DE2834894A1 - Elektronische sicherung - Google Patents

Elektronische sicherung

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DE2834894A1
DE2834894A1 DE19782834894 DE2834894A DE2834894A1 DE 2834894 A1 DE2834894 A1 DE 2834894A1 DE 19782834894 DE19782834894 DE 19782834894 DE 2834894 A DE2834894 A DE 2834894A DE 2834894 A1 DE2834894 A1 DE 2834894A1
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polarity
currents
pole
circuit arrangement
interference
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Withdrawn
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DE19782834894
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Alexander Dipl Ing Dragotinov
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/02Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

  • Elektronische Sicherung.
  • Die Erfindung betrifft eine elektronische Sicherung, die insbesondere zum Schutz von monolithischen Bausteinen eines Fernsprech-Vermittlungs systems gegen Störspannungen, z.B. gegen atmosphärische Störungen wie Auswirkungen von Blitzen und gegen Kurzschlüsse mit dem Starkstromnetz von 220/380 Volt, entwickelt wurde. Die Erfindung eignet sich aber darüberhinaus schlechthin zum Schutz von empfindlichen, an Leitungen angeschlossenen Schaltungsanordnungen gegen auf den Leitungen auftretende hohe Störspannungen bzw. dadurch bewirkte Störströme beliebiger Polarität.
  • Die Erfingung geht von einer jeweils durch einen Zweipol gebildeten elektronischen Sicherung einer an einer oder an mehreren Leitungsadern angeschlossenen, tTutzsignale bzw. Nutzströme von erster Polarität sendenden und/oder empfangenden Schaltungsanordnung gegen Zerstörung der Schaltungsanordnung durch hohe Störs?an- nungen, die z.B. durch BlitzeR in den Leitungsadern autreten,aus.Eine solche als W'oerstromsicherung dienende, aus einem Haupttransistor und einem den Haupttransistor steuernden Steuertransistor gebildete Sicherung ist z.B. in der DE-OS 20 27 310 beschrieben.
  • Diese Sicherung schützt nur vor einen Grenzwert überschreitenden Überströmen bzw. zJberspannungen der einen Polarität, es sei denn man fügt sie gemäß der dortigen Fig. 4 in die Diagonale einer Diodenbrücke ein, welche die Überströme bzw. Überspannungen beider Poalritäten zunächst gleichrichtet.
  • Die Spannungsfestigkeit der durch jeweils eine Diode gebildeten Diodeneinheiten dieser Diodenbrucke begrenzt aber die Anwendung dieser Überstromsicherung betrachtlich, ,obei jede einzelne der Diodeneinheiten die maximale Amplitude der Störspannung,ebenso wie die Überstromsicherung selbst,voll aushalten muß. Falls man alle Diodeneinheiten jeweils durch eine für sich bekannte Serienschaltung von Einzeldioden aufbauen würde, statt wie dort gezeigt nur jeweils aus einer einzigen Diode, um höhere Spannungsfestigkeiten zu erreichen, müßten viele,nämlich jeweils in allen vier Zweigen der Diodenbrücke, solche Serienschaltungen von Einzeldioden angebracht werden, was also einen oft unangenehm hohen Aufwand erfordern würde.
  • Störspannungen beider Polaritäten treten aber recht häufig auf, besonders auf langen Teilnehmerleitungen zwischen einem Fernsprech-Vermittlungsamt und einer oft mehrere Kilometer entferten Teilnehmerstation, besonders wenn diese Teilnehmerleitung nicht abgeschirmt ist oder gar als Freileitung über freistehende Masten verlegt ist. Aber auch ein länger andauernder Kurzschluß einer Leitungsader, z.3. mit 380 V, soll oft unschädlich für die betreffende, zu sichernde Schaltungsanordnung sein.
  • Sinne ähnliche, durch einen Zweipol gebildete Sicherung mit Diodenbrücke und Überstromsicherungseienheit-Zweipol ist in Siemens, Baut. Inf. 6 (1968) H. 4, S. 106-108, insbesondere 3ild 1 angegeben.
  • Bekannt ist auch die in Fig. 1 der vorliegenden Schrift gezeigte elektronische Sicherung S mit mäßige (z.B. 50 Volt),oder hohe (z.3. 10 Kilovolt ) aber kurzzeitige Störspannungen begrenzender Diodenbrücke DB und mit langandauernde mittlere Störspannungen (z.B. 380 Volt) bzw. Störströme begrenzenden Längswiderständen LW, vgl. z.B. auch die beiden nicht vorveröffentlichten DE-OS 28 23 441, Fig. 2, Sicherung SS und 23 28 418, Fig. 2, Sicherung SS, sowie die vowveröffentlichte DE-AS 25 55 157, Fig. 1 u. Sp. 3, Z. 13-16, Diodenbrücke D1, D2, D3, D4 und Längswiderstände R9, RIO, sowie die in mancher Hinsicht ähnlichen Sicherungen in DE-OS 24 33 329, insbes. S. 2, Abs. 3 und 4, sowie DE-OS 26 46 171, Fig. 1. Die in Fig. 1 der vorliegenden Schrit gezeigte Diodenbrücke DB stellt einen Sechspol dar und begrenzt, zumindest kurzzeitig, die Störspannungen auf Höchstwerte, welche durch die Vorspannungen +,- der Diodenbrücke DB festgelegt werden. Weil diese Diodenbrücke ein durch die Vorspannungen +,- von außen gesteuerter Sechspol ist, sind Serienschaltungen allein von mehreren solcher Diodenbrücken zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit der Sicherung wenig sinnvoll.
