JPH0121703B2 - - Google Patents

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JPH0121703B2
JPH0121703B2 JP58010649A JP1064983A JPH0121703B2 JP H0121703 B2 JPH0121703 B2 JP H0121703B2 JP 58010649 A JP58010649 A JP 58010649A JP 1064983 A JP1064983 A JP 1064983A JP H0121703 B2 JPH0121703 B2 JP H0121703B2
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JP
Japan
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transistor
bridge
rectifier circuit
transistors
collector
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Application number
JP58010649A
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English (en)
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JPS58133171A (ja
Inventor
Shirigooni Maruko
Rozetsuchi Nazareeno
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STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS ATES Componenti Elettronici SpA
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Filing date
Publication date
Application filed by SGS ATES Componenti Elettronici SpA filed Critical SGS ATES Componenti Elettronici SpA
Publication of JPS58133171A publication Critical patent/JPS58133171A/ja
Publication of JPH0121703B2 publication Critical patent/JPH0121703B2/ja
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00—Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/08—Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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    • H02M7/2195—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration the switches being synchronously commutated at the same frequency of the AC input voltage
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

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  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野および従来技術〕 本発明は電話に使用するブリツジ整流器に関す
るものであり、特にモノリシツク集積回路で構成
でき、加入者電話機の電子回路を低電源電圧で２
線電話回線に接続するのに用いられ、サージ電流
から保護するようにしたトランジスタブリツジ整
流器に関するものである。
電話機の電子回路を正しく作動させる為には、
限られた正確な範囲内に常にある値を有する予定
の一定バイアスとした電源電圧をこれら回路の端
子に供給する必要がある。
２線電話伝送回線のターミナルにおける電圧の
極性は予め決定することができない。その理由は
保全および修理作業中に極性が偶然に反転するお
それがある為である。従つて、電話機の電子回路
は、極性が所要の極性に対して反転した際に２線
電話回線のターミナルにおける電圧を整流するよ
うに設計した回路によつて２線電話回線に結合す
