JPS60237454A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子写真による画像作成に有効な感光体に係
シ、特に長波長の光に対しても高感度を有する電荷発生
物質と化学的に安定な新規なオキサゾール誘導体とから
構成される電子写真用感光体に関する。

（従来技術） 従来、長波長の光に対して高感度を有する電子写真感光
体において、！荷発生物質としてτ型。

τ′型、η型およびη′型無金鵜フタロシアニンのうち
少なくとも一種類を使用し、電荷搬送物質として２−（
４−シフ’ロピルアミノフェニル）−４−（４−ジメチ
ルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル）−１
，３−オキサゾール〔化合物（ｌＩｌ）　。

２−（４−ジエチルアミノフェニル）−４−（４−ジメ
チルアミノフエニル）−５−（２−クロロフェニル）−
１，３−オキサゾール〔化合物（１［１１］。

２−（４−ジメチルアミノフェニル）−４−（４−ジメ
チルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル）−
１，３−オキサゾール〔化合物（ＩＶＩ　）などのオキ
サゾール誘導体のうち少なくとも一種類から構成される
レーザービームプリンター用を子写真感光体が（特開昭
５８−１８２６３９号公報。

特開昭５８−１８２６４０号公報）知られている。

しかし、上記オキサゾール誘導体は特に、溶液状態にお
いて紫外線の照射によシ、著しく容易に分解して９分解
生成物として主に２−（４−ジエチルアミノフェニル）
−６−シメチルアミノフエナントロ［９，１０−ｄ〕オ
キサゾールが生成し。

その特性を壊失するため取り扱いに注意を要し。

特に、電子写真感光体の製造中にその特性を壊失しやす
いという欠点を有する。

本発明は、このような問題点を解決するものであり、新
規な化合物であって紫外線の照射に対して安定な性質を
有するオキサゾール誘導体を含有し、長波長の光に対し
て高感度を示す優れた電子写真特性を有する電子写真感
光体を提供するものであり、特にその製造中にもその特
性を壊失しない電子写真感光体を提供するものである。

（発明の構成） 本発明は、電荷発生物質として、τ型、τ′型。

η型及びη′型型金金属フタロシアニンうち少なくとも
一柚類ヲ含み、電荷搬送物質として一般式＋１１ｐ。

（たたし１式中Ｒ＋　、　Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、ア
ルキル基を示し、これらは同一でも異なっていてもよい
）で表わされるオキサゾール誘導体を含有してなる電子
写真感光体に関する。

上記一般式（１１で表わされる化合物は、上記化合物（
Ｉｌｌ、　（ｆｉｌｌおよび（ＩＩ／ｌにおけるＣｌ原
子のかわりにＦ原子を有するものであるがこれにより、
紫外線に対しても安定性が非常に大きく、紫外線が照射
されても分解することがなく、電子写真感光体に安定な
優れた特性を与えるものである。

一般式（Ｉｌで表わされるオキサゾール誘導体は。

主に電荷搬送物質として機能する。この化合物は他の電
荷搬送物質９例えば高分子化合物のものではポリ−へ一
ビニルカルバゾール、ノ・ロゲン化ボＩＪ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン。

ポリビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチ
オフェン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリ
ジン、ポリビニルピラゾリン等が。

低分子化合物のものではフルオレン、フルオレノン、λ
７−シニトロー９−フルオレノン、２，４．７−　）　
ＩＪニトロ−９−フルオレノン、４Ｈ−インデノ（１，
２，６）チオフェン−４−オン、３．７−シニトロージ
ベンゾチオフエンー５−オキサイド、１−フロムピレン
、２−フェニルピレン、カルノ＜ソール、３−フェニル
カルバソール、２−フェニルインドール、２−フェニル
ナフタレン、オキサシアソール、１Ｊ７７”−ル、１−
フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−
（４−ジエチルアミノフェニル）ヒランリン、２−フェ
ニル−４−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−フェ
ニルオキサゾール、トリフェニルアミン、イミダゾール
、クリセン、テトラフェン、アクリデン、これらの誘導
体等と併用することができる。

他の電荷搬送物質の配合割合は、一般式（１１で表わさ
れるオキサゾール誘導体による電子写真特性の向上を損
わないために該誘導体１重量部に対して１重量部以下が
好ましい。特に０．２５重量部以下が好ましい。