  • Die Längswiderstände LW schützen vor allen bei langandauerndem Kurzschluß insbesondere gegen Starkstromleitungen. Sie müssen daher einen relativ hohen ohmschen Widerstandsweet aufweisen. Beträgt der höchste zuläs- sige Tutzstrom, der durch diese Längswiderstände langandauernd fließen darf, z.B. 100 m4, dann muß, bei 500 Volt niederohmig eingekoppelter Störsnannung, der Widerstandswert mindestens 5 Xiloohm betragen, und zwar bei einer zulässigen, unangenehm hohen Verlustleistung von mindestens 50 tqatt. Je höher die andauernd anliegende Störspannung ist und je höher der zulässige jtutzstrom durch den Längswiderstand LOT ist, umso höher muß sogar die zulässige Verlustleistung dieses Längswiderstandes LW sein. Ein solcher Schutz gegen langandauernde mittlere Störspannungen ist daher insbesondere nicht mittels Längswiderstanden LW erreichbar, die zusammen mit der zu sichernden Schaltungsanordnung Sch - z.B. einem Verstärker und/oder einer Stromquelle zur Rufstrom- und Schleifenstromeinspeisung über die Teilnehmerleitung TL in die angeschlossene Teilnehmerstation TS - auf einem gemeinsamen Substrat in integrierter Technik hergestellt sind. Diese Längswiderstände LW stellen zwar jeweils in die Leitungsadern a, b eingefügte, Ströme begrenzende Zweipole dar, die als Zweipole nicht von außen zustäzllch gesteuert werden müssen, um sozusagen als Überstromsicherung dienen zu können. Man kann daher mehrere solche Längswiderstandszweipole LW ohne Schwierigkeit untereinander auch in Serie schalten, um die Stromfestigkeit bzw. Spannungsfestigkeit dar Sicherung S zu erhöhen. Eine Stromversorgung oder Steuerung von Zweipole mittels schwebenden statt geerdeten Quellen ist also zwar vorteilhafterweise unnötig; aber auch dann werden jene hohen verlustleistungen erforderlich, die in vielen Fällen nicht nehr zugelassen werden können. In vielen Fällen stört auch der hohe Widerstandswert solcher Längswiderstände LW alleine schon deshalD, weil auch die Nutzströme, z .3. ein Schleifengleichstrom oder ein Rufstrom oder ein mit Informations- signalen modulierter Schleifenstrom, ebenfalls hohle Verluste in diesen Längswiderständen LW erleidet.
  • Insbesondere bei einem Vermittlungssystem stört zudem häufig, daß der 'ifiderstandslrert der Längswiderstände LW in Serie zum ohmschen Eigenwiderstand der Leitungsadern a, b liegt, wodurch die zulässige Toleranz für die Länge bzw. für diesen Eigenwiderstand der Leitungsadern a, b unangenehm stark verringert wird, weil in solchen Systemen häufig der maximale effektive Längswiderstandswert, z.3. wegen Verlusten der Nutzströme oder wegen Verlusten der Schleifen-und Ruf ströme, einen vorgegebenen Grenzwert nicht überschreiten soll.
  • Die Erfindung hat jedoch die Aufgabe, eine möglichst große Toleranz für die Leitungsaderlänge zuzulassen, wobei die Verlustleistungen In der Sicherung auch bei langandauernden mittleren Spannungen beliebiger Polareitet gering sein sollen, sogar so gering, daß grundsätzlich die Möglichkeit besteht, die gesicherte Schaltungsanordnung zusammen mit der Sicherung in integrierter Technik auf' einem gemeinsamen Substrat herzustellen. Die Sicherung soll trotzdem die Schaltungsanordnung auch gegen liurzdauernde, sehr hohe Spannungen beliebiger Polarität schützen. Die Sicherung soll außerdem, soweit keine besonderen entgegenstehenden Gegenmaßnahmen gewählt werden, zulassen, daß nach dem Verschwinden der Störspannungen bzw. Störströme unbehindert sofort der normale Betrieb der Schaltungsanordnung fortgesetzt werden kann, ohne die Sicherung auswechseln oder reaktivieren zu müssen; -insbesondere in einem Fernsprech-Vermittlungsamt wird dadurch der Aufwand zur laufenden Betreuung des Amtes hinsichtlich Personalstunden und hinsichtlich Material für neue Sicherungen vermindert, im Vergleich z.3.
