JPH0455860A - ブタジエン誘導体，その製造法及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ブタジェン誘導体、その製造法及びそれを用
いた電子写真感光体に関する。

（従来の技術） 従来、電子写真感光体に適用されるブタジェン誘導体と
しては、１．４−ジメチル−１−（４−ジメチルアミノ
フェニル）−４−フェニル−１，３−ブタジェン、１−
メチル−１−（４−ジメチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−Ｒ３−−ｙ’ｆｉジエン、１−エチル−
１−（４−ジメチルアミノフェニル）−４−メチル−４
−フェニル−１，３−ブタジェン、１．１−ビス（４−
ジメチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，
３−ブタジェン。

１．１−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−４゜４
−ジフェニル−１，３−ブタジェン５１，１−ビス（４
−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１
，３−ブタジェン、１．１−ビス（４−ジメチルアミノ
フェニル）　−４，４−ビス（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−１，３−ブタジェンなどが知られている。これ
らは、主に、複写機用電子写真感光体、レーザビームプ
リンタ用電子写真感光体等の電荷輸送物質として電荷輸
送層に利用されている（特開昭６２−３０２５５号公報
９％開平１−１４２６５４号公報）。一般に電荷輸送層
は。

電荷輸送物質、結合剤および溶剤を混合溶解して調製さ
れた電荷輸送層用塗布液をアプリケータ等を用いて塗工
し形成できる。実用的な電荷輸送層の膜厚１５μｍ〜２
５μｍを得るには、一般的に電荷輸送層用塗布液の全固
形分濃度（電荷輸送物質と結合剤との和）が１ｓｗｔｘ
〜２Ｑｗｔ％程度必要である。より優れた電子写真特性
を得るために、結合剤に対する電荷輸送物質の比率を高
める方法が一般に用いられている。しかしながら、前記
した従来のブタジェン誘導体は、溶解性および結合剤と
の相容性に問題があり１例えば、前記の１．１−ビス（
４−ジエチルアミノフェニル）−４゜４−ジフェニル−
１，３−ブタジェンは、前記したブタジェン誘導体の中
では溶解性は良好であるが。

これを結合剤としてのビスフェノールＺ型ポリカーボネ
ート（三菱瓦斯化学社製、商品名ＰＣＺ）１００重量部
に対し４０重量部配合した電荷輸送層用塗液を調製し、
これを用いて電荷輸送層を形成すると目視では、外観的
に、上記ブタジェン誘導体がポリカーボネート樹脂に相
溶したように見える均一な電荷輸送層膜が得られるが、
この膜をけ〈離し示差熱分析すると、第１図に示すよう
に。

結合剤のガラス転移点とフリジエン誘導体の融点が現れ
、これは、膜中で結合剤としてのポリカーボネート樹脂
とブタジェン誘導体がミクロ的に相分離してｐす、互い
に相溶していないことを示している。このようなミクロ
的に相分離した電荷輸送層を含む電子写真感光体は、電
子写真特性の低下、特に残留電位の上昇をもたらす欠点
を有する。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上述の問題点を解決するものであり。

溶解性および結合剤に対する相溶性の優れた。新規な、
フッ素原子を含む置換基を有するブタジェン誘導体、そ
の製造法及びそれを用いた優れた電子写真特性を示す電
子写真感光体を提供するものである。

（１２１題を解決するための手段） 本発明は、一般式（Ｉ） 水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有する低級ジアル
キルアミノ基またはフッ素原子を有する低級アルコキシ
基を示し、Ｒ１およびＲ″の少なくとも１つは、フッ素
原子を有する低級ジアルキルアミノ基である）で表され
るフッ素原子を含む置換基を有するブタジェン誘導体に
関する。

また１本発明は１式■で表される化合物と一般式（Ｂ） （ただし１式中ｅ　Ｒ１”およびＲ’　＃ｉ、各々独立
してＲ″ Ｃ式中Ｉ　Ｒ”及びＲ′は、上記一般式（Ｉ）における
と同意義である）で表される化合物とを反応させること
を特徴とする上記一般式（１）で表されるブタジェン誘
導体の製造法に関する。

