JPH06107619A - ビスアザメチン系化合物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体 - Google Patents
ビスアザメチン系化合物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体Info
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- JPH06107619A JPH06107619A JP28045492A JP28045492A JPH06107619A JP H06107619 A JPH06107619 A JP H06107619A JP 28045492 A JP28045492 A JP 28045492A JP 28045492 A JP28045492 A JP 28045492A JP H06107619 A JPH06107619 A JP H06107619A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】
【化１】
〔式中、Ｘ1 、Ｘ2 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ
基又はアシルオキシ基を表わし、ｎ、ｎ′は同一又は相
異なって０、１、２又は３を表わし、Ｙ1 、Ｙ2 は同一
又は相異なって−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一
又は相異なって水素原子、アルキル基、アリール基又は
シクロアルキル基を表わし、又Ｒ1 、Ｒ2 はヘテロ原子
を含み又は含まずして環を形成してもよい。）又は−Ｎ
＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒはカプラー残基を表わす。）を
表わす。ただしｎ＝ｎ′＝０でＹ，Ｙ′が同一又は相異
なって−ＮＲ1 Ｒ2 である場合を除く。〕で表わされる
ビスアザメチン系化合物。 【効果】高感度で繰り返し使用した場合にも感度、帯電
性の変動及び光疲労も少なく耐久性にすぐれた感光体を
提供する。
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ
基又はアシルオキシ基を表わし、ｎ、ｎ′は同一又は相
異なって０、１、２又は３を表わし、Ｙ1 、Ｙ2 は同一
又は相異なって−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一
又は相異なって水素原子、アルキル基、アリール基又は
シクロアルキル基を表わし、又Ｒ1 、Ｒ2 はヘテロ原子
を含み又は含まずして環を形成してもよい。）又は−Ｎ
＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒはカプラー残基を表わす。）を
表わす。ただしｎ＝ｎ′＝０でＹ，Ｙ′が同一又は相異
なって−ＮＲ1 Ｒ2 である場合を除く。〕で表わされる
ビスアザメチン系化合物。 【効果】高感度で繰り返し使用した場合にも感度、帯電
性の変動及び光疲労も少なく耐久性にすぐれた感光体を
提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスアゾメチン系化合
物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体に関する
ものである。
物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としては、その感
度、耐久性の面からセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛
等の無機系の光導電性物質が広く用いられていた。しか
しこれらの物質は有害である場合が多く、その廃棄によ
り公害の原因となる。無公害性の無機系感光体として、
近年、アモルファスシリコンの研究開発が進められてい
るが、薄膜形成の際に、主にプラズマＣＶＤ法を用いる
ため生産性が劣り、コストの高いものとなっている。
度、耐久性の面からセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛
等の無機系の光導電性物質が広く用いられていた。しか
しこれらの物質は有害である場合が多く、その廃棄によ
り公害の原因となる。無公害性の無機系感光体として、
近年、アモルファスシリコンの研究開発が進められてい
るが、薄膜形成の際に、主にプラズマＣＶＤ法を用いる
ため生産性が劣り、コストの高いものとなっている。
【０００３】一方、有機感光体は、焼却可能で無公害の
利点があり、又、塗工による薄膜形成ができ大量生産に
よるコスト低減が可能なことから、その感度、耐久性の
改善研究が進められてきた。近年、アゾ顔料などの有機
光導電性色素を含有する電荷発生層と有機光導電性物質
を含有した電荷輸送層を積層した機能分離型感光体が開
発され、いくつかが実用化された。しかしながら、感度
や繰り返し使用時の電位安定性の面で必ずしも十分なも
のとは言えず、これを改良すべく研究が進んでいる。
利点があり、又、塗工による薄膜形成ができ大量生産に
よるコスト低減が可能なことから、その感度、耐久性の
改善研究が進められてきた。近年、アゾ顔料などの有機
光導電性色素を含有する電荷発生層と有機光導電性物質
を含有した電荷輸送層を積層した機能分離型感光体が開
発され、いくつかが実用化された。しかしながら、感度
や繰り返し使用時の電位安定性の面で必ずしも十分なも
のとは言えず、これを改良すべく研究が進んでいる。
【０００４】他方、ジアミノマレオニトリル（以下ＤＡ
ＭＮと略す）の誘導体は種々の文献から公知である。例
えばビスアニル誘導体がポリエステル繊維用の分散染料
として米国特許３，９６２，２２０及び４，００２，６
１６号、またモノアニル誘導体がＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ，８０，２６９１（１９５８）；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ １４
３２（１９６２）；日本農芸化学会誌３６，２５５（１
９６２）、特開昭５３−６５８２３に開示されている。
しかし本発明にかかるビスアザメチン系化合物；その製
法及び中間体であるモノアザメチン系化合物は新規なも
のであり、その光導電性に基づく電子写真感光体として
の利用についても何ら開示されていない。
ＭＮと略す）の誘導体は種々の文献から公知である。例
えばビスアニル誘導体がポリエステル繊維用の分散染料
として米国特許３，９６２，２２０及び４，００２，６
１６号、またモノアニル誘導体がＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ，８０，２６９１（１９５８）；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ １４
３２（１９６２）；日本農芸化学会誌３６，２５５（１
９６２）、特開昭５３−６５８２３に開示されている。
しかし本発明にかかるビスアザメチン系化合物；その製
法及び中間体であるモノアザメチン系化合物は新規なも