  • mit Schmelzsicherungen, wobei überdies die Aus fallzeiten der Schaltungsanordnung verringert sind.
  • Die Erfindung geht also von der eingangs sowie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten elektronischen Sicherung aus. Die Aufgabe der Erfindung wird dadurch gelöst, daß bei der Schaltungsanordnung in die Leitungsader oder in die Leitungsadern in deren Längsrichtung jeweils eine Serienschaltung einerseits eines für die Nutzströme der ersten Polarität und damit auch für diesen Strömen evtl. aufgeprägte Nutzsignale durchlässigen Diodeneinheit-Zweipols'der bei Störströmen entgegengesetzter zweiter Polarität und damit bei Störspannungen der zweiten Polarität sperrt, und andererseits eines für die Nutzströme durchlässigen Überstromsicherung-Zweipols der für Ströme der ersten Polarität, deren 3etrag einen ersten Grenzwert überschreitet, und daher für Störspannungen der ersten Polarität, deren Betrag einen entsprechenden Grenzwert überschreitet, zumindest weitgehend undurchlässig ist, eingefügt ist.
  • Die verwendete Diodeneinheit stellt also enen Zwei pol dar, der in der Regel eine Diodencharakteristik hat und der für die Nutzströme der ersten Polarität durchlässig, aber für Störströme, nämlich der anderen, zweiten Polarität, zumindest weitgehend undurchlässig ist.
  • Die verwendete Überstromsicherung stellt hingegen einen Zweipol dar, der für die Nutzströme der ersten Polarität durchlässig ist, solange der Wert dieser Ströme einer als ein - durch entsprechende konstruktive Maßnahmen wählbarer - Grenzwert ist. 3ei Stromwerten von Strömen erster Polarität, die größer als der gewählte Grenzwert sind, ist dieser Zweipol, zumindest weitgehend, undurchlässig. Dabei ist der Grenzwert seber größer als der größte Wert des Nutzstrcmes zu wählen, so daß die Überstromsicherung für die XTutzströme stets durchlässig ist, solange kein störend großer Störstron bzw. Störspannung überlagert ist. Für Ströme der zweiten Polarität darf diese Überstromsicherung in der Regel beliebig, also durchlässig oder auch undurchlässig sein.
  • Es zeigte sich, daß die Serienschaltung des Diodeneinheit-Zweipols und des Überstromsicherung-Zweipols der Erfindung unschwer einen viel kleineren Jiderstandswert für die Nutzströme aufweist, als die bekannten Längswiderstände Llf, die für die Nutzströme unangenehmeff:feise den gleichen Widerstandswert wie für die Störspannungen bzw. für die dadurch bewirkten Störströme aufweisen.
  • Dabei trennt einerseits die Diodeneinheit die Schaltungsanordnung von der Leitungsader ab, wenn diese Leitungsader zu hohe Störspannungen der zweiten Polarität aufweist - sobald also diese den Nutzströmen überlagerten Störspannungen eine Änderung der Polarität des Stromes bewirken. Andererseits trennt die Überstromsicherung die Schaltungsanordnung von der Leitungsader ab, wann diese Leitungsader zu hohe Störspannungen der ersten Polarität aufweist - sobald also diese den Nutzströmen überlagerten Störspannungen den Wert des Stromes der ersten Po-Polarität so erhöhen daß dieser Wert größer als der gewählte Grenzwert ist7 Nicht nur die Diodeneinheit, auch die dazu in Serie geschaltete Überstromsicherung bildet bei der Erfindung jeweils einen Zweipol, der also nicht von außen über einen dritten Anschluß elektrisch gesteuert werden muß.
  • Daher entfällt bei der Erfindung die Schwierigkeit, diese 3estandteile durch SteuerquelÄen mittels solchen Potentialen an dritten Anschlüssen steuern zu müssen, deren öhe stark von der jeweiligen Amplitude und Polarität der Störspannung abhängt. Alle diese nestandteile der erfindungsgemäßen Sicherung werden bereits durch die durch sie fließenden Nutz- und Störströme selbsttätig gesteuert, so daß ele zusätzliche elektrische Steuerung über einen dritten Anschluß entfallen kann. Dieses Entfallen einer zusätzlichen elektrischen Steuerung erleichtert auch, die ganze Sicherung zusammen mit der Schaltungsanordnung auf rinem gemeinsamen Substrat in integrierter Technik anzubringen, weil die Schwierigkeiten der Steuerung, besonders weil die Anbringung von Potential trennenden Trennkondensatoren oder die Anbringung schnell wirkender, Potentiale werschiebender Anpassungsschaltungen,entfallen.