また１本発明は、上記一般式（１）で表されるブタジェ
ン誘導体を含有してなる電子写真感光体に関する。

以下１本発明について詳述する。

一般式（１）で表されるブタジェン誘導体は、主に電荷
輸送物質として機能する。

一般式（ｒ）において、フッ素原子を有する低級ジアル
キルアミノ基としては１例えば、ビス（トリフルオロメ
チル）アミノ基、ビス（トリフルオロエチル）アミノ基
、ビス（トリフルオロプロピル）アミノ基、ビス（トリ
フルオロブチル）アミン基、ビス（トリフルオロペンチ
ル）アミノ基。

ビス（トリフルオロヘキシル）アミノ基、ビス（ペンタ
フルオロエチル）アミノ基等があげられる。

一般式（１）において、フッ素原子を有する低級アルコ
キシ基としては９例えば、トルフルオロメチルオキシル
基、トリフルオロエチルオキシル基。

トリフルオロプロピルオキシル基、トリフルオロブチル
オキシル基、トリフルオロペンチルオキシル基、トリフ
ルオａへキシルオキシル基、ペンタフルオロエチルオキ
シル基等ｄＫあげられる。

本発明におけるフッ素原子を含む置換基を有する一般式
（１）で表されるブタジェン誘導体は９例えば９式囚で
表される化合物と一般式（ＢｌＲ” （ただし１式中１（，１およびＲ１は、一般式（Ｉ）に
おけると同義）で表される化合物とを反応させることに
よって得ることができる。

式（５）で表わされる化合物は１例えば９等モルのブロ
モジフェニルメタンおよびトリエチルホスフアイトを室
温で攪拌することにより得ることができる。

一般式［Ｂ＋で表される化合物は８例えば１次式の反応
で得られる一般式（ＩＩ）の化合物から容易に誘導でき
る。

２Ｎ （ただし１式中Ｒ１は水素原子、フッ素原子、アミノ基
またはヒドロキシ基を示しｌ　Ｒ’は、水素原子、フッ
素原子、フッ素原子を有する低級ジアルキルアミノ基ま
たはフッ素原子を有する低級アルコキシル基を示しＲ６
はフッ素原子を有する低級アルキル基を示す）式（Ｉｆ
）の化合物は、少なくとも１つアミノ基を有するベンゾ
フェノ’＋　　ＮａＨ及び一般式（ＣＩ Ｒ’ＯＳ　０２ＣＦ３（Ｃ） （ただし１式中Ｒ６は、前記と同義）で表されるフルオ
ロアルキル化剤の反応１例えば、アミンベンゾフェノン
１モルとＮａＨ２モルを無水ジメチルホルムアミド中、
室温で１〜２時間攪拌し、続いてこれに２モルの一般式
（Ｃ）で表されるフルオロアルキル化合物の無水ジメチ
ルホルムアミド溶液を加え室温１〜２時間攪拌すること
によって得ることができる。次に１式（ｎ）の化合物を
用いて、オーガニック　シンセシス５０巻６６頁〜７２
頁記載に準拠して容易にＣＢ＋の化合物が得られる。

一般式（Ｔ）で表されるフッ素原子を含む置換基を有す
るブタジェン誘導体の好ましい例を例示化合物として示
す。

５Ｃ ｓＣ これらの化合物は、他の電荷輸送物質と併用することが
できる。他の電荷輸送物質としては１例えば、高分子化
合物のものではボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロ
ゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベン
ゾチオフェン。

ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン。

ポリビニルピラゾリン等が、低分子化合物のものではフ
ルオレン、フルオレノン、２＋７−シニトロー９−フル
オレノン、２．４．７−ドリニトロー９−フルオレノン
、４Ｈ−インデノ（１，２６）チオフェン−４−オン、
　　ａ、７−シニトローシヘンゾチオフエンー５−オキ
サイド、１−ブロムピレン、２−フェニルビレ／、カル
バゾール、３−フェニルカルバゾール、２−フェニルイ
ンドール、２−フェニルナフタレン、オキサジアゾール
、トリアゾール、１−フェニル−３−（４−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、２−フェニル−４−（４−ジエチルアミノ
フェニル）−５−フェニルオキサゾール。