のであり、その光導電性に基づく電子写真感光体として
の利用についても何ら開示されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新規な
色素、その中間体及びそれらの製造方法を提供し、更に
その用途として従来知られている分散染料の他に新規な
用途として光導電性材料を提供し、熱及び光に対して安
定かつキャリア発生能に優れた感光体を提供することに
ある。
色素、その中間体及びそれらの製造方法を提供し、更に
その用途として従来知られている分散染料の他に新規な
用途として光導電性材料を提供し、熱及び光に対して安
定かつキャリア発生能に優れた感光体を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するため手段】本発明は一般式（Ｉ）
【化８】 〔式中、Ｘ1 、Ｘ2 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基又は置換されていてもよいアシルオキシ基
を表わし、ｎ、ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又
は３を表わし、Ｙ1 、Ｙ2 は同一又は相異なって−ＮＲ
1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一又は相異なって水素原
子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいアリール基又は置換されていてもよいシクロアル
キル基を表わし、又Ｒ1 、Ｒ2 はヘテロ原子を含み又は
含まずして環を形成してもよい。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ
（式中、Ａｒはカプラー残基を表わす。）を表わす。た
だしｎ＝ｎ′＝０でＹ、Ｙ′が同一又は相異なって−Ｎ
Ｒ1 Ｒ2 である場合を除く。〕で表わされるビスアザメ
チン系化合物、 一般式（II）
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基又は置換されていてもよいアシルオキシ基
を表わし、ｎ、ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又
は３を表わし、Ｙ1 、Ｙ2 は同一又は相異なって−ＮＲ
1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一又は相異なって水素原
子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいアリール基又は置換されていてもよいシクロアル
キル基を表わし、又Ｒ1 、Ｒ2 はヘテロ原子を含み又は
含まずして環を形成してもよい。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ
（式中、Ａｒはカプラー残基を表わす。）を表わす。た
だしｎ＝ｎ′＝０でＹ、Ｙ′が同一又は相異なって−Ｎ
Ｒ1 Ｒ2 である場合を除く。〕で表わされるビスアザメ
チン系化合物、 一般式（II）
【化９】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎは０、１、２
又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドとジアミノ
マレオニトリルを有機酸および有機塩基の存在下に反応
させることを特徴とする一般式（Ｉ′）
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎは０、１、２
又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドとジアミノ
マレオニトリルを有機酸および有機塩基の存在下に反応
させることを特徴とする一般式（Ｉ′）
【化１０】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるビスアザメチン系化合物の製法、 一般式 (III)
で表わされるビスアザメチン系化合物の製法、 一般式 (III)
【化１１】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるモノアザメチン系化合物と一般式（IV）
で表わされるモノアザメチン系化合物と一般式（IV）
【化１２】 〔式中、Ｘ4 、Ｙ4 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ′は０、１、
２又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドを有機酸
および有機塩基の存在下に反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ″）
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ′は０、１、
２又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドを有機酸
および有機塩基の存在下に反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ″）
【化１３】 〔式中、Ｘ、Ｘ1 、Ｙ、Ｙ1 は同一又は相異なって水素
原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されてい
てもよいアシルアミノ基、置換されていてもよいアシル
オキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アル
コキシカルボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2
は前記と同じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式
中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ、
ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又は３を表わ
す。〕で表わされるビスアザメチン系化合物の製法、 導電性支持体とその上に形成された感光層を必須の構
成要素とする電子写真感光体において請求項１記載のビ
スアザメチン系化合物を感光層中に含むことを特徴とす
る電子写真感光体及び 一般式 (III)
原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されてい
てもよいアシルアミノ基、置換されていてもよいアシル
オキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アル
コキシカルボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2
は前記と同じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式
中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ、
ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又は３を表わ
す。〕で表わされるビスアザメチン系化合物の製法、 導電性支持体とその上に形成された感光層を必須の構
成要素とする電子写真感光体において請求項１記載のビ
スアザメチン系化合物を感光層中に含むことを特徴とす
る電子写真感光体及び 一般式 (III)
【化１４】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるモノアザメチン系化合物である。
で表わされるモノアザメチン系化合物である。
【０００７】Ａｒのカプラー残基としては、例えば、
【化１５】 〔式中、Ｚは置換されていてもよい芳香族炭素環又は置
換されていてもよい芳香族複素環を構成するのに必要な
原子群を表わし、Ｇは置換されていてもよいカルバモイ
ル基、置換されていてもよいスルファモイル基を表わ
し、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同じ意味を表わす。Ｒ3 、Ｒ4
は同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、置換されていてもよいアルキル基、置
換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい
アルコキシ基、置換されていてもよいアシルアミノ基又
は置換されていてもよいアシルオキシ基を表わし、Ｒ5
は置換されていもよいアルキル基、置換されていてもよ
いアリール基又は置換されていもてよいアラルキル基を
表わす。〕等が挙げられる。
換されていてもよい芳香族複素環を構成するのに必要な
原子群を表わし、Ｇは置換されていてもよいカルバモイ
ル基、置換されていてもよいスルファモイル基を表わ
し、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同じ意味を表わす。Ｒ3 、Ｒ4
は同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、置換されていてもよいアルキル基、置
換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい
アルコキシ基、置換されていてもよいアシルアミノ基又
は置換されていてもよいアシルオキシ基を表わし、Ｒ5
は置換されていもよいアルキル基、置換されていてもよ
いアリール基又は置換されていもてよいアラルキル基を
表わす。〕等が挙げられる。
【０００８】一般にＤＡＭＮ誘導体のビスアザメチン系
化合物およびその中間体であるモノアザメチン系化合物
は前述の公知の方法により以下に示す３種の方法により
製造しうる。
化合物およびその中間体であるモノアザメチン系化合物
は前述の公知の方法により以下に示す３種の方法により
製造しうる。
【化１６】
【０００９】すなわち、ＤＡＭＮと２モルのアルデヒド
の反応による方法〔式（Ａ）〕、ＤＡＭＮと１モルのア
ルデヒドとの反応により製造されるモノアザメチン系化
合物を更に１モルのアルデヒドと反応させる方法〔式
（Ｂ）〕及びモノアザメチン系化合物のアザメチン結合
を還元した後、アルデヒドと反応させ最後に酸化する方
法〔式（Ｃ）〕である。２つのアルデヒド部分が同一で
ある場合すなわち対称的なビスアニル系化合物は式
（Ａ）〜（Ｃ）のいずれの方法によっても製造しうる。
２つのアルデヒド部分が異なる非対称的ビスアニル系化
合物は式（Ｂ）あるいは（Ｃ）の方法により製造される
が、式（Ｂ）の方法ではアルデヒドの反応性の違いによ
り、前述のＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，８０，２９６１
（１９５８）に記載されている如くモノアザメチン系化
合物のアルデヒド交換反応がおこりその結果、対称的ビ
スアニル系化合物が生成する場合があり、このような場
合には、（Ｃ）の方法が用いられる。
の反応による方法〔式（Ａ）〕、ＤＡＭＮと１モルのア
ルデヒドとの反応により製造されるモノアザメチン系化
合物を更に１モルのアルデヒドと反応させる方法〔式
（Ｂ）〕及びモノアザメチン系化合物のアザメチン結合
を還元した後、アルデヒドと反応させ最後に酸化する方
法〔式（Ｃ）〕である。２つのアルデヒド部分が同一で
ある場合すなわち対称的なビスアニル系化合物は式
（Ａ）〜（Ｃ）のいずれの方法によっても製造しうる。
２つのアルデヒド部分が異なる非対称的ビスアニル系化
合物は式（Ｂ）あるいは（Ｃ）の方法により製造される
が、式（Ｂ）の方法ではアルデヒドの反応性の違いによ
り、前述のＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，８０，２９６１
（１９５８）に記載されている如くモノアザメチン系化
合物のアルデヒド交換反応がおこりその結果、対称的ビ
スアニル系化合物が生成する場合があり、このような場
合には、（Ｃ）の方法が用いられる。
【００１０】本発明者らは本発明にかかる新規化合物で
あるビスアザメチン系化合物を製造するにあたり、式
（Ａ）〜（Ｃ）の方法を追試し、応用を試みた結果、こ
れらの方法のうち米国特許４，００２，６１６号及び
３，９６２，２２０号において開示されているところの
式（Ａ），（Ｂ−２）、（Ｂ−３）で表わされる方法で
は極めて不十分であること、そしてこれらにかわる新規
の製造方法を見出した。すなわち前述の米国特許におい
ては式（Ａ）の方法として（１）ベンゼン、ジメチルア
セトアミド混合溶媒中でＰ−トルエンスルホン酸触媒を
用いて１７時間還流下に加熱（８０〜９０°）して収率
７０％。（２）酢酸中で４時間還流下に加熱（１１５−
１２０°）して収率６１％。（３）ヘキサメチルホスホ
ルトリアミド（ＨＭＰＡ）中で五酸化リン及び硫酸を用
い５０〜５５°、６時間反応して収率６５％。という実
施例が開示され、式（Ｂ−２）、（Ｂ−３）の方法とし
て（４）ベンゼン中でピペリジン触媒を用い還流下に８
時間加熱し収率４７％。（５）ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）中で硫酸触媒を用い１４５〜１５０°で２０
分間加熱して収率３２％。の実施例があり、本発明者ら
はこれを追試し確認したが、さらに本発明にかかるビス
アザメチン系化合物の製造にこれら（１）〜（５）の方
法を適用した結果（１）、（５）の方法で低収率（１％
以下）で目的物を得られたのみであった（（実施例
１）、（参考例２））ことから、その製造法を検討した
結果、式（Ａ）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）のいずれも大
巾に向上した収率でビスアザメチン系化合物を製造しう
る方法を見出した。さらにこの方法よれば、本発明にか
かる新規ビスアザメチン系化合物以外の公知のジスアザ
メチン系化合物をも、従来の収率を大巾に上回る高収率
で製造することができることを見出した（実施例２〜４
参照）。
あるビスアザメチン系化合物を製造するにあたり、式
（Ａ）〜（Ｃ）の方法を追試し、応用を試みた結果、こ
れらの方法のうち米国特許４，００２，６１６号及び
３，９６２，２２０号において開示されているところの
式（Ａ），（Ｂ−２）、（Ｂ−３）で表わされる方法で