る必要がある。
回線にサージ電流が現われる場合にはその原因
にかかわらず、整流回路に電圧降下が生じ、この
電圧降下がこの整流回路に接続された電子回路に
悪影響を及ぼすおそれがある。この欠点を無くす
為には、サージ電流に対する保護手段を講じるの
が好ましい。
最も一般的に用いられているトランジスタ整流
回路はグラツツブリツジを有する回路であり、こ
れらの整流回路によれば少数の素子を追加するだ
けで、これら整流回路に接続された電子回路を電
話回線のサージ電流による影響から保護すること
もできる。
既知のブリツジ整流器は第１図に示すように、
pnp型の第１および第２トランジスタT1および
T2と、npn型の第３および第４トランジスタT3
およびT4とを有するブリツジ構造となつている。
トランジスタT1のコレクタはトランジスタT2の
コレクタに接続され、トランジスタT3のコレク
タはトランジスタT4のコレクタに接続され、こ
れらの接続部が“＋”符号で示す第１ターミナル
および“−”符号で示す第２ターミナルを構成
し、これらのターミナルに、給電すべき電話機の
電子回路Ｃが接続されている。
トランジスタT1およびT3のエミツタは２線電
話回線の線ａに接続され、トランジスタT2およ
びT4のエミツタはこの回線の線ｂに接続されて
いる。
トランジスタT1およびT3のベースは抵抗R1お
よびR3をそれぞれ経て電話回線の線ｂに接続さ
れ、トランジスタT2およびT4のベースは抵抗R2
およびR4をそれぞれ経て電話回線の線ａに接続
されている。これらの抵抗は、ブリツジ回路のト
ランジスタを適切にバイアスし、これらのトラン
ジスタが常規の作動状態が飽和作動するように設
計されている。第２ターミナル“−”は第１およ
び第２ツエナーダイオードZ3およびZ4の陽極にも
接続されており、これらダイオードの陰極は電話
回線の線ａおよびｂにそれぞれ接続されている。
電話回線の極性をある所定の極性にした場合、高
電位にある電話回線のターミナルにエミツタが接
続されているpnp型のトランジスタと、低電位に
あるターミナルにエミツタが接続されているnpn
型のトランジスタだけが導通する。他の２つのト
ランジスタは遮断状態にある。従つて、電話回路
Ｃの供給電流は電話回線の実際の極性にかかわら
ず常に、pnp型の２つのトランジスタのコレクタ
間の接続部より成るターミナルからこの電話回路
自体を経てnpn型の２つのトランジスタのコレク
タ間の接続部に流れ、２つのターミナル間の電圧
の極性は一定となる。
電話回線にサージ電流が生じた場合には、この
サージ電流により整流回路における全電圧降下を
高める。
しかし、高電位を有する方の電話回線の線に陰
極が接続されているツエナーダイオードの端子間
電圧がダイオード接合の降服電圧VZに等しくな
ると直ちにこのダイオードがツエナー効果の為に
逆方向に導通し始める。しかし、他方のツエナー
ダイオードはその端子間電圧が順方向導通の為の
しきい値電圧VONZに等しくなると直ちに通常の
ダイオードとして導通し始める。
従つて、整流回路における全電圧降下は、電話
回線にサージ電流がある際の最大値 VR MAX＝VZ＋VONZ を超えない。
電話の電子回路に印加される最大電圧は、 VCE satをブリツジ回路のpnpトランジスタのコ
レクタ−エミツタ飽和電圧とした際に、最大値 VC MAX＝VZ−VCE sat を超えない。
従つて、整流回路および電話回路の双方がサー
ジ電流から保護される。
しかし、サージ電流から保護される上述した種
類の整流回路は経済的に生産するという観点から
して最良の解決回路ではない。
すなわち、ブリツジ回路の素子以外にツエナー
ダイオードのような電力を増大させる回路素子を
加えることにより、大きな集積化領域や複雑な処
理技術を用いるという理由を含む当業者にとつて
既知の理由で回路（この回路を各別の素子を用い
て構成するか或いはモノリシツク集積化するかに
かかわらず）の価格を著しく高める。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、モノリシツク集積化でき、加
入者電話機の電子回路を低電源電圧で２線電話回
線に結合するのに用いることができ、サージ電流
から保護するようにしたトランジスタブリツジ整
流回路であつて、同じくサージ電流から保護する
ようにした従来の整流回路よりも工業上の点でよ
り一層経済的としたトランジスタブリツジ整流回
路を提供せんとするにある。
本発明は、加入者電話機の電子回路を２線電話
回線に結合するのに用いることができ、サージ電
流から保護するようにしたトランジスタブリツジ
電圧整流回路であつて、該整流回路が第１、第
２、第３および第４ブリツジ素子を具え、各ブリ
ツジ素子が第１および第２端子を有し、第１ブリ
ツジ素子の第２端子が第２ブリツジ素子の第２端
子に接続されており、第３ブリツジ素子の第２端
子が第４ブリツジ素子の第２端子に接続されてお