本発明に係る電子写真感光体は、電荷搬送物質と電荷発
生物質とが混在した単一層を導電性支持体の上に光導電
体層として構成することができる。

また、電荷発生物質と電荷搬送物質とを別個の層として
形成し、いわゆる２層構造全導電性支持体の上に光導電
体層として構成することができる。

本発明において使用される電荷発生材料であるτ。

τ′、η及びη′型型金金属フタロシアニン、特開５８
−１８２６４０号公報及びヨーロッパ特許公開第９２２
５５号公報に記載されるものである。

τ型無金属フタロシアニンは、ブラッグ角度（２θ±０
．２度）が７．６　、９．２．１６．８　、１７．４　
、２０．４及び２０．９に特徴的なピークを有するＸ線
回折パターンを有し、特に、赤外線吸収スペクトルが７
００〜７６０ｃ［ｌｌ−１の間に７５１量２ｃｍ−”が
最も強い４本の吸収帯を、　１３２０〜１３４０ｃｍ−
’の間にほぼ同じ強さの２本の吸収帯を、３２８８±ａ
ｃｍ−”に特徴的な吸収を有するものが好ましい。

τ′型型金金属フタロシアニン、ブラッグ角度（２θ±
０．２度）が７．５．９．１．１６．８．１７．３゜２
０．３，２０．８，２１．４及び２７．４に強いピーク
を有するＸ線回折パターンを有し、赤外線吸収スペクト
ルが７００〜７６０ｃｍ−”の間に７５３（±２）ｃＸ
ｎ−１が最も強い４本の吸収帯を、１３２０〜１３４０
Ｃｍ−”の間に２本のほぼ同じ強さの吸収帯を、３２９
７±ａｃｍ−”に特徴的な吸収を有するものが望ましい
。

η型及びη′型型金金属フタロシアニン、無金属フタロ
シアニン１００重量部とベンゼン核に置換基を有する無
金属フタロシアニン、ベンゼン核に置換基を有していて
もよいフタロシアニン窒素同構体若しくは金属フタロシ
アニンの一極若しくは二種以上５０重量部以下との混合
物結晶であシ。

ηおよびη′型は、各々、二種類ずつ存在する。

η型態金属フタロシアニンは、赤外線吸収スペクトルが
７００〜７６　ｏｃｍ−”の間に７５３量２ｃｍ−”が
最も強い４本の吸収帯＝ｉ、１３２０〜１３４０ｃｍ−
”の間に２本のほぼ同じ強さの吸収帯を、３２８５±５
ｃｍ”−”に特徴的な吸収を有する。η型無金楓フタロ
シアニンのうち一種は、ブラッグ角度（２θ±０，２度
）が、７．６，９．２．１６．８，１７．４及び２８．
５に特徴的なピークを有するＸ線回折パターンを有し、
他の一種は、７．６，９．２，１６．８，１７．４，２
１．５及び２７．５に特徴的なピーク金有するＸ線回折
パターンを有する。

η′型型金金属フタロシアニン、赤外線吸収スペクトル
が７００〜７６０ｃｍ−”の間に、７５３量１ｃｍ””
が最も強い４本の吸収帯を、１３２０〜１３４０Ｃｍ−
”に２本のほぼ同じ強さの吸収帯を、３２９７±５ｃｍ
−’に特徴的な吸収を有する。η′型型金金属フタロシ
アニン一種は、ブラッグ角度（２θ±２度）が７．５．
９．１．１６．８．１７．３．２０．３．２０．８゜２
１．４及び２７．４に％徴的なピークを有する回線回折
パターンを有し、他の一種は、　７．５　、９．１　。

１６．８．１？、３，２０．３，２０．８，２１．４，
２２．１゜２７．４及び２８，５に特徴的なピークを肩
するＸ線回折パターンケ有する。

τ及びτ′型型金金属フタロシアニン９例えばα型無金
属フタロシアニンを液体分散媒に分散し。

磨砕助剤の存在下に５０〜１８０℃、好ましくは６０〜
１３０℃の温度で結晶変換するのに十分な時間、攪拌若
しくは機械的歪力をもってミリングすることにより製造
することができる。

η及びη′型型金金属フタロシアニン１例えば。

α型無金属フタロ７アニン１００重量部とベンゼン核に
置換基を有する無金属フタロシアニン、ポルフィン化合
物等のベンゼン核に置換基を有していてもよいフタロシ
アニン窒素同構体若しくは金属フタロシアニン５０１量
部以下、好ましくは０１〜３０重量部とを液体分散媒に
分散し、磨砕助剤の存在下に３０〜２２０℃、好ましく
は６０〜１３０℃で結晶変換するのに十分な時間、攪拌
若しくは機械的歪力をもってミリングすることにより製
造することができる。

光導電体層には、既知の結合剤、可塑剤、流動性付与剤
、ピンホール抑制剤等の添加剤を使用することかできる
。結合剤としては、線状飽オロボリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ブチラール樹脂、
ポリケトン樹脂。ポリウレタン樹脂、ポリ−き一ビニル
カルバゾール。

ホリー（ｐ−ビニルフェニル）アントラセン、シリコー
ン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂。

