JPS60237041A - 3−プロピオニルサリチル酸誘導体の製造法 - Google Patents

3−プロピオニルサリチル酸誘導体の製造法

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JPS60237041A
JPS60237041A JP4108084A JP4108084A JPS60237041A JP S60237041 A JPS60237041 A JP S60237041A JP 4108084 A JP4108084 A JP 4108084A JP 4108084 A JP4108084 A JP 4108084A JP S60237041 A JPS60237041 A JP S60237041A
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JP
Japan
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acid derivative
formula
reaction
acid
salicylic acid
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Application number
JP4108084A
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English (en)
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Hiroshige Inoue
井上 広重
Kenichi Fukushima
健一 福島
Kenji Nishi
西 賢志
Tsunesuke Hirashima
平嶋 恒亮
Ikuzo Nishiguchi
西口 郁三
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OOSAKASHI
Yamamoto Chemical Industrial Co Ltd
Osaka City
Original Assignee
OOSAKASHI
Yamamoto Chemical Industrial Co Ltd
Osaka City
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、3−づ0ピオニルサリチル酸誘導体の製造法
、更に詳しくは一般式 〔式中R1は水素原子又は低級アル+ル基を示す。〕で
表わされる3−づ0ヒオニル・サリチル酸誘導体の製造
法に関する。一般式(m)で表わされる3−づ0ピオニ
ルサリチル酸誘導体は、医薬品とじて有用な塩酸フラボ
中サートを合成するだめの中間体として重要な化合物で
ある。この塩酸フラボ中サートは、冠状動脈拡張作用、
冠血流の増加作用、頻尿防止作用に著しい効力を発揮し
、且つ膀胱容量を増大し、膀胱過敏症状の改善、さらに
は頻尿残尿感自覚症状をなくする等々、重要な諸薬理作
用を有する化合物である。
従 来 技 術 塩酸フラボ中サート及びその原料となる中間体の製造法
に関し、内外の各種製造特許出願があるにもかかわらず
、実用的且つ工業的に有利な製造法は未だ見当らない。
従来3−プロピオニルサリチル酸誘導体の製造法として
は、代表的なものとして米国特許第2921070号明
細書に記載の方法及び特公昭41−7653号公報に記
載の方法が知られている(これ以外は全く実用的価値が
ない)。前者の方法によれば、塩酸フラボ中サートを合
成するために必要な化合物は、上記一般式(m)の3−
づ0ピオニルサリチル酸誘導体であるべきである。然る
に該方法に従えば、殆んどすべての生成物(97〜98
チ)が一般式 〔式中R1は前記に同じ。〕で表わされる5−づ0ピオ
ニルサリチル酸誘導体であり、必要とする一般式(m)
の3−づ0ピオニルサリチル酸誘導体は痕跡程度しか含
まれない。また後者の方法は、出発原料として用いられ
る式 で表わされる3−アリル−2−ヒト0牛シづ0ピオフエ
ノシの製造が困難である上、引き続く反応(下肥に反応
式Aとして示す)においてもアリル成して目的とする3
−プロピオニルサリチル酸の収量は微々たるものに過ぎ
ない。
反応式A 而して今日においても未だこのような古典的方法に従っ
て合成されているので、経済性の少ない高価な3−づ0
