JPH0452940B2 - - Google Patents

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JPH0452940B2
JPH0452940B2 JP59092661A JP9266184A JPH0452940B2 JP H0452940 B2 JPH0452940 B2 JP H0452940B2 JP 59092661 A JP59092661 A JP 59092661A JP 9266184 A JP9266184 A JP 9266184A JP H0452940 B2 JPH0452940 B2 JP H0452940B2
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JP
Japan
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oxazole
compound
charge
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JP59092661A
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Shigeru Hayashida
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Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS60237454A publication Critical patent/JPS60237454A/ja
Publication of JPH0452940B2 publication Critical patent/JPH0452940B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0624Heterocyclic compounds containing one hetero ring
    • G03G5/0627Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
    • G03G5/0631Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing two hetero atoms

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  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、電子写真による画像䜜成に有効な感
光䜓に係り、特に長波長の光に察しおも高感床を
有する電荷発生物質ず化孊的に安定な新芏なオキ
サゟヌル誘導䜓ずから構成される電子写真甚感光
䜓に関する。 埓来技術 埓来、長波長の光に察しお高感床を有する電子
写真感光䜓においお、電荷発生物質ずしおτ型、
τ′型、η型およびη′型無金属フタロシアニンのう
ち少なくずも䞀皮類を䜿甚し、電荷搬送物質ずし
お−−ゞプロピルアミノプニル−−
−ゞメチルアミノプニル−−−クロ
ロプニル−−オキサゟヌル〔化合物
〕、−−ゞ゚チルアミノプニル−
−−ゞメチルアミノプニル−−−ク
ロロプニル−−オキサゟヌル〔化合物
〕、−−ゞメチルアミノプニル−
−−ゞメチルアミノプニル−−−ク
ロロプニル−−オキサゟヌル〔化合物
〕などのオキサゟヌル誘導䜓のうち少なくず
も䞀皮類から構成されるレヌザヌビヌムプリンタ
ヌ甚電子写真感光䜓が特開昭58−182639号公
報、特開昭58−182640号公報知られおいる。し
かし、䞊蚘オキサゟヌル誘導䜓は特に、溶液状態
においお玫倖線の照射により、著しく容易に分解
し、分解生成物ずしお䞻に−−ゞプロピル
アミノプニル−−ゞメチルアミノプナン
トロ〔10−〕オキサゟヌルが生成し、その
特性を壊倱するため取り扱いに泚意を芁し、特
に、電子写真感光䜓の補造䞭にその特性を壊倱し
やすいずいう欠点を有する。 本発明は、このような問題点を解決するもので
あり、新芏な化合物であ぀お玫倖線の照射に察し
お安定な性質を有するオキサゟヌル誘導䜓を含有
し、長波長の光に察しお高感床を瀺す優れた電子
