SE455558B - Transistoriserad likriktarbryggkrets med stotstromsskydd - Google Patents
Transistoriserad likriktarbryggkrets med stotstromsskyddInfo
- Publication number
- SE455558B SE455558B SE8300414A SE8300414A SE455558B SE 455558 B SE455558 B SE 455558B SE 8300414 A SE8300414 A SE 8300414A SE 8300414 A SE8300414 A SE 8300414A SE 455558 B SE455558 B SE 455558B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- bridge
- elements
- transistors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M19/00—Current supply arrangements for telephone systems
- H04M19/08—Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
- H02M7/2195—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration the switches being synchronously commutated at the same frequency of the AC input voltage
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Description
isluten till anoderna hos en första och en andra zenerdiod Z3 455 558 2 .
Transistorns Tl bas är ansluten till ledningens b-ledare via ett motstånd RI, och transistorns T3 bas är ansluten till den- na ledare via ett motstånd H3. Transistorns T2 bas är ansluten till ledningens a-ledare via ett motstånd H2, och transistorns Tu bas är ansluten till samma ledare via ett motstånd Ru. Dessa motstånd är dimensionerade för lämplig förspänning av bryggans transistorer, som under normalt driftstillstånd är bottnade. K1ämman_"-" är an- resp.
Zu, vilkas katoder är anslutna till ledningens a-ledare respektive b-ledare. Vid given polaritet hos ledningen leder endast den PNP- -transistor, vars emitter är förbunden med ledningsklämman med högre potential, och den NPN-transistor, vars emitter är förbunden med led- ningsklämman med lägre potential. De båda övriga transistorerna är _ strypta. Följaktligen kommer - oberoende av ledningens faktiska po- laritet - matningsströmmen alltid att flyta genom telefonkretsen C 'från den klämma, som utgöres av förbindelsen mellan PNP-transistorer- nas kollektorer, till den klämma, som utgöres av förbindelsen mellan NPN-transistorernas kollektorer. Polaritetn vid dessa klämmor är konstant.
En eventuell strömstöt i ledningen förorsakar att det totala spänningsfallet i líkriktarkretsen ökar.
Så snart som klämspänningen över den zenerdiod, vars katod är ansluten till ledaren med den högsta potentialen, blir lika med diod- övergångens genombrottsspänning VZ, börjar emellertid denna diod att ledal backriktningen till följd av zenereffekten. Den andra zener- dioden börjar däremot att leda som en normal diod så snart som dess klämspänning blir lika med tröskelspänningen VONZ för ledning i framriktningen.
Följaktligen kommer likriktarkretsens totala spänningsfall icke att överskrida maximivärdet VR MAX = Vz " VoNz när stötströmmar uppträder på ledningen.
Den största på telefonens elektroniska krets påtryckta spän- ningen överstiger icke maximivärdet V = V - V CMAX Z CE Sat där V är lika med vid bottning rådande kollektor-emitter- CE sat spänning hos en PNP-transistor i bryggan.
Av denna anledning skyddas såväl likriktarkretsen som tele- fonkretsen mot stötströmmar. <1... .. ._ .Ef-f . . a _ . v »fl-w- 55 UO 455 558 3 med stötströmsskydd försedd likriktarkrets icke den bästa lösningen med avseende på Emellertid är en av ovan beskrivet slag tillverkningsekonomin.
Tillskottet till element, såsom de båda bryggkomponenterna av effekthöjande krets- zenerdioderna, medför en betydande höjning av kretsens kostnad (vare sig kretsen är uppbyggd av diskreta kom- ponenter eller är monolitiskt integrerad) till följd av det för fackmannen kända faktum att detta kräver såväl integrationsarea som ytterligare processmetoder.
Föreliggande uppfinning har till ändamål att tillhandahålla en transistoriserad, med stötströmskydd försedd likriktarbryggkrets, som kan vara monolitiskt integrerad och som är användbar för an- slutning av en abonnenttelefonapparats elektroniska kretsar till en tvåtrâdig telefonledning med låg matningsspänning, varvid denna likriktarbryggkrets ur tillverkningssynpunkt skall vara mer ekono- mísk än tidigare kända likriktarkretsar med stötströmsskydd.