ヒオニルサリチル酸となり、従ってこれを原料として製
造される塩酸フラボ中サートの製造価格の高騰は当然と
言わざるを得ない。さらに上記反応式Aにおけるアルデ
ヒドからカルポジ酸への酸化工程はか左りの危険を伴う
オリシによる酸化が最良とされている様である。
以上の如〈従来知られている塩酸フラボ中サートの製造
法は、第一段階の3−づ0ピオニルサリチル酸の製造工
程において既に破綻を来たしている状態にある。
発 明 の 目 的 以上に鑑み、本発明者らは前記米国特許第292107
0号明細書、特公昭41−7953号公報及び最近のこ
れらと類似する大同小異的の諸々の思想と全く異なる観
点に立ち、前記米国特許明細書の如くサリチル酸又はサ
リチル酸エステルに直接フリース転位又はフリーデル−
クラフッ反応を試み−boeオニル基を導入させるので
はなく、上記の反応により最も置換し易いと思われるサ
リチル酸又はサリチル酸エステルの5位に、最終的には
その還元的脱離が容易なハ0ゲシ原子を予め導入し、該
5位を封鎖した化合物を合成し、次いで該化合物をフリ
ース転位反応又はフリーデルクラフト反応させた後、簡
易な還元操作により目的とする3−づDピオニルサリチ
ル酸誘導体(m)が極めて好収率で得られることを見い
出した。
而してこの事実に基づき本発明者らは、既に特願昭57
−171303号及び特願昭57−171304号とし
て出願した。
本発明者らは、上記観点より更に研究を発展させて、下
記反応式におけるX基の有しているべき必須の要件を検
討した。
〔式中R1は前記に同じ。〕 即ち上記反応式におけるX基としては下記(1)〜(1
v)の要件を具備していることが必要である。
(1)Xはサリチル酸又はそのエステルの5位に容易に
導入され易いものであること (1) 塩化づ0ピオニルを用いるフリース転位反応又
はフリーデルクラフト反応において、Xがその反応の進
行を著しく阻害しないこと(iii) xの還元的脱離
が容易であり、しかもその際″′jOピオニル基のカル
ボニル基を還元する等の副反応を起こさぬこと (iv) xを導入するための試薬及び還元的脱離に用
いる試薬の入手が容易であること 本発明者らは、上記研究を続けるうち、下記特定のR2
基が上記の要件を満足し、その結果該R2基が5位に導
入された下記一般式(I)で表わされるサリチル酸から
目的とする3−:501ニオニルサリチル酸誘導体(m
)が工業的に有利に製造され得ることを見い出し、ここ
に本発明を完成するに至った。
発明の構成 即ち、本発明は、一般式 〔式中R1は水素原子又は低級アル+ル基を示す。
R2は−ML、−NPISO2R3(R3はアリール基
)、−8o2R” (R”は水素原子又は低級アルキル
基)、−8R5(R5は水素原子、低級アル+ル基又は
−8−R6(R6:アリール基)基)、−0502R’
 (R7は水素原子又は低級アル+ル基)又は−0P(
OR8)21 (RBは水素原子又は低級アル+ル基)を示す。〕で表
わされるサリチル酸誘導体とハロゲシ化づロヒ才二ルと
をフリーデル−クラフト反応又はフリース転位反応させ
て一般式 〔式中R2′は一4〜HCOC2H5、−4〜H3O2
R3、−5o2R”、−SR5、−0SO2R7又は−
0P(OR8)2を示す。R1、1 R3、R4、R5、R7及びR8は前記に同じ。〕で表
わされる3−づOピオニルサリチル酸誘導体を得、次い
で得られる一般式(n)の3−づ0ヒオニルサリチル酸
誘導体をジアジ分解又は還元して一般式〔式中R1は前
記に同じ。〕で表わされる3−づ0ヒオ二ルサリチル酸
銹導体を得ることを特徴とする3−づ0ヒオ二ルサリチ
ル酸誘導体の製造法に係る。
本発明において出発原料として用いられるサリチル酸誘
導体(I)及びハロゲシ化づロヒオニルは、いずれも入
手容易な公知の化合物である。上記一般式(I)におい
て R5及びR6で示されるアリール基としては、例え
ばフェニル、p−メチルフェニル、4−ヒト0+シー3
−メチルカルボニルフェニル、0−りOOフェニル、p
−り00フエニル、0−ニド0フエニル、p−ニド0フ
エニル等が挙げられる。またR1、RL″、R5、R7
及びR8で示される低級アル士ル基としては、例えばメ
チル、エチル、n−づロヒル、イソづ0ヒル、n−づチ
ル、tert−づチル、n−ペラチル、n−へ+シル、
N、N−ジエチルアミノエチル、モルホリノエチル、ピ
ロリジノエチル、ごペラジノエチル等が挙げられる。ハ
0ゲシ化づ0ヒオニルとしては、例えば塩化づ0ヒ才二