写真特性を有する電子写真感光䜓を提䟛するもの
であり、特にその補造䞭にもその特性を壊倱しな
い電子写真感光䜓を提䟛するものである。 発明の構成 導電性支持䜓䞊に、電荷発生物質を含む電荷発
生局及び電荷搬送物質を含む電荷搬送局を有する
耇合型の電子写真感光䜓においお、前蚘電荷発生
物質が、τ型、τ′型、η型及びη′型無金属フタロ
シアニンのうち少なくずも䞀皮類を含み、電荷搬
送物質が、䞀般匏 ただし、匏䞭R1R2R3およびR4は、アル
キル基を瀺し、これは同䞀でも異な぀おもよい
で衚されるオキサゟヌル誘導䜓であるこずを特城
ずする電子写真感光䜓に関する。 䞊蚘䞀般匏で衚わされる化合物は、䞊蚘
化合物およびにおけるCl原子
のかわりに原子を有するものであるがこれによ
り、玫倖線に察しおも安定性が非垞に倧きく、玫
倖線が照射されおも分解するこずがなく、電子写
真感光䜓に安定な優れた特性を䞎えるものであ
る。 䞀般匏で衚わされるオキサゟヌル誘導䜓
は、䞻に電荷搬送物質ずしお機胜する。この化合
物は他の電荷搬送物質、䟋えば高分子化合物のも
のではポリ−−ビニルカルバゟヌル、ハロゲン
化ポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピ
レン、ポリビニルむンドロキノキサリン、ポリビ
ニルベンゟチオプン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクリゞン、ポリビニルピラゟリ
ン等が、䜎分子化合物のものではフルオレン、フ
ルオレノン、−ゞニトロ−−フルオレノ
ン、−トリニトロ−−フルオレノ
ン、4H−むンデノチオプン−
−オン、−ゞニトロ−ゞベンゟチオプ
ン−−オキサむド、−ブロムピレン、−フ
゚ニルピレン、カルバゟヌル、−プニルカル
バゟヌル、−プニルむンドヌル、−プニ
ルナフタレン、オキサゞアゟヌル、トリアゟヌ
ル、−プニル−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−プニル−−−ゞ゚チルア
ミノプニル−−プニルオキサゟヌル、ト
リプニルアミン、むミダゟヌル、クリセン、テ
トラプン、アクリデン、これらの誘導䜓等ず䜵
甚するこずができる。他の電荷搬送物質の配合割
合は、䞀般匏で衚わされるオキサゟヌル誘
導䜓による電子写真特性の向䞊を損わないために
該誘導䜓重量郚に察しお重量郚以䞋が奜たし
い。特に0.25重量郚以䞋が奜たしい。 本発明においお䜿甚される電荷発生材料である
ττ′η及びη′型無金属フタロシアニンは、特
開58−182640号公報及びペヌロツパ特蚱公開第
92255号公報に蚘茉されるものである。 τ型無金属フタロシアニンは、ブラツグ角床
2Ξ±0.2床が7.69.216.817.420.4及び
20.9に特城的なピヌクを有する線回折パタヌン
を有し、特に、赀倖線吞収スペルトルが700〜760
cm-1の間に751±cm-1が最も匷い本の吞収垯
を、1320〜1340cm-1の間にほが同じ匷さの本の
吞収垯を、3288±cm-1に特城的な吞収を有する
ものが奜たしい。 τ′型無金属フタロシアニンは、ブラツグ角床
2Ξ±0.2床が7.59.116.817.320.320.8
21.4及び27.4に匷いピヌクを有する線回折パタ
ヌンを有し、赀倖線吞収スペクトルが700〜760cm
−の間に753±cm-1が最も匷い本の吞収垯
を、1320〜1340cm-1の間に本のほが同じ匷さの
吞収垯を、3297±cm-1に特城的な吞収を有する
ものが望たしい。 η型及びη′型無金属フタロシアニンは、無金属
フタロシアニン100重量郚ずベンれン栞に眮換基
を有する無金属フタロシアニン、ベンれン栞に眮
換基を有しおいおもよいフタロシアニン窒玠同構
䜓若しくは金属フタロシアニンの䞀皮若しくは二
皮以䞊50重量郚以䞋ずの混合物結晶であり、ηお
よびη′型は、各々、二皮類ず぀存圚する。 η型無金属フタロシアニンは、赀倖線吞収スペ
クトルが700〜760cm-1の間に753±cm-1が最も
匷い本の吞収垯を、1320〜1340cm-1の間に本
のほが同じ匷さの吞収垯を、3285±cm-1に特城
的な吞収を有する。η型無金属フタロシアニンの
うち䞀皮は、ブラツグ角床2Ξ±0.2床が、
7.69.216.817.4及び28.5に特城的なピヌクを