ポリスチレン樹脂などから選ばれる。

また、熱及び／または光によって架橋する熱硬化型及び
光硬化型樹脂も使用できる。いずれにしても絶縁性で通
常の状態で皮膜形成能を有する樹脂及び／または光によ
って硬化し皮膜を形成する樹脂であれば特に制限はない
。可塑剤としてハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタ
レン、ジブチルフタレート等か挙げられる。流動性付与
剤としテハモダフロ−（モンサントケミカル社製）、ア
クロナール４Ｆ（バス７社製）等がピンホール抑制剤と
してはベンゾイン、ジメチルテレフタレート等が挙げら
れる。これらは適宜選択して使用され、その量も適宜決
定されればよい。

単一層構造を採る場合、電荷発生物質に対する前記電荷
搬送物質の配合量は前者１重量部当シ。

後者１〜１０重量部が一般的である。好ましくは前者１
重量部当り後者１〜５Ｍ量部である。結合剤の使用量は
、電荷発生物質１重量部当＃）１〜３重量部であり、３
重量部を越えると電子写真特性が低下する。その他、上
記可塑剤、絵加剤は、電荷発生物質に対して数重−Ｊｔ
％以下で適宜使用される。また、光導電体層全体の厚さ
としては５〜１００μｍとするのが一般的である。しか
し、最終的には光感度即ち帯電特性を損わないように配
慮して決定するのが望ましい。

一方、２層構造を採る場合、電荷発生層は、前記τ型、
τ′型、η型及びη′型型金金属フタロシアニンうち少
なくとも一種類を電荷発生物質として使用するので膜形
成のために上記結合剤を使用する必要があり、その使用
量は、電荷発生物質１重量部当シ１〜３重量部であり、
３重量部を越えると電子写真特性が低下する。その他、
上記可塑剤１添加剤は、！荷発生物質に対して数重ｔ％
以下で適宜使用される。また、！荷搬送膚は、一般式（
１１で衣わされるオキサゾール誘導体を電荷搬送物質と
して単独で用いる場合には、上記の結合剤を電荷搬送物
質１］Ｌ量部当り１〜３重量部用いるのが一般的である
。また、他の電荷搬送物ＪＸを併用する場合、該電荷搬
送物質が高分子化合物のときには、結合剤を用いなくて
もよいが、該高分子化合物１重量部に対して結合剤を３
１量部以下で使用してもよい。３重量部を越えると電子
写真特性が低下する。また、上記電荷搬送性物質として
低分子化合物を併用するときは、結合剤は一般式（１１
のオキサゾール誘導体及び該低分子化合物の総量１重量
部に対して０．３〜３重量部使用される。０，３重量部
未満では電荷搬送層の形成が困難になり。

３重量部を越えると電子写真特性が低下する。その他上
記可塑剤、添加剤は上記電荷搬送性物質１重量部に対し
て０．０５重量部以下で適宜使用される。電荷発生層の
厚さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜５μｍ
が望ましい。０．０１μｍ未満では、電荷発生層を均一
に形成するのが困難になシ、１０μｍを越えると電子写
真特性が低下する。

また、電荷搬送層の厚さは５〜５０μｍ、好ましくは８
〜２５μｍである。５μｍ未満では初期電位が低下し、
５０μＩｎを越えると感度が低下する。

しかし、いずれの場合も最終的には光感度即ち帯電特性
を損わないように配慮して決定するのが望ましい。光導
％層の厚さがあまり厚くなりすぎると層目体の可撓性が
低下する惧れがあるので注意を要する。

本発明の電子写真感光体を、電荷発生層と電荷搬送層を
もつ二層構造とする場合、導電性支持体の上に電荷発生
層を形成し、その上に電荷搬送層を形成したものが、電
子写真特性上好ましいが。

電荷発生層と電荷搬送層が逆になっていてもよい。

導電性支持体にはアルミニウム、真ちゅう、銅。

金などが用いられる。

導電性支持体上に電荷発生物質および電荷搬送物質を含
有する単一層、電荷発生層および電荷搬送層からなる二
層を形成するには、各層の成分をアセトン、メチルエチ
ルケトン等のケトン系溶剤。

テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、トルエン、キ
シレン等の芳香族系溶剤等の溶剤に均一に溶解または分
散させたのち、導電性支持体上に塗布乾燥することがで
きる。このうち、電荷発生層または電荷搬送層が形成さ
れたのち、その上に電荷搬送層または電荷発生層を同様
に塗布乾燥して二層構造とすることができる。

塗布乾燥は１例えばドクターブレードを用いて所定の膜
厚に塗工し、１５分間自然乾燥させた後。

８０〜１１０℃で４０分間乾燥して行なうことができる
。

本発明に係る電子写真感光体は、さらに導電性支持体の
すぐ上に薄い接着層、バリヤ層を有していてもよい。ま
た１表面にシリコン等の保護層を設けることができる。

本発明になる電子写真感光体を用いた複写法は従来と同
様９表面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、普通
紙上に画像を転写し定着すればよい。