Nyssnämnda ändamål uppnås enligt uppfinningen därigenom att den transistoriserade líkriktarbryggkretsen uppvisar de i patent- kravet 1 definierade kännetecknen.
Uppfinningen beskrives närmare nedan i form av nâgra i bifo- gade ritning visade, exemplifierande men icke begränsande utförings- exempel. Figf l visar ett principschema för en transistoriserad, ovan redan beskriven likriktarbrygga med stötströmsskydd. Fig. 2 visar ett principschema för en transistoriserad, enligt uppfin- ningen utförd likriktarbryggkrets med stötströmsskydd. Fig. 3 visar ett principschema för en annan utföringsform av uppfinningen. I fi- gurerna används samma hänvisningsbeteckningar för att ange mot va- randra svarande komponenter.
Den i fig. É visade och enligt uppfinningen utförda lik- riktarkretsen innefattar en bryggkretsanordning bestående av ett par bipolära PNP-transistorer Tl, T2 och ett par bipolära NPN- -transistorer TB, Tu.
Transistorns Tl kollektor är förbunden med transistorns T2 kollektor, och transistorns T3 kollektor är förbunden med tran- sistorns Tu kollektor. Dessa båda förbíndningar bildar en första, med "+" betecknad klämma och en andra, med "-" betecknad klämma, till vilka är ansluten elektronikkretsen C hos den telefonapparat som skall förbindas med ledningen.
Transistorernas T1 och T3 emittrar är anslutna till en första ledare a i den tvâtrådiga telefonledningen. Transistorernas T2 och 50 455 558 1, T emittrar är anslutna till ledningens andra ledare b.
U Transistorns Tl bas är ansluten till b-ledaren via ett motstånd Rl, och transistorns T3 bas är ansluten till denna le- 3. Transistorns T2 bas är ansluten till a-ledaren via ett motstånd H2, och transistorns Tu bas är ansluten dare via ett motstånd R till denna ledare via ett motstånd Ru. Transistorns T3 bas är dessutom ansluten till emittern hos en bipolär NPN-transístor Tlš, vars bas och kollektor är anslutna till transistorns T3 kollektor.
Transistorns Tu bas är även ansluten till emittern hos en bipolär NPN-transistor Tlu, vars bas och kollektor är anslutna till tran- sistorns Tu kollektor.
Fig. 3 visar principschemat för en annan utföringsform av uppfinningen innefattande ett par bipolära PNP-transistorer TI, T2 samt två par bipolära NPN-transistorer T3, TS och Tu, T6.
Transistorns Tl kollektor är förbunden med transistorns T2 kollektor, och transistorns T5 kollektor är förbunden med transis- torns T6 kollektor. Dessa båda förbindningar bildar en första, med "+" betecknad klämma och en andra med "-“ betecknad klämma, till vilka är ansluten elektronikkretsen C hos den telefonapparat som skall förbíndas med ledningen.
Transistorns TS emitter är förbunden med transistorns T3 kollektor och transistorns T6 emitter med transistorns Tu kollektor.
Transistorernas Tl och T3 emittrar är anslutna till en första ledare a i den tvåtrådiga telefonledningen. Transistorernas T2 och Tu emittrar är anslutna till ledningens andra ledare b.
I figuren visas icke de för fackmannen välkända förspän- ningsorgan, till vilka transistorernas Tl, T2, T3, Tu, T och T6 baselektroder är anslutna. 5 Den i fig. 3 visade kretsen innehåller även tvâ par bipolära NPN-transistorer TIB, T15 och Tlu, TI6.
Transistorernas Tlš och TIS emittrar är anslutna till tran- sistorns T3 emittrar är anslutna till transistorns Tu bas respektive kollektor.