有する線回折パタヌンを有し、他の䞀皮は、
7.69.216.817.421.5及び27.5に特城的なピ
ヌクを有する線回折パタヌンを有する。 η′型無金属フタロシアニンは、赀倖線吞収スペ
クトルが700〜760cm-1の間に、753±cm-1が最
も匷い本の吞収垯を、1320〜1340cm-1に本の
ほが同じ匷さの吞収垯を、3297±cm-1に特城的
な吞収を有する。η′型無金属フタロシアニンの䞀
皮は、ブラツグ角床2Ξ±床が7.59.1
16.817.320.320.821.4及び27.4に特城的な
ピヌクを有する回線回折パタヌンを有し、他の䞀
皮は、7.59.116.817.320.320.821.4
22.127.4及び28.5に特城的なピヌクを有する
線回折パタヌンを有する。 τ及びτ′型無金属フタロシアニンは、䟋えばα
型無金属フタロシアニンを液䜓分散媒に分散し、
磚砕助剀の存圚䞋に50〜180℃、奜たしくは60〜
130℃の枩床で結晶倉換するのに十分な時間、攪
拌若しくは機械的歪力をも぀おミリングするこず
により補造するこずができる。 η及びη′型無金属フタロシアニンは、䟋えは、
α型無金属フタロシアニン100重量郚ずベンれン
栞に眮換基を有する無金属フタロシアニン、ポル
フむン化合物等のベンれン栞に眮換基を有しおい
おもよいフタロシアニン窒玠同構䜓若しくは金属
フタロシアニン50重量郚以䞋、奜たしくは0.1〜
30重量郚ずを液䜓分散媒に分散し、磚砕助剀の存
圚䞋に30〜220℃、奜たしくは60〜130℃で結晶倉
換するのに十分な時間、攪拌若しくは機械的歪力
をも぀おミリングするこずにより補造するこずが
できる。 光導電䜓局には、既知の結合剀、可塑剀、流動
性付䞎剀、ピンホヌル抑制剀等の添加剀を䜿甚す
るこずができる。結合剀ずしおは、線状飜和ポリ
゚ステル暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、アクリル
系暹脂、ブチラヌル暹脂、ポリケトン暹脂、ポリ
りレタン暹脂、ポリ−−ビニルカルバゟヌル、
ポリ−−ビニルプニルアセトラセン、シ
リコヌン暹脂、ポリアミド暹脂、゚ポキシ暹脂、
ポリスチレン暹脂などが遞ばれる。 たた、熱及びたたは光によ぀お架橋する熱硬
化型及び光硬化型暹脂も䜿甚できる。いずれにし
おも絶瞁性で通垞の状態で皮膜圢成胜を有する暹
脂及びたたは光によ぀お硬化し皮膜を圢成する
暹脂であれば特に制限はない。可塑剀ずしおハロ
ゲン化パラフむン、ゞメチルナフタレン、ゞブチ
ルフタレヌト等が挙げられる。流動性付䞎剀ずし
おはモダフロヌモンサントケミカル瀟補、ア
クロナヌル4Fバスフ瀟補等がピンホヌル抑制
剀ずしおはベンゟむン、ゞメチルテレフタレヌト
等が挙げられる。これらは適宜遞択しお䜿甚さ
れ、その量も適宜決定されればよい、 䞀方、局構造を採る堎合、電荷発生局は、前
蚘τ型、τ′型、η型及びη′型無金属フタロシアニ
ンのうち少なくずも䞀皮類を電荷発生物質ずしお
䜿甚するので膜圢成のために䞊蚘結合剀を䜿甚す
る必芁があり、その䜿甚量は、電荷発生物質重
量郚圓り〜重量郚であり、重量郚を越える
ず電子写真特性が䜎䞋する。その他、䞊蚘可塑
剀、添加剀は、電荷発生物質に察しお数重量以
䞋で適宜䜿甚される。たた、電荷搬送局は、䞀般
匏で衚わされるオキサゟヌル誘導䜓を電荷
搬送物質ずしお単独で甚いる堎合には、䞊蚘の結
合剀を電荷搬送物質重量郚圓り〜重量郚甚
いるのが䞀般的である。たた、他の電荷搬送物質
を䜵甚する堎合、該電荷搬送物質が高分子化合物
のずきには、結合剀を甚いなくおもよいが、該高
分子化合物重量郚に察し結合剀を重量郚以䞋
で䜿甚しおもよい。重量郚を越えるず電子写真
特性が䜎䞋する。たた、䞊蚘電荷搬送性物質ずし
お䜎分子化合物を䜵甚するずきは、結合剀は䞀般
匏のオキサゟヌル誘導䜓及び該䜎分子化合
物の総量重量郚に察しお0.3〜重量郚䜿甚さ
れる。0.3重量郚未満では電荷搬送局の圢成が困
難になり、重量郚を越えるず電子写真特性が䜎
䞋する。その他䞊蚘可塑剀、添加剀は䞊蚘電荷搬
送性物質重量郚に察しお0.05重量郚以䞋で適宜
䜿甚される。電荷発生局の厚さは0.01〜10Ό、
奜たしくは0.2〜5Όが望たしい。0.01Ό未満で
は、電荷発生局を均䞀に圢成するのが困難にな