ル、臭化づ0ピオニル等を挙げることができる。サリチ
ル酸誘導体(I)とへ0ゲシ化づOヒオニルとの使用割
合としては、特に限定されず広い範囲内から適宜選択す
ることができるが、通常前者メチルに対して後者を1〜
5tル程度、好ましくは1.2〜3tル程度使用するの
がよい。上記反応は適当な触媒の存在下に行なわれる。
触媒としては従来のフリーデル−クラフト反応に用いら
れる慣用の触媒を広く使用でき、例えば塩化アルミニウ
ム、塩化第二鉄、五塩化アシチtシ、三弗化硼素、塩化
亜鉛、塩化チタυ、弗化硼素、硫酸、リシ酸、無水リシ
酸等を誉げることができる。斯かる触媒の使用量として
はサリチル酸誘導体(I)に対して通常等tル〜4倍t
ル、好ましくは2〜3倍tルとするのがよい。また該反
応は無溶媒下又は適当な溶媒中で行なわれる。用いられ
る溶媒としては二硫化炭素、ニドDベシゼυ、クロロホ
ルム、二塩化エタル、四塩化エタル等を例示できる。該
反応は通常室温〜200℃、好ましくは40〜100℃
にて行なわれ、一般に2〜lO時間程度で反応は終了す
る。斯くして一般式(n)の3−づロヒオ二ルサリチル
酸誘導体が生成する。尚、出発原料であるサリチル酸誘
導体(I)のうちR2が→H2基を示す化合物である場
合には、R2′カーNHcOC2H5基である3一つ0
ヒオ二ルサリチル酸銹導体(II)が生成する。
R2′が−NPICOC2H5基である3−づ0ヒオニ
ルサリチル酸誘導体(TI)は、加水分解後ジアジ分解
されて目的とする3−づ0ピオニルサリチ)し酸誘導体
(m)に変換される。ジアソ分解の条件としては、この
種ジアソ分解の反応条件を広く適用できる。
この際必要に応じて加水分解やメチルエステル化を行な
ってもよい。
R2′か−、〜H3O2R3基である3−づロピオ二ル
サリチル酸誘導体(■)は、まず常法により加水分解し
てR2′が一ΔB′2基である3−づ口じオニルサリチ
ル酸誘導体(II)とし、次に上記と同様にして−NH
2基をジアリ分解により除去することにより、目的とす
る3−づロヒオ二ルサリチル酸誘導体(m)に変換され
る。この際にも必要に応じてメチルエステル化を行々う
ことができる。
またR2′が−5O2R4、−8R”、−〇502R7
又は−〇P(OR8)2基である3−づ0ピオニルサリ
チル1 酸誘導体(JT)は、還元反応により、目的とする3一
つロピオ二ルサリチル酸訪導体(m)に変換される。こ
の還元には、従来公知の還元反応の反応条件を広く適用
できる。例えばラネーニッケル、パラジウム黒等の還元
触媒を用いる方法、液体アシ上ニア中でアルカリ金属を
用いて還元する方法、電解還元による方法等を挙げるこ
とができる。
斯くして得られる本発明の目的化合物は、従来公知の慣
用手段、例えば再結晶、精密蒸留、各種クロマトを用い
る方法等により反応混合物から容易に単離精製される。
実 施 例 以下に実施例を掲げて本発明をより一層明らかにする。
実施例 1 (a) 5一つロヒオ二ルア三ノー3−づロヒオニルサ
リチル酸メチルの合成 ( I2 5−アミノサリチル酸メチル16.7 y (0,1t
ル)及び四塩化炭素501nlの混合物に、常温下及び
攪拌下に塩化づOじオニル2 Of (0,216Eル
)を徐々に加え、次いで塩化アルミニウム40yを少量
ずつ加え、1時間この温度を保持した後、徐々に上昇し
、約80℃で3時間反応を続ける。反応後冷却し、氷水
を加えて分解せしめ、四塩化炭素を回収後残留物から9
00ホルムで抽出する。
次に5チ炭酸ソータ液及び水で洗浄後アルコールから再
結晶して、」二記目的物19.5r(収率約70係)を
得た。元素分析値、NMRスペクトル及びJRスペクト
ルよりその生成を確認した。
元素分析値(C14H□705Nとして)CHN 理論値(%) 60.21 6゜14 5.02実測値
(%) 60.10 6.13 5.05(b)3−′
jOごオニルシリチル酸の合成50%硫酸10m1を加
えたアルコール100mA!に上記(,2)で得られた
5−づOe′オニルア三ノー3一つDe1オニルサリチ
ル酸メデメチル14y、05モル)を溶解し、湯浴上で
1.5〜2時間加熱して加水分解し、この溶液を氷冷し
つつ、この中に亜硝酸ナトリウム6y及び水24ynl
の溶液を滴下してジアジ化し、その後鍋づ0:7ズ粉末
1〜22を加えて激しく攪拌し、ジアリ化合物の分解を
行なう。この際反応の激しさに応じて加温又は冷却する