Bas och kollektor hos såväl transistorn TI; är anslutna till transistorns T5 kollektor. Bas och kollektor hos bas respektive kollektor. Transistorernas Tlu och TI6 som transistorns Tl5 transistorerna Tlu och Tls är anslutna till transistorns T6 kol- lektor.
Funktionen hos den i fig. 2 visade kretsen är följande.
Under normala arbetsbetingelser är transistorerna TI, Tu V-.¿h--+I~"~'~-- 455 558 eller transístorerna T2, Tu ledande i överensstämmelse med led- ningspolariteten. De ledande transistorerna är bottnade. De i backriktningen förspânda transístorerna T13 och Tlu är strypta.
En eventuell stötström på ledningen förorsakar en ökning av det totala spänningsfallet i likriktarkretsen. Antages det att spänningen vid ledningsklämmorna har sådan polaritet att transis- 3 under normala förhållanden, så kommer transistorns T5 att börja torerna Tl och Tu är bottnade och transistorerna T2 och T strypta leda i backriktningen så snart som dess emitter-kollektorspänning - till följd av stötströmmen - blir lika med genombrottsspänningen BV mellan emitter och kollektor vid öppen bas. Transistorn T , ECO T3 13 som förspännes i backriktningen av transistorns T3 bas-kollektor- spänning, förblir strypt.
Efter genombrottet kan transístorn T3 utan höjning av sin kollektor-emitterspänning passeras av mycket höga strömmar, varför klämspänningen hos den till bryggan anslutna elektroniska telefon- kretsen icke överskrider maximivärdet vc MAX = Bvaco TB ' VCE san Tl där VCE Sat Tl är transistorns Tl kollektor-emitterspänníng vid bottning.
Den totala strömmen från transistorerna Tl och T3 passerar transistorns Tu kollektor, och eftersom denna transistor har oför- ändrat basförspänningstillstånd kommer den ej längre att bottna utan börjar arbeta i sitt aktiva område.
I det aktiva området tilltar transistorns Tu kollektor- -emitterspänning med ökande kollektorström. När denna spänning blir lika med summan av transistorns Tu bas-emitterspänning VBE Tu och tröskelledningsspänningen VBB T vid bas-emitterövergângen i den diodkortslutna transistorn Tlu, börjar denna transistor Tlu att mata ström till basen hos transistorn Tu, som härvid kan öka sin ledning utan ytterligare höjningar av kollektor-emitterspänningen.
Det totala spänningsfallet över likriktarbryggan överskrider därför icke maximivärdet. I V V R MAX Bvaco TB * Vas Tu + BE Tlu.
Sålunda skyddas såväl likriktarkretsen som telefonkretsen mot stötströmmar på ledningen under användning av bryggtransístorerna som skyddselement.
BO Ä0 455 558 Kretsen arbetar på identiskt och symmetriskt sätt när led- ningsspänningen är av motsatt polaritet. Värdet på spänningen BVECO för transistorerna Tj och Tu regleras på lämpligt sätt ge- nom användning av kända basdopningsmetoder.
När emellertid den normala ledningsspänningen redan är hög, och därför spänningen BVECO för bryggans NPN-transistorer måste vara hög, detta för att den strypta NPN-transistorn vid normala driftsbetingelser icke skall bli ledande till följd av genombrott i backriktningen, är det lämpligt att använda två par NPN-transis- torer i kaskad, vilket åskådliggöres i fig. 3. l detta fall visas även en variant av kretsen för skydd mot stötströmmar. De för förspänning av bryggans transístorer använda kretsorganen, vilka ej visas men lätt förverkligas av fackmannen, är med nödvändighet mer komplicerade än vid fig. l och 2.
Vid normalt arbetstillstånd hos den i fig. 3 visade kretsen leder, i beroende av ledningspolaritetefl,antingen endast transis- torerna Tl, Tu och T6 eller transístorerna T2, T3 och T5.
De ledande transistorerna är bottnade vid de givna förspän- ningstillstånden.