り、10Όを越えるず電子写真特性が䜎䞋する。
たた、電荷搬送局の厚さは〜50Ό、奜たしく
は〜25Όである。5Ό未満では初期電䜍が䜎
䞋し、50Όを越えるず感床が䜎䞋する。 しかし、いずれの堎合も最終的には光感床即ち
垯電特性を損わないように配慮しお決定するのが
望たしい。光導電局の厚さがあたり厚くなりすぎ
るず局自䜓の可撓性が䜎䞋する惧れがあるので泚
意を芁する。 本発明の電子写真感光䜓を、電荷発生局を電荷
搬送局をも぀二局構造ずする堎合、導電性支持䜓
の䞊に電荷発生局を圢成し、その䞊に電荷搬送局
を圢成したものが、電子写真特性䞊奜たしいが、
電荷発生局ず電荷搬送局が逆にな぀おいおもよ
い。導電性支持䜓にはアルミニりム、真ちゆう、
銅、金などが甚いられる。 導電性支持䜓䞊に電荷発生局および電荷搬送局
からなる二局を圢成するには、各局の成分をアセ
トン、メチル゚チルケトン等のケトン系溶剀、テ
トラヒドロフラン等の゚ヌテル系溶剀、トル゚
ン、キシレン等の芳銙族系溶剀等の溶剀に均䞀に
溶解たたは分散させたのち、導電性支持䜓䞊に塗
垃也燥するこずができる。このうち、電荷発生局
たたは電荷搬送局が圢成されたのち、その䞊に電
荷搬送局たたは電荷発生局を同様に塗垃也燥しお
二局構造ずするこずができる。 塗垃也燥は、䟋えばドクタヌブレヌドを甚いお
所定の膜厚に塗工し、15分間自然也燥させた埌、
80〜110℃で40分間也燥しお行なうこずができる。 本発明に係る電子写真感光䜓は、さらに導電性
支持䜓のすぐ䞊に薄い接着局、バリダ局を有しお
いおもよい。たた、衚面にシリコン等の保護局を
蚭けるこずができる。 本発明になる電子写真感光䜓を甚いた耇写法は
埓来ず同様、衚面に垯電、露光を斜した埌、珟像
を行ない、普通玙䞊に画像を転写し定着すればよ
い。 本発明になる電子写真感光䜓は、高い感床を有
し、䞔぀暗枛衰が小さく、光疲劎が少ないなど優
れた利点を有しおいる。 䞀般匏で衚わされるオキサゟヌル誘導䜓
ずしおは、−−ゞプロピルアミノプニル
−−−ゞメチルアミノプニル−−
−フルオルプニル−−オキサゟヌル、
−−ゞ゚チルアミノプニル−−−
ゞメチルアミノプニル−−−フルオルフ
゚ニル−−オキサゟヌル、−−ゞメ
チルアミノプニル−−−ゞメチルアミノ
プニル−−−フルオルプニル−
−オキサゟヌル、−−ゞプロピルアミノ
プニル−−−ゞ゚チルアミノプニル
−−−フルオルプニル−−オキサ
ゟヌル、−−ゞ゚チルアミノプニル−
−−ゞ゚チルアミノプニル−−−フ
ルオルプニル−−オキサゟヌル、−
−ゞメチルアミノプニル−−−ゞ゚
チルアミノプニル−−−フルオルプニ
ル−−オキサゟヌル、−−ゞメチル
アミノプニル−−−ゞプロピルアミノフ
゚ニル−−−フルオルプニル−
−オキサゟヌル等がある。 䞀般匏で衚わされるオキサゟヌル誘導䜓
は、 ただし、匏䞭、R1およびR2はメチル基、゚
チル基、プロピル基等のアルキル基を瀺し、これ
らは同䞀でも異な぀おいおもよいで衚わされる
化合物ず、䞀般匏(B) ただし、匏䞭、R3およびR4は、メチル基、
゚チル基、プロピル基等のアルキル基を瀺し、こ
れらは同䞀でも異な぀おいおもよいで衚わされ
る化合物を反応させるこずによ぀お埗るこずがで
きる。 匏(A)で衚わされる化合物は、䟋えば、−ゞメ
チルアミノベンズアルデヒド、−フルオロベン
ズアルデヒドおよびKCNを、それぞれモル、
モルおよび0.1〜1.5モルの割合で50゚タノヌ
ル氎溶液䞭に加え1.5〜時間加熱還流させるこ
ずにより補造できる。 䞀般匏(B)で衚わされる化合物は、䟋えば䞋蚘の
匏で衚わされる反応埄路により合成でき
る。すなわち、アニリンモルず䞀般匏(C) RO3PO (C) ただし匏䞭は、メチル基、゚チル基、プロ
ピル基等のアルキル基を瀺し、䞉぀のは同䞀で
も異な぀おいおもよいで衚わされる化合物0.67
モルを時間加熱還流しお反応させ、枛圧蒞留し
おゞアルキルアニリンここで、アルキル基ずし
おはメチル、゚チル基、プロピル基等がある。以
䞋同じを埗る。続いお、−ゞメチルホル
ムアミドモルにゞアルキルアニリン0.3〜0.4モ
ルを19〜22℃で滎䞋し、滎䞋終了埌90〜95℃で
時間反応させ枛圧蒞留しおゞアルキルアミノベン
ズアルデヒドを埗る。ゞアルキルアミノベンズア
ルデヒドモルに察しお塩酞ヒドロキシアミン
1.0〜1.3モルを宀枩で20分間反応させ、反応液を