。斯くして得られた固形粉末の3−づ0ヒオ二ルサリチ
ル酸を希炭酸ナトリウム水に溶解させて不溶物を濾過し
、次いで希塩酸で目的物を沈殿せしめる。この粗製品を
希アルコールから再結晶して融点124〜125℃の3
−″X50ヒオニルサリチル酸6.Of (収率65%
)を得た。またこの3−′JJOピオニルサリチル酸を
常法に従いメチルエステル化すると、融点43〜44℃
の3−づ0ピオニルサリチル酸メチルエステルが得られ
た。
実施例 2 (a)3−10ピオニル−5−トシルアミノサリチル酸
メチルの合成 0〃 5−トシルアミノサリチル酸メチル32y(0,1七ル
)に四塩化エチレ:J150rnlを加え、激しく攪拌
しながら、その中へ塩化アルミニウム40ノを徐々に加
え、約70〜80’Cで約4時間反応させる。その後内
容物を室温まで冷却し、これを水及び塩酸の混合液中に
あける。その後四塩化エチレシを回収し、残渣を吸引濾
過し、さらに希塩酸及び冷水によく洗浄した後、アルコ
ールより再結晶して上記目的物24.1f(収率66チ
)を得た。元素分析値、NMRスペクトル及びIRスペ
クトルよりその生成を確認した。
元素分析値(C□8H□906NSとして)CHN 理論値(チ’) 49.56 5.99 4.38実測
値(チ’) 49.71 6.03 4.35(b)3
−づ0ピオニル−5−アミノサリチル酸の合成 N′I2 上記(,7)で得られる:1I−10ピオニルー5−ト
シ ・ルアミノサリチル酸メチル322及び7チ希塩酸
200dを3時間煮沸し、加水分解した後濾過する。ろ
液をソータ灰にてp 115〜6に中和し、析出させて
3−づ0ピオニル−5−アミノサリチル酸17.9p(
収率85%)を得た。元素分析値、NMRスペクトル及
びIRスペクトルよりその生成を確認した。
元素分析値(C□。H□□NO4として)HN 理論値(%) 57.41 5.30 6.69実測値
(%) 57.60 5.27 6.65(C)3−″
′jOピオニルサリチル酸の合成H2 オーガニック シシセシス第36巻第95頁に記載の方
法に準じ、予め一1O〜−20℃以下に冷却した75チ
硫酸700ゴに砕いたドライアイスを加え、この温度を
保持しつつこの中に亜硝酸ナトリウム18yをほぼ15
分間要して少量ずつ加え、次に50チ次亜燐酸90m/
をlO〜15分間隔で加える。
この冷却溶液中に氷酢酸900mA’中に上記(b)で
得られる3−づ0ヒオニル−5−アミノサリチル酸19
.7yを溶かした溶液を少量ずつ滴下する。
その後溶液の温度を−10〜−15℃に保持する。
この液を約2時間攪拌し、注意し力からその温度を徐々
に5℃まで昇温する。そしてそのフラスコをゆるく栓を
して36時間冷凍室内に保ち、窒素と一酸化窒素とがゆ
っくり放出されるようにする。
その後酢酸の大部分を水蒸気蒸留して除去する。
残留液を冷却して濾過し、水洗する。次に結晶物を水4
QQll/に入れ、ソータ溶液を加えて中性もしくは微
酸性にして活性炭処理し、樹脂状物質を分け、その後5
チ塩酸を加えてpH1〜2の酸性とし、沈殿物を炉取、
水洗、乾燥して3−づ0ヒオニルサリチル酸14.7y
(収率76チ)を得た。
またこの3−づOt?オニルサリチル酸を常法に従いメ
チルエステル化すると、融点42〜44℃の3−づ0ピ
オニルサリチル酸メチルエステルが得られた。
実施例 3 (a) 3.3’−、;づ0ピオニル−4,4′−ジオ
中シー5.5′−カルボメト士シジスルフィットの合成
4.4′−ジオ十シー5,5′−カルボメト+シジスル
フィット18.3 f (0,05’Elニル)に塩化
づ0ビオ (ニル23. l y (0,25Eル)及
び塩化エチレン40ゴを混合し、攪拌下これに塩化アル
ミニウム40Fを少量ずつ加えて40℃に1時間保持し
た後、徐々に温度を上昇させて4〜5時間反応させる。
次にこれを冷却し、内容物を水中にゆっくりあけて分解
させた後、塩化エチレンを分離し、さらにクロロホルム
で目的物を抽出する。抽出液から溶媒を回収後、残渣を
アルコールに溶解し、活性炭で精製し、再結晶して上記
目的物14.39(収率64チ)を得た。元素分析値、
NMRスペクトル及びJRスペクトルよりその生成を確
認した。
元素分析値(C22H2208S2として)CH 理論値(%) 55.22 4.63 実測値(%) 55.12 4.66 (b)3−″′jOピオニルサリチル酸メチルの合成H 3,3′−ジづOピオニル−4,4′−ジオ牛シー5.