は極めて不十分であること、そしてこれらにかわる新規
の製造方法を見出した。すなわち前述の米国特許におい
ては式（Ａ）の方法として（１）ベンゼン、ジメチルア
セトアミド混合溶媒中でＰ−トルエンスルホン酸触媒を
用いて１７時間還流下に加熱（８０〜９０°）して収率
７０％。（２）酢酸中で４時間還流下に加熱（１１５−
１２０°）して収率６１％。（３）ヘキサメチルホスホ
ルトリアミド（ＨＭＰＡ）中で五酸化リン及び硫酸を用
い５０〜５５°、６時間反応して収率６５％。という実
施例が開示され、式（Ｂ−２）、（Ｂ−３）の方法とし
て（４）ベンゼン中でピペリジン触媒を用い還流下に８
時間加熱し収率４７％。（５）ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）中で硫酸触媒を用い１４５〜１５０°で２０
分間加熱して収率３２％。の実施例があり、本発明者ら
はこれを追試し確認したが、さらに本発明にかかるビス
アザメチン系化合物の製造にこれら（１）〜（５）の方
法を適用した結果（１）、（５）の方法で低収率（１％
以下）で目的物を得られたのみであった（（実施例
１）、（参考例２））ことから、その製造法を検討した
結果、式（Ａ）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）のいずれも大
巾に向上した収率でビスアザメチン系化合物を製造しう
る方法を見出した。さらにこの方法よれば、本発明にか
かる新規ビスアザメチン系化合物以外の公知のジスアザ
メチン系化合物をも、従来の収率を大巾に上回る高収率
で製造することができることを見出した（実施例２〜４
参照）。
【００１１】一般にＤＡＭＮ誘導体のビスアザメチン系
化合物はシス型：
化合物はシス型：
【化１７】 および立体異性体のトランス型
【化１８】 で存在しうると言うべきであるが、好ましくはトランス
体で存在する。
体で存在する。
【００１２】本発明にかかるビスアザメチン系化合物の
出発原料のうちＤＡＭＮは市販されており、他方の原料
である種々のアルデヒドは公知の方法、例えばＢｅｒｉ
ｃｈｔｅ，９１，８５０（１９５８），Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｍｉｓｔｒｙ，４０，２
２４３（１９７５），Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈａｒｍａ
ｃｅｕｔｉｃａｌ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２９，１４３９
（１９８１）等に記載の方法により製造することができ
る。
出発原料のうちＤＡＭＮは市販されており、他方の原料
である種々のアルデヒドは公知の方法、例えばＢｅｒｉ
ｃｈｔｅ，９１，８５０（１９５８），Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｍｉｓｔｒｙ，４０，２
２４３（１９７５），Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈａｒｍａ
ｃｅｕｔｉｃａｌ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２９，１４３９
（１９８１）等に記載の方法により製造することができ
る。
【００１３】式（Ａ）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）で表わ
される本発明にかかる新規の製法に適した溶媒は非プロ
トン溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）、アセトニトリル、またはこれらの混合物
である。反応温度は用いる溶媒の沸点であり約８０℃な
いし約２００℃の範囲で行なう。用いる好ましい触媒は
有機の酸及び塩基であり用いるアルデヒド１モルあたり
０．１ないし１モルをそれぞれ使用する、有機の酸とし
て例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カ
プロン酸、Ｐ−トルエンスルホン酸であり、有機の塩基
として例えばジプロピルアミン、ジブチルアミン、ピペ
リジン、ピペラジン、モルホリン、１−メチルピペラジ
ンである。この反応は副生成物の水を反応系から除くこ
とが好ましく例えば水と共沸混合物を形成する溶媒を用
いディーン・スタークトラップにより共沸蒸留と水の除
去を行ないつつ還流する。反応時間は１〜２０時間、好
ましくは５〜１０時間反応させる。反応混合物を冷却
し、濾過することでビスアザメチン系化合物の粗ケーキ
が得られる。粗ケーキの精製は適当な溶媒で洗浄、再結
晶あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
行なうことができる。
される本発明にかかる新規の製法に適した溶媒は非プロ
トン溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）、アセトニトリル、またはこれらの混合物
である。反応温度は用いる溶媒の沸点であり約８０℃な
いし約２００℃の範囲で行なう。用いる好ましい触媒は
有機の酸及び塩基であり用いるアルデヒド１モルあたり
０．１ないし１モルをそれぞれ使用する、有機の酸とし
て例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カ
プロン酸、Ｐ−トルエンスルホン酸であり、有機の塩基
として例えばジプロピルアミン、ジブチルアミン、ピペ
リジン、ピペラジン、モルホリン、１−メチルピペラジ
ンである。この反応は副生成物の水を反応系から除くこ
とが好ましく例えば水と共沸混合物を形成する溶媒を用
いディーン・スタークトラップにより共沸蒸留と水の除
去を行ないつつ還流する。反応時間は１〜２０時間、好
ましくは５〜１０時間反応させる。反応混合物を冷却
し、濾過することでビスアザメチン系化合物の粗ケーキ
が得られる。粗ケーキの精製は適当な溶媒で洗浄、再結
晶あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
行なうことができる。
【００１４】本発明化合物は、実施例に挙げた化合物に
加えて以下の化合物を個々に例として挙げ得る。
加えて以下の化合物を個々に例として挙げ得る。
【００１５】
【表１０１】
【００１６】
【表１０２】
【００１７】
【表１０３】
【００１８】
【表１０４】
【００１９】
【表１０５】
【００２０】
【表１０６】
【００２１】
【表１０７】
【００２２】
【表１０８】
【００２３】
【表１０９】
【００２４】本発明の電子写真感光体は導電性支持体上
に前記一般式（Ｉ）で表わされるビスアザメチン系化合
物を１種以上含有する感光層を有する。感光層の形態は
公知の種々の形態のいずれであってもよいが、特に電荷
発生層と電荷移動層から成る積層型感光体の電荷発生層
の成分に適している。
に前記一般式（Ｉ）で表わされるビスアザメチン系化合
物を１種以上含有する感光層を有する。感光層の形態は
公知の種々の形態のいずれであってもよいが、特に電荷
発生層と電荷移動層から成る積層型感光体の電荷発生層
の成分に適している。
【００２５】電荷発生層は前記ビスアゾメチン系化合物
