JPH04362653A

JPH04362653A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH04362653A
Application number: JP13890991A
Authority: JP
Inventors: Seiji Tai; 誠司田井; Mitsuo Katayose; 光雄片寄; Yoshii Morishita; 芳伊森下
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1991-06-11
Filing date: 1991-06-11
Publication date: 1992-12-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー発振領
域である７００〜８００ｎｍ前後の長波長光に対して高
感度を有する電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板上に５０μｍ程度のセレン（Ｓｅ
）膜を真空蒸着法により形成したものがある。しかし、
このＳｅ感光体は、波長５００ｎｍ付近までしか感度を
有していない等の問題がある。また、導電性基板の上に
５０μｍ程度のセレン層を形成し、この上に更に数μｍ
のセレン−テルル（Ｓｅ　−Ｔｅ）合金層を形成した感
光体があるが、この感光体は、上記Ｓｅ　−Ｔｅ　合金
のＴｅの含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸び
る反面、Ｔｅ　の添加量が増加するにつれて表面電荷の
保持特性（与えられた表面電荷を暗所で保持する能力）
が不良となり、事実上、感光体として使用できなくなる
という重大な問題がある。

【０００３】また、アルミニウム基板の上に１μｍ程度
のクロロシアンブルー又はスクワリリウム酸誘導体をコ
ーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵抗
の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体と
ポリカーボネート樹脂との混合物を１０〜２０μｍコー
ティングして電荷輸送層を形成したいわゆる複合二層型
の感光体もあるが、この感光体は７００ｎｍ以上の光に
対して感度を有していないのが実状である。

【０００４】さらに、この複合二層型の感光体において
、上記欠点を改善した、即ち、半導体レーザー発振領域
７８０ｎｍ前後に感度を有する感光体もあるが、これら
のうち多くのものが真空蒸着法によって周期律表のＩＩ
Ｉ　族又はＩＶ族の金属を中心金属に持つ金属フタロシ
アニンの膜厚１μｍ程度の薄膜を形成した後、シフト化
剤溶液中に浸漬するか又はその蒸気に接触させることに
よって本来６５０ｎｍ前後である吸収帯を７８０ｎｍ前
後にシフトさせ、長波長感度を実現させている。

【０００５】この膜の上に絶縁抵抗の高いポリビニルカ
ルバゾール又はピラゾリン誘導体若しくはヒドラゾン誘
導体とポリカーボネート樹脂若しくはポリエステル樹脂
との混合物を１０〜２０μｍコーティングして電荷輸送
層を形成して複合二層型の感光体を形成している。

【０００６】しかしながら、この場合、電荷発生層とし
て用いられている周期律表のＩＩＩ　族又はＩＶ族の金
属を中心金属に持つ金属フタロシアニン薄膜は、本質的
に半導体レーザー発振領域７８０ｎｍ前後に吸収がなく
、シフト化剤で処理しない限り、この薄膜を用いて形成
した感光体は、７８０ｎｍ前後の光に対して感度を有し
ないか又は低感度であるという重大な問題がある（特開
昭５８−１５８６４９号公報参照）。

【０００７】レーザー光を光源とし、電子写真感光体を
用いたレーザービームプリンタ等では、近年、半導体レ
ーザーを光源に用いることが種々試みられており、この
場合、該光源の波長は７８０ｎｍ前後であることから、
７８０ｎｍ前後の長波長光に対して高感度な特性を有す
る電子写真感光体が強く要求されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
、７８０ｎｍ前後の長波長の光に対して高い感度を有す
る電子写真感光体を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に有機光導電性物質を含有する光導電層を有する電子
写真感光体において、前記有機光導電性物質として、一
般式（Ｉ）

【化４】〔式中、Ｍは、Ｓｉ　、Ａｌ　、Ｇａ　、Ｉｎ　、Ｇｅ
　又はＳｎ　を表し、環Ａ１　〜Ａ８　はそれぞれ独立
にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、

