型トランジスタのベース・エミッタ
間に加わる逆バイアス電圧が大きくなるが、該第1の第
2導電型トランジスタのベース・エミッタ間の逆耐圧が
大きいので、その影響が入力側に現れることはない。つ
まり、入力電圧より高い電圧が出力側に印加されてもそ
の影響が入力側に現れないのである。
さらに、第1及び第2の第2導電型トランジスタのエ
ミッタ同士の接続点に電流源を接続しているため、両第
2導電型トランジスタがバイアスされ、入力電圧に応動
してオフセットを以て変化する出力電圧が得られる。
(実施例) 第1図は、本発明の一実施例に係る電圧制御回路の回
路図である。
同図において、1はスイッチ、2は出力端子、3は電
圧源、4は負荷。5は第1導電型トランジスタとしての
NPN型トランジスタ、6は入力端子、7は第2の第2導
電型トランジスタとしてのPNP型トランジスタ、8は第
1の第2導電型トランジスタとしてのPNP型トランジス
タ、9は定電流源、10はダイオード、11は電源端子であ
る。ここで、NPN型トランジスタ5のベース・エミッタ
間の逆耐圧はPNP型トランジスタ7,8のベース・エミッタ
間の逆耐圧に比べて著しく小さいものとする。
以上のように構成された電圧制御回路について、以下
その動作を説明する。
まず、スイッチ1がオフのときには、出力端子2には
電圧源3の電圧がかからず、NPN型トランジスタ5から
負荷4に電圧が供給される。そして、入力端子6に入力
電圧を印加すると、PNP型トランジスタ7とPNP型トラン
ジスタ8とを通して入力電圧と略等しい電圧がNPN型ト
ランジスタ5のベースに与えられる。ここで、定電流源
9から第1及び第2のPNP型トランジスタ7,8にバイアス
電流が供給されるから、負荷4には入力電圧からベース
・エミッタ間の順バイアス電圧だけ低い電圧が供給され
る。
次に、スイッチ1がオンして電圧源3によって入力電
圧よりも高い電圧がNPN型トランジスタ5のエミッタに
印加されると、該NPN型トランジスタ5のベース・エミ
ッタ間接合とPNP型トランジスタ8のベース・エミッタ
間接合とが逆バイアスされる。ところが、逆耐圧が低い
NPN型トランジスタ5のベース・エミッタ間にはダイオ
ード10が逆方向並列に接続されており、このダイオード
10が順バイアスされることになるから、NPN型トランジ
スタ5のベース・エミッタ間に加わる電圧は殆ど0
(V)になる。一方、第2のPNP型トランジスタ8は逆
耐圧が高いから、入出力間の電位差が大きくても出力側
から入出力側に向かって電流が流れることはない。
なお、PNP型トランジスタの方がベース・エミッタ間
の逆耐圧が小さい場合には、NPN型トランジスタ5をPNP
型に、第1及び第2のPNP型トランジスタ7,8をNPN型に
各々変更すると共にダイオード10の向きを変える。
また、ダイオード10に代えて抵抗を使用することもで
きるが、入出力間の電位差、NPN型トランジスタ5のベ
ース・エミッタ間の逆耐圧の大きさ等を考慮してその抵
抗値を決定する必要があるので、ダイオードを使用する
方が実用性が高い。
(発明の効果) 以上説明したように本発明に係る電圧制御回路による
と、入力段の第2の第2導電型トランジスタと出力段の
第1誘電型トランジスタとが共にコレクタ接地であるた
め、入力インピーダンスが高くて出力インピーダンスが
低い。
また、第1導電型トランジスタと、該第1導電型トラ
ンジスタのベース・エミッタ間に接続され逆方向のベー
ス・エミッタ接合を有するダイオードと、コレクタ及び
ベースが第1導電型トランジスタのベースに接続されベ
ース・エミッタ間の逆耐圧が第1導電型トランジスタよ
りも大きい第1の第2導電型トランジスタとを備えてい
るため、入出力間の電位差は直列接続され逆耐圧が異な
る第1導電型トランジスタ及び第1の第2導電型トラン
ジスタのベース・エミッタ間接合で分担され、また逆耐
圧が低い第1導電型トランジスタのベース・エミッタ間
接合の分担電圧は逆方向並列接続されたダイオードによ
り低く押えられているので、出力側の強制印加電圧の影
響が入力側に現れることはない。
さらに、第1及び第2の第2導電型トランジスタのエ
ミッタ同士の接続点に電流源が接続されているため、両
第2導電型トランジスタがバイアスされるので、入力電
圧に応動してオフセットを以て変化する出力電圧を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る電圧制御回路の回路図
である。 1……スイッチ 2……出力端子 3……電圧源 4……負荷 5……NPN型トランジスタ(第1導電型トランジスタ) 6……入力端子 7……PNP型トランジスタ(第2の第2導電型トランジ
スタ) 8……PNP型トランジスタ(第1の第2導電型トランジ
スタ) 9……定電流源 10……ダイオード 11……電源端子

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エミッタが負荷に接続されたコレクタ接地
    の第1導電型トランジスタと、該第1導電型トランジス
    タのベース・エミッタ間に接続され該第1導電型トラン
    ジスタのベース・エミッタ間接合と逆方向の接合を有す
    るダイオードと、コレクタ及びベースが前記第1導電型
    トランジスタのベースに接続されベース・エミッタ間の
    逆耐圧が前記第1導電型トランジスタよりも大きい第1
    の第2導電型トランジスタと、エミッタが前記第1の第
    2導電型トランジスタのエミッタに接続されたコレクタ
    接地の第2の第2導電型トランジスタと、前記第1及び
    第2の第2導電型トランジスタのエミッタ同士の接続点
    に接続された電流源とを備えていることを特徴とする電
    圧制御回路。
JP31103190A 1990-11-14 1990-11-14 電圧制御回路 Expired - Lifetime JP2592990B2 (ja)

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JPH04180302A JPH04180302A (ja) 1992-06-26
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