り、これら接続部が第１および第２接続ターミナ
ルを構成し、これら接続ターミナルに電話機の電
子回路が接続されており、第１および第３ブリツ
ジ素子の第１端子が電話回線の第１の線に接続さ
れ、第２および第４ブリツジ素子の第１端子が電
話回線の第２の線に接続されており、各ブリツジ
素子が少くとも１個の第１バイポーラトランジス
タを有し、このトランジスタがそのエミツタおよ
びコレクタを以つてこのブリツジ素子自体の第１
および第２端子間に挿入されており、この第１バ
イポーラトランジスタのエミツタがこのブリツジ
素子の第１端子に接続され、第１および第２ブリ
ツジ素子のトランジスタが第３および第４ブリツ
ジ素子のトランジスタの導電型とは逆の導電型で
あり、これらトランジスタの各々のベースが電話
回線の電圧の極性に感応する制御用の回路手段に
接続されており、これら回路手段により第１およ
び第４ブリツジ素子のトランジスタを第２および
第３ブリツジ素子のトランジスタに対して逆相で
導通せしめる制御を行なうようにしたトランジス
タブリツジ電圧整流回路において、第３および第
４ブリツジ素子に設けた第１トランジスタのベー
スを、常規の作動状態で逆バイアスされるバイポ
ーラ接合を有する第１導体素子によりこれらブリ
ツジ素子自体の第２端子にも接続したことを特徴
とする。
図面につき本発明を説明する。
図面中同一の符号を付した素子は同一の素子を
示すものとする。
サージ電流から保護するようにした第２図に示
す本発明の整流回路はpnp型の一対のバイポーラ
トランジスタT1およびT2とnpn型の一対のバイ
ポーラトランジスタT3およびT4とを有する。
トランジスタT1のコレクタはトランジスタT2
のコレクタに接続され、トランジスタT3のコレ
クタはトランジスタT4のコレクタに接続され、
これらの接続部が“＋”符号で示す第１ターミナ
ルおよび“−”符号で示す第２ターミナルをそれ
ぞれ構成し、これらのターミナルに、電話回線に
結合すべき電話機の電子回路Ｃが接続されてい
る。
トランジスタT1およびT3のエミツタは２線電
話回線の第１の線ａに接続され、トランジスタ
T2およびT4のエミツタはこの回線の第２の線ｂ
に接続されている。
トランジスタT1およびT3のベースは抵抗R1お
よびR3をそれぞれ経て電話回線の線ｂに接続さ
れ、トランジスタT2およびT4のベースは抵抗R2
およびR4をそれぞれ経て電話回線の線ａに接続
されている。トランジスタT3のベースはnpn型の
バイポーラトランジスタT18のエミツタにも接続
され、このトランジスタT13のベースおよびコレ
クタはトランジスタT3のコレクタに接続されて
いる。
トランジスタT4のベースはnpn型のバイポーラ
トランジスタT14のエミツタにも接続されてお
り、このトランジスタT14のベースおよびコレク
タはトランジスタT4のコレクタに接続されてい
る。
第３図は、pnp型の一対のバイポーラトランジ
スタT1およびT2と、npn型の二対のバイポーラ
トランジスタT3，T5およびT4，T6とを有する本
発明の他の例を示す。
トランジスタT1のコレクタはトランジスタT2
のコレクタに接続され、トランジスタT5のコレ
クタはトランジスタT6のコレクタに接続され、
これらの接続部が“＋”符号で示す第１ターミナ
ルおよび“−”符号で示す第２ターミナルをそれ
ぞれ構成し、これらターミナルに、電話回線に結
合すべき電話機の電子回路Ｃが接続されている。
トランジスタT5およびT6のエミツタはトラン
ジスタT3およびT4のコレクタにそれぞれ結合さ
れている。
トランジスタT1およびT3のエミツタは２線電
話回線の第１の線ａに接続され、トランジスタ
T2およびT4のエミツタはこの電話回線の第２の
線ｂに接続されている。
トランジスタT1，T2，T3，T4，T5およびT6
のベースが接続されるバイアス回路手段（図示せ
ず）は当業者にとつて既知の種類のものとする。
第３図の回路は、npn型の二対のバイポーラト
ランジスタT13，T15およびT14，T16をも有して
いる。
トランジスタT13およびT15のエミツタはトラ
ンジスタT3のベースおよびコレクタにそれぞれ
接続され、トランジスタT14およびT16のエミツ
タはトランジスタT4のベースおよびコレクタに
それぞれ接続されている。またトランジスタT13
およびT15のベースおよびコレクタはトランジス
タT5のコレクタに接続され、トランジスタT14お
よびT16のベースおよびコレクタはトランジスタ
T6のコレクタに接続されている。
次に第２図の回路の作動を説明する。
常規の作動状態では、トランジスタT1および
T4か或いはトランジスタT2およびT3が電話回線
の極性に応じて導通し、導通したトランジスタが
飽和状態で移動する。逆バイアスされているトラ
ンジスタT13およびT14は遮断される。
電話回線にサージ電流が生じた場合には、この
サージ電流により整流回路における全電圧降下を