【化５】

【化６】を表し、置換基Ｘはそれぞれ独立にハロゲン原子、−Ｒ
１　、−ＯＲ２　、−ＳＲ３、−Ｓｉ　Ｒ４　Ｒ５　Ｒ
６　、−ＳＯ２　ＮＲ７　Ｒ８　、−ＳＯ２　Ｒ９　、
−ＣＯＲ１０、−ＣＯＯＲ１１、−ＣＯＮＨＲ１２、−
ＮＲ１３Ｒ１４、−Ｒ１５−ＯＲ１６、−ＮＯ２　、−
ＳＯ３　Ｈ、−ＣＮ及び−ＮＨＣＯＲ１７から成る群か
ら選択され、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
れぞれ独立に０〜８の整数を表し、置換基Ｘの個数を表
し、Ｙ１　及びＹ２　は存在しても、存在しなくてもよ
く、それぞれ独立にハロゲン原子、ヒドロキシル基、−
Ｒ１８、−ＯＲ１９又は−ＯＳｉ　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２
を表し、Ｒ１　〜Ｒ２２は水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基又は
珪素含有基を表す〕で示される化合物を含有してなる電
子写真感光体に関する。

【００１０】前記一般式（Ｉ）において、Ｙ１　及びＹ
２　の具体例としては、アリールオキシ基としてはフェ
ノキシ基、トリルオキシ基、アニシルオキシ基等があり
、アルコキシ基としてはアミロキシ基、ヘキシロキシ基
、オクチロキシ基、デシロキシ基、ドデシロキシ基、テ
トラデシロキシ基、ヘキサデシロキシ基、オクタデシロ
キシ基、エイコシロキシ基、ドコシロキシ基等があり、
トリアルキルシロキシ基としてはトリメチルシロキシ基
、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、ト
リブチルシロキシ基、トリヘキシルシロキシ基、トリベ
ンジルシロキシ基、トリシクロヘキシルシロキシ基、ジ
メチルｔ−ブチルシロキシ基、ジメチルオクチルシロキ
シ基、ジメチルオクタデシルシロキシ基、ジメチルシク
ロヘキシルシロキシ基、ジメチルシクロペンチルシロキ
シ基、ジエチルシクロヘキシルシロキシ基、ジエチルシ
クロペンチルシロキシ基、ジプロピルシクロヘキシルシ
ロキシ基、ジプロピルシクロペンチルシロキシ基、ジブ
チルシクロヘキシルシロキシ基、ジブチルシクロペンチ
ルシロキシ基、ジシクロヘキシルメチルシロキシ基、ジ
シクロヘキシルエチルシロキシ基、ジシクロヘキシルプ
ロピルシロキシ基、ジシクロヘキシルブチルシロキシ基
、ジシクロペンチルメチルシロキシ基、ジシクロペンチ
ルエチルシロキシ基、ジシクロペンチルプロピルシロキ
シ基、ジシクロペンチルブチルシロキシ基、ジメチルフ
ェニルシロキシ基、ジメチルメトキシシロキシ基、ジメ
チルオクトキシシロキシ基、ジメチルフェノキシシロキ
シ基、

【化７】等があり、トリアリールシロキシ基としてはトリフェニ
ルシロキシ基、トリアニシルシロキシ基、トリトリルシ
ロキシ基等があり、トリアルコキシシロキシ基としては
トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、ト
リプロポキシシロキシ基、トリブトキシシロキシ基等が
あり、トリアリールオキシシロキシ基としてはトリフェ
ノキシシロキシ基、トリアニシロキシシロキシ基、トリ
トリルオキシシロキシ基等がある。

【００１１】前記一般式（Ｉ）中のＡ１　〜Ａ８　で表
される芳香環に結合した有機置換基ＸにおけるＲ１　〜
Ｒ１７並びにＹ１　及びＹ２　の定義においてＲ１８〜
Ｒ２２で示されるアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ　−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ア
ミル基、ｔ−アミル基、２−アミル基、３−アミル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシ
ル基、オクタデシル基、エイコシル基、ドコシル基等が
あり、シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、２−
メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロペンチル基
、４−メチルシクロヘキシル基、

【化８】１，１−ジシクロヘキシルメチル基、１，１−ジシクロ
ペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロプ
ロピルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基、２−シ
クロペンチルエチル基、２−シクロヘキシルプロピル基
、３−シクロヘキシルプロピル基等がある。

【００１２】また、Ｒ１　〜Ｒ２２で示されるアリール
基としては、例えば、フェニル基、トリル基、アニシル
基、ハロフェニル基、ナフチル基等があり、ハロゲン化
アルキル基としては、例えば、−ＣＦ３　、−Ｃ２　Ｆ
５　、−Ｃ３　Ｆ７　、−ｎ−Ｃ４　Ｆ９　、−ｔ−Ｃ
４　Ｆ９　、−Ｃ５　Ｆ１１、−Ｃ６　Ｆ１３、−Ｃ７
　Ｆ１５等がある。