Antages att telefonledningens ledare a har högre potential än ledaren b, kommer transistorerna Tl, Tu och T6 att vara bottnade.
De diodkopplade transistorerna TI” och TI6 leder ej, eftersom de- ras kollektor-emitterspänningar är alltför låga som ett resultat av transistorerna Tu och T6 bottnade tillstånd.
En eventuell stötström på ledningen förorsakar en ökning av likriktarkretsens totala spänningsfall. Så snart som transistorernas T5 och TS emitter-kollektorspänning blir lika med dessa transistorers ) från emitter till kol- genombrottsspänning (BVECO T resp. BV ECO T5 lektor vid öppen bas, börjar transistorerna T3 och T5 att leda i backriktningen. Även vid mycket höga strömmar kommer den elektroniska tele- fonkretsens klämspänning icke att överstiga maximivärdet vc MAX = Bvx-:co m3 " BVEco TS ' VCE san 'rl där VCE Sat Tl är transistorns Tl kollektor-emitterspänníng vid bottning.
Den totala strömmen från transistorerna Tl, T3 och T5 flyter till transistorns T6 kollektor, varför denna transistor, till följd av att dess basförspänningstillstånd är oförändrat, övergår från bottning till sitt arbetsomrâdes aktiva zon.
BO 455 558 Inom den aktiva zonen tilltar transistorns T6 kollektor- -emitterspänning med ökande kollektorström, ända tills ledning möjliggöres av transistorn TIS.
Transistorernas T6 och T16 emitterström flyter till tran- sistorns Tu kollektor, varför denna transistor i likhet med tran- sistorn T6 börjar att arbeta i sin aktiva zon, varvid dess kol- lektor-basspänning ökar med kollektorströmmen tills transistorn Tlu kan börja leda. För absorbering av den totala strömmen fràn transistorerna T16 och T6 kan nu - oberoende av transistorn T6 - strömmen öka genom transistorn Tu, som erhåller erforderlig bas- ström från transistorn Tlu. Denna strömökning sker härvid utan ytterligare höjning av transistorns Tu kollektor-emitterspänning.
Det totala spänningsfallet över likriktarbryggan överskrider icke maximivärdet 4' 4' + BV 3 ECO T5 utgör transistorns Tu respektive Tlu bas- VR MAX Bvaco T VBB Tu VBB Tlu där V och V BE Tu BE Tlu -emitterspänning vid ledtillstånd.
När ledningsspänningen har motsatt polaritet arbetar kretsen på identiskt och symmetriskt sätt. Även den i fig. 3 visade utföringsformen av uppfinningen möjliggör således att såväl likriktarkretsen som den därtill an- slutna telefonkretsen skyddas mot stötströmmar på ledningen un- der användning av själva bryggelementen som skyddselement.
Den i enlighet med uppfinningen utförda likriktarkretsen är speciellt väl lämpad att integreras i ett monolitiskt halvledar- block under användning av kända integrationsmetoder.
Transistorerna Tlš, Tlu, T15 och T16 är konventionella NPN-transistorer av lågkostnadstyp. En i enlighet med uppfinningen utförd integrerad krets är därför fördelaktig såväl ur tillverk- ningssynpunkt som med hänsyn till integrationsomrâdenas storlek.
De ekonomiska fördelarna är uppenbara även vid en utföringsform där diskreta komponenter används. Även om två utföríngsformer av uppfinningen beskrivits ovan, är det uppenbart att ett flertal varianter är möjliga utan från- gâende av uppfinningens ram. Exempelvis är det möjligt att vid en llkflaflfie uppbyggnad använda bryagans PNP-transistorer i stallet för dess NPN-transístorer som skyddselement.