トリフェニルアミン、イミダゾール、クリセン。

テトラフェン、アクリジン、これらの誘導体等があげら
れる。

他の電荷輸送物質の併用の割合は、一般式（Ｉ）で表わ
されるフッ素原子を含む置換基を有するブタジェン誘導
体による電子写真特性の向上を損わないために、該誘導
体１００重蓋部に対して１００重量部以下とすることが
好ましく、２５重量部以下とすることがより好ましい。

本発明に係る電子写真感光体は、電荷輸送物質と電荷発
生物質とが混在した単一層を導電性支持体の上に光導電
体層として構成することができる。

また、好ましくは、電荷発生物質と電荷輸送物質とを別
個の層として形成し、いわゆる２層構造を導電性支持体
の上に光導電体層として構成することもできる。

上記の電荷発生物質としてけＳｊ　＊　Ｓｅ　＊　ｋＪ
８ｓ・５ｂｘＳｓ　＊　Ｓｂ、Ｓｅ、ｔ　ｃｃｔｓ、　
Ｃｄ８ｅ　−ＣｄＴｅ、　ＺｎＯ。

α型、β型等の各穫結晶型の無金属フタロシアニン顔料
、　銅フタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、
亜鉛フタロシアニン、コバルトフタロシアニン等の金属
フタロシアニン顔料、アゾ顔料。

アントラキノン顔料、イ／ジゴイド顔料、キナクリドン
顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクアリック酸
メチン顔料、ピロロビロール顔料すどが挙げられる。顔
料としては９例えば、４？開昭４７−３７４５３号公報
、特開昭４７−３７５４４号公報、特開昭４７−１８５
４３号公報、特開昭４７−１８５４４号公報、特開昭４
８−４３９４２号公報９％開昭４８−７０５３８号公報
、特開昭４９−１２３１号公報、特開昭４９−１０５５
３６号公報９％開昭５０−７５２１４号公報、特開昭５
０−９２７３８号公報、％開昭６１−１６２５５５号公
報等に開示され右ものがある。

光導電体層には、公知の結合剤、可塑剤、流動性付与剤
、ピンホール抑制剤等の添加剤を使用することができる
。

結合剤としては１例えば、＃状飽和ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂。

ブチラール樹脂、ポリケトン樹脂、ポリウレタンＩｆｌ
ｌＷ、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルノ（ゾール、ポリ−（ｐ
−ビニルフェニル）アントラセン、シリコーン樹脂、ポ
リアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹り旨など
があげられる。

また、熱及び／または光によって架橋する熱硬化型及び
光硬化型樹脂も使用できる。いずれにしても絶縁性で通
常の状態で皮襖形成能を有する樹脂及び／塘たは光によ
って硬化し皮膜を形成する樹脂であれば特に制限はない
。

可塑剤としてノ）ロゲン化ノ；ラフイン、ジメチルナフ
タレン、ジブチルフタレート等が挙げられる。

流動性付与剤としてはモダフロー（モンサンドケミカル
社製）、アクロナール４Ｆ（）（スフ社Ｍ）等がピンホ
ール抑制剤としてはベンゾイン、ジメチルテレフタレー
ト等が挙げられる。これらは適宜選択して使用され、そ
の量も適宜決定されればよい。

単一層構造を採る場合、電荷発生物質に対する前記電荷
輸送物質の配合量は前者１００重量部当り、後者１００
〜１０００重量部が一般的である。

好ましくは前者１００重量部当り後者１００〜５００重
徽部である。結合剤の使用量は、電荷発生物質１００１
ｆｉ１部当り１００〜３００重量部であり、３００重量
部を越えると電子写真特性が低下する傾向がある。その
他、上記可塑剤、添加剤は、電荷発生物質に対して数重
量％以下で適宜使用される。また、光導電体層全体の庫
さとしては５〜１００μｍとするのが一般的である。し
かし。