  • Die Erfindung gestattet darüberhinaus, nicht nur eine einzige Diode, oder nur eine einzige diodenähnlich wirende Schaltung, als Diodeneinheit anzubringen. Die Diodeneinheit kann auch die Serienschaltung einer Vielzahl von Gliedern,nämlich von solchen Dioden bzw. diodenähnlich wirkenden Schaltungen enthalten. Je mehr solche Glieder die Erfindung enthält, gegen umso höhere Störspannungen der zweiten Polarität wird die Schaltungsanordnung geschützt. Durch Erhöhung der Anzahl dieser Glieder kann man also den Schutz vor solchen Spannungen der zweiten Polarität nahezu beliebig erhöhen Dabei ge nügt im Gegensatz zu B DE-OS 20 27 9109 Fig 4 eine weitere einzige Diode hinzuzufügen, um die Spannungsfestigkeit der Diodeneinheit um den betrag der Spannungsfestigkeit dieser einzelnen Diode zu erhöhen.
  • Die Erfindung gestattet In 2hnliciler Weise auch, den Überstromsicherungs-Zweipol für sich durch die Serienschal-tung einer Vielzahl von jeweils für sich schon eine Überstromsicherung darstellenden einzelnen Gliedern zu bilden. Dabei kann jedes dieser einzelnen Glieder den gleichen Grenzwert aufweisen, so daß alle diese einzelnen Glieder und damit der gesamte Überstromsicherungs-Zweipol für die ITutzströme bis zum gleichen Grenzwert gut durchlässig sind, so daß aber alle diese einzelnen Glieder und damit der gesamte Überstromsicherungs-Zweipol für zu hohe Störströme der ersten Polarität nahezu oder ganz undurchlässig sind. Je höher daher die Anzahl dieser einzelnen Glieder ist, gegen umso höhere Störspannungen der ersten Polarität wird also die Schaltungsanordnung geschützt. Durch Erhöhung der Anzahl dieser einzelnen Glieder innerhalb des Überstromsichungs-Zweipole kann man also den Schutz vor solchen Spannungen der ersten Polarität nahezu beliebig erhöhen, also ähnlich wie bei der Diodeneinheit.
  • Die Erfindung gestattet also, trotz der vergleichsweise geringen Verlustleistungen innerhalb der Sicherung für die Nutzströme, einen wirksamen Schutz der Scha1-tungsanordnung gegen weitgehend beliebig hohe Spannungen beliebiger Polarität. Dabei ist grundsätzlich sogar eine Herstellung auf gemeinsamem Substrat in integrierter Technik möglich, wodurch der Aufwand insbesondere bei der Montage eines Vermittlungsamtes besonders gering wird.
  • Die Erfindung ist auch nicht auf eine bestimmte Schaltungsanordnung beschränkt. Es kann sich hier um einen Verstärkereingang, Verstärkerausgang, eine Stromquelle, z.B. Konstantstromquelle, um eine elektronische 2-Draht/ 4-Draht-Gabelschaltung, um einen Kodierer bzw. Dekodierer, um eine Kippschaltung, usw.,oder auch um eine Kombination mehrerer oder aller solcher Anordnungen zu einer gemeinsam gebildeten, an die Leitungsader angeschlossene Schaltungsanordnung handeln, die gegen Störspannungen beliebiger Polarität auf der Leitungsader dadurch geschützt wird, daß die erfindungsgemäß vorgesehene Sicherung die zu schützende Schaltungsanordnung bei Bedarf selbsttätig von der betreffenden, die Störspannung aufweisenden Leitungsader abtrennt. Die Erfindung läßt zu, daß zusätzlich weitere, für sich nicht-erfindungsgemäße, also andersartige Sicherungen angebracht werden, die z.B. eine Ableitung der mit den Störspannungen verbundenen Ladungen von der abgetrennten oder noch nicht abgetrennten Leitungsader, z.3. zu Masse oder zu einer Funkenstrecke, bewirken.
  • Die Nutzströme können, wie bereits ersrahnt, jeweils verschieden sein. Es kann z.B. ein konstanter Gleichstrom oder ein mit Wechselstrom modulierter Gleichstrom sein.
  • Es kann auch ein reiner Wechselstrom sein, z.B. eine bipolare Rechteck-Rufstrom-Impulsfolge, also von teils erster, teils zweiter Polarität, eines Fernsprech-Vermittlungssystems. Wenn der tTutzstrom ein mit Informationsignalen modulierter Strom ist, dessen informationssignale der Schaltungsanordnung über die betreffende Leitungsader bzw. über betreffende Leitungsadern zugeleitet werden und/oder dessen Informationssignale von der Schaltungsanordnung über die betreffende(n) Leitungsader(n) abgegeben werden, dann kann die Modulatiosart grundsätzlich beliebig sein. So können analoge oder digitale Informationssignale vorliegen, die z.B. mittels Amplituden-requenz-, Phasenmodulation oder sonstiger Modulation übertragen werden.