を適当な、溶媒中に単独またはバインダー樹脂とともに
溶解または分散させた塗布液を導電性支持体上に公知の
方法によって塗布することにより得られる。その膜厚は
通常５μｍ以下であり、特に１μｍ以下が好ましい。
を適当な、溶媒中に単独またはバインダー樹脂とともに
溶解または分散させた塗布液を導電性支持体上に公知の
方法によって塗布することにより得られる。その膜厚は
通常５μｍ以下であり、特に１μｍ以下が好ましい。
【００２６】塗布液に用いる溶媒としてはテトラヒドロ
フラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シクロ
ヘキサノン、メチルエチルケトンなどのケトン類、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコ
ール類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭
化水素類が挙げられる。
フラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シクロ
ヘキサノン、メチルエチルケトンなどのケトン類、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコ
ール類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭
化水素類が挙げられる。
【００２７】バインダー樹脂としてはポリビニルブチラ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂等が好ましくその使
用量は通常ビスアザメチン化合物に対し０．１〜５重量
倍である。
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂等が好ましくその使
用量は通常ビスアザメチン化合物に対し０．１〜５重量
倍である。
【００２８】感光層が形成される導電性支持体として
は、例えばアルミニウム、銅、ステンレス等を用いるこ
とができる。あるいはこれらの金属を真空蒸着したもの
が挙げられる。更に金属粉末、カーボンブラック等の導
電性粒子を適当なバインダーと共にプラスチックまたは
金属支持体上に塗布したもの、あるいは導電性粒子をプ
ラスチックや紙に含浸したもの等も用いることができ
る。
は、例えばアルミニウム、銅、ステンレス等を用いるこ
とができる。あるいはこれらの金属を真空蒸着したもの
が挙げられる。更に金属粉末、カーボンブラック等の導
電性粒子を適当なバインダーと共にプラスチックまたは
金属支持体上に塗布したもの、あるいは導電性粒子をプ
ラスチックや紙に含浸したもの等も用いることができ
る。
【００２９】電荷移動層は電荷発生層の上または下に積
層され、電界の存在下電荷発生層から電荷キャリヤーを
受けとり、移動させる層であり、電荷キャリヤー移動物
質を含有している。電荷移動層は、電荷移動物質を必要
に応じて適当なバインダー樹脂と共に溶媒に溶解、塗布
することにより形成させる。その膜厚は通常５〜４０μ
ｍであり、好ましくは８〜３０μｍである。
層され、電界の存在下電荷発生層から電荷キャリヤーを
受けとり、移動させる層であり、電荷キャリヤー移動物
質を含有している。電荷移動層は、電荷移動物質を必要
に応じて適当なバインダー樹脂と共に溶媒に溶解、塗布
することにより形成させる。その膜厚は通常５〜４０μ
ｍであり、好ましくは８〜３０μｍである。
【００３０】電荷移動物質は電子移動物質とホール移動
物質の二種があり、本発明感光体の感光層には両者とも
使用できる。電子移動物質としては例えば２，４，７−
トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニト
ロフルオレノン、テトラシアノキノジメタンなどの電子
吸引性物質が挙げられる。またホール移動物質として
は、例えばピレン、アントラセンなどの芳香族多環化合
物、カルバゾール、インドール、イミダゾール、ピラゾ
ール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリアゾールなど
の複素環化合物、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール
などのヒドラゾン化合物、ベンジジン化合物、トリアリ
ールメタン系化合物、トリフェニルアミンあるいはこれ
らの化合物からなる基を主鎖もしくは側鎖に有する重合
体（ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセン）等が挙げられる。
物質の二種があり、本発明感光体の感光層には両者とも
使用できる。電子移動物質としては例えば２，４，７−
トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニト
ロフルオレノン、テトラシアノキノジメタンなどの電子
吸引性物質が挙げられる。またホール移動物質として
は、例えばピレン、アントラセンなどの芳香族多環化合
物、カルバゾール、インドール、イミダゾール、ピラゾ
ール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリアゾールなど
の複素環化合物、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール
などのヒドラゾン化合物、ベンジジン化合物、トリアリ
ールメタン系化合物、トリフェニルアミンあるいはこれ
らの化合物からなる基を主鎖もしくは側鎖に有する重合
体（ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセン）等が挙げられる。
【００３１】電荷移動物質が成膜性を有しない時は、バ
インダー樹脂中に溶解した状態で層を形成することがで
き、具体的には、電荷発生層に用いられるのと同様に樹
脂が使用される。
インダー樹脂中に溶解した状態で層を形成することがで
き、具体的には、電荷発生層に用いられるのと同様に樹
脂が使用される。
【００３２】
【実施例】次に実施例、参考例を挙げて本発明を更に具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
【００３３】参考例１（アルデヒドの合成） ４−アミノベンズアルデヒド１２．１ｇと濃塩酸２５ｍ
ｌを水６０ｍｌ中に加え、氷冷下に撹拌し、反応温度を
１０℃以下に保ちながら、亜硝酸ナトリウム７．３ｇの
２０ｍｌ水溶液を滴下した。滴下終了後、室温で３０分
間撹拌して酢酸カリウム７．５ｇの１０ｍｌ水溶液を加
え、不溶物を濾別した。濾液にＮ，Ｎ−ジエチルアニリ
ン１５．０ｇを加え室温で１時間撹拌した。酢酸カルウ
ム１２．０ｇの３０ｍｌ水溶液を加え、更に１時間撹拌
した後生成物を濾別、水洗した。濾別したケーキを酢酸
エチルで抽出し、抽出液を水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をｎ−ヘ
キサンで洗浄し暗赤色の４−（４−ジエチルアミノフェ
ニルアゾ）ベンズアルデヒド１５．３ｇを得た。収率５
４％。
ｌを水６０ｍｌ中に加え、氷冷下に撹拌し、反応温度を
１０℃以下に保ちながら、亜硝酸ナトリウム７．３ｇの