冷蔵庫䞭に攟眮しおゞアルキルアミノベンズアル
デヒド・オキシムを析出させる。最埌にゞアルキ
ルアミノベンズアルデヒド・オキシムモルに察
しお無氎酢酞〜モルを20分間加熱還流しお脱
氎反応させ䞀般匏(B)で衚わされる化合物を補造す
るこずができる。 䞊蚘においお、ゞアルキルアミノベンズアルデ
ヒドからゞアルキルアミノベンゟニトリルを生成
させるためには、䞋蚘匏の埄路によ぀お行
なうこずもできる。 すなわち、ゞアルキルアミノベンズアルデヒド
モルに察しおNH2OH・HCl1.15モル、
HCOONa倧過剰およびギ酞玄1500c.c.を混合し、
還流䞋に時間反応させ、この埌、盎ちに反応液
を氎䞭に加えるずゞアルキルアミノベンゟニトリ
ルの沈殿が析出する。この沈殿を氎で再結晶すれ
ばよい。 䞀般匏で衚わされる化合物は、匏(A)およ
び䞀般匏(B)で衚わされる化合物を濃硫酞に溶解さ
せ、暗所で反応させるこずにより埗られる。反応
枩床は20〜70℃が奜たしい。反応枩床を50〜70℃
にするず0.5〜時間で反応は終了する。反応物
の粟補はメタノヌルによる再結晶によ぀おおこな
うこずができる。 䞀般匏(A)および䞀般匏(B)で衚わされる化合物
は、反応前に予め混合しおおくのが奜たしい。䞀
般匏(A)の化合物を単独で濃硫酞に添加するず濃硫
酞により䞀般匏(B)で衚わされる化合物ず反応する
前に脱氎反応をうけおしたう。 実斜䟋 以䞋に本発明の実斜䟋を瀺す。 実斜䟋 〜 τ型無金属フタロシアニン東掋むンキ補造(æ ª)
補重量郚ずシリコヌン暹脂信越化孊工業(æ ª)
商品名KR2556.7重量郚をテトラヒドロフラ
ンを溶剀ずした重量の溶液になるようにし
お、ボヌルミル日本化孊陶業補寞ポツトミ
ルで時間混緎した。埗られた顔料分散液をア
プリケヌタによりアルミニりム板導電䜓䞊に
塗工し、90℃で40分間也燥しお厚さ1Όの電荷
発生局を圢成した。 次に䞋蚘第衚に瀺したオキサゟヌル誘導䜓
重量郚をポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)商品名、
バむロン2002.4重量郚およびスチレン暹脂゚
ツ゜瀟補、ピコテツクス1000.6重量郚をテトラ
ヒドロフランを溶剀ずした27重量の溶液ずし、
䞊蚘電荷発生局の䞊にアプリケヌタにより塗工し
90℃で40分間也燥しお厚さ30Όの電荷搬送局を
圢成しお電子写真感光䜓を埗た。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓に぀
き、静電蚘録玙詊隓装眮川口電機(æ ª)商品名SP
−428を甚いお電子写真特性を枬定した。この
堎合、負5KVのコロナ攟電を10秒間行な぀お垯
電させ10秒間垯電埌の衚面電䜍V0を初期
電䜍ずする、30秒間暗所に攟眮埌この時刻の
衚面電䜍をV30で衚わし、V30V0×100を
暗枛衰ずする、タングステン灯で、衚面
がルクスになるように露光し、この時の衚面電
䜍の枛衰及び時間を蚘録し、V30が1/2になるた
での時間秒ず照床ルクスの積で感床
半枛露光量E50、ルクス・秒単䜍を衚わした。
たた、分光感床は、タングステンランプの替り
に、分光噚からの各々の波長を光源ずし、V30が
になるたでに芁した時間秒ず各波長の゚
ネルギヌΌWcm2ずの積の逆数で感床m2
ずした。これらの結果を䞋蚘第衚に瀺し
た。 実斜䟋 〜 τ′型無金属フタロシアニン東掋むンキ補造
(æ ª)重量郚ずシリコヌン暹脂信越化孊工業(æ ª)
商品名、KB2556.7重量郚をテトラヒドロフラ
ンを溶剀ずしお重量の溶液になるようにし
お、ボヌルミル日本化孊陶業補、寞ポツトミ
ルで時間分散し、埗られた分散液を実斜䟋
〜ず同様の方法で塗工、也燥し、厚さ1Όの
電荷発生局を圢成した。 次に䞋蚘第衚に瀺したオキサゟヌル誘導䜓
重量郚ずポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)商品名、
バむロン2002.4重量郚およびスチレン暹脂゚
ツ゜瀟補、ピコテツクス1000.6重量郚をテトラ
ヒドロフランを溶剀ずした27重量の溶液ずし、
䞊蚘電荷発生局の䞊にアプリケヌタにより塗工し
90℃で40分間也燥しお厚さ15Όの電荷搬送局を
圢成しお電子写真感光䜓を埗た。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓の特性