  • Falls die - bei 3edarf modulierten - Nutzströme zu keiner Zeit die zweite Polarität, sondern stets nur die erste Polarität aufweisen, dann kann die Diodeneinheit, evtl. auch die Überstromsicherung, bereits für kleine Ströme der zweiten Polarität undurchlässig gemacht werden, z.B. dadurch, daß gemäß Anspruch 2 der Diodeneinheit-Zweipol durch einen eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisenden Transistor oder durch mehrere unter sich in Reihe liegende eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisende Transistoren, deren eigene 3asen jeweils mit deren eigenem Emitter verbunden sind, gebilde wird.
  • Falls hingegen der lTutzstrom zum Teil die erste Polartät,zu einem anderen Teil aper die zweite Polarität aufweist, kann man die Diodeneinheit modifizieren, nämlich ähnlich wie eine Überstromsicherung für Ströme zweiter Polarität aufbauen, z .3. dadurch, daß gemaß Anspruch 4 der Diodeneinheit-Zweipol und der Überstromsicherungs-Zweipole auch für Nutzströme der zweiten Polarität und damit auch für diesen Strömen evtl. aufgeprägte Nutzsignale durchlässig ist und daß der Diodeneinheit-Zweipol für Ströme der zweiten Polarität, deren Betrag einen zweiten Grenzwert überschreitet, und damit für Störscannungen der zweiten Polarität, deren Betrag einen entsprechenden Grenzwert überschreitet, undurchlässig ist.
  • Den Überstromsicherungs-Zweipol kann man dabei z.. mittels einer zwischen seinen Eingang und Ausgang parallel angebrachten, zur Nutzströme der zweiten Polarität durchlässigen Diode oder Diodenkaskade für Ströme der zweiten Polarität niederohmig durchlässig machen, wenn dieser Zweipol nicht schon von Haus aus dafür durchlässig ist. 7n gleichartiger weise kann man auch den modifizierten Diodeneinheit-Zweipol für Nutzströme der ersten Polarität niederohmig dadurch durcillässig macnen, indem man eine Diode oder eine Diodenkaskade parallel schaltet, wodurch der Zweipol weiterhin ein Zweipole bleibt.
  • Statt einzelnen Dioden kann man jeweils auch eine Diodenersatz-Schaltung gemäß DE-OS 23 48 892 oder 23 48 254, welche ein besonders gutes Verhältnis von Sperrwiderstand zu Durchlaßwiderstand bei außerordentlich geringem Platzbedarf auf einer Substratoberfläche in integrierter Technik aufweist, verwenden.
  • ür den Überstromsicherungs-Zweipol sind an sich ebenfalls viele Herstellungs- bzw. Aufbaumöglichkeiten wählbar. Wegen seiner vergleichsweise kleinen Verluste für die Nutzströme erwies sich besonders ein Aufbau günstig, der neben einem die eigentliche Schaltstrecke darstellenden Haupttransistor noch mindestens einen weiteren, den Haupttransistor steuernden Steuertransistor enthält. Günstig erwies sich z.B. ein Aufbau, bei dem gemäß Anspruch 3 der Überstromsicherungs-Zweipol durch einen Haupttransistor oder durch mehrere unter sich in Reihe liegende Haupttransistoren, die jeweils von einem eigenen Steuertransistor abhängig von den Leitungsader-Stromwerten in den leitenden oder in den sperrenden Zustand gesteuert werden, gebildet wird.
  • Man kann eine besonders hohe Spannungsfestigkeit eines monolithischen Bausteins, der sowohl die Schaltwngsanordnung aus s auch die Sicherung enthält, erreichen, wenn gemäß Anspruch 5 die Sicherung neben der Schaltungsanordnung auf einem Isolierkörper als gemeinsamem Substrat in integrierter Technik angebracht ist. In diesem Falle ist also der Baustein z.. in der.sogenannten SOS-Technik oder Silizium-auf-Isolatortechnik hergestellt, wobei als Isolierkörper z.3. Saphier oder Spinell verwendet is-c, vgl. z.B. auch DE-OS 26 43 931.
  • Die hohe Spannungsfestigkeit ist insbesondere dadurch erreichbar, daß auf diesem Isolierkörper nebeneinander mehrere, gegenseitig isolierte epitaktische t-talbleiterkörper angebracht sind, wobei die einzelnen, untereinander in Serie geschalteten Diodeneinheitsglieder, sowie die einzelnen, untereinander ebenfalls in Serie geschalteten ÜDerstromsicherungs-Glieder sogar jeweils für sich auf einem eigenen Halbleiterkörper angebracht werden können.Da die einzelnen Halbleiterkörper untereinander nicht leitend verbunden sind, können alle Halbleiterkörper auf stark unterschiedlichen Potentialen liegen. Daher kann auf engstem Raume auf dem Isolierkörper eine außergewähnlich hohe Spannungsfestigkeit der in den sperrenden Zustand gesteuerte Glieder trotz der integrierten Technik erreicht werden.