5′−カルボメト+シジスルフィット2fを75係工タ
ノール135mgに溶解し、これに25〜30pのラネ
ーニッケル触媒を加え、攪拌下に4.5時間加熱還流し
た。反応終了後冷却し、ラネーニッケルを濾過、回収後
、P液からアルコールを蒸留すると、3−づ0じオニル
サリチル酸メチルの結晶がI7.2f(収率87.7係
)得られた。融点42〜44℃ 実施例 4 (a)3−づ0ピオニル−5−メチルメルカプトサリチ
ル酸メチルの合成 5−メチルメルカプトサリチル酸メチル19.8y (
0,1’Fニル)及び塩化づロヒ才二ル23.IP(0
,25tル)の混合物に、攪拌下熱水塩化アルミニウム
409 (0,6Eル)を少しずつ投入し、室温にて1
時間保持した後、80℃において4〜5時間反応させる
。その後内容物を冷却し、クロロホルムで抽出し、その
残留物を減圧留去して未反応物を回収すると共に、残渣
をアルコールで再結晶して上記目的物19y(収率75
チ)を得た。
元素分析値、NMRスペクトル及びJRスペクトルより
その生成を確認した。
元素分析値(C□2H,404Sとして)CH 理論値(チ) 56.68 5.55 実側値(茅) 56.55 5.60 (b)3−づロヒオ二ル1リチル酸メチルの合成3−づ
ロピオ二ルー5−メチルメルカづトサリチル酸メチル2
.5 y (0,1七ル)を75係アルコールl35m
1に溶解し、ラネーニッケル触媒352を加えて4.5
時間加熱還流する。冷却後ラネーニッケルを沢去し、炉
液からアルコールを回収して3−づ0ヒ才二ルサリチル
酸メチル1.72y(収率89.7%)を得た。融点4
2〜44℃実施例 5 (a) 3−−j Ot: 、tニル−5−メタジスル
ホニルサリチル酸メチルの合成 02CH3 5−メタジスルホニルサリチル酸メチル23.Or’(
0,1tル)及び塩化づ0ピオニル23.Iy’ 。
(0,25tEル)の混合物に、攪拌下無水塩化アルミ
ニウム40yを少量ずつ加え、室温にて1時間保持した
後、80℃に昇温しで4〜5時間反応を続ける。以下実
施例4(a)と同様に処理して、上記目的物22y(収
率81%)を得た。該目的物の生成は、元素分析値、N
MRスペクトル及びIRスペクトルにより確認した。
元素分析値(C□2H,406Sとして)CH 理論値(%) 50.34 4.93 実測値(チ) ’50.10 4.96(b)3−’l
[lヒオ二ルサリチル酸メチルの合成02CH3 3−づ0ピオニル−5−メタシスルホニルサリチル酸メ
チル2.86 y (0,01モル)を75%エタノー
ル180m1に溶解し、ラネーニッケル触媒40Fを加
えて6時間加熱還流する。以下実施例4(b)と同様に
処理して、融点43〜44℃の3−づ0ヒオニルサリチ
ル酸メチル1.35yを得た。
実施例 6 (a)(3−づ0ヒ才二ル−4−ヒトD+シー5−カル
ボメト+シ)フェニルメタジスルホネートの合成 2.5 ”iヒト0+シ安息香酸15.4p(0,1七
ル)をヒリジシ100m/に溶解し、水冷下メタシスル
ホニルクOリド12.6y(0,11Eル)を攪拌下に
少量ずつ加える。反応混合物を室温下に一夜放置した後
、200m1の氷水に注ぎ、10%希硫酸にて注意しh
から弱酸性(pH4〜5)した後、エーテルにて抽出す
る。この抽出液を無水硫酸マタネシウムで乾燥した後、
溶媒を回収し、残渣をメタノール300m1に溶解し、
濃硫酸32を加えて約5〜8時間還流する。次いでメタ
ノールを蒸留し、残留物を水に注ぎ、エーテル抽出する
この抽出液を合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒
を除去する。得られる残留物20.1yには、NMRス
ペクトルより(3−カルボメト士シー4−ヒトD+シ)
フェニルメタジスルホネートが約90係の割合で含まれ
ていることが確認された。
次にこの相(3−カルボメト士シー今一しド0 (+シ
)フエニ)レメタシスルホネートとm化″5oヒオニル
23−1 ? (0,25tル)との混合物に攪拌下、
無水塩化アルミニウム409 (0,6七ル)を少量ず
つ加え、室温にて1.5時間攪拌した後、80℃にて約
2時間反応させる。反応混合物を冷却し、氷水を加えて
分解せしめ、り00ホルムで抽出する。抽出液を合し、
無水硫酸マグネシウム上で乾燥後、溶媒を減圧留去する
。残留物をアルコール又はトルニジにより再結晶を繰り
返して、上記目的物を16.8p(収率56チ)を得た
。該目的物の生成は、元素分析値、NMRスペクトル及
びJRスペクトルにより確認した。
元素分析値(C□2H,l、07Sとして)CH 理論値(チ) 48.04 4.33 実測値(%) 48.36 4.22 (b)3−づ0ピオニルサリチル酸メチルの合成0S0
2CH3 (3−づ口ごオニル−4−しド0+シー5−力ルポメト
+シ)フェニルメタジスルホネート15.1 f (0
,05モル)及びトリエチルアミシ5.05 y (0
,05’Eル’) ヲ)9 /−L I 00m1K溶
解し、5ヂパラジウム炭素1.5yを加え、室温、常圧
下にて水素還元を行なう。理論量よりやや多量の水素が
吸収された後、反応混合物から触媒を炉別し、溶媒を除
去して生成物を単離し、リタロイシから再結晶して3m
−50ピオニルサリチル酸メチル8.6 F (収率8
3係)を得た。融点44〜45℃ 実施例 7 (a)(3−JjcJヒオニル−4−ヒト0+シー5−
カルボメト+シ)フェニルジエチルホスフェートの合成 1 2.5−、;ヒト、0+シ安息香酸15.4 y (0
,1モル)及びジエチルホスファイト14.3 y (
0,104モル)を四塩化炭素30ゴに溶解し、次いで
水冷下トリエチルアミン10.5 f (0,104七
ル)を0〜5℃にて激しく攪拌し々から滴下する。反応
混合物を室温で一夜放置した後、クロロホルムで希釈し
、40m7!の水、40mA’のlOチ塩酸水溶液、2
0m1の10チ重曹水溶液で4回、それぞれ連続的に洗
浄し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥する。
乾燥剤を炉別した後、溶媒を減圧留去し、残渣を再結晶
にて単離し、更に常法に従いメチルエステル化して(4
−ヒト0+シー3−カルボメト+シ)フェニルジエチル
ホスフェート24.7$l+(収率85%)を得た。
上記で得られた(4−しドロ+シー3−カルボメト+シ
)フェニルジエチルホスフェート30.4y (0,1
eル)及び塩化づOピオニル23.1p(0,25モル
)の混合物に1攪拌下無水塩化アルミニウム409(0
,6Eル)を少量ずつ加え、室温にて1時間攪拌した後
、80℃にて約4時間反応させる。反応終了後、混合物
を冷却し、氷水を加えて分解せしめ、り00ホルムで抽
出する。抽出液を無水硫酸マグネシウム上で乾燥した後
、溶媒を減圧留去し、残渣をアルコール又はトルニジで
再結晶を繰り返して、上記目的物28.ip(収率78
チ)を得た。元素分析値、NA/IRスペクトル及びJ
Rスペクトルでその生成を確認した。
元素分析値(C15H2□07Pとして)CH 理論値(係) 50.00 5.87 実測値(チ) 49.93 5.64 (b)3−づ0ヒオニルサリチル酸メチルの合成(3−
づ0ピオニル−4−ヒト0+シー5−カルボメト+シ)
フェニルジエチルホスフェート32.4 f (0,0