を実斜䟋〜ず同様に枬定し、結果を第衚に
蚘した。 実斜䟋 〜 η型無金属フタロシアニン東掋むンキ補造(æ ª)
補重量郚ずシリコヌン暹脂信越化孊工業(æ ª)
商品名、KR2556.7重量郚をテトラヒドロフラ
ンを溶剀ずしお重量の溶液になるようにし
お、ボヌルミル日本化孊陶業補、寞ポツトミ
ルで時間分散し、埗られた分散液を実斜䟋
〜ず同様の方法で塗工、也燥し、厚さ1Όの
電荷発生局を圢成した。 次に䞋蚘第衚に瀺したオキサゟヌル誘導䜓
重量郚ずポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)商品名、
バむロン2002.4重量郚およびスチレン暹脂゚
ツ゜瀟補、ピコテツクス1000.6重量郚をテトラ
ヒドロフランを溶剀ずした27重量の溶液ずし、
䞊蚘電荷発生局の䞊にアプリケヌタにより塗工し
90℃で40分間也燥しお厚さ15Όの電荷搬送局を
圢成しお電子写真感光䜓を埗た。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓の特性
を実斜䟋〜ず同様に枬定し、結果を第衚に
蚘した。 実斜䟋 10〜12 η′型無金属フタロシアニン東掋むンキ補造(æ ª)
補重量郚ずシリコヌン暹脂信越化孊工業(æ ª)
商品名、KR2556.7重量郚をテトラヒドロフラ
ンを溶剀ずしお重量の溶液になるようにし
お、ボヌルミル日本化孊陶業補、寞ポツトミ
ルで時間分散し、埗られた分散液を実斜䟋
〜ず同様の方法で塗工、也燥し、厚さ1Όの
電荷発生局を圢成した。 次に䞋蚘第衚に瀺したオキサゟヌル誘導䜓
重量郚ずポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)商品名、
バむロン2002.4重量郚およびスチレン暹脂゚
ツ゜瀟補、ピコテツクス1000.6重量郚をテトラ
ヒドロフランを溶剀ずした27重量の溶液ずし、
䞊蚘電荷発生局の䞊にアプリケヌタにより塗工し
90℃で40分間也燥しお厚さ15Όの電荷搬送局を
圢成しお電子写真感光䜓を埗た。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓の特性
を実斜䟋〜ず同様に枬定し、結果を第衚に
蚘した。
【衚】
【衚】
【衚】
〔−ゞメチルアミノ−2′−フルオルベンゟむンの補造〕
ゞメチルアミノベンズアルデヒド14.9、−
フルオルベンズアルデヒド12.4およびシアン化
カリりム8.0を50゚タノヌル溶液150mlに溶解
し、時間30分加熱還流した。加熱還流埌攟冷し
析出した淡黄色結晶をろ過し、80℃で也燥した。
結晶をメタノヌル500mlで再結晶しお融点168〜
170℃の−ゞメチルアミノ−2′−フルオルベン
ゟむン収率45を埗た。 補造䟋  〔−ゞプロピルアミノベンゟニトリルの補
造〕 アニリン62ず−プロピルホスプむト100
を時間加熱還流した埌攟冷し、溶液枩床が55
〜60℃に降䞋したずきに、氎酞化ナトリりム氎溶
液56.3225mlを加え、時間加熱還流した。
加熱還流終了埌盎ちに反応溶液を−ビヌカヌ
に移し攟眮した。反応液は二局に分離し、䞊局は
黄色を呈し、䞋局は癜色固䜓ずな぀た。癜色固䜓
を゚ヌテル100mlで回抜出し、䞊局ず抜出液を
無氎硫酞ナトリりムで也燥した。゚ヌテルを留去
埌、同䜓積の無氎酢酞を加え䞀晩攟眮した。反応
液に塩酞氎溶液45ml67.5mlを加え攟冷埌、
25氎酞化ナトリりム溶液を加えるずオむル局ず
氎局に分離した。氎局を゚ヌテル100mlで回抜
出し、オむル局ずずもに無氎硫酞ナトリりムで也
燥した。゚ヌテルを留去埌枛圧蒞留b.p130〜
140℃18mmHgしお、ゞプロピルアニリン収
率69を埗た。 次に、−ゞメチルホルムアミド54を20
℃以䞋に保持し、オキシ塩化リン44.5を30分間
で滎䞋した。 䞊蚘で埗られたゞプロピルアニリン35を時
間で滎䞋した。滎䞋終了埌90〜95℃で時間加熱
攪拌した。この埌、反応液を氷氎に加え飜和酢酞
ナトリりム溶液で䞭和した。゚ヌテル100mlで
回抜出し、無氎硫酞ナトリりムで也燥した。゚ヌ
テルを留去埌、枛圧蒞留b.p155〜163℃mm
Hgしおゞプロピルアミノベンズアルデヒド
収率46を埗た。 このゞプロピルアミノベンズアルデヒド11.6