Claims (10)
1. l. Transístoriserad likriktarbryggkrets med stötströmsskydd och avsedd för anslutning av en abonnenttelefonapparats elektronis- ka krets till en tvåtrådig telefonledning, vilken bryggkrets inne- fattar ett första, ett andra, ett tredje och ett fjärde bryggele- ment (Tl, T2, T3 resp. Tu), som vart och ett har en första och en andra klämma, varvid det första elementets (Tl) andra klämma är för- bunden med det andra elementets (T2) andra klämma, under det att det tredje elementets (T3) andra klämma är förbunden med det fjärde ele- mentets (Tu) andra klämma, vilka förbindningar bildar en första och en andra anslutningsklämma (+ resp. -), till vilka telefonapparatens elektroniska krets (C) är ansluten, och varvid det första och det tredje elementets (Tl, T3) första klämmor är anslutna till en första ledare (a) i telefonledningen, under det att det andra och det fjär- de elementets (T2, Tu) första klämmor är anslutna till ledningens andra ledare (b); varjämte varje bryggelement innefattar åtminstone en första bipolär transistor inkopplad med sin emitter och kol- lektor mellan ifrågavarande elements första och andra klämmor, var- vid transistorns emitter är förbunden med elementets första klämma; varjämte det första och det andra elementets (T1, T2) transistorer är av motsatt ledningstyp gentemot det tredje och det fjärde ele- mentets (T3, Tu) transistorer; och varjämte var och en av nämnda transist0rer har sin bas ansluten till på ledningsspänningens pola- rítet reagerande styrkretsorgan (Rl, R2, R3, Ru), vilka styr de första och fjärde elementens (Tl, Tu) transístorer i motfas mot de andra och fjärde elementens (T2,_T5) transístorer, k ä n n e t e c k n a d av att basen hos det tredje och det fjärde bryggelementets (T3, Tu) första transistor är ansluten till ifrågavarande elements andra klämma medelst ett första halvledarelement (Tlš, Tlu), som har en i normala arbetstillstånd backförspänd bipolär övergång.
2. Bryggkrets enligt kravet l, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda halvledarelement är en diod.
3. Bryggkrets enligt kravet l, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda halvledarelement är en bipolär transistor (Tlš, Tlu), vars bas är kortslutcn med kollektorn.
4. H. Bryggkrets enligt något av föregående krav, k ä n n e- it e c k n a d av att varje bryggelement består av en bipolär tran- sistor, vars emitter och kollektor utgör ifrågavarande elements första resp. andra klämma. 455 558
5. Bryggkrets enligt något av kraven 1-3, k ä n n e t e c k- n a d av att de tredje och fjärde bryggelementen vartdera inne- fattar en andra bipolär transistor (T5, T6), som är ínplacerad med sin emitter och kollektor mellan clementets båda klämmer så att emittern är ansluten till den första transístorns (TB, Tu) kollektor, vilken kollektor dessutom är ansluten till ifrågavarande elements andra klämma via ett andra halvledarelement (T15, Tlö), som har en i normala arbetstillstånd backförspänd bipolär övergång.
6. Bryggkrets enligt kravet 5, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda andra halvledarelement är en diod.
7. Bryggkrets enligt kravet 5, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda andra halvledarelement är en bipolär transístor (T15, Tló), vars bas är kortsluten med kollektorn.
8. Bryggkrets enligt något av föregående krav, k ä n n e- t e c k n a d av att de första och andra bryggelementen (Tl, Ta) vartdera utgöres av en bipolär transistor, vars emitter och kol- lektor bildar ifrågavarande elements första och andra klämmor, samt att de tredje och fjärde bryggelementen vartdera består av ett par kaskadkopplade bipolära transistorer (T3, T5; Tu, T6), där emittern hos den första transistorn och kollektorn hos den andra transistorn i paret utgör ifrågavarande elements första resp. andra klämma.
9. Bryggkrets enligt något av föregående krav, k ä n n e- t e c k n a d av att varje i de första och andra bryggelementen ingående bipolära transistor är av PNP-typ, under det att varje i de tredje och fjärde bryggelementen ingående bipolära transistor är av NPN-typ.