9七ル)をエチルエーテル75m及びテトラしドロフラ
ジ15m7!よりなる混合溶媒に溶解し、次にこの溶液
を液体アシ上ニア200ゴ中に一78℃にて滴下する。
次いで金属ナトリウム4.14f(0,18jラム原子
)を小片ずつ同温度にて青色が消えない速さで加える。
その後エタノール5 mlを加え、約1時間−78℃に
て攪拌した後、エチルエーテル100−を加え、アシモ
ニアを徐々に気化させる。反応混合物を水で処理し、有
機層を分離した後水層をエーテル抽出する。
エーテル層を合し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウム上で乾燥する。溶媒を減圧留去して得られる粗
生成物をリフ0イシより再結晶して、融点43〜44℃
、白色針状結晶の3−づOe+オニルサリチル酸メデメ
チル15F(収率83%)を得た。
素焼円筒を隔膜として備えた50m1のビーカー型電解
セルの陰極部に(3−づ0ヒ才ニル−今一ヒド0+シー
5−カルボメト+シ)フェニルジエチルホスフェート7
.2 F (0,02セル)及びテトラエチルア、/モ
ニウムバラトルエシスルホネート5fを溶解したジメチ
ルホルムアミド溶液を、陽極部にはテトラエチルアシ上
ニウムパラトルニジスルホネート5yを溶解したジメチ
ルホルムアミド溶液を、それぞれ導入する。陽極に炭素
、陰極に白金を使用し、定電流条件下(電流密度:2.
0〜4.OA / dm2)、室温中にて攪拌しながら
通電を行なう。4.OF / ’eルの電気量を通電後
、陰極液を約100mA’の3%塩酸水溶液に注ぎ、エ
ーテルで3回抽出する。抽出液を合し、無水硫酸マグネ
シウム上で乾燥する。溶媒を留去し、粗生成物を得、更
にリフ0イシより再結晶して3−づOヒオ二ルサリチル
酸メチル2.7 f (収率65チ)を得た。
発明の効果 本発明の方法によれば、一般式(m)で表わされる3一
つロピオニルサリチル酸誘導体を、短工程且つ簡便な操
作で、しかも高収率、高純度で製造し得る。従って本発
明の方法は、3−1[]ピオニルサリチル酸誘導体(m
)の工業的製造法として好適である。
(ワ 、)(

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1は水素原子又は低級アル+ル基を示す。 R2は一1’J112、−NH802R3(R3ハア!
    J −Jl、 基)、−8o2R” (R”は水素原子
    又は低級アル+ル基)、−8R5(R5は水素原子、低
    級アル+ル基又は−8−R6(R” : ア!J−ル基
    )基)、−0802R7(R7は水素原子又は低級アル
    +ル基)又は−〇P(OR8)2(R8は水素原子又は
    低級アル+ル1 基)を示す。〕 で表わされるサリチル酸誘導体とハ0ゲシ化プ0ヒ才二
    ルとをフリーデル−クラフト反応又はフリース転位反応
    させて一般式 〔式中R2′は−WICOC2H,,、−NH802R
    3、−5o2R”、−SR”、−0SO2R7又は−0
    P(OR8)2を1 示す。R1、R3、R4、R5、R7及びR8は前記に
    同じ。〕 で表わされる3−づOヒオニルサリチル酸誘導体を得、
    次いで得られる一般式(■)の3−づOヒオニルサリチ
    ル酸誘導体をジアリ分解又は還元して一般式 〔式中R1は前記に同じ。〕で表わされる3−づ0ピオ
    ニルサリチル酸誘導体を得ることを特徴とする3−づO
    e′オニルサリチル酸誘導体の製造法。
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