本発明になる電子写真感光体は、高い感度を有し、且つ
暗減衰が小さく、光疲労が少ないなど優れた利点を有し
ている。

一般式（１１で表わされるオキサゾール誘導体としては
、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−５−（２−フルオルフェニル
）−１，３−オキサ７’−ル、２−（４−ジエチルアミ
ノフェニル）−４−（４−ジメチルアミンフェニル）−
５−（２−フルオルフェニル）−１，３−オキサゾール
、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−５−（２−フルオルフェニル
）−１，３−オキサゾール、２−（４−ジグジビルアミ
ノフェニル）−４−（４−ジエチルアミノフェニル）−
５−（２−フルオルフェニル）−１，３−オキサゾチル
、２−（４−ジエチルアばノフェニ＃）　−４−（４−
ジエチルアミノフェニル）−５−（２−フルオルフェニ
ル）−１，３−オーＩＦ−？　ソール、２−（４−ジメ
チルアミノフェニル）−４−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−５−（２−フルオルフェニル）　−１，３−、
ｔキサソーＡ／、　２−（４−ジメチルアミノフェニル
）−４−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（２−
フルオルフェニル）−１，３−オキサゾール等がある。

一般式ｔｌｌで表わされるオキサゾール誘導体は。

（たたし９式中、Ｒ１およびＲ２はメチル基、エチル基
、プロピル基等のアルキル基を示し、これらは同一でも
異なっていてもよい）で表わされる化合物と、一般式（
Ｂ） （ただし１式中、　Ｒ３およびＲ４は、メチル基、エチ
ル基、プロピル基等のアルキル基を示し、これらは同一
でも異なっていてもよい）で表ゎきれる化合物を反応さ
せることによって得ることができる。

成因で表わされる化合物は１例えば、４−ジメチルアミ
ノベンズアルデヒド、２−フルオロベンズアルデヒドお
よびＫＣＮを、それぞれ１モル。

１モルおよび０．１〜１．５モルの割合で５０％エタノ
ール水溶液中に加え１．５〜４時間加熱還流させること
により製造できる。

一般式（Ｂｌで表わされる化合物は１例えば下記の式囚
で表わされる反応径路により合成できる。すなわち、ア
ユ９フ１モルと一般式ｆ０１（ＲＯ）ａ　ＰＯ（Ｃ１ （たたし式中几は、メチル基、エチル基、プロピル基等
のアルキル基を示し、三つのＲは同一でも異なっていて
もよい）で表わされる化合物０．６７モルを２時間加熱
還流して反応させ、減圧蒸留してジアルキルアニリン（
ここで、アルキル基としてはメチル、エチル基、プロピ
ル基等がある。以下同じ）を得る。続いて、　Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド１モルにジアルキルアニリン０．
３〜０．４モルを１９〜２２℃で滴下し９滴下終了後９
０〜９５℃で２時間反応させ減圧蒸留してジアルキルア
ミノベンズアルデヒドを得る。ジアルキルアミノベンズ
アルデヒド１モルに対して塩酸ヒドロキシアミン１．０
〜１．３七ルを室温で２０分間反応させ。

反応液を冷蔵陣中に放置してジアルキルアミノベンズア
ルデヒド・オキシムを析出させる。最仮にジアルキルア
ミノベンズアルデヒド・オキシム１モルに対して無水酢
酸２〜３モルを２０分間加熱還流して脱水反応させ一般
式（Ｂｌで表わ塾れる化合物を製造することができる。

上記において、ジアルキルアミノベンズアルデヒドから
ジアルキルアミノベンゾニトリルを生成させるためには
、下記式（Ｙｌの径路によって行なうこともできる。

すなわち、ジアルキルアミノベンズアルデヒド１モルに
対しテＮＨ２ＯＨ−ＨＣｌ　１．１５−Ｅ　ル、　ＨＣ
ＯＯＮａ太過剰およびギ酸約１５００ｃｃを混合し、還
流下に１時間反応させ、この後、直ちに反応液を水中に
加えるとジアルキルアミノベンゾニトリルの沈殿が析出
する。この沈殿を水で再結晶すればよい。

（Ｙｌ 一般式（１１で表わされる化合物は９式（Ａｌおよび一
般式（Ｂｌで表わされる化合物を濃硫酸に溶解させ。

暗所で反応させることにより得られる。反応温度は２０
〜７０℃が好ましい。反応温度を５０〜７０℃にすると
０．５〜２時間で反応は終了する。

反応物の精製はメタノールによる再結晶によっておこな
うことができる。

一般式（Ａ）および一般式（Ｂｌで表わされる化合物は
。

反応前に予め混合しておくのが好ましい。一般式（５）
の化合物を単独で濃硫酸に添加すると濃硫酸により一般
式（Ｂｌで表わされる化合物と反応する前に脱水反応を
うけてしまう。