10. Bryggkrets enligt~något av föregående krav, k ä n n e- t e c k n a d av att hela kretsen är integrerad i ett monolitiskt halvledarblock.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8219356A IT1212518B (it) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | Circuito raddrizzatore a ponte di transistori, con protezione controle sovracorrenti, per uso telefonico. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8300414D0 SE8300414D0 (sv) | 1983-01-27 |
| SE8300414L SE8300414L (sv) | 1983-07-30 |
| SE455558B true SE455558B (sv) | 1988-07-18 |
Family
ID=11157007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8300414A SE455558B (sv) | 1982-01-29 | 1983-01-27 | Transistoriserad likriktarbryggkrets med stotstromsskydd |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4507525A (sv) |
| JP (1) | JPS58133171A (sv) |
| DE (1) | DE3302912A1 (sv) |
| FR (1) | FR2520950B1 (sv) |
| GB (1) | GB2116788B (sv) |
| IT (1) | IT1212518B (sv) |
| SE (1) | SE455558B (sv) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE897772A (fr) * | 1983-09-19 | 1984-03-19 | Itt Ind Belgium | Contacts electroniques et dispositifs associes |
| DE3400973A1 (de) * | 1984-01-13 | 1985-07-18 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Monolithisch integrierte gleichrichterbrueckenschaltung |
| DE3804250C1 (en) * | 1988-02-11 | 1989-07-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | Circuit arrangement for a current limiter |
| GB9505350D0 (en) * | 1995-03-16 | 1995-05-03 | British Tech Group | Electronic identification system |
| US5936514A (en) * | 1996-09-27 | 1999-08-10 | Rosemount Inc. | Power supply input circuit for field instrument |
| DE69735094T2 (de) | 1996-11-13 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp. | Stromversorgungseinrichtung und tragbare elektronische einrichtung |
| US5999849A (en) * | 1997-09-12 | 1999-12-07 | Alfred E. Mann Foundation | Low power rectifier circuit for implantable medical device |
| FR2769771B1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-12-31 | Valeo Equip Electr Moteur | Dispositif pour le redressement synchrone d'un alternateur |
| US6088608A (en) * | 1997-10-20 | 2000-07-11 | Alfred E. Mann Foundation | Electrochemical sensor and integrity tests therefor |
| DE102007060231A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Robert Bosch Gmbh | Generator mit Gleichrichteranordnung |
| US20100073978A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Infineon Technologies Ag | Bridge rectifier circuit with bipolar transistors |
| CN106329963B (zh) * | 2016-07-05 | 2019-05-28 | 濮阳市立圆汽车电器有限公司 | 一种电源用桥式切换装置 |
| US10230309B2 (en) | 2017-07-02 | 2019-03-12 | Champion Microelectronics Corporation | Synchronous bridge rectifier, methods of operation thereof and components thereof |
| IT202100003965A1 (it) * | 2021-02-22 | 2022-08-22 | Riccardo Carotenuto | “circuito per ridurre il riscaldamento e aumentare l’efficienza di rettificatori a semiconduttore” |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3434034A (en) * | 1967-03-14 | 1969-03-18 | Hewlett Packard Co | Universal ac or dc to dc converter |
| NL6916988A (sv) * | 1969-11-11 | 1971-05-13 | ||
| DE2056451C3 (de) * | 1970-11-17 | 1974-07-18 | Friedrich Rambold Kg, 7730 Villingen | Längenmeßgerät, insbesondere Meßuhr, mit elektrischem Grenzwertgeber |
| BE793286A (fr) * | 1971-12-22 | 1973-04-16 | Thorn General Telephone Ltd | Circuit pour prelever de l'energie sur une ligne dans laquelle passe uncourant |
| CA954644A (en) * | 1972-11-28 | 1974-09-10 | Arthur D. Moore | Polarity guard |
| US4016457A (en) * | 1973-10-19 | 1977-04-05 | Kelsey-Hayes Company | Failsafe system for skid control systems and the like |