【００１３】前記一般式（Ｉ）においてＡ１　〜Ａ８　
で表される芳香環は、吸収の波長を調整する役割を果た
す。

【００１４】前記一般式（Ｉ）において、Ｙ１　及びＹ
２　並びに置換基Ｘ中のアルキル基の長さは、一般式（
Ｉ）で表される化合物を有機溶媒に溶解するときの溶解
度だけでなく、この化合物の融点に大きな影響を及ぼす
。

【００１５】一方、Ａ１　〜Ａ８　で表される芳香環に
結合した有機置換基Ｘ中のアルキル鎖長は、前述のＹ１
　及びＹ２　のアルキル鎖長を変化させたときのこの化
合物の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節する機能
を有する。

【００１６】本発明に用いる一般式（Ｉ）で示される化
合物は、特定の方法に限らず、様々な方法で製造するこ
とができ、例えば、公知の方法で合成された一般式（Ｉ
Ｉ）

【化９】〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ及びｎは前記のものを表し、Ｚ１　及びＺ２　
は存在しても、存在しなくてもよく、それぞれ独立にハ
ロゲン原子又はＯＨ基を示す〕で表される化合物同士を
縮合させることにより一般式（ＩＩＩ）

【化１０】〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ、ｎ、Ｚ１　及びＺ２　は前記のものを表す〕
で示される化合物を得ることができる。

【００１７】一般式（Ｉ）中のＹ１　及び／又はＹ２　
が−Ｒ１８、−ＯＲ１９又はＯＳｉ　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２
２である化合物は、前記の一般式（ＩＩＩ）の化合物を
従来公知の方法により一般式（ＩＶ）　　　　　　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２ＳｉＣｌ　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　（ＩＶ）〔式中、Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は前記のものを表す
〕で示されるクロロシラン、一般式（Ｖ）Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２ＳｉＯＨ〔式中、Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は前記のものを表す
〕で示されるシラノール又は一般式（ＶＩ）　　　　　　Ｒ１９ＯＨ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　（ＶＩ）〔式中、Ｒ１９は前記のものを表す〕で示されるアルコ
ールと反応させることにより得ることができる。

【００１８】また、一般式（Ｉ）の化合物は、他の方法
として、従来公知の方法により合成された一般式（ＶＩ
Ｉ）

【化１１】〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ、ｎ、Ｙ１　及びＹ２　は前記のものを表す〕
で示される化合物同士を縮合させることによって製造す
ることができる。

【００１９】前記の一般式（ＩＩＩ）で示される化合物
は、上記縮合による方法の他に、公知の方法により合成
可能な一般式（ＶＩＩＩ）

【化１２】〔式中、Ａ１　、Ｘ及びｇは前記のものを表す〕で示さ
れる化合物と一般式（ＩＸ）ＺｐＭ−Ｏ−ＭＺｐ　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　（ＩＸ）〔式中、Ｚはハロゲン原子
を表し、ＭがＳｉ　、Ｇｅ　又はＳｎ　を表す場合、ｐ
は３であり、ＭがＡｌ　、Ｇａ　又はＩｎ　を表す場合
には、ｐは２である〕で示される化合物と反応させるこ
とにより合成することができる。

【００２０】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
表１〜表８に示すようなものが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００２１】なお、表１〜表８中のＡ１　〜Ａ８　の欄
中に記載された数字は、芳香環の種類を表し、それぞれ
下記の芳香環を表す。

【化１３】

【００２２】

【表１】

【００２３】

【表２】

【００２４】

【表３】

【００２５】

【表４】

【００２６】

【表５】

【００２７】

【表６】

【００２８】

【表７】

【００２９】

【表８】

【００３０】前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、光
の照射により電荷を発生する。

【００３１】本発明に係る電子写真感光体は、導電性支
持体の上に光導電層を設けたものである。本発明におい
て、導電性支持体としては、導電処理した紙又はプラス
チックフィルム、アルミニウム箔等の金属箔を積層した
プラスチックフィルム、アルミニウム金属板、アルミニ
ウムドラム等の導電体が挙げられる。

【００３２】本発明において、光導電層とは、有機光導
電性物質を含む層であり、有機光導電性物質の皮膜、有
機光導電性物質と結合剤を含む皮膜、電荷発生層及び電
荷輸送層からなる複合型皮膜などがある。