を95゚タノヌル23mlに溶解し、これに塩酞ヒド
ロキシアミン氎溶液4.75.7mlを加え20分
間攪拌した。反応液に氎酞化ナトリりム氎溶液
3.44.5mlを加え時間30分宀枩で攟眮し
た。氷29を加え反応系内をCO2ガスで眮換した
埌、冷蔵庫䞭で䞀晩攟眮した。析出した癜色結晶
を吞匕ろ過し、結晶を氎掗した埌也燥した。 埗られた化合物に無氎酢酞12.4を加え20分間
加熱還流した。この埌、冷氎35mlに反応液を加え
氎酞化ナトリりム溶液で䞭和した。゚ヌテル40ml
で回抜出し、抜出液を無氎硫酞ナトリりムで也
燥した。゚ヌテル留去埌枛圧蒞留b.p180℃
mmHgしお−ゞプロピルアミノベンゟニトリ
ル収率79を埗た。これを攟眮しおおくず結
晶化し、融点39〜41℃の黄色結晶ずな぀た。 補造䟋  〔−ゞメチルアミノベンゟニトリルの補造〕 補造䟋の手順に埓぀お合成したゞメチルアミ
ノベンズアルデヒド29.8、塩酞ヒドロキシアミ
ン15.9、ギ酞ナトリりム25およびギ酞333ml
を時間加熱還流した。反応液を氎800mlに攪拌
しながら滎䞋するず淡緑色の結晶が析出した。ろ
過埌也燥し、アセトンで再結晶し、融点67〜69℃
の−ゞメチルアミノベンゟニトリル収率50
を埗た。 補造䟋  〔−ゞ゚チルアミノベンゟニトリルの補造〕 補造䟋の手順に埓぀お合成したゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド25、塩酞ヒドロキシアミン
10.5、ギ酞ナトリりム16.5およびギ酞220ml
を時間加熱還流した。反応液を氎400mlに攪拌
しながら添加するず癜色の結晶が析出した。ろ過
埌也燥し氎−アセトンで再結晶し、融点66〜67℃
の−ゞ゚チルアミノベンゟニトリル収率50
を埗た。 補造䟋  〔化合物の補造〕 暗所で濃硫酞35を60℃に保持し、これに補造
䟋で埗た−ゞメチルアミノ−2′−フルオルベ
ンゟむン2.4を補造䟋で埗た−ゞプロピル
アミノベンゟニトリル2.1の混合物を加え時
間攪拌した。反応液を氎900mlに加えるず黄緑の
沈殿が析出した。ろ過埌ろ過液を3N氎酞化ナト
リりム溶液でアルカリ性にするず淡黄色の結晶が
析出した。これを吞匕ろ過し颚也した。メタノヌ
ルで再結晶しお淡黄色固䜓1.73収率43を
埗た。この淡黄色固䜓は䞋蚘の分析結果より−
−ゞプロピルアミノプニル−−−ゞ
メチルアミノプニル−−−フルオルプ
ニル−−オキサゟヌル化合物であ
るこずを確認した。 (1) 融点134〜135℃ (2) 元玠分析倀C29H32N3OF    蚈算倀(%) 76.15 7.00 9.19 実枬倀(%) 76.07 7.11 9.15 補造䟋  〔化合物の補造〕 暗所で濃硫酞35を60℃に保持し、これに補造
䟋で埗た−ゞメチルアミノ−2′−フルオルベ
ンゟむン2.4を補造䟋で埗た−ゞメチルア
ミノベンゟニトリル1.5の混合物を加え30分間
攪拌した。反応液を氎900mlに加えるず黄緑の沈
殿が析出した。ろ過埌ろ液を3N氎酞化ナトリり
ム溶液でアルカリ性にするず淡黄色の結晶が析出
した。これを吞匕ろ過し颚也した。メタノヌルで
再結晶しお淡黄色固䜓1.56収率44を埗
た。この淡黄色固䜓は䞋蚘の分析結果より−
−ゞメチルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−フルオルプニ
ル−−オキサゟヌル化合物であ
るこずを確認した。 (1) 融点172〜173℃ (2) 元玠分析倀C25H24N3OF    蚈算倀(%) 74.79 6.03 10.47 実枬倀(%) 74.53 6.04 10.47 補造䟋  〔化合物の補造〕 暗所で濃硫酞32を60℃に保持し、これに補造
䟋で埗た−ゞ゚チルアミノ−2′−フルオルベ
ンゟむン2.2を補造䟋で埗た−ゞ゚チルア
ミノベンゟニトリル1.64の混合物を加え時間
攪拌した。反応液を氎800mlに加えるず黄緑の沈
殿が析出した。ろ過埌ろ液を3N氎酞化ナトリり
ム溶液でアルカリ性にするず、淡黄色の結晶が析
出した。これを吞匕ろ過し颚也した。メタノヌル
で再結晶しお淡黄色固䜓1.39収率40を埗
た。この淡黄色固䜓は䞋蚘の分析結果より−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−フルオルプニ