最終的には光ｇ度即ち帯電特性を損わないように配慮し
て決定するのが望ましい。

一方、２層構造を採る場合、電荷発生層は、上記Ｓｉ、
Ｓｅの場合には、真空蒸着法等で導電性支持体上に厚さ
１〜２０μｍで形成される。また。

Ｓｉ、Ｓｅ以外の無機物、有機金属顔料又は有機顔料を
電荷発生物質として使用する場合には、膜形成のために
上記結合剤を使用する必要があり、その使用量は１通常
、電荷発生物質１００重量部当り１００〜３００重量部
であり、３００重量部を越えると電子写真特性が低下す
る傾向がある。その他、上記可塑剤、添加剤は、電荷発
生物質に対して数重量％以下で適宜使用される。また、
電荷輸送層は、一般式（Ｉ）で表わされるフッ素原子を
含む置換基を有するブタジェン誘導体を電荷輸送物質と
して単独で用いる場合には、上記の結合剤を電荷輸送物
質１００重量部当り１００〜３００重量部用いるのが一
般的である。また、他の電荷輸送物質を併用する場合、
該電荷輸送物質が高分子化合物のときには、結合剤を用
いなくてもよいが、該高分子化合物１００重量部に対し
て結合剤を３００重量部以下で使用してもよい。３００
重量部を越えると電子写真特性が低下する傾向がある。

また、上記電荷輸送性物質として低分子化合物を併用す
るときけ、結合剤は一般式（Ｉ）で表わされるフッ素原
子を含む置換基を有するブタジェン誘導体及び該低分子
化合物の総量１００重量部に対して通常３０〜３００重
量部使用される。

３０重量部未満では電荷輸送層の形成が困難になること
があり、３００重量部を越えると電子写真特性が低下す
ることがある。その他上記可塑剤。

添加剤は上記電荷輸送性物質１００重量部に対して５重
量部以下で適宜使用される。電荷発生層の厚さは０．０
１〜１０／Ｊｍが好ましく　、　　０．１〜５　ｐｍが
より好ましい。０．０１４ｍ未満では、電荷発生層を均
一に形成するのが困難になる傾向があり。

１０μｍを越えると電子写真特性が低下する傾向がある
。また、電荷輸送層の厚さは５〜５０μｍが好ましく、
１０〜２５μｍがより好ましい。５μｍ未満では初期電
位が低下する傾向があり。

５０μｍを越えると感度が低下する傾向がある。

しかし、いずれの場合も最終的には光感度即ち帯電特性
を損わないように配慮して決定するのが望ましい。光導
電層の厚さがあまシ厚くなシすぎると層自体の可撓性が
低下する慣れがあるので注意を要する。

本発明に係る電子写真感光体を、電荷発生層と電荷輸送
層をもつ二層構造とする場合、導電性支持体の上に電荷
発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成したものが
、電子写真特性上好ましいが、電荷発生層と電荷輸送層
が逆になっていてもよい。導電性支持体としては１例え
ば、アルミニラム、真ちゅう、銅、金等が用いられる。

導電性支持体上に電荷発生物質および電荷輸送物質を含
有する単一層、を荷発生層および電荷輸送層からなる二
層を形成するには、各層の成分をアセトン、メチルエチ
ルケト７等のケトン系溶剤。

テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、トルエン、キ
シレン等の芳香族系溶剤などの溶剤に均一に溶解または
分散させたのち、導電性支持体上に塗布乾燥することが
できる。このうち、電荷発生層または電荷輸送層が形成
されたのち、その上に電荷輸送層または電荷発生層を同
様に塗布乾燥して二層構造とすることができる。

塗布乾燥は９例えばドクターブレードを用いて所定の膜
厚に塗工し、１５分間程度自然乾燥させた後、８０〜１
１０℃で４０分間穆度乾燥して行なうことができる。

本発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と光導電
層間に下引き層を有していることが好ましい。該下引き
層には９例えば、熱可塑性樹脂を使用できる。該熱可塑
性樹脂としては１例えば。

ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、カゼイン、エチレン−酢酸ビニール共重合体
樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体樹脂等が挙げられ
るが、を子写真特性の点からポリアミド樹脂が好ましい
。重版のポリアミド樹脂としては１例えば、トレジンＭ
Ｆ３０．）レジンＦ３０．）レジンＥＦ’３０Ｔ（以下
帝国化学産業■製ポリアミド樹脂の商品名）、Ｍ−１２
７６（日本リルサン■裂ポリアミド樹脂の商品名）等が
ある。

下引き層に使用されるポリアミド樹脂は、単独で又Ｆｉ
２種類以上混合して用いてもよい。

熱硬化性樹脂及び硬化剤を上記ポリアミド樹脂と併用す
ることが好ましい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の併用によ
って下引き層の耐溶剤性及び膜の強度は向上し、下引き
層の上に光導電層を設ける際に光導電層形成用溶液中の
溶媒等によるダメージを受けにくくなる。