減少せしめる。電話回線のターミナルにおける電
圧の極性が、常規の状態でトランジスタT1およ
びT4が飽和しトランジスタT2およびT3が遮断す
るような極性であるものとすると、トランジスタ
T3のエミツタ−コレクタ電圧の値がサージ電流
の結果として、ベースを開放した際のエミツタか
らコレクタへの降服電圧BVECOT3に等しくなると
直ちに、トランジスタT3が逆方向に導通する。
トランジスタT3のベース−コレクタ電圧によつ
て逆バイアスされたトランジスタT13は遮断す
る。
トランジスタT3は降服後そのコレクタ−エミ
ツタ電圧を増大せしめることなく極めて大きくし
うる電流を流しうる。その理由は、ブリツジ回路
に接続された電話機の電子回路のターミナルにお
ける電圧が最大値 VC MAX＝BVECO T3−VCEsatT1 を超えない為である。ここにVCEsatT1はトランジ
スタT1のコレクタ−エミツタ飽和電圧である。
トランジスタT1およびT3からの全電流がトラ
ンジスタT4のコレクタを経て流れ、このトラン
ジスタT4は独自のベースバイアス状態が変化し
ない状態に維持される為にもはや飽和せず、独自
の作動領域の能動領域で作動し始める。
能動領域では、トランジスタT4のコレクタ−
エミツタ電圧がコレクタ電流の増大とともに増大
する。このコレクタ−エミツタ電圧の値が、トラ
ンジスタT4のベース−エミツタ電圧VBE T4と、
トランジスタT14のベース−エミツタ接合のしき
い値導通電圧VBE T14との和に等しくなると、ダ
イオード短絡したトランジスタT14が導通し初め
てトランジスタT4のベースに電流を供給し、こ
のトランジスタT4が、コレクタ−エミツタ電圧
が更に増大する独自の導通状態を設定しうるよう
になる。
従つて、整流ブリツジ回路における全電圧降下
は最大値 VR MAX＝BVECO T3＋VBE T4＋VBE T14 を超えない。従つて、保護用の電力素子としてブ
リツジ回路の同じトランジスタを用いることによ
り電話回線におけるサージ電流から整流回路およ
び電話機の電子回路の双方が保護される。
電話回線電圧が逆の極性である場合には回路は
上述した場合と同様であるも対称的に作動する。
トランジスタT3およびT4の電圧BVECOの値はベ
ースヘドーピングする既知の技術的手段を用いて
調整するのが適している。
しかし、常規の電話回線電圧がすでに極めて高
いものであり、従つてブリツジ回路のnpnトラン
ジスタの電圧BVECOを高くして、常規の作動状態
で導通状態にないnpnトランジスタが逆降服によ
つて導通しないようにする必要がある場合には、
第３図に示すように縦続接続した２対のnpnトラ
ンジスタを用いるのが適している。
サージ電流から保護をする回路の変形もこの第
３図に示してある。ブリツジ回路のトランジスタ
をバイアスする回路手段（図示せず）は第１およ
び２図の場合よりも複雑にする必要があるも、当
業者にとつて容易に構成しうる。
第３図の回路の常規作動状態においては、トラ
ンジスタT1，T4およびT6のみか或いはトランジ
スタT2，T3およびT5のみが電話回線の極性に応
じて導通する。
所定のバイアス条件を満足させれば、導通した
トランジスタは飽和状態で作動する。
電話回線の線ａの電位が線ｂの電位よりも高い
ものとすると、トランジスタT1，T4およびT6が
飽和状態で作動する。ダイオード短絡されたトラ
ンジスタT14およびT16は導通しない。その理由
は、トランジスタT4およびT6が飽和状態にある
為にトランジスタT14およびT16のコレクタ−エ
ミツタ電圧があまりにも低い為である。
電話回線にサージ電流が生じると、このサージ
電流により整流回路における全電圧降下を増大せ
しめる。トランジスタT3およびT5のエミツタ−
コレクタ電圧が、ベースを開放させた状態でのこ
れらトランジスタのエミツタからコレクタへの降
服電圧（BVECO T3およびBVECO T5）に等しくな
ると直ちにトランジスタT3およびT5が逆方向に
導通し始める。
極めて大きな電流の場合でも、電話機の電子回
路のターミナルにおける電圧は最大値 VC MAX＝BVECO T3＋BVECO T5−VCE satT1 を超えない。ここにVCE satT1はトランジスタT1
のコレクタ−エミツタ飽和電圧である。
トランジスタT1，T3およびT5からの全電流が
トランジスタT6のコレクタを経て流れ、このト
ランジスタT6は、そのベースバイアス状態を変
化させないで、独自の作動領域の飽和領域から能
動領域に移る。
能動領域ではトランジスタT6のコレクタ−エ
ミツタ電圧は、トランジスタT16が導通しうるよ
うになるまでコレクタ電流の増大にともなて増大
する。
トランジスタT6およびT16のエミツタ電流はト
ランジスタT4のコレクタを経て流れ、このトラ
ンジスタT4はトランジスタT6と同様に能動領域
で作動し始め、トランジスタT14が導通しうるよ