（実施例） 以下に本発明の実施例を示す。

実施例１〜３ τ型無金属フタロシアニン（東洋インキ製造■製）１重
量部とシリコーン樹脂（信越化学工業−商品名、ＫＲ２
５５）６．７重量部をテトラヒドロフランを溶剤とした
５重量％の溶液になるようにして、ボールミル（日本化
学陶業製３寸ポットミル）で５時間混練した。得られた
顔料分散液をアプリケータによシアルミニウム板（導電
体）上に塗工し、９０℃で４０分間乾燥して厚さ１μｍ
の電荷発生層を形成した。

次に下記第１表に示したオキサゾール誘導体１重量部と
ポリエステル樹脂（東洋紡績■商品名。

バイ０７２００　）　２．’４重量部およびスチレン樹
脂（エッソ社製、ピコテンクス１００）０．６重量部を
テトラヒドロフランを溶剤とした２７１Ｍ３の溶液とし
、上記電荷発生層の上にアプリケータにより塗工し９０
℃で４０分間乾燥して厚さ３０μｍの電荷搬送層を形成
して電子写真感光体を得た。

このようにして作成した電子写真感光体につき。

静電記録紙試験装置（川口電機■商品名５Ｐ−４２８）
を用いて電子写真特性を測定した。この場合、負５ＫＶ
のコロナ放電を１０秒間行なって帯電させ（１０秒間帯
電直後の表面電位Ｖｏ（Ｖｌを初期電位とする）、３０
秒間暗所に放置後（この時刻の表面電位をＶａｏ（Ｖ）
で表わし、■（資）／ＶｏＸ１００を暗減衰（％）とす
る）、タングステン灯で９表面が２ルクスになるように
蕗光し、この時の表面電位の減衰及び時間を記録し、Ｖ
３Ｏが１／２になる壕での時間ｔ（秒）と照度（ルクス
）の積で感度（半減露光量Ｅ５０　、ルクス・秒単位）
を表わした。また。

分光感度は、タングステンランプの替りに９分光器から
の各々の波長を光源とし、　Ｖ２Ｏが１／２になるまで
に要した時間ｔ（秒）と各波長のエネルギ−（、ｉｚＷ
／ｃｍ’　）との積の逆数で感度（ｍ９／ｍＪ　）とし
た。これらの結果を下記第１表に示した。

実施例４〜６ τ′型型金金属フタロシアニン東洋インキ製造■）１重
蓋部とシリコーン樹脂（信越化学工業■商品名、ＫＲ２
５５）６．７重量部會テトラヒドロフランを溶剤として
５重量％の溶液になるようにして。

ボールミル（日本化学陶業製３寸ポットミル）で５時間
分散し、得られた分散液全実施例１〜３と同様の方法で
塗工、乾燥し、厚さ１μｍの電荷発生層を形成した。

次に丁記第２表に示したオキサゾール誘導体１型蛍部と
ポリエステル樹脂（東洋紡績■商品名。

バイロン２００）２．４重量部およびスチレン樹脂（エ
ッソ社製、ピコテックス１００　）　０．６　”Ｍ液部
をテトラヒドロフランを溶剤とした２７重量％の溶液と
し、上記電荷発生層の上にアプリケータにより塗工し９
０℃で４０分間乾燥して厚さ１５μｍの電荷搬送層を形
成して電子写真感光体を得た。

このようにして作成した電子写真感光体の特性を実施例
１〜３と同様に測定し、結果を第２表に記した。

実施例７〜９ η型無金楓フタロシアニン（東洋インキ製造■製）１重
量部とシリコーン樹脂（信越化学工業■商品名、　ＫＲ
２５５）　６．７重量部をテトラヒドロフランを溶剤と
して５重量％の溶液になるようにして。

ボールミル（日本化学陶業膜、３寸ボットミル）で５時
間分散し、得られた分散液を実施例１〜３と同様の方法
で塗工、乾燥し、厚さ１μｍの電荷発生層を形成した。

次に下記第３表に示したオキサゾール誘導体１重量部と
ポリエステル樹脂（東洋紡績■商品名。

パイロン２００）２．４Ｍ量部およびスチレン樹脂（エ
ッソ社製、ピコテックス１００）０．６重量部ヲテトラ
ヒド口フランを溶剤とした２７重量％の溶液とし、上記
電荷発生層の上にアプリケータによシ塗工し９０°Ｃで
４０分間乾燥して厚さ１５μｍの電荷搬送層を形成して
電子写真感光体を得た。