熱硬化性樹脂としては０例えば、メラミン樹脂。

ベンゾグアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、尿素樹脂等の熱
硬化性樹脂が使用できるが０通常の状態で皮膜を形成で
きる熱硬化性樹脂であれば特に制限上ない。これらは熱
可塑性樹脂に対して３００重ｔ％以下で使用することが
好ましい。

硬化剤としては０例えば、トリメリット酸、ピロメリッ
ト酸などのカルボン酸や、カルボン酸を有するアミドの
オリゴマー等が挙げられる。これらは、前記熱硬化性樹
脂に対して２０重量％以下で使用することが好ましい。

下引き層を形成する方法としては１例えば、熱可塑性樹
脂、必要に応じて使用される熱硬化性樹ＩＬＬ　硬化剤
１をメタノール、エタノール、イソフロパノールなどの
アルコール溶剤と塩化メチレン。

１．１．２−）リクロロエタンなどのハロゲン系溶剤の
混合溶剤に均一に溶解し、これを導電性基体上に浸漬塗
工法、スプレー塗工法、ロール塗工法。

アプリケータ塗工法、ワイヤパー塗工法等の塗工法を用
いて塗工し乾燥して形成することができる。

下引き層の厚さは、０１０１μｍ〜５．０μｍが好まし
く、Ｏ，ＯＳμｍ−ｚｏμｍがより好ましい。

薄すぎると均一な電荷発生層が形成出来ず黒ポチや白ポ
チが発生する傾向がある。文庫すぎると残留電位の蓄積
が大きくなり、印字枚数が増加するに従い印字ａ度の低
下が発生する傾向がある。

本発明に係る電子写真感光体を用いた複写法は、従来と
同様１表面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、普
通紙上に画像を転写し定着すればよい。

（実施例） 以下に実施例によって本発明を詳述するが１本発明は、
これらに限定されるものではない。

実施例１〜６ τ−型型金金属フタロシアニン東洋インキ社製）１重量
部とシリコーン樹脂（信越化学工業■商品名、　ＫＲ２
５５）　６．７重量部をテトラヒドロフランを溶剤とし
た５重量％の溶液になるようにして。

ボールミル（日本化学陶業社製３寸ボットミル）で５時
間混練した。得られた顔料分散液をアプリケータによシ
アルミニウム板（厚さ０．１　ｒｒｒｍ　）上に塗工し
、９０℃で４０分間乾燥して膜厚０．５μｍの電荷発生
層を形成した。

次に下記第１表に示したフッ素原子を含む置換基を有す
るブタジェン誘導体１重量部およびポリカーボネート樹
脂（三菱ガス化学■梨商品名ニーピロンＳ−３０００）
３．０重量部を塩化メチレンとおよび１．２−ジクロロ
エタンの１：１（重量比）を混合溶剤とした１７重量％
の溶液とし、上記電荷発生層の上にアプリケータにより
塗工し１００℃で４０分間乾燥して厚さ１８μｍの電荷
輸送層を形成して電子写真感光体を得た。

前記実施例で得られた電子写真感光体の電子写真特性を
静電記録試験装置（川口電機製５Ｐ−４２８）を用いて
測定した。結果を第１表に示した。

なお９表中の電位Ｖｏ（−Ｖ）は、ダイナミック測定で
一５ｋＶのコロナを１０秒間放電したときの帯電電位を
示し、暗減衰（ｖｋ）！ｒｉその後暗所において３０秒
間放置したときの電位（Ｖｓｏ）からの電位保持率Ｃ（
Ｖ３０／ＶＯ）　Ｘ　１００％〕を示し、半減露光量（
Ｅｓｏ）は１０　ｊ＞ｕＸ　の白色光で照射し、電位が
半分になるまでの光を値を示す。

残留電位Ｖ、け１０１ｕｘの白色光を３０秒間照射した
後の電面電位を示す。

実施例７〜９ 実施例５のフッ素原子を含む置換基を有するフタジエン
誘導体（電荷輸送物質）ｘｔｔ部とポリカーボネート樹
脂（結合剤）３．０重量部の配合比に代えて、第２表に
示されるポリカーボネート樹脂の配合比を用いて、実施
例１〜６と同様にして電子写真感光体を作製した。この
電子写真特性測定結果を第２表に示す。