うになるまでトランジスタT4のコレクタ−ベー
ス電圧をコレクタ電流の増大とともに増大せしめ
る。トランジスタT4はトランジスタT14から所要
のベース電流を受けるとトランジスタT6とは独
立的に独自の導通度を高め、独自のコレクタ−エ
ミツタ電圧を更に高めることなくトランジスタ
T16およびT6からの全電流を吸収しうるようにな
る。
従つて、整流ブリツジ回路における全電圧降下
は最大値 VR MAX＝BVECO T3＋BVECO T5＋VBE T4＋
VBE T14 を超えない。ここにVBE T4はトランジスタT4の
導通時のベース−エミツタ電圧であり、VBE T14
はトランジスタT14の導通時のベース−エミツタ
電圧である。
電話回線電圧が逆極性になると、回路は上述し
た場合と同様であるも対称的に作動する。
第３図に示す本発明の例によつても、保護用の
電力素子としてブリツジ回路の同じ素子を用いる
ことにより、整流回路およびこれに接続された電
話機の電子回路の双方を電話回線におけるサージ
電流から保護しうるようになる。
本発明の整流回路は、既知の集積技術を用いて
モノリシツク半導体ブロツク中に集積化するのに
特に適している。
トランジスタT13，T14，T15およびT16は低価
格の通常のnpnトランジスタとする。従つて、本
発明の集積回路は処理の容易性および集積化領域
の寸法の双方の点で有利である。また本発明の整
流回路は、別個の素子を用いた例の場合でも経済
的に有利であること明らかである。
上述したところでは２例のみについて説明した
が、本発明はこれらの例に限定されず、幾多の変
更を加えうること勿論である。
例えば、保護素子としてのnpnトランジスタの
代りに同様の構成でブリツジのpnpトランジスタ
を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はサージ電流から保護するようにした既
知のトランジスタブリツジ整流器を示す回路図、
第２図はサージ電流から保護するようにした本発
明のトランジスタブリツジ整流器の一例を示す回
路図、第３図は本発明の他の例を示す回路図であ
る。 T1，T2，T3，T4，T5，T6，T13，T14，T15，
T16……トランジスタ、Ｃ……電話機の電子回
路、R1，R2，R3，R4……抵抗、Z3，Z4……ツエ
ナーダイオード、ａ，ｂ……２線電話回線の線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 加入者電話機の電子回路を２線電話回線に結
    合するのに用いることができ、サージ電流から保
    護するようにしたトランジスタブリツジ電圧整流
    回路であつて、該整流回路が第1T1、第2T2、第
    3T3および第4T4ブリツジ素子を具え、各ブリツ
    ジ素子が第１および第２端子を有し、第１ブリツ
    ジ素子T1の第２端子が第２ブリツジ素子T2の第
    ２端子に接続されており、第３ブリツジ素子T3
    の第２端子が第４ブリツジ素子T4の第２端子に
    接続されており、これら接続部が第１（＋）およ
    び第２（−）接続ターミナルを構成し、これら接
    続ターミナルに電話機の電子回路Ｃが接続されて
    おり、第１および第３ブリツジ素子T1，T3の第
    １端子が電話回線の第１の線ａに接続され、第２
    および第４ブリツジ素子T2，T4の第１端子が電
    話回線の第２の線ｂに接続されており、各ブリツ
    ジ素子が少くとも１個の第１バイポーラトランジ
    スタを有し、このトランジスタがそのエミツタお
    よびコレクタを以つてこのブリツジ素子自体の第
    １および第２端子間に挿入されており、この第１
    バイポーラトランジスタのエミツタがこのブリツ
    ジ素子の第１端子に接続され、第１および第２ブ
    リツジ素子T1，T2のトランジスタが第３および
    第４ブリツジ素子T3，T4のトランジスタの導電
    型とは逆の導電型であり、これらトランジスタの
    各々のベースが電話回線の電圧の極性に感応する
    制御用の回路手段R1，R2，R3，R4に接続されて
    おり、これら回路手段により第１および第４ブリ
    ツジ素子T1，T4のトランジスタを第２および第
    ３ブリツジ素子T2，T3のトランジスタに対して
    逆相で導通せしめる制御を行なうようにしたトラ
    ンジスタブリツジ電圧整流回路において、第３お
    よび第４ブリツジ素子T3，T4に設けた第１トラ
    ンジスタのベースを、常規の作動状態で逆バイア
    スされるバイポーラ接合を有する第１半導体素子
    T13，T14によりこれらブリツジ素子自体の第２
    端子にも接続したことを特徴とするトランジスタ
    ブリツジ電圧整流回路。 ２ 特許請求の範囲１記載のトランジスタブリツ
    ジ電圧整流回路において、逆バイアスバイポーラ