２０ｍｌ水溶液を滴下した。滴下終了後、室温で３０分
間撹拌して酢酸カリウム７．５ｇの１０ｍｌ水溶液を加
え、不溶物を濾別した。濾液にＮ，Ｎ−ジエチルアニリ
ン１５．０ｇを加え室温で１時間撹拌した。酢酸カルウ
ム１２．０ｇの３０ｍｌ水溶液を加え、更に１時間撹拌
した後生成物を濾別、水洗した。濾別したケーキを酢酸
エチルで抽出し、抽出液を水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をｎ−ヘ
キサンで洗浄し暗赤色の４−（４−ジエチルアミノフェ
ニルアゾ）ベンズアルデヒド１５．３ｇを得た。収率５
４％。
【００３４】実施例１（参考例２）〔公知の方法（Ａ）
による化合物番号Ｉ−１及び III−１の化合物の合成〕 参考例１により製造した４−（４−ジエチルアミノフェ
ニルアゾ）ベンズアルデヒド３．００ｇ、ＤＡＭＮ
０．５４ｇ、Ｐ−トルエンスルホン酸０．０６ｇ、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｍｌ、ベンゼン５０ｍｌを
混合し、ディーン−スタークトラップを用いて副生物の
水を除去しながら還流下に加熱撹拌を１７時間行なっ
た。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾別し、濾
液から溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（ワコーゲルＣ−２００，展開溶媒
クロロホルム）により精製し、以下に示すビスアザメチ
ン系化合物を０．０２ｇを得た。
による化合物番号Ｉ−１及び III−１の化合物の合成〕 参考例１により製造した４−（４−ジエチルアミノフェ
ニルアゾ）ベンズアルデヒド３．００ｇ、ＤＡＭＮ
０．５４ｇ、Ｐ−トルエンスルホン酸０．０６ｇ、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｍｌ、ベンゼン５０ｍｌを
混合し、ディーン−スタークトラップを用いて副生物の
水を除去しながら還流下に加熱撹拌を１７時間行なっ
た。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾別し、濾
液から溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（ワコーゲルＣ−２００，展開溶媒
クロロホルム）により精製し、以下に示すビスアザメチ
ン系化合物を０．０２ｇを得た。
【化１９】 収率０．６％。マススペクトル値ｍ／ｅ＝６３４
（Ｍ+ ） λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５８４ｎｍ。
Ｍ．Ｐ．２４６−２４７°さらに副生物として以下に示
すピラジン化合物
（Ｍ+ ） λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５８４ｎｍ。
Ｍ．Ｐ．２４６−２４７°さらに副生物として以下に示
すピラジン化合物
【化２０】 を０．３０ｇ（収率９．６％，λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ）＝４８６ｎｍ）、及び以下に示すモノアザメチン
系化合物（化合物番号 III−１）
ｌ2 ）＝４８６ｎｍ）、及び以下に示すモノアザメチン
系化合物（化合物番号 III−１）
【化２１】 ０．５６ｇ（収率３０．２％、λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ）＝５００ｎｍ）を得た。ＭＰ２０８−２１０°
ｌ2 ）＝５００ｎｍ）を得た。ＭＰ２０８−２１０°
【００３５】実施例２ ４−（４−ジエチルアミノフェニルアゾ）ベンズアルデ
ヒド３．００ｇ、ＤＡＭＮ ０．６０ｇ、ピペリジン
０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇをベンゼン２００ｍｌに加
え、ディーン−スタークトラップを用いて副生物の水を
除去しながら還流下に１５時間、加熱撹拌を行なった。
室温まで冷却し、不溶物を濾別、ベンゼン及びクロロホ
ルムで洗浄して実施例１で得たビスアザメチン系化合物
（化合物番号Ｉ−１）と同一物を０．８１ｇ得た。収率
２２％
ヒド３．００ｇ、ＤＡＭＮ ０．６０ｇ、ピペリジン
０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇをベンゼン２００ｍｌに加
え、ディーン−スタークトラップを用いて副生物の水を
除去しながら還流下に１５時間、加熱撹拌を行なった。
室温まで冷却し、不溶物を濾別、ベンゼン及びクロロホ
ルムで洗浄して実施例１で得たビスアザメチン系化合物
（化合物番号Ｉ−１）と同一物を０．８１ｇ得た。収率
２２％
【００３６】実施例３ ＤＡＭＮ １０．８０ｇ、４−（４−ジエチルアミノフ
ェニルアゾ）ベンズアルデヒド２８．１０ｇ及び濃硫酸
０．３０ｇをジメチルスルホキシド３００ｍｌに加え室
温で１０時間撹拌後、５リットルの水に加え析出物を濾
別、水洗、乾燥して以下に示すモノアザメチン系化合物
ェニルアゾ）ベンズアルデヒド２８．１０ｇ及び濃硫酸
０．３０ｇをジメチルスルホキシド３００ｍｌに加え室
温で１０時間撹拌後、５リットルの水に加え析出物を濾
別、水洗、乾燥して以下に示すモノアザメチン系化合物
【化２２】 を３６．９１ｇ（収率９９％）得た。このモノアザメチ
ン系化合物を１．８０ｇ、４−（４−ジエチルアミノフ
ェニルアゾ）ベンズアルデヒド１．５０ｇ、ピペリジン
０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇをベンゼン１００ｍｌに加
え実施例２と同様な反応を４時間行ない、実施例２と同
様な後処理により実施例１で得たビスアザメチン系化合
物（化合物番号Ｉ−１）と同一物を２．８３ｇ（収率９
２％）得た。
ン系化合物を１．８０ｇ、４−（４−ジエチルアミノフ
ェニルアゾ）ベンズアルデヒド１．５０ｇ、ピペリジン
０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇをベンゼン１００ｍｌに加
え実施例２と同様な反応を４時間行ない、実施例２と同
様な後処理により実施例１で得たビスアザメチン系化合
物（化合物番号Ｉ−１）と同一物を２．８３ｇ（収率９
２％）得た。
【００３７】実施例４〔製法〕 ４−ジエチルアミノベンズアルデヒド３．７０ｇ、ＤＡ
ＭＮ １．０８ｇ、ピペリジン０．５０ｇ、酢酸０．５
０ｇをベンゼン１５０ｍｌに加え実施例２と同様な反応
を７時間行なった後、減圧下に溶媒を留去し残渣を水、
ｎ−ヘキサン、ジエチルエーテルで洗浄、乾燥して、以
下に示すビスアザメチン系化合物
ＭＮ １．０８ｇ、ピペリジン０．５０ｇ、酢酸０．５
０ｇをベンゼン１５０ｍｌに加え実施例２と同様な反応
を７時間行なった後、減圧下に溶媒を留去し残渣を水、
ｎ−ヘキサン、ジエチルエーテルで洗浄、乾燥して、以
下に示すビスアザメチン系化合物
【化２３】 を４．８０ｇ得た。収率９６％。このものは米国特許
３，９６２，２２０号において開示されている実施例に
従って製造したものと同一物であった。Ｍ．Ｐ．２５１
−２５５°、λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５４６ｎｍ