このようにして作成した電子写真感光体の特性を実施例
１〜３と同様に測定し、結果を第３表に記した。

実施例１０〜１２ η′型型金金属フタロシアニン東洋インキ製造■製）１
１量部とシリコーン樹脂（信越化学工業■商品名。

ＫＲ２５５）　６．７重ｉ部をテトラヒドロフランを溶
剤として５重量％の溶液になるようにして、ボールミル
（日本化学陶業膜、３寸ボットミル）で５時間分散し。

得られた分散ｉを実施例１〜３と同様の方法で塗工。

乾燥し、厚さ１μｍの電荷発生層を形成した。

次に下記第４表に示したオキサゾール誘導体１重量部と
ポリエステル樹脂（東洋紡績■商品名。

バイロン２００）２．４重量部およびスチレン樹脂（エ
ッソ社製、ピコテックス１００）０．６重量部をテトラ
ヒドロフランを溶剤とした２７重量％の溶液とし、上記
電荷発生層の上にアプリケータにより塗工し９０℃で４
０分間乾燥して厚さ１５μｍの電荷搬送層を形成して電
子写真感光体を得た。

このようにして作成した電子写真感光体の特性を実施例
１〜３と同様に測定し、結果を第４表に記した。

なお、上記化合物（Ｖｌ、　（Ｖｌ）および（４）は次
のようにして製造した。

製造例１ 〔４−ジメチルアミノ−２′−フルオルベンゾインの製
造〕 ジメチルアミノベンズアルデヒド１４．９９．２−フル
オルベンズアルデヒド１２．４９およびシアン化カリウ
ム８．０ｇを５０チ工タノール溶液１５０ｍ１！に溶解
し、２時間３０分加熱還流した。加熱還元後放冷し析出
した淡黄色結晶をろ過し、８０℃で乾燥した。結晶をメ
タノール５００ｍ１！で再結晶して融点１６８〜１７０
℃の４−ジメチルアミノ−２′−フルオルベンゾイン（
収率４５チ）を得た。

製造例２ 〔４−ジプロピルアミノベンゾニトリルの製造〕アニリ
ン６２９とｎ−プロピルホス７エイト１００ｇを２時間
加熱還流した後放冷し、溶液温度が５５〜６０℃に降下
したときに、水酸化ナトリウム水溶液（５６，３９／２
２５ｍＪを加え、１時間加熱還流した。加熱還流終了後
直ちに反応溶液を１−Ｊビーカーに移し放置した。反応
液は二層に分離し、上層は黄色を呈し、下層は白色固体
となった。白色固体をエーテルｔｏｏｍｚで３回抽出し
、上層と抽出液を無水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥した。

エーテルを留去後、同体積の無水酢酸を加え一晩放置し
た。反応液に塩酸水溶液（４５ｍＪ／６７．５ｍＡ’）
を加え放冷後、２５％水酸化す）　ＩＪウム溶液を加え
るとオイル層と水層に分離した。

水層ラニーチル１００　ｍｊ’で３回抽出し、オイル層
とともに無水硫酸ナトリウムで乾燥した。エーテルを留
去後減圧蒸留（ｂ、ｐｉａｏ〜１４０℃／１８ｍｍＨｇ
　）して、′）プロピルアニリン（収率６９チ）を得た
。

次に、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド５４９を２０℃以
下に保持し、オキシ塩化リン４４．５９を３０分間で滴
下した。

上記で得られたジグロビルアニリン３５９’ｉ１時間で
滴下した。滴下終了後９０〜９５℃で２時間加熱攪拌し
た。この後１反応液を氷水に加え飽和酢酸ナトリウム溶
液で中和した。エーテル１００ｍｊ７で５回抽出し、無
水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥した。エーテルを留去後、
減圧蒸留（ｂ、Ｉ）１５５〜ｂ ズアルデヒド（収率４６％）を得だ。

このジプロピルアミノベンズアルデヒド１１．６ｇを９
５％エタノール２３ｍＪに溶解し、これに塩酸ヒドロキ
シアミン水溶液（４，７ｇ１５．７ｍｌ　）を加え２０
分間攪拌した。反応液に水酸化ナトリウム水溶液（３，
４９／４．５ｍｌりｔ−加え２時間３０分室温で放置し
た。氷２９９を加え反応系内をＣＯ２ガスで置換した後
、冷蔵庫中で一晩放置した。析出した白色結晶紮吸引ろ
過し、結晶を水泳した後乾燥した。

得られた化合物に無水酢酸１２４ｇを加え２０分間加熱
還流した。この後、冷水３５ｍＪに反応液を加え水酸化
ナトリウム溶液で中和した。エーテル４　Ｑ　Ｎｉｌ／
で３回抽出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。ニーデル留去後減圧蒸留（ｂ、　ｐｌ　８０℃／　４
　ｍｍ１４ｇ　）　シて４−ジプロピルアミノベンゾニ
トリル（収率７９％）ｔ−得た。これを放置しておくと
結晶化し、融点３９〜４１℃の黄色結晶となった。

製造例３ 〔４−ジメチルアミノベンゾニトリルの製造〕製造例２
の手順に従って合成したジメチルアミノベンズアルデヒ
ド２９．８９．塩酸ヒドロキシアミン１５．９ｇ、ギ酸
ナトリウム２５ｇ２よひギ酸３３３ｍ１！を１時間加熱
還流した。反応液を水８００ｍ１！に攪拌しながら滴下
すると淡緑色の結晶が析出した。ろ過後乾燥し、アセト
ンで再結晶し、融点６７〜６９℃の４−ジメチルアミノ
ベンゾニトリル（収率５０％）を得た。