    接合を有する半導体素子をダイオードとしたこと
    を特徴とするトランジスタブリツジ電圧整流回
    路。 ３ 特許請求の範囲１記載のトランジスタブリツ
    ジ電圧整流回路において、逆バイアスバイポーラ
    接合を有する半導体素子を、ベースをコレクタに
    短絡したバイポーラトランジスタT13，T14とし
    たことを特徴とするトランジスタブリツジ電圧整
    流回路。 ４ 特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載
    のトランジスタブリツジ電圧整流回路において、
    各ブリツジ素子をバイポーラトランジスタとし、
    このバイポーラトランジスタのエミツタおよびコ
    レクタがこのブリツジ素子自体の第１および第２
    端子をそれぞれ構成するようにしたことを特徴と
    するトランジスタブリツジ電圧整流回路。 ５ 特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載
    のトランジスタブリツジ電圧整流回路において、
    第３および第４ブリツジ素子の各々が第２バイポ
    ーラトランジスタT5，T6を具え、この第２バイ
    ポーラトランジスタがそのエミツタおよびコレク
    タを以つてこのブリツジ素子の２つの端子間に挿
    入され、第２バイポーラトランジスタのエミツタ
    を第１バイポーラトランジスタT3，T4のコレク
    タに接続し、この第１バイポーラトランジスタの
    コレクタを、常規の作動状態で逆バイアスされる
    バイポーラ接合を有する第２半導体素子T15，
    T16により同一のブリツジ素子の第２端子にも接
    続したことを特徴とするトランジスタブリツジ電
    圧整流回路。 ６ 特許請求の範囲５記載のトランジスタブリツ
    ジ電圧整流回路において、逆バイアスバイポーラ
    接合を有する第２半導体素子をダイオードとした
    ことを特徴とするトランジスタブリツジ電圧整流
    回路。 ７ 特許請求の範囲５記載のトランジスタブリツ
    ジ電圧整流回路において、逆バイアスバイポーラ
    接合を有する第２半導体素子を、ベースをコレク
    タに短絡したバイポーラトランジスタT15，T16
    としたことを特徴とするトランジスタブリツジ電
    圧整流回路。 ８ 特許請求の範囲１〜７のいずれか１つに記載
    のトランジスタブリツジ電圧整流回路において、
    第１および第２ブリツジ素子T1，T2の各々をバ
    イポーラトランジスタとし、このバイポーラトラ
    ンジスタのエミツタおよびコレクタを以つてこの
    ブリツジ素子自体の第１および第２端子をそれぞ
    れ構成し、第３および第４ブリツジ素子の各々を
    縦続接続した一対のバイポーラトランジスタT3，
    T5；T4，T6を以つて構成し、この対の第１トラ
    ンジスタのエミツタおよび第２トランジスタのコ
    レクタを以つてこのブリツジ素子自体の第１およ
    び第２端子をそれぞれ構成したことを特徴とする
    トランジスタブリツジ電圧整流回路。 ９ 特許請求の範囲１〜８のいずれか１つに記載
    のトランジスタブリツジ電圧整流回路において、
    第１および第２ブリツジ素子中に設けた各バイポ
    ーラトランジスタをpnp型とし、第３および第４
    ブリツジ素子中に設けた各バイポーラトランジス
    タをnpn型としたことを特徴とするトランジスタ
    ブリツジ電圧整流回路。 １０ 特許請求の範囲１〜９のいずれか１つに記
    載のトランジスタブリツジ電圧整流回路におい
    て、回路全体をモノリシツク半導体ブロツク中に
    集積化したことを特徴とするトランジスタブリツ
    ジ電圧整流回路。
JP58010649A 1982-01-29 1983-01-27 トランジスタブリツジ電圧整流回路 Granted JPS58133171A (ja)

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IT19356A/82 1982-01-29

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JPS58133171A (ja) 1983-08-08
SE8300414L (sv) 1983-07-30
FR2520950A1 (fr) 1983-08-05
GB8302548D0 (en) 1983-03-02
GB2116788B (en) 1985-05-09
DE3302912A1 (de) 1983-08-18
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