  • Die Erfindung und Weiterbildungen davon werden insbesondere anhand der Figuren 2 bis 7 weiter erläutert, wobei Fig. 1 bereits oben erläutert wurde und einen bekannten Stand der Technik zeigt, sowie Fig. 2 und 3 schematisch zwei Weiterbildungsvarianten der Erfindung, Fig. 4 und 5 zwei Ausführungsbeispiele für einen Diodenein7eit-Zweipol, der nur für Ströme der ersten Polarität durchlässig ist, und Fig. 6 und 7 zwei Ausführungsbeispiele für einen Überstromsicherungs-Ztreipol zeigen, der für Nutzströme In1P der ersten Polarität und für Ströme der zweiten Polartät gut durchlässig ist, aber für Ströme der ersten Polarität, die einen bestimmten Grenzwert überschreiten, weitgehend undurchlassig ist.
  • Die in Fig. 2 gezeigte Weiterbildungsvariante der Brfindung.zeigt zwei elektronische Sicherungen Sa, Sb, welche zwischen die zweiadrigen a, Teilnehmerleitungen TL einer Fernsprech-Teilnehmerstation TS und einer gegen hohe Störspannungen beider Polaritäten zu schützenden Schaltungsanordnung Sch, z.B. einer dort auf einem Mololithen in integrierter Technik hergestellten Schleifen- und Rufstromeinspeiseeinheit mit abgehendem Verstärker insbesondere gemäß der nicht vorveröffentlichen DE-OS 28 31 105, Fig. 1, eingefügt sind.
  • Die Sicherungen enthalten jeweils die in Längsrichtung der Adern eingefügten Serienschaltungen von Zweipolen DE, US, welche die gegen hohe Störspannungen der ersten Polarität schützende Überstromsicherungs-Zweipole US und die gegen hohe Störstannungen der zweiten Polarität schützende Diodeneinheit-Zweipole DE darstellen. Die Störspannungen stellen z.B. Kurzschlüsse einzelner oder aller Adern a, b der Teilnehmerleitung TL gegen Starkstromleitungen, also z.B. gegen 220/380 Volt dar, oder z.B. Blitzfolgen, die in die Teilnehmerleitung TL induzierte Störspannungsspitzen darstellen. Es kann sich aber auch um andere Störspannungen handeln, z.B.
  • um Entladungen von elektrostatisch stark aufgeladenen Teilnehmern, welche als steile Stoßwellen über solche Adern a, b zur empfindlichen Schaltungsanordnung laufen.
  • Sind hohe Störspannungen vorhanden, dann trennt selbsttätig, je nach deren Polarität, entweder der Zweipol DE oder der Zweipol US die Schaltungsanordnung Sch von der die Störspannung aufweisenden Teilnehmerleitungs-Ader a bzw. b, so daß danach ein oder höchstens ein kleiner Störstrom durch die Schaltungsanordnung Sch fließt. Falls die Störspannung eine Sinus-Wechselspannung ist, z.3. 380 Volt-Netzspannung, dann trennen während der einen Halbwelle jeweils der eine Zweipol DE und während der anderen Halbwelle jeweils der Zweipol US.
  • Dadurch wird oft nicht nur die Schaltungsanordnung selbst vor Überhitzung bzw. Zerstörung geschützt, sondern auch weitere, außerhalb von Sch angebrachte el elektronische, in Fig. 2 nicht mehr gezeigte Einheiten, die leitend mit der Schaltungsanordnung Sch verbunden sind.
  • Solche Sicherungen scnützen also oft auch vor weiteren Folgeschäden. Zusätzlich können neben der erfindungsgemäßen Sicherung noch weitere Sicherungen angebracht werden, z.33. solche, die die durch die Erfindung aogetrennten Teilnehmerleitungen 2L gegen Masse entladen, also in die Adern a,b z.B.eingefügte Zweipole, Ulerpole oder Sechspole, z.B. gem DE-OS 24 33 329, darstellen.
  • Die Zweipole DE, US der Erfindung niissen aber nicht unbedingt zwischen die zu schützende Schaltungsanordnung Sch und die Teilnehmerleitung TL eingefügt sein. Oft kann wenigstens ein 'Teil der Zweipole, vgl. die Diodeneinheiten-Zweipole DEa, DEb in Fig. , sogar im Innern der Schaltungsanordnung Sch angebracht werden, wenn nämlich die dann nicht Geschützten Teile der Schaltungsanordnung Sch, vgl. die Konstantstromquellen und eine beliebige Quereinheit EX in der Schaltungsanordnung Sch von Fig. 3, für sich bereits ausreichend spannungsfest bzw. stromfest bez. der betreffenden Polarität der Störspannung ist.