【００３３】上記有機光導電性物質としては、前記一般
式（Ｉ）で示される化合物が必須成分として用いられ、
さらに公知のものを併用することができる。また、有機
光導電性物質として、前記一般式（Ｉ）で示される化合
物又は該化合物及び電荷を発生する有機顔料と電荷輸送
性物質とを併用するのが好ましい。なお、上記電荷発生
層には、前記一般式（Ｉ）で示される化合物又はこれと
電荷を発生する有機顔料が含まれ、電荷輸送層には電荷
輸送性物質が含まれる。

【００３４】前記電荷を発生する有機顔料としては、ア
ゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズ
イミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、ベリレン系、メチン系、α型、β型、γ型
、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する無金属タ
イプ又は金属タイプのフタロシアニン系、ナフタロシア
ニン系、テトラアザポルフィリン系などの電荷を発生す
ることが知られている顔料を使用することができる。これらの顔料を電荷発生物質として使用できることは、
例えば、特開昭４７−３７５４３号公報、特開昭４７−
３７５４４号公報、特開昭４７−１８５４３号公報、特
開昭４７−１８５４４号公報、特開昭４８−４３９４２
号公報、特開昭４８−７０５３８号公報、特開昭４９−
１２３１号公報、特開昭４９−１０５５３６号公報、特
開昭５０−７５２１４号公報、特開昭５３−４４０２８
号公報、特開昭５４−１７７３２号公報などに開示され
ている。

【００３５】また、特開昭５８−１８３６４０号公報及
びヨーロッパ特許公開第９２２５５号公報などに開示さ
れているτ，τ，η及びη’型無金属フタロシアニンも
使用可能である。このようなもののほか、光照射により
電荷担体を発生する有機顔料は、いずれも使用可能であ
る。

【００３６】前記電荷輸送性物質としては、高分子化合
物ではポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフェ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリビニルピラゾリン等があり、低分子化合物ではフル
オレノン、フルオレン、２，７−ジニトロ−７−フルオ
レノン、４Ｈ−インデノ−（１，２，６）チオフェン−
４−オン、３，７−ジニトロ−ジベンゾチオフェン−５
−オキシド、１−ブロムピレン、２−フェニルピレン、
カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール、３−フェニル
カルバゾール、３−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラ
ゾン）メチル−９−エチルカルバゾール、２−フェニル
インドール、２−フェニルナフタレン、オキサジアゾー
ル、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（４
−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−
ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−ピラゾリン、ｐ−（ジメチルアミノ）−ス
チルベン、２−（４−ジプロピルアミノフェニル）−４
−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロ
フェニル）−１，３−オキサゾール、２−（４−ジメチ
ルアミノフェニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニ
ル）−５−（２−フルオロフェニル）−１，３−オキサ
ゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−４−（
４−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−フルオロフ
ェニル）−１，３−オキサゾール、２−（４−ジプロピ
ルアミノフェニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニ
ル）−５−（２−フルオロフェニル）−１，３−オキサ
ゾール、イミダゾール、クリセン、テトラフェン、アク
リデン、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−
ビフェニル〕−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’−テトラ（４−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフ
ェニル〕−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラ（４−メチルフェニル）−３，３’−ジメチルベ
ンジジン、これらの誘導体などがある。

【００３７】前記一般式（Ｉ）で示される化合物又は該
化合物及び電荷を発生する有機顔料と電荷輸送性物質と
を混合して使用する場合は、後者／前者を重量比で１０
／１〜２／１の割合で配合するのが好ましい。このとき
、電荷輸送性物質が高分子化合物のものであれば、結合
剤を使用しなくてもよいが、この場合でも又は電荷輸送
性物質が低分子化合物の場合でも、結合剤を、前記一般
式（Ｉ）で示される化合物又は該化合物及び電荷を発生
する有機顔料に対して５００重量％以下で使用するのが
好ましい。また、電荷輸送性物質として低分子化合物を
使用する場合は、結合剤を３０重量％以上使用するのが
好ましい。また、電荷輸送性物質を用いない場合でも同
様の量で結合剤を使用してもよい。これらの結合剤を使
用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピンホー
ル抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することができ
る。

