JPS6022971B2 - 金属酸化膜のスパツタリング方法 - Google Patents
金属酸化膜のスパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS6022971B2 JPS6022971B2 JP15841482A JP15841482A JPS6022971B2 JP S6022971 B2 JPS6022971 B2 JP S6022971B2 JP 15841482 A JP15841482 A JP 15841482A JP 15841482 A JP15841482 A JP 15841482A JP S6022971 B2 JPS6022971 B2 JP S6022971B2
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- Japan
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- oxide film
- plasma
- sputtering method
- metal oxide
- gas
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【ａー 発明の技術分野
本発明は金属酸化膜を被着する反応性スパッタリング方
法の改善に関する。
法の改善に関する。
‘ｂー 従来技術と問題点
周知のようにスパッタリング方法（以下、スパッタ法と
称する）は、噂子部品の薄膜形成に良く利用されており
、半導体装置の製造や抵抗体の製作に欠くことのできな
い技術となっている。
称する）は、噂子部品の薄膜形成に良く利用されており
、半導体装置の製造や抵抗体の製作に欠くことのできな
い技術となっている。
例えば、半導体製造の際に用いられるフオトマスクは透
明ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）などの金属や酸化クロ
ム（Ｃｒ２０３）などの金属酸化物の薄膜をパターニン
グして形成するが、この薄膜の被着にはスパッタ法が使
用される。その薄膜被着時に、ターゲットが叩かれてプ
ラズマイオンと化学反応を起し、その反応生成膜を被着
するスパッタ法は反応性スパッタ法と呼ばれており、上
記の酸化クロムを被着させる場合、あるいは酸化シリコ
ンや窒化シリコンを被着させる場合がこれに当る。この
ような反応性スパッタ法において、酸素（０２）ガスを
プラズマ化し、酸素イオンをターゲットに衝突させて、
酸化膜を被着させる場合に初期にはプラズマが発生し難
くて、強制的に高電圧を印加し、無理にプラズマを発生
させる方法が探られている。
明ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）などの金属や酸化クロ
ム（Ｃｒ２０３）などの金属酸化物の薄膜をパターニン
グして形成するが、この薄膜の被着にはスパッタ法が使
用される。その薄膜被着時に、ターゲットが叩かれてプ
ラズマイオンと化学反応を起し、その反応生成膜を被着
するスパッタ法は反応性スパッタ法と呼ばれており、上
記の酸化クロムを被着させる場合、あるいは酸化シリコ
ンや窒化シリコンを被着させる場合がこれに当る。この
ような反応性スパッタ法において、酸素（０２）ガスを
プラズマ化し、酸素イオンをターゲットに衝突させて、
酸化膜を被着させる場合に初期にはプラズマが発生し難
くて、強制的に高電圧を印加し、無理にプラズマを発生
させる方法が探られている。
例えば、第１図にその概要断面図を示す直流（ＯＣ）電
源型スパッタ装置により酸化クロム膜を彼着させる場合
がこれに相当する。図において、１はターゲットの金属
クロム板、２は被着材のガラス基板であるが、スパッタ
容器３内を排気口４より排気し、真空度が１０‐り０ｎ
となるようにガス流入口６より酸素ガスを流入させる。
そうして最初にＤＣ電圧を６００Ｖ以上と高くしておい
てプラズマを発生させ、発生が始まると共に約５００Ｖ
の電圧に低下させて、スパッタをおこなてつている。．
このようにして、膜厚２００〜３００△の酸化クロム膜
を被着させた後、その表面を検査すると、怪ｌｒｍ前後
のビット（ピンホール）が無数に発生しており、極めて
荒れた膜質の薄膜となっている。
源型スパッタ装置により酸化クロム膜を彼着させる場合
がこれに相当する。図において、１はターゲットの金属
クロム板、２は被着材のガラス基板であるが、スパッタ
容器３内を排気口４より排気し、真空度が１０‐り０ｎ
となるようにガス流入口６より酸素ガスを流入させる。
そうして最初にＤＣ電圧を６００Ｖ以上と高くしておい
てプラズマを発生させ、発生が始まると共に約５００Ｖ
の電圧に低下させて、スパッタをおこなてつている。．
このようにして、膜厚２００〜３００△の酸化クロム膜
を被着させた後、その表面を検査すると、怪ｌｒｍ前後
のビット（ピンホール）が無数に発生しており、極めて
荒れた膜質の薄膜となっている。
これはターゲット表面が空気に曝されて表面に不導体膜
が生じており、したがって最初にその不導体膜を破壊す
る必要があって、そのため高電圧を印加し、それに伴な
う異常放電によってピンホールが発生すると考えられる
。しかしながら、このようなピンホールを生じた薄膜は
、決して好ましいものではなく、今後の電子技術の進歩
によって数１００Ａ程度のうすし、膜が益々多くなると
予想され、是非ピンホールのない膜質に改善する必要が
ある。
が生じており、したがって最初にその不導体膜を破壊す
る必要があって、そのため高電圧を印加し、それに伴な
う異常放電によってピンホールが発生すると考えられる
。しかしながら、このようなピンホールを生じた薄膜は
、決して好ましいものではなく、今後の電子技術の進歩
によって数１００Ａ程度のうすし、膜が益々多くなると
予想され、是非ピンホールのない膜質に改善する必要が
ある。
‘ｃ’発明の目的
本発明はこのようなピンホールの発生のない金属酸化膜
を反応性スパッタ法によって形成する方法を提案するも
のである。
を反応性スパッタ法によって形成する方法を提案するも
のである。
（ｄ｝ 発明の構成
かかる目的は、金属酸化膜を形成する反応性スパッタ法
において、最初にアルゴン（Ａｒ）ガスを酸素ガスに混
入し、低電圧にてプラズマを発生させ、次いで酸素ガス
のみを流入して所期の電圧にてプラズマを発生させるス
パッタ法によって達成することができる。
において、最初にアルゴン（Ａｒ）ガスを酸素ガスに混
入し、低電圧にてプラズマを発生させ、次いで酸素ガス
のみを流入して所期の電圧にてプラズマを発生させるス
パッタ法によって達成することができる。