３，９６２，２２０号において開示されている実施例に
従って製造したものと同一物であった。Ｍ．Ｐ．２５１
−２５５°、λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５４６ｎｍ
【００３８】実施例５ 参考例１に準じた方法により製造された下記構造式のア
ルデヒド４．００ｇ、
ルデヒド４．００ｇ、
【化２４】 ＤＡＭＮ １．０８ｇ及び濃硫酸０．０５ｇをジメチル
スルホキシド６０ｍｌに加え室温で１５時間撹拌した。
実施例３と同様に後処理して下記構造式のモノアザメチ
ン化合物（化合物番号 III−２）を４．４４ｇ（収率９
２％）得た。
スルホキシド６０ｍｌに加え室温で１５時間撹拌した。
実施例３と同様に後処理して下記構造式のモノアザメチ
ン化合物（化合物番号 III−２）を４．４４ｇ（収率９
２％）得た。
【化２５】 λｍａｘ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５３２ｎｍ、Ｍ．Ｐ．＞２
８０° このモノアザメチン系化合物１．２０ｇ、上記アルデヒ
ド１．００ｇ、ピペリジン０．３０ｇ、酢酸０．３０
ｇ、ベンゼン２００ｍｌ、ジメチルホルムアミド１００
ｍｌを混合し、実施例２と同様な反応を２０時間行なっ
た。室温まで冷却して不溶物を濾別、ベンゼン、ジメチ
ルホルムアミド、クロロホルムで洗浄して下記構造式の
ビスアザメチン系化合物（化合物番号Ｉ−２）１．５４
ｇ（収率７２％）を得た。
８０° このモノアザメチン系化合物１．２０ｇ、上記アルデヒ
ド１．００ｇ、ピペリジン０．３０ｇ、酢酸０．３０
ｇ、ベンゼン２００ｍｌ、ジメチルホルムアミド１００
ｍｌを混合し、実施例２と同様な反応を２０時間行なっ
た。室温まで冷却して不溶物を濾別、ベンゼン、ジメチ
ルホルムアミド、クロロホルムで洗浄して下記構造式の
ビスアザメチン系化合物（化合物番号Ｉ−２）１．５４
ｇ（収率７２％）を得た。
【化２６】 マススペクトル値ｍ／ｅ＝８６２（Ｍ+ ）。λｍａｘ
（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝６６３ｎｍ，６００ｎｍ、Ｍ．Ｐ．
＞２８０°
（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝６６３ｎｍ，６００ｎｍ、Ｍ．Ｐ．
＞２８０°
【００３９】実施例６ 実施例３のモノアザメチン系化合物１．８０ｇ、４−
（４−ジメチルアミノフェニルアゾ）ベンズアルデヒド
１．３０ｇ、ピペリジン０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇを
ベンゼン１００ｍｌに加え実施例２と同様な反応を６時
間行ない、実施例２と同様の後処理により下記構造式の
ビスアザメチン系化合物（化合物番号Ｉ−３）を２．０
５ｇ（収率６８％）を得た。
（４−ジメチルアミノフェニルアゾ）ベンズアルデヒド
１．３０ｇ、ピペリジン０．５０ｇ、酢酸０．５０ｇを
ベンゼン１００ｍｌに加え実施例２と同様な反応を６時
間行ない、実施例２と同様の後処理により下記構造式の
ビスアザメチン系化合物（化合物番号Ｉ−３）を２．０
５ｇ（収率６８％）を得た。
【化２７】 マススペクトル値ｍ／ｅ＝６０６（Ｍ+ ）。λｍａｘ
（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５７２ｎｍ、Ｍ．Ｐ．２５０−２５
３°
（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）＝５７２ｎｍ、Ｍ．Ｐ．２５０−２５
３°
【００４０】実施例３に準ずる方法により製造した一般
式(III）
式(III）
【化２８】 であらわされるモノアザメチン化合物を第１表に示す。
実施例２あるいは実施例５に準ずる方法により製造した
一般式（Ｉ）
実施例２あるいは実施例５に準ずる方法により製造した
一般式（Ｉ）
【化２９】 で表わされるビスアザメチン化合物を第２表、第３表に
示す。
示す。
【００４１】
【表２０１】
【００４２】
【表２０２】
【００４３】
【表２０３】
【００４４】
【表２０４】
【００４５】
【表３０１】
【００４６】
【表３０２】
【００４７】
【表３０３】
【００４８】
【表３０４】
【００４９】
【表４０１】
【００５０】
【表４０２】
【００５１】実施例７ 電荷発生物質３００ｍｇ、ポリビニルブチラール樹脂
（積水化学エスレックＢＭ−２）３００ｍｇにＴＨＦ
７．５ｇ、シクロヘキサノン５ｇを加え、ジルコニアボ
ールで４８時間ボールミリングを行った。この分散液を
バーコーターを用いてＡｌ基板上に乾燥後の膜厚が０．
５０μｍとなるように塗布し、６０℃で６時間減圧乾燥
して電荷発生層を形成した。次に下記に示す構造式
（積水化学エスレックＢＭ−２）３００ｍｇにＴＨＦ
７．５ｇ、シクロヘキサノン５ｇを加え、ジルコニアボ
ールで４８時間ボールミリングを行った。この分散液を
バーコーターを用いてＡｌ基板上に乾燥後の膜厚が０．
５０μｍとなるように塗布し、６０℃で６時間減圧乾燥
して電荷発生層を形成した。次に下記に示す構造式
【化３０】 のヒドラゾン化合物を１０ｇ、ポリカーボネート樹脂
（帝人パンライトＬ１２２５）１０ｇをクロロホム１１
４ｇに溶解して電荷輸送液を調製した。これを上記の電
荷発生層上に乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにバー
コーターで塗布し、６０℃で１２時間減圧乾燥して電子
写真感光体を作成した。この電子写真感光体を帯電記録
紙試験装置（川口電機ＥＰＡ８１００）を用いてコロナ
放電により−６０ｋＶで帯電し、暗所で３秒間保持した
後１０ luxのハロゲンランプを照射して露光し、表面電
位が１／２に減衰するのに必要な半減露光量Ｅ1/2 を測
定した。帯電電位（Ｖmax ）と半減露光量（Ｅ1/2 ）の
結果を第４表に示す。
（帝人パンライトＬ１２２５）１０ｇをクロロホム１１
４ｇに溶解して電荷輸送液を調製した。これを上記の電
荷発生層上に乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにバー
コーターで塗布し、６０℃で１２時間減圧乾燥して電子
写真感光体を作成した。この電子写真感光体を帯電記録
紙試験装置（川口電機ＥＰＡ８１００）を用いてコロナ
放電により−６０ｋＶで帯電し、暗所で３秒間保持した
後１０ luxのハロゲンランプを照射して露光し、表面電
位が１／２に減衰するのに必要な半減露光量Ｅ1/2 を測
定した。帯電電位（Ｖmax ）と半減露光量（Ｅ1/2 ）の
結果を第４表に示す。
【表５】
【００５２】
【発明の効果】本発明にかかるビスアザメチン系化合
物、その製法、及び中間体のモノアザメチン系化合物は
新規なものであり、本製法によればこれらを収率よく製
造できる。また、本発明のビスアザメチン化合物を用い
た感光体は、高感度で繰返し使用した場合にも感度、帯
電性の変動及び光疲労も少なく耐久性にすぐれている。
本発明感光体は、電子写真複写機のほかレーザービーム
プリンター、ＬＥＤプリンターの感光体など電子写真の
応用分野にも広く用いることができる。
物、その製法、及び中間体のモノアザメチン系化合物は