【００３８】電荷発生層及び電荷輸送層を含有してなる
複合型の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、
前記一般式（Ｉ）で示される化合物又はこれと電荷を発
生する有機顔料が含有させられ、結合剤を該有機顔料に
対して５００重量％以下で含有させてもよく、また、前
記した添加剤を前記一般式（Ｉ）で示される化合物又は
これと電荷を発生する有機顔料の総量に対して５重量％
以下で添加してもよい。また、電荷輸送層には、前記し
た電荷輸送性物質が含有され、結合剤を該電荷輸送性物
質に対して５００重量％以下で含有させてもよい。電荷
輸送性物質が低分子量化合物の場合には、結合剤を該化
合物に対して５０重量％以上含有させるのが好ましい。電荷輸送層には、前記した添加剤を電荷輸送性物質に対
して５重量％以下で含有させてもよい。

【００３９】前記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン−
ブタジエン共重合体、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポ
リ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアクリルアミド樹脂、
ポリビニルカルバゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリ
ビニルピレン等が挙げられる。また、熱及び／又は光に
よって架橋される熱硬化型樹脂及び光硬化型樹脂も使用
できる。

【００４０】いずれにしても、絶縁性で通常の状態で皮
膜を形成しうる樹脂、並びに熱及び／又は光によって硬
化し、皮膜を形成する樹脂であれば、特に制限はない。可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフ
タリン、ジブチルフタレート等が挙げられる。流動性付
与剤としては、モダフロー（モンサントケミカル社製）
、アクロナール４Ｆ（バスフ社製）等が挙げられ、ピン
ホール抑制剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレー
ト等が挙げられる。これらは適宜選択して使用され、そ
の量も適宜決定されればよい。

【００４１】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
の上に光導電層を形成したものである。光導電層の厚さ
は、５〜５０μｍが好ましい。光導電層とし電荷発生層
及び電荷輸送層の複合型を使用する場合、電荷発生層は
好ましくは０．００１〜１０μｍ、特に好ましくは０．
２〜５μｍの厚さとする。０．００１μｍ未満では、電
荷発生層を均一に形成するのが困難になり、１０μｍを
越えると、電子写真特性が低下する傾向にある。電荷輸
送層の厚さは、好ましくは５〜５０μｍ、特に好ましく
は８〜３５μｍである。５μｍ未満の厚さでは、初期電
位が低くなり、５０μｍを越えると、感度が低下する傾
向がある。

【００４２】導電性支持体上に、光導電層を形成するに
は、有機光導電性物質を導電層に蒸着する方法、有機光
導電性物質及び必要に応じその他の成分をアセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族
系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化
水素系溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール等
のアルコール系溶剤に均一に溶解又は分散させて導電層
上に塗布し、乾燥する方法などがある。塗布法としては
、アプリケート法、スピンコート法、浸漬法等を採用で
きる。電荷発生層及び電荷輸送層を形成する場合も同様
に行うことができるが、どちらを上層としてもよく、電
荷発生層を二層の電荷輸送層で挟むようにしてもよい。

【００４３】前記一般式（Ｉ）で示される化合物を真空
蒸着する場合、１０−５〜１０−６ｍｍＨｇの高真空下
で該化合物を加熱するのが好ましい。また、スピンコー
ト法により塗布する場合、前記一般式（Ｉ）で示される
化合物をクロロホルム、トルエン等のハロゲン化溶剤又
は非極性溶剤に分散して得た塗布液を用いて回転数３０
００〜７０００ｒｐｍ　でスピンコーティングするのが
好ましく、また、浸漬法によって塗布する場合には、前
記一般式（Ｉ）で示される化合物をメタノール、ジメチ
ルホルムアミド等の極性溶剤にボールミル、超音波等を
用いて分散させた溶液導電性支持体を浸漬するのが好ま
しい。

【００４４】本発明に係る電子写真感光体は、さらに、
導電層のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有していて
もよく、表面に保護層を有していてもよい。保護層の形
成は、光導電層の形成における塗布・乾燥方法と同様に
すればよい。