比較例１〜４ 実施例５のフッ素原子を含む置換基を有するブタジェン
誘導体に代えて、フッ素原子をすべて水素原子に代えた
ブタジェン誘導体を用いて、実施例１〜６．実施例７〜
９と同様にして電子写真感光体を作製した。電子写真特
性測定結果を第２表に示した。

第２表 １）ただし　Ｂ１．　ａｔの置換基はパラ位に結合して
いる。

なお、実施例１〜６に用いた電荷輸送物質のうち９例え
ば、実施例５に用いた１、１−ビス〔４−ビス（２１２
−トリフルオロエチル）アミノフェニル］−４，４−ジ
フェニル−１，３−フタジエンは次のようにして製造し
た。

合成例１ ［：２，２．２−トリフルオロエチルトリフルオロメタ
ンスルホネートの合成〕 室温において、窒素雰囲気下無水トリフルオロメタンス
ルホン酸５０　ｍｌ　（０，２９７ｍｏｚ）にＺ２，２
−　トＩＪ　７にオＯｘ−タ／−に２５ｍ１Ｃ０，３４
２ｍｏｌ！＞を加えて３０分攪拌、３時間還流した後、
蒸留し。

無色透明液体として目的とする化合物（ＣＦ３ＣＨ２０
ＳＯｚＣＦｓ）を５０．３　ｇ　（０，２１７ｍｏ！＞
得た（収率７３％ｂ、ｐ、８７−９２℃（文献値９０．
５−９１℃）。

製造例１ ［４，４’　−［：　Ｎ、Ｎ−ビス（み２．２−）リフ
ルオロエチル）アミン］ベンゾフェノンの製造〕ＮａＨ
９−６Ｇを加えた無水ジメチルホルムアミド溶液４０艷
に４，４′−ジアミノベンゾフェノン２１．２ｇを溶解
した無水ジメチルホルムアミド溶液５０ｄを滴下し室温
で２時間攪拌した。この反応液に、フルオロアルキル化
剤ＣＦｓＣＨｘＯ８ＯｘＣＦｓ９Ｚ８Ｇを無水ジメチル
ホルムアミド１００ｄに溶解した溶液を滴下し、さらに
室温で２時間攪拌後１反応液を水８００艷に加えると白
色の沈殿が析出した。これを吸引ろ過し風乾した。エタ
ノールテ再結晶シテ４．４’−ＣＮ、Ｎ−ヒス（２，２
，２−）リフルオロエチル）アミノコベンゾフェノンの
白色固体２１．０９（収率４０Ｘ）を得た。

製造例２ 〔＆３−ビス〔４−ビス（２，２，２−トリフルオロエ
チル）アミノフェニルコアクロレインの製造〕リチウム
ジインプロピルアミド２７Ｇの無水エーテル２０Ｂ！溶
液を０℃に冷却し、これにエチリデンシクロヘキシルア
ミン３．１３ｇの無水エーテル２０−を加工１０分間攪
拌後−７０℃に反応液を冷却した。この反応液に、製造
例１で得られたベンゾフェノン誘導体１３．２ｇの無水
エーテル２５ｍ４を加えた後１反応液を室温に２４時間
放置すると白色固体が析出した。さらに、この白色固体
をヘキサ／で再結晶した。この白色固体３，３９とシュ
ウ酸１０ｇの混合液を水蒸気蒸留し、蒸留液をエーテル
２５ｍｇで２回抽出し、乾燥後、濃縮乾固した。この固
体をペンタンで再結し、１３−ビス〔４−ビス（２４２
−）リフルオロエチル）アＳノフェニル〕アクロレイン
１．６ｇを得り。