‘ｅ｝ 発明の実施例
以下、実施例によって詳細に説明する。
上記第１図に示したスパッタ装置を用いて、排気口４よ
り真空に吸引した後、ガス流入口４より第２図に示す図
表のようにアルゴンガスと酸素ガスを流入する。即ちア
ルゴンガスは２の‘／分、酸素ガスは１２の上／分を流
入させて、３５０ＶのＤＣ電圧を印加すると、僅か１秒
でプラズマが発生する。数秒間、流入ガスをそのままと
して除々にＤＣ電圧を高くし、５００ＶのＤＣ電圧に印
加すると共にアルゴンガスの流入を中止する。しかる後
に、酸素ガス１２の‘／分、ＤＣ電圧５００Ｖのままと
してスパッタさせると３０〜３５秒で膜厚２００Ａの酸
化クロム膜をガラス基板２上に形成することができる。
その間の真空度は絶えず１０‐汀ｏｒｒに維持する。こ
のようにして被着した酸化クロム膜を検出したところ、
ピンホールの発生は全然認められない酸化クロム薄膜が
えられた。
り真空に吸引した後、ガス流入口４より第２図に示す図
表のようにアルゴンガスと酸素ガスを流入する。即ちア
ルゴンガスは２の‘／分、酸素ガスは１２の上／分を流
入させて、３５０ＶのＤＣ電圧を印加すると、僅か１秒
でプラズマが発生する。数秒間、流入ガスをそのままと
して除々にＤＣ電圧を高くし、５００ＶのＤＣ電圧に印
加すると共にアルゴンガスの流入を中止する。しかる後
に、酸素ガス１２の‘／分、ＤＣ電圧５００Ｖのままと
してスパッタさせると３０〜３５秒で膜厚２００Ａの酸
化クロム膜をガラス基板２上に形成することができる。
その間の真空度は絶えず１０‐汀ｏｒｒに維持する。こ
のようにして被着した酸化クロム膜を検出したところ、
ピンホールの発生は全然認められない酸化クロム薄膜が
えられた。
これは初期のプラズマ発生時に異常放電が生じなかった
ことを意味する。上記は一実施例であるが、金属酸化膜
を反応性スパッタ法にて彼着する場合に、流入ガスが酸
素ガスのみでなく、他のガス例えば窒素ガスを僅かに酸
素ガスに混入させる場合にも、同様にしてアルゴンガス
を初期に混入させることによって、同じく低電圧でプラ
ズマを発生させることができて同様にソフトなプラズマ
発生法となる。
ことを意味する。上記は一実施例であるが、金属酸化膜
を反応性スパッタ法にて彼着する場合に、流入ガスが酸
素ガスのみでなく、他のガス例えば窒素ガスを僅かに酸
素ガスに混入させる場合にも、同様にしてアルゴンガス
を初期に混入させることによって、同じく低電圧でプラ
ズマを発生させることができて同様にソフトなプラズマ
発生法となる。
‘ｆ’発明の効果
したがって、本発明によれば非常に薄い金属酸化膜例え
ば３００Ａ程度の薄膜を極めて品質良く形成することが
できるため、電子部品の性能向上に寄与するものである
。
ば３００Ａ程度の薄膜を極めて品質良く形成することが
できるため、電子部品の性能向上に寄与するものである
。
尚、上記実施例は酸化クロム薄膜で説明したが、その他
の金属薄膜のスパッタ法にも適用できることは勿論であ
る。
の金属薄膜のスパッタ法にも適用できることは勿論であ
る。
第１図はスパッタリング装置の概要断面図、第２図は本
発明にかかるスパッタリング方法の時間図表である。 図中１はターゲット（金属クロム）、２はガラス基板、
３は真空容器、４は排気口、５はガス流入口を示す。第
１図 第２図
発明にかかるスパッタリング方法の時間図表である。 図中１はターゲット（金属クロム）、２はガラス基板、
３は真空容器、４は排気口、５はガス流入口を示す。第
１図 第２図
Claims (1)
- １ 酸素ガスを流入し、酸素プラズマを発生させて、タ
ーゲツトに衝突させ、該ターゲツト材料の金属からなる
酸化膜を形成する反応性スパツタリング方法ににおいて
、最初にアルゴンガスを酸素ガスに混入し、低電圧にて
プラズマを発生させ、次いで酸素ガスのみを流入して、
所期の電圧にて酸素プラズマを発生させる工程が含まれ
てなることを特徴とする金属酸化膜のスパツタリング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841482A JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841482A JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952526A JPS5952526A (ja) | 1984-03-27 |
| JPS6022971B2 true JPS6022971B2 (ja) | 1985-06-05 |
Family
ID=15671230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15841482A Expired JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022971B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619069U (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-20 | 大門ランド株式会社 | フオ−ク |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0723534B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1995-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 配向性金属薄膜の製造方法 |
| JP3994623B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2007-10-24 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15841482A patent/JPS6022971B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619069U (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-20 | 大門ランド株式会社 | フオ−ク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5952526A (ja) | 1984-03-27 |
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