【００４５】本発明の電子写真感光体のうち、前記一般
式（Ｉ）においてＭがＳｉ　又はＧｅである化合物を主
成分とする光導電層を有するものが好ましい。

【００４６】また、前記一般式（Ｉ）においてＹ１　及
びＹ２　がトリアルキルシロキシ基である化合物を主成
分とする光導電層を有する電子写真感光体が好ましい。

【００４７】さらに、前記一般式（Ｉ）においてＡ１　
〜Ａ８　で表される環が

【化１４】で表される芳香環からなる群から選択される環である化
合物を主成分とする光導電層を有する電子写真感光体が
好ましい。

【００４８】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。

【００４９】合成例１：表２の化合物　Ｎｏ．１４の合
成キノリン１００ｍｌにエチルチオ−１，３−ジイミノ
ベンゾイソインドリン５ｇ及び四塩化珪素１０ｍｌを加
え、１８０〜２００℃で３時間加熱攪拌した後、７０℃
まで冷却した。反応液中に水１０ｍｌを徐々に加え、２
００℃で１時間加熱攪拌した後、１８０℃まで放冷した
。反応液中にトリエチルシラノール５ｍｌを加え、１８
０℃で２時間加熱攪拌した後、冷却し、メタノール２０
０ｍｌを加え、析出した固体を濾取した。得られた固体
をエタノールで充分洗浄した後、減圧乾燥して得られた
結晶をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー
を用いて精製することにより濃緑色結晶１．１ｇを得た
。

【００５０】得られた結晶は、下記の元素分析の結果か
ら、化合物　Ｎｏ．１４（但し、置換基Ｘの個数は各々
１個）であることが確認された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　　　　
　　　　　Ｓ　　計算値（％）　　　　６９．６５　　
　　　　６．５２　　　　　　８．３３　　　　　　９
．５４　　分析値（％）　　　　６９．５８　　　　　
　６．３５　　　　　　８．０７　　　　　　９．２９

【００４４】合成例２：表１の化合物　Ｎｏ．３の合成
キノリン１００ｍｌに１，３−ジイミノベンゾイソイン
ドリン５ｇ及び四塩化珪素１０ｍｌを加え、１８０〜２
００℃で３時間加熱攪拌した後、７０℃まで冷却した。反応液中に水１０ｍｌを徐々に加え、２００℃で１時間
加熱攪拌した後、１５０℃まで放冷した。次に、反応液
中にトリ（ｎ−プロピル）クロロシラン５ｍｌを加え、
１５０℃で１時間加熱攪拌した後、冷却した。次に、合
成例１と同様の操作で精製を行い、濃緑色結晶９７０ｍ
ｇを得た。

【００４５】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．３であることが確認された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　　　Ｎ　　計
算値（％）　　　　７６．７０　　　　　　５．５０　
　　　　　　　１０．３７　　分析値（％）　　　　７
６．４４　　　　　　５．４９　　　　　　　　１０．
４６

【００４６】合成例３：表２の化合物　Ｎｏ．１０
の合成尿素２０ｇに２，３−ジシアノピラジン５ｇ、モ
リブデン酸アンモニウム８０ｍｇ及び四塩化珪素１０ｍ
ｌを加え、２３０〜２４０℃で約３時間反応させた。放
冷後、固化した反応混合物にキノリン５０ｍｌ及び水５
ｍｌを加え、約３時間還流し、１５０℃まで放冷した後
、トリ（ｎ−プロピル）クロロシラン５ｍｌを加え、１
５０℃で１時間反応させた。放冷後、合成例１と同様な
精製を行い、濃青色結晶７４０ｍｇを得た。

【００４７】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．１０であることが確認された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　５４．９１　　　　　　２．９３　　　
　　　３１．０５　　分析値（％）　　　　５５．１８
　　　　　　２．８６　　　　　　３０．８４

【００４
８】合成例４：表１の化合物　Ｎｏ．１の合成無水キノ
リン５０ｍｌにジクロロシリコンフタロシアニン４．２
ｇ（６．８７ミリモル）及びジヒドロキシシリコンナフ
タロシアニン５．４ｇ（　６．８７ミリモル）を加え、
３時間還流した。１５０℃まで冷却した後、トリ（ｎ−
プロピル）クロロシラン５ｍｌを加え、１５０℃で１時
間加熱攪拌した。放冷後、メタノール２００ｍｌを加え
、析出した固体を濾取した。合成例１と同様な精製を行
うことにより青緑色結晶　１．２ｇを得た。

【００４９】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．１であることが確認された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　７１．９４　　　　　　４．５６　　　
　　　１３．７０　　分析値（％）　　　　７１．６７
　　　　　　４．４１　　　　　　１３．９５

【００５
０】合成例５：表７の化合物　Ｎｏ．４７の合成無水キ
ノリン５０ｍｌ中にテトラ（トリメチルシリル）ジクロ
ロシリコンナフタロシアニン５．０ｇ（　４．５４ミリ
モル）及びジヒドロキシシリコンピラゾシアニン２．６
４ｇ（　４．５４ミリモル）を加え、３時間還流した。１５０℃まで冷却した後、トリ（ｎ−プロピル）クロロ
シラン５ｍｌを加え、１５０℃で１時間加熱攪拌した。放冷後、メタノール２００ｍｌを加え、析出した固体を
濾取した。合成例１と同様な精製を行うことにより青緑
色結晶　１．１ｇを得た。