製造例４ 〔４−ジエチルアミノベンゾニトリルの製造〕製造例２
０手順に従って合成したジエチルアミノベンズアルデヒ
ド２５ｇ、塩酸ヒドロキシアミン１０．５９．ギ酸ナト
リウム１６．５９およびギ酸２２０ｍ１！を１時間加熱
還流した。反応液を水４００ｍｊ’に攪拌しながら添加
すると白色の結晶が析出した。ろ過後乾燥し水−アセト
ンで再結晶し、融点６６〜６７℃の４−ジエチルアミノ
ベンゾニトリル（収率５（１）を得た。

製造例５ 〔化合物（Ｖｌの製造〕 暗所で濃硫酸３５９を６０℃に保持し、これに製造例１
で得た４−ジメチルアミノ−２′−フルオルベンゾイン
２４ｇと製造例２で得た４−ジプロピルアミノベンゾニ
トリル２．１ｇの混合物を加え１時間攪拌した。反応液
を水９００ｍｊ！に加えると黄緑の沈殿か析出した。ろ
過後ろ過液を３Ｎ水酸化す）　ＩＪウム溶液でアルカリ
性にすると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し
風乾した。

メタノールで再結晶して淡黄色固体１．７３ｇ（収率４
３％）ｔ−得た。この淡黄色固体は下記の分析結果より
２−（４−ジプロピルアミノフェニル）−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−５−（２−フルオルフェニル
）　１＋　３−オ＊　”、、　ソｒｖ（化合物■）であ
ることを確認した。

（１）融点：１３４〜１３５°Ｃ （２）元素分伯値：　Ｃ２９Ｈ３２Ｎ３０ＦＣＨＮ 計算値（％＋　７６．１５　７．００　９．１９実測値
（％＋　７６．０７　７．１１　９．１５製造例６ 〔化合物ｆＶ［ｌの製造〕 暗所で濃硫酸３５９を６０℃に保持し、これに製造例１
で得た４−ジメチルアミノ−２′−フルオルベンゾイン
２．４ｇと製造例３で得た４−ジメチルアミノベンゾニ
トリル１．５ｇの混合物を加え３０分間攪拌した。反応
液を水９００ｍ１！に加えると黄緑の沈殿が析出した。

ろ過後ろ液を３Ｎ水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性に
すると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風乾
した。

メタノールで再結晶して淡黄色固体１．５６（収率４４
チ）を得た。この淡黄色固体は下記の分析結果より２−
（４−ジメチルアミノフェニル）−４−（４−ジメチル
アミノフェニル）−５−（２−フルオルフェニル）−１
，３オキザゾール（化合物■）であることを確認した。

（１）　融点：１７２〜１７３°Ｃ （２）元素分析値：　Ｃ２５Ｈ，２４Ｎ３０ＦＨＮ 計算値（％＋　７４．７９　６．０３　１０．４７実測
値（％＋　７４．５３　６．０４　１０．４７製造例７ 〔化合物（■の製造〕 暗所で濃硫酸３２９を６０℃に保持し、これに製造例１
で得た４−ジエチルアミノ−２′−フルオルベンゾイン
２，２ｇと製造例４で得た４−ジエチルアミノベンゾニ
トリル１．６４９の混合物を加え１時間攪拌した。反応
液を水８００　Ｉｎｋにガロえると黄緑の沈殿が析出し
た。ろ過後ろ液を３Ｎ水酸化す）　ＩＪウム溶液でアル
カリ性にすると、淡黄色の結晶が析出した。これを吸引
ろ過し風乾した。

メタノールで再結晶して淡黄色固体１．３９９（収率４
０％）を得た。この淡黄色固体は下記の分析結果より２
−（４−ジエチルアミノフェニル）＝４−（４−ジメチ
ルアミンフェニル）−５−（２−フルオルフェニル）−
１，３−オキサソール（化合物Ｘ）であること全確認し
た。

（１）融点：１０２〜１０５°Ｃ （２）元素分析値：　Ｃ２７Ｈ２ＢＮ３０ＦＣＨＮ 計算値（チ］　７５．３５　６，５１　９．７７芙測値
（チ］　７５．２５　６．５３　９．７２実施例１〜３
で用いたオキサゾール誘導体［（Ｖ）　。

Ｆ■Ｉおよび（至）〕および比較として従来用いられて
いるオキサゾール誘導体として２−（４−ジエチルアミ
ノフェニル）−４−（４−ジメチルアミンフェニル）−
５−（２−クロロフェニル）−１，３−オキサゾール（
Ｉ［［）の紫外線照射に対する安定性の試験を次のよう
にして行なった。