製造例３ 〔１，１−ビス〔４−ビス（２，２，２−トリフルオロ
エチル）アミノフェニル：］−］４．４−ジフェニルー
１３−ブタジェンの製造〕 トリエチルホスファイト１７Ｇとブロモジフェニルメタ
ン４．９ｇをエタノール２０艷に加え、ブロモジフェニ
ルメタンが溶解するまで室温で攪拌し、その後９反応液
を濃縮乾固し、ジフェニルメチル亜りん酸ジエチルエス
テルを得た。ジフェニルメチル亜りん酸ジエチルエステ
ル５．２ｇ！：ＮａＨＯ１５ｇのトルエン３〇−溶液に
製造例２で得たアクロレイン誘導体１０．８９のトルエ
ンｓ　ｏｍｔＷを加え、室温で２時間攪拌した。ろ過後
、ろ液を水３００ｄに加え有機層を分別した。水層を石
油エーテル５０ｄで２回抽出し、抽出液と先の有機層を
乾燥後、濃縮乾固すると黄色の沈殿が得られた。

この沈殿をクロロホルムで再結晶し、１．１−ビス〔４
−ビス（ＺＺ２−　）リフルオロエチル）アミノフェニ
ル］−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジェンの黄色
結晶７．１ｇ（収率５０％）を得た。元素分析、ＩＲ，
”Ｈ−ＮＭＲ，’Ｆ−ＮＭＲにより目的物が得られたこ
とが確認された。

〔相溶性試験〕

比較例１及び実施例５で得られた電子写真感光体から電
荷輸送物質８ｍをそれぞれ切り出し、示差熱分析計（デ
ュポン社製モデル９９００）用のセルに入れ、熱分析を
行った結果をそれぞれ第１図及び第２図として示す。

（発明の効果） 本発明によって得られるフッ素原子を含む置換基を有す
るブタジェン誘導体は、極めて優れた宕解性および結合
剤に対する相溶性を有しており。

これを電荷輸送物質として用い良電子写真感光体は、！
荷輸送層中での電荷輸送物質と結合剤の相溶性が良好で
極めて、高感度で優れた電子写真特性を有するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

ＷＪ１図は、フッ素原子を含まないブタジェン誘導体を
含む電荷輸送層の示差熱分析図及び第２図は、フッ素原
子を含む置換基を有するブタジェン誘導体を含有する電
荷輸送層の示差熱分析図である。 代理人　弁理士　若　林　邦１叢！

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、各々独立して
   水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有する低級ジアル
   キルアミノ基またはフッ素原子を有する低級アルコキシ
   ル基を示し、Ｒ＾１およびＲ＾２の少なくとも１つは、
   フッ素原子を有する低級ジアルキルアミノ基である）で
   表されるフッ素原子を含む置換基を有するブタジエン誘
   導体。 ２、式（Ａ）で表される化合物と一般式（Ｂ）▲数式、
   化学式、表等があります▼（Ａ）▲数式、化学式、表等
   があります▼（Ｂ） （ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、各々独立して
   水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有する低級ジアル
   キルアミノ基またはフッ素原子を有する低級アルコキシ
   ル基を示し、Ｒ＾１およびＲ＾２の少なくとも１つは、
   フッ素原子を有する低級ジアルキルアミノ基である）で
   表わされる化物とを反応させることを特徴とする一般式
   （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、各々独立して
   水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有する低級ジアル
   キルアミノ基またはフッ素原子を有する低級アルコキシ
   ル基を示し、Ｒ＾１およびＲ＾２の少なくとも１つは、
   フッ素原子を有する低級ジアルキルアミノ基である）で
   表されるフッ素原子を含む置換基を有するブタジエン誘
   導体の製造法。 ３、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、各々独立して
   水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有する低級ジアル
   キルアミノ基またはフッ素原子を有する低級アルコキシ
   ル基を示し、Ｒ＾１およびＲ＾２の少なくとも１つは、
   フッ素原子を有する低級ジアルキルアミノ基である）で
   表されるフッ素原子を含む置換基を有するブタジエン誘
   導体を含有してなる電子写真感光体。 ４、導電性支持体上に、電荷発生物質および電荷輸送物
   質を含む光導電層を設けた電子写真感光体であつて、前
   記電荷輸送物質が一般式（ I ）で表されるフッ素原子
   を含む置換基を有するブタジエン誘導体である請求項３
   記載の電子写真感光体。 ５、電荷発生物質及び電荷輸送物質がそれぞれ別個の層
   に含まれる請求項４記載の電子写真感光体。 ６、導電性支持体と光導電層との間に下引き層を設けた
   請求項４又は５記載の電子写真感光体。