【００５１】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．４７（但し、置換基Ｘの個数は各々１個
）であることが確認された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　６３．１２　　　　　　５．５１　　　
　　　１７．３２　　分析値（％）　　　　６３．４１
　　　　　　５．６２　　　　　　１７．１４

【００５
２】実施例１〜２５表２に示した化合物を約３×１０−６ｍｍＨｇの真空下
に抵抗加熱法によってアルミニウム蒸着基板に３０００
Åの厚さに真空蒸着して電荷発生層を形成した。

【００５３】１，１−ビス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン５ｇと
ポリカーボネート樹脂１０ｇを塩化メチレンと１，１，
２−トリクロロエタンの１：１混合溶剤８５ｇに溶解し
て得られた塗布液を用いて、上記基板の電荷発生層上に
浸漬塗工し、１２０℃で３０分間乾燥し、厚さ１５μｍ
の電荷輸送層を形成した。

【００５４】静電気帯電試験装置（川口電機製）を用い
、前記感光体を５ＫＶのコロナ放電で負に帯電させた。その後、ハロゲンランプを外部光源とし、モノクロロメ
ーター（リツー応用光学製）で単色光にして照射するこ
とにより、該感光体の表面電位の光減衰を測定した。

【００５５】その結果得られた近赤外域（７００〜８０
０ｎｍ）の単色光を用いた場合の半減露光量（電位残留
率が１／２になる時間と光強度の積）を表９にまとめて
示す。使用した化合物は、置換基Ｘを有するとき、その
置換基の個数（ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌ，ｍ，及びｎ）
は各々１個である。

【００５６】

【表９】

【００５７】比較例１無金属フタロシアニンを２×１０
−５ｍｍＨｇの真空下でアルミニウム蒸着基板上に真空
蒸着して、実施例１と同様の試料を作成し、同一条件で
表面電位の光減衰を測定したところ、７８０ｎｍの単色
光に対する半減露光量は、３５００ｍＪ／ｍ２であり、
また、７１０ｎｍの単色光に対しては９５０ｍＪ／ｍ２
　を示し、さらに、７５０ｎｍの単色光に対しては１９
５０ｍＪ／ｍ２　を示し、実施例１〜２５における場合
に比べて感度が悪かった。

【００５８】次に、下記の材料を用いて電子写真感光体
（１００ｍｍ×７０ｍｍ）を作製し、電子写真特性を評
価した。（１）電荷発生物質表１０に示した化合物（２）電荷輸送物質ヒドラゾン誘導体：下記構造式を有するｐ−ジメチルア
ミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＨＹＺと
略記する）

【化１５】（３）結合剤シリコーンワニス：ＫＲ−２５５（固形分５０重量％）
〔信越化学工業株式会社製〕ポリカーボネート樹脂：ユ
ーピロンＳ−２０００（固形分１００重量％）〔三菱瓦
斯化学株式会社製〕

【００５９】実施例２６〜４４（ａ）表１０に示す化合物２．５ｇ、シリコーンワニス
５．０ｇ及びメチルエチルケトン９２．５ｇを配合し、
この混合液をボールミル（日本化学陶業製３寸ポットミ
ル）を用いて８時間混練した。得られた顔料分散液をア
プリケータによりアルミニウム板（導電体１００ｍｍ×
７０ｍｍ）上に塗工し、９０℃で１５分間乾燥して厚さ
１μｍの電荷発生層を形成した。

【００６０】（ｂ）次いで、電荷輸送物質としてヒドラ
ゾン化合物（ＨＹＺ）を１０ｇ、結合剤としてユーピロ
ンＳ−２０００を１０ｇ、溶剤として塩化メチレンを４
０ｇ及び１，１，２−トリクロルエタンを４０ｇ配合し
て均一に混合し、電荷輸送層用塗液を作製直後に上記電
荷発生層上に乾燥後の厚さが１５μｍになるように塗布
した後、１２０℃で２時間乾燥し、電荷輸送層を形成し
て電子写真感光体を製造した。

【００６１】比較例２電荷発生物質としてビス−（トリヘキシルシロキシ）−
シリコンナフタロシアニンを用いる以外は、実施例２６
〜４４と全く同様にして電子写真感光体を作製した。