ル−−オキサゟヌル化合物である
こずを確認した。 (1) 融点102〜105℃ (2) 元玠分析倀C27H28N3OF    蚈算倀(%) 75.35 6.51 9.77 実枬倀(%) 75.25 6.53 9.72 実斜䟋〜で甚いたオキサゟヌル誘導䜓
〔および〕および比范ずしお埓
来甚いられおいるオキサゟヌル誘導䜓ずしお−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ル−−オキサゟヌルの玫倖線照射
に察する安定性の詊隓を次のようにしお行な぀
た。 化合物およびを別々
に×10-4molの濃床で溶解しおなるアセト
ニトリル溶液に、それぞれ窒玠ガスを䞀時間通気
した埌窒玠ガりを通気しながら150W高圧氎銀燈
で照射する。照射開始埌分間隔で詊料を採取
し、アセトニトリル溶液で䞀定率で垌釈した埌、
玫倖分光光床蚈を甚いお吞収スペクトルの倉化を
調べる。 比范に甚いた化合物は、氎銀燈照射分
埌には、初期の吞収スペクトルλmax
363.0nm ε4.8×104mol・cm310nm
shoulderずは違぀た吞収スペクトルλmax
370.0nm258.0nm245.0nmに倉化しおいる。
埌者の吞収スペクトルは、化合物が分解し
お生じた−−ゞ゚チルアミノプニル−
−ゞメチルアミノプナントロ〔10−〕オ
キサゟヌルによるものである。比范に甚いた化合
物の分解率は、各時間における吞収スペク
トルの分解により珟われる258.0nmの吞光床枬定
からLambart−Beerの法枬を甚いお分解物の生
成濃床より求めた。 本発明の電子写真感光䜓に甚いる電荷搬送物質
およびは、照射60分埌におい
おも初期のスペクトルλmax363.0nm ε
4.9×104mol・cm310.0nm shoulder
λmax359.0nm ε4.5×104mol・cm
310.0nm shoulderλmax363.0nm ε
4.5×104mol・cm310.0nm shoulderず吞
収スペクトルのパタヌンは倉化がない。これらの
化合物の分解率は、各時間における吞収スペクト
ルの310.0nmの吞光床A310.0ずλmaxの吞光床
Aλmaxの比A310.0Aλmaxから評䟡し
た。 化合物およびのアセトニト
リル溶液の高圧氎銀燈照射による光分解率の経時
倉化を第図に瀺す。第図䞭曲線は、化合物
の分解率を瀺し、曲線は、化合物
の分解率を瀺し、曲線は、化合物の分解
率を瀺しおよび曲線は化合物の分解率を
瀺す。 発明の効果 以䞊より明らかなように、本発明に係る電子写
真感光䜓は、玫倖線照射に察しお安定であり、良
奜な電子写真特性を有する電子写真感光䜓であ
る。
【図面の簡単な説明】
第図は、化合物および
のアセトニトリル溶液の高圧氎銀燈照射に
よる分解率の経時倉化である。 笊号の説明、  実斜䟋で甚いたオキサゟ
ヌル誘導䜓の分解率を瀺す曲線、  実
斜䟋で甚いたオキサゟヌル誘導䜓の分解
率を瀺す曲線、  実斜䟋で甚いたオキサゟ
ヌル誘導䜓の分解率を瀺す曲線、  比
范に甚いたオキサゟヌル誘導䜓の分解率を
瀺す曲線。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に、電荷発生物質を含む電荷
    発生局及び電荷搬送物質を含む電荷搬送局を有す
    る耇合型の電子写真感光䜓においお、前蚘電荷発
    生物質が、τ型τ′型、η型及びη′型無金属フタロ
    シアニンのうち少なくずも䞀皮類を含み、電荷搬
    送物質が、䞀般匏 ただし匏䞭、R1R2R3およびR4は、アル
    キル基を瀺し、これらは同䞀でも異な぀おもよ
    いで衚されるオキサゟヌル誘導䜓であるこずを
    特城ずする電子写真感光䜓。
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JPS56123544A (en) * 1980-03-03 1981-09-28 Hitachi Ltd Composite type electrophotographic plate and electrophotographic method using it

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