  • Bei den die Störspannung aufweisenden Adern a, b muß es sich nicht unbedingt um Teilnehmerleitungs-Adern handeln.
  • Auch bei der Schaltungsanordnung Sch muß es sich nicht unbedingt um eine Einheit eines Vermittlungssystems handeln. Die Erfindung kann zum Schutz beliebiger Schaltungsanordnungen vor Störspannungen handeln, die auf beliebigen, Nutzströme leitenden Leitungen auftreten.
  • Falls die Schaltungsanordnung au einer Monolithen angebracht ist, ist vorteilhafterweise grundsätzlich auch die Anbringung der Sicherung auf dem gleichen Monolithen möglich, insbesondere weil die Sicherung aus in Längsrichtung eingefügten Zweipolen besteht, die nicht von außen über einen dritten Anschluß in ihren sperrenden Zustand gesteuert werden müssen. Vor allem ist dann die Spannungsfestigkeit der gesperrten Sicherung besonders hoch, wann die Sicherung, z.B. zusammen mit geschützten Teilen der Schaltungsanordnung, in Halbleiterinseln auf einen Isolierkörper,z.B. Saphier, als Substrat in integrierter Technik aufgebracht wird, wie oben bereits angegeben wurde.
  • Die Diodeneinheits-Zweipole DE können, wie bereits weitgehend erläutert, für sich auch durch eine Serienschaltung von einzelnen Gliedern gebildet werden, vor allem um die Spannungsfestigkeit der beim Abtrennen sperrenden Zweipole zu erhöhen. Fig. 4 zeigt Dioden als solche in Serie geschaltete Glieder und Fig. 5 als Dioden ausgenutzte, zwischen Basis und Emitter kurzgeschlossene Hochspannungstransistoren als solche in Serie geschaltete Glieder, die für Nutzströme In1P der ersten Polarität leitend und, in diesen besonderem Ausführungsbeispiel, für alle Ströme der zweiten Polarität wenigstens weitgehend sperrend sind.
  • Die Überstromsicherungs-Zweipole US können, wie ebenfalls weitgehend erläutert, für sich ebenfalls durch eine Serienschaltung von einzelnen Gliedern gebildet werden, vor allem um die Spannungsfestigkeit der beim Abtrennen sperrenden Zweipole zu erhöhen. Fig. 6 zeigt eine Variante und Fig. 7 eine zweite für Nutströme besonders verlustarme Variante von in Serie geschalteten einzelnen Gliedern, die jeweils den bei Überströmen die eigentliche Abtrennung bewirkenden Haupttransistor HT,und einen den Haupttransistor HT steuernden Steuertransistor ST enthalten, vgl. auch DE-OS 20 27 310, Fig. 2 und Siemens Baut.-Inf. 6 (19O8) H. 4, S. 106 bis 108, insbesondere Bild 1 und 3. Diese Überstromsicherungsglieder und damit der ganze Zweipol US ist für Nutzströme In1P der ersten Polarität gut, für einen Grenzwert überschreitende Ströme der ersten Polarität aber schlecht leitend oder nichtleitend, also wenigstens weitgehend nichtleitend.
  • In den Figuren 6 und 7 sind noch Dioden DR eingezeichnet, die den Zweipol US bzw. seine einzelnen Glieder für Ströme der zweiten Polarität gut leitend überbrücken.
  • Solche Überbrückungen enthaltende Zweipole sind also nur für Uberströme der ersten Polarität, deren Werte den betreffenden Grenzwert überschreiten, wenigstens weitgehend nichtleitend, für alle anderen Ströme aber gut leitend.
  • Falls die Nutzströme selbst beide Polaritäten aufweisen können, z.3. weil es sich um bipolare Rufströme für die in den Figuren 2 und 3 gezeigten Teilnehmerstationen TS handelt, dann sollte der verwendete Überstromsicherungszweipol für die Nutzströme beider Polaritäten gut leitend sein und daher z.3. als die uberbrückungen DR aufweisende Zweipole US aufgebaut sein.
  • In diesem Falle sollte auch der Aufbau des Diodeneinheit-Zweipols DE modifiziert werden: dieser sollte nämlich ebenfalls für die Nutzströme zweiter Polarität gut leitend sein und nur für überströmte der zweiten Polarität, deren Wert einen bestimmten Grenzwert überschreitet, schlecht bzw. nicht mehr leitend sein. In diesem modifizierten Fall sollte also die Diodeneinheit wie eine Überstromsicherung aufgebaut sein, die für die Nutzströme beider Polaritäten gut durchlässig ist, aber für jene überströmte der zweiten Polarität - zumindest weitgehend - undurchlässig sein. In diesem modifizierten Fall kann also die Diodeneinheit DE z.B.