【００６２】比較例３電荷発生物質としてα−型フタロシアニン（ＢＡＳＦ社
製）を用いる以外は、実施例２６〜４４と全く同様にし
て電子写真感光体を作製した。

【００６３】実施例２６〜４４及び比較例２〜３で得ら
れた電子写真感光体の電子写真特性を、前記した静電気
帯電試験装置（川口電機製ＳＰ−４２８）を用いて測定
し、結果を表１０に示す。表１０中、初期電位Ｖ０　は
、感光体をＳＰ−４２８の回転円盤上にセットした後、
１０００回転／分の速度で回転させながら、−５ＫＶの
コロナを１０秒間放電したときの帯電電位を示し、暗減
衰Ｖｋ　はその後暗所において３０秒間放置したときの
電位減衰（Ｖｋ　＝Ｖ３０／Ｖ０　×１００、但しＶ３
０＝３０秒後の電位）を示し、半減露光量Ｅ５０は、そ
の後ハロゲンランプを外部光源とし、モノクロメーター
（リツー応用光学製）で７００〜８００ｎｍの単色光に
した光を照射することにより、Ｖ３０が半分になるまで
の単位面積当りのエネルギー（光強度と時間の積）を示
し、残留電位ＶＲ　は単色光を６０秒間照射した後の電
位を示す。

【００６４】表１０に示す結果から明らかなように、実
施例２６〜４４で得られた電子写真感光体は、Ｖ０　が
いずれも絶対値で１０００Ｖ以上となり、帯電性に優れ
、Ｅ５０はいずれも２５ｍＪ／ｍ２　以下となり、暗減
衰も小さく、残留電位も少なく、優れた特性を示した。一方、比較例２〜３に示したナフタロシアニン化合物及
びフタロシアニン化合物を電荷発生層に用いた場合には
、感度が非常に劣るものであった。

【００６５】

【表１０】

【００６６】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、７００〜８
００ｎｍ前後に大きい吸収を示し、シフト化剤で処理す
ることなく、この長波長域に対して高感度を示す特性を
有するので、特にレーザービームプリンタを用いる場合
に優れた効果を発揮する。また、本発明の電子写真感光
体は、上述のレーザービームプリンタばかりでなく、フ
ァクシミリ又はＬＥＤを光源としたプリンタ、さらには
半導体レーザーを光源とするその他の光記録デバイスに
も好適に適用することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　導電性支持体上に有機光導電性物質を
含有する光導電層を有する電子写真感光体において、前
記有機光導電性物質として、一般式（Ｉ）【化１】〔式中、Ｍは、Ａｌ　、Ｇａ　、Ｉｎ　、Ｓｉ　、Ｇｅ
　又はＳｎ　を表し、環Ａ１　〜Ａ８　はそれぞれ独立
にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、【化２】【化３】を表し、置換基Ｘはそれぞれ独立にハロゲン原子、−Ｒ
１　、−ＯＲ２　、−ＳＲ３、−Ｓｉ　Ｒ４　Ｒ５　Ｒ
６　、−ＳＯ２　ＮＲ７　Ｒ８　、−ＳＯ２　Ｒ９　、
−ＣＯＲ１０、−ＣＯＯＲ１１、−ＣＯＮＨＲ１２、−
ＮＲ１３Ｒ１４、−Ｒ１５−ＯＲ１６、−ＮＯ２　、−
ＳＯ３　Ｈ、−ＣＮ及び−ＮＨＣＯＲ１７から成る群か
ら選択され、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
れぞれ独立に０〜８の整数を表し、置換基Ｘの個数を表
し、Ｙ１　及びＹ２　は存在しても、存在しなくてもよ
く、それぞれ独立にハロゲン原子、ヒドロキシル基、−
Ｒ１８、−ＯＲ１９又は−ＯＳｉ　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２
を表し、Ｒ１　〜Ｒ２２は水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基又は
珪素含有基を表す〕で示される化合物を含有してなる電
子写真感光体。
【請求項２】　　光導電層が、電荷発生層及び電荷輸送
層を含む請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】　　光導電層が、電荷発生物質及び電荷輸
送物質を含む請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項４】　　光導電層が結合剤を含む請求項１、２
又は３記載の電子写真感光体。
【請求項５】　　光導電層が、電荷発生物質及び結合剤
を含む電荷発生層並びに電荷輸送物質及び結合剤を含む
電荷輸送層を含む請求項１記載の電子写真感光体。