新規なものであり、本製法によればこれらを収率よく製
造できる。また、本発明のビスアザメチン化合物を用い
た感光体は、高感度で繰返し使用した場合にも感度、帯
電性の変動及び光疲労も少なく耐久性にすぐれている。
本発明感光体は、電子写真複写機のほかレーザービーム
プリンター、ＬＥＤプリンターの感光体など電子写真の
応用分野にも広く用いることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｘ1 、Ｘ2 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基又は置換されていてもよいアシルオキシ基
を表わし、ｎ、ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又
は３を表わし、Ｙ1 、Ｙ2 は同一又は相異なって−ＮＲ
1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一又は相異なって水素原
子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいアリール基又は置換されていてもよいシクロアル
キル基を表わし、又Ｒ1 、Ｒ2 はヘテロ原子を含み又は
含まずして環を形成してもよい。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ
（式中、Ａｒはカプラー残基を表わす。）を表わす。た
だしｎ＝ｎ′＝０でＹ、Ｙ′が同一又は相異なって−Ｎ
Ｒ1 Ｒ2 である場合を除く。〕で表わされるビスアザメ
チン系化合物。 - 【請求項２】 一般式（II） 【化２】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ 2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎは０、１、２
又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドとジアミノ
マレオニトリルを有機酸および有機塩基の存在下に反応
させることを特徴とする一般式（Ｉ′） 【化３】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるビスアザメチン系化合物の製法。 - 【請求項３】 一般式 (III) 【化４】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるモノアザメチン系化合物と一般式（IV） 【化５】 〔式中、Ｘ4 、Ｙ4 は同一又は相異なって水素原子、ハ
ロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいア
シルアミノ基、置換されていてもよいアシルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記と同
じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式中、Ａｒは
前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ′は０、１、
２又は３を表わす。〕で表わされるアルデヒドを有機酸
および有機塩基の存在下に反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ″） 【化６】 〔式中、Ｘ、Ｘ1 、Ｙ、Ｙ1 は同一又は相異なって水素
原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されてい
てもよいアシルアミノ基、置換されていてもよいアシル
オキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アル
コキシカルボニル基、−ＮＲ1 Ｒ2 （式中、Ｒ1 、Ｒ2
は前記と同じ意味を表わす。）又は−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（式
中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）を表わし、ｎ、
ｎ′は同一又は相異なって０、１、２又は３を表わ
す。）で表わされるビスアザメチン系化合物の製法。 - 【請求項４】 導電性支持体とその上に形成された感光
層を必須の構成要素とする電子写真感光体において請求
項１記載のビスアザメチン系化合物を感光層中に含むこ
とを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項５】 一般式 (III) 【化７】 〔式中、Ｘ3 、Ｙ3 、ｎは前記と同じ意味を表わす。〕
で表わされるモノアザメチン系化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28045492A JPH06107619A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | ビスアザメチン系化合物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28045492A JPH06107619A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | ビスアザメチン系化合物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06107619A true JPH06107619A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17625289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28045492A Pending JPH06107619A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | ビスアザメチン系化合物、その製法及び電子写真感光体並びに中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06107619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005015475A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | アゾベンゼン誘導体、並びにそれを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP28045492A patent/JPH06107619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005015475A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | アゾベンゼン誘導体、並びにそれを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
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