  • einen Aufbau ähnlich wie jene die Überbrücken DR aufweisenden Zweipole US in Fig. 6 und 7 aufweisen, mit dem Unterschied, daß in der Diodeneinheit entweder alle p-Schichten durch n-Schichten und alle n-Schichten durch p-Schichten ersetzt sind, oder daß z.B., ohne Änderung der Schichtendotierung oder des aufbaus des Zweipole, der Nutzstrom In1P der ersten Polarität zwar in dem Überstromsicherungs-Zweipol US die in Fig. 6 und 7 gezeigte Richtung hat, daß aber in dem z.3. völlig gleich wie in Fig. 6 und 7 aufgebauten Diodeneinheits-Zweipol DE der Nutzstrom In1P der ersten Polarität die entgegengesetzte Richtung hat, also entgegengesetzt zu der in den Fig. 6 und 7 gezeigten Richtung. Diese modifizierte Sicherung ist in diesem zuletzt genannten Fall für Nutzströme beider Polaritäten gtit leitend, solange deren Werte jeweils unter dem für beide Polaritäten gleich großen Grenzwert liegen. Der Fachmann ist aber aufgrund seines Fachwissens fähig, Im modifizierten Fall bei Bedarf auch unterschiedliche Grenzwerte für die zwei Polaritäten zu wählen und den Aufbau bzw. die Dimensionierung der verwendeten Zweipole entsprechend zu wählen.
  • Alle in den Figuren S bis 7 gezeigten Zweipole gehen übrigens nach den Verschwinden der Störspannung auf der Leitungsader selbsttätig sofort wieder vom sterrenden in ihren leitenden Zustand ube.. Es ist daher unnötig, nach dem Abtrennen die Sicherungen auszuwechseln.
  • 5 Patentansprüche 7 Figuren

Claims (1)

  1. Patentansprüche 1. Jeweils durch einen Zweipol gebildete elektronische Sicherung einer an einer oder an mehreren Leitungsadern angeschlossenen, Nutzströme von erster Polarität sendenden und/oder empfangenden Schaltungsanordnung gegen Zerstörung der Schaltungsanordnung durcn oe Störspannungen, die z.B. durch Blitze in den Leitungsadern auftreten, insbesondere gegen Zerstörung einer durch eine monolithische Rufstrom- und Schleifenstrom-Einspeiseeinheit gebildeten Schaltungsanordnung einer über eine lange zweiadrige Teilnehmerleitung angeschlossenen Teilnehmerstation eines mittels Monolitischen aufgebauten Fernsprech-Vermittlungssystems, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß be der Schaltungsanordnung (Sch) in die Leitungsader(n) (a, b) in deren Längsrichtung jeweils eine Serienschaltung einer seits eines für die Nutströme der ersten Polarität' und damit auch für diesen Strömen evtl. aufgeprägte ttutzsignale,durchlässigen Diodeneinheit-Zweipols (DE bzw.
    DEa, DEb),der bei Störströmen entgegengesetzter zweiter Polarität und damit bei Störspannungen der zweiten Polarität sperrt, und andererseits eines fir die Nutzströme durchlässigen Überstromsicherung-Zweipols (US bz:z. USa, USb),der bei unzulässig hohen Strömen der ersten Polarität bzw. bei Spannungsspitzen der ersten Polarität sperrt, eingefügt ist.
    2. Sicherung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der Diodeneinheit-Zweipol (DE) durch einen eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisenden Transistor oder durch mehrere unter sich in 'eihe liegende, eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisende Transistoren, deren eigene Basen jeweils nit deren eigenem.
    Emitter verbunden sind, gebildet wird (Fig. 5).
    v. Sicherung nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n Z e i c h n e w , daß der Überstromsicherungs-Zweipol (US) durch einen Haupttransistor (HT) oder durch mehrere unter sich in Reihe liegende Haupttransistoren (HT), die jeweils von einem eigenen Steuertransistor (ST) abhängig von den Leitungsade--Stromwerten in den leitenden oder in den stehenden Zustand gesteuert werden, gebildet wird (Fig. 5 und 7).
    4. Sicherung nach Anspruch 1 oder 5, d a durch g e k e n n z e i c h n e t , daß der Diodeneinheit-Zweipol (DE) und der Überstromsicherungs-Zweipol (US) auch für Nutzströme der zweiten Polarität und damit auch für diesen Strömen evtl. aufgeprägte tTutzsignale durchlässig ist und daß der Diodeneinheit-Zweipol (DE) für Ströme der zweiten Polarität, deren Betrag einen zweiten Grenzwert überschreitet, und damit für Störsnannungen der zweiten Polarität, deren Betrag einen entsprechenden Grenzwert überschreitet, undurchlässig ist.
    5. Sicherung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß sie neben der Schaltungsanordnung auf einem Isolierkörper als gemeinsamen Substrat in integrierter Technik angebracht ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2839892A1 (de) * 1978-09-13 1980-03-27 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zur spulen-, relaiskontakt- und transformatorfreien rufstrom- und schleifenstromeinspeisung
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