| CH592989A5 (en) * | 1975-09-30 | 1977-11-15 | Sodeco Compteurs De Geneve | Switching circuit supply for telephone subscriber equipment - has Graetz bridge network using transistors which provides switched supply dependent upon subscriber loop polarity |
| AT354526B (de) * | 1977-06-08 | 1980-01-10 | Schrack Elektrizitaets Ag E | Schaltungsanordnung zur entnahme einer spannung vorbestimmter, von der polaritaet des speise- stromkreises unabhaengiger polaritaet |
| DE2834894A1 (de) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Siemens Ag | Elektronische sicherung |
| IT1211072B (it) * | 1981-06-30 | 1989-09-29 | Ates Componenti Elettron | Circuito raddrizzatore a ponte di transistori per uso telefonico. |
-
1982
- 1982-01-29 IT IT8219356A patent/IT1212518B/it active
-
1983
- 1983-01-25 US US06/460,874 patent/US4507525A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-01-27 SE SE8300414A patent/SE455558B/sv not_active IP Right Cessation
- 1983-01-27 JP JP58010649A patent/JPS58133171A/ja active Granted
- 1983-01-28 DE DE19833302912 patent/DE3302912A1/de active Granted
- 1983-01-28 FR FR838301318A patent/FR2520950B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1983-01-31 GB GB08302548A patent/GB2116788B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE8300414D0 (sv) | 1983-01-27 |
| GB2116788A (en) | 1983-09-28 |
| JPH0121703B2 (sv) | 1989-04-21 |
| JPS58133171A (ja) | 1983-08-08 |
| SE8300414L (sv) | 1983-07-30 |
| DE3302912C2 (sv) | 1990-05-31 |
| FR2520950B1 (fr) | 1990-04-27 |
| GB2116788B (en) | 1985-05-09 |
| US4507525A (en) | 1985-03-26 |
| GB8302548D0 (en) | 1983-03-02 |
| FR2520950A1 (fr) | 1983-08-05 |
| IT8219356A0 (it) | 1982-01-29 |
| IT1212518B (it) | 1989-11-22 |
| DE3302912A1 (de) | 1983-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3825778A (en) | Temperature-sensitive control circuit | |
| EP0458332B1 (en) | Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit | |
| JPH08139528A (ja) | トランジスタ保護回路 | |
| SE455558B (sv) | Transistoriserad likriktarbryggkrets med stotstromsskydd | |
| EP0166581A2 (en) | Cmos circuit overvoltage protection | |
| US5568345A (en) | Overvoltage protection circuit | |
| SE464327B (sv) | Telefonabonnentledningskrets med oeverspaenningsskydd | |
| US4287436A (en) | Electrical circuit for driving an inductive load | |
| US4420786A (en) | Polarity guard circuit | |
| US4220877A (en) | Temperature compensated switching circuit | |
| JPS61110218A (ja) | 電圧安定化装置 | |
| US3940683A (en) | Active breakdown circuit for increasing the operating range of circuit elements | |
| US3979607A (en) | Electrical circuit | |
| US3919601A (en) | Overcurrent protection circuit {8 for an object circuit{9 | |
| US3217237A (en) | Voltage regulator employing a voltage divider havin gan intermediate point at a reference potential | |
| US6635930B1 (en) | Protective circuit | |
| SE450070B (sv) | Trepolig strommatningskrets for telefonapparat | |
| US4660121A (en) | Electronic safety barrier | |
| EP0098155B1 (en) | Schmitt trigger circuit | |
| US20020075619A1 (en) | Overvoltage protection circuit` | |
| EP0442391B1 (en) | Circuit arrangement for protecting an input of an integrated circuit fed from a supply voltage source from overvoltages | |
| SE452834B (sv) | Transistoriserad likriktarbrygga for anslutning av en abonnenttelefon till en telefonledning | |
| US5786972A (en) | Temperature-compensated voltage clamp with forced pass transistor voltage sharing | |
| US4166964A (en) | Inverting buffer circuit | |
| US4096400A (en) | Inductive load driving amplifier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 8300414-3 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8300414-3 Format of ref document f/p: F |