化合物（Ｖｌ、　（Ｖｌｌ、　ＣＶｍオヨヒ（Ｉ［ｌｌ
ヲ別ｋ　Ｋ　２　ｘ　１０−’ｍｏｌ／　ｌの濃度で溶
解してなるアセトニトリル溶液に、それぞれ窒素カスを
１時間通気した後窒素ガスを通気しなから１ｓｏｗ＝圧
水銀燈で照射する。照射開始後５分間隔で試料を採取し
、アセトニトリル溶液で一定率で希釈した後、紫外分光
光度計を用いて吸収スペクトルの変化を調べる。

比較に用いた化合物［１［１１は、水銀燈照射５分後に
は、初期の吸収スペクトル（λｍａｘ＝３６３．Ｏｎ”
ε＝　４．８　Ｘ　１０’ｊ’／　ｍｏｊ’　ｅｃｎｌ
、　３１　Ｑ　ｎｍ　５ｈｏｕｌｄｅｒとは違った吸収
スペクトル（λｍａｘ　＝３７０．Ｏｎｍ　。

２５８、Ｏｎｍ、２４５．Ｏｎｍ）に変化している。後
者の吸収スペクトルは、化合物＋Ｉ’ｌｌが分解して生
じた２−（４−ジエチルアミノフェニル）−６−シメチ
ルアミノフエナントロ［：９，１０−ｄ］オキサゾール
によるものである。比較に用いた化合物ｔＩ［］の分解
率は、各時間における吸収スペクトルの分解によシ現わ
れる２５８．Ｏｎｍの吸光度測定からＬａｍｂａｒｉ−
Ｂｅｅｒ　Ｏ法測を用いて分解物の生成濃度よりめた。

本発明の電子写真感光体に用いた電荷搬送物質（Ｖｌ、
　（Ｖｌｌおよび（■は、照射６０分後においても初期
のスペクトル（■：λｍａｘ＝　３６３．Ｏｎｍ　ε＝
４．９ｘｌ　Ｏ’１！／Ｉｎｏｆ−ｃｍ　、　３１　Ｑ
、Ｑｎｍ　５ｈｏｕｌｄｅｒ　：　■：λｍａｘ　＝　
３５９．Ｑｎｍ　ｇ＝４．５Ｘ　１０ｊ／／ｍｏｊ？−
ｃｍ。

３１０、Ｏｎｍ　５ｈｏｕｌｄｅｒ　：■：λｍａｘ　
＝　３６３．　Ｏｎｍｇ＝４．５　Ｘ　１０’　ｌ／ｍ
ｏｌ　’Ｃｍ、　３１０．Ｏｎｍ　５ｈｏｕｌｄｅｒ）
と吸収スペクトルのパターンは変化がない。これらの化
合物の分解率は、谷時間における吸収スペクトルの３１
０．０１１ｍの吸光Ｋ　（Ａｓ１ｏ、ｏ　）とλｍａｘ
の吸光１＆、（Ａλｍａｘ　）の比（Ａ３＋１］、Ｏ／
　Ａλｍａｘ）から評１曲した。

化合物（Ｖｌ、　（Ｖｌｌ、　（ＶＩＤおよび（］Ｉ［
ｌのアセトニ）　ＩＪル溶液の高圧水銀燈照射による光
分解率の経時変化を第１図に示す。第１図中曲線１は、
化合物（Ｖｌの分解率を示し１曲線２は、化合物（■）
の分解率を示し。

曲線３は、化合物■の分解率を示しおよび曲線４は化合
物（ｆｉｌｌの分解率を示す。

（発明の効果） 以上より明らかなように９本発明に係る電子写真感光体
は、紫外線照射に対して安定であり、良好な電子写真特
性ケ有する電子写真感光体である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、化合物［Ｖｌ、　（■ｌ、（資）およびｔｍ
＋のアセトニ）　ＩＪル溶液の高圧水銀燈照射による分
解率の経時変化である。 符号の説明 １・・・実施例１で用いたオキサゾール誘導体（Ｖｌの
分解率を示す曲線 ２・・・実施例２で用いたオキサゾール誘導体ｆＶＩｌ
の分解率を示す曲線 ３・・・実施例３で用いたオキサゾール誘ｉｆ（資）ノ
分解率を示す曲線 ４・・・比較に用いたオキサゾール誘導体＋１１１１の
分解率を示す曲線

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に、電荷発生物質及び電荷搬送物質
   を含む電子写真感光体において、前記電荷発生物質が、
   τ型、τ′型、η型及びη′型型金金属フタロシアニン
   うち少なくとも一種類を含み。 前記電荷搬送物質が、一般式（１１ （ただし式中＆　ｌ　Ｒ２、Ｒ１３およびＲ４は、アル
   キル基を示し、これらは同一でも異なってもよい）で表
   わされるオキサゾール誘導体であることを特徴とする電
   子写真感光体。