JPH042770A - 反応性スパッタリング装置 - Google Patents
反応性スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH042770A JPH042770A JP10198590A JP10198590A JPH042770A JP H042770 A JPH042770 A JP H042770A JP 10198590 A JP10198590 A JP 10198590A JP 10198590 A JP10198590 A JP 10198590A JP H042770 A JPH042770 A JP H042770A
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- Japan
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- gas
- base plate
- introduction pipe
- reactive sputtering
- gas introduction
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- Pending
Links
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は反応性スパッタリングにより生成される化合物
薄膜の組成制御、および該化合物薄膜の基板面内での組
成均一性の改善を目的とした反応性スパッタリング装置
に関するものである。
薄膜の組成制御、および該化合物薄膜の基板面内での組
成均一性の改善を目的とした反応性スパッタリング装置
に関するものである。
従来の技術
以下、従来の反応性スパッタリング装置について第４図
を参照して説明する。反応性スパッタリングにより化合
物薄膜を生成するためにはまず排気系１によりチャンバ
ー２内を高真空（−１０−７Ｔｏｒｒ程度）まで排気す
る。次にチャンバー２の一部に一端が接続されたガス導
入量６より、ガス流量制御器３を介してチャンバー２内
に放電ガス４（一般にＡｒ）と反応性ガス５とを導入し
、チャンバー２内を１０〜１０Ｔｏｒｒ程度の圧力に保
つ。ここで、ターゲット７を取り付けたカソード８に、
電源９により負の電圧を印加することで、スパッタリン
グが行われ、ターゲット７から飛び出した粒子と反応性
ガス５七の反応により、基板ホルダー１０に設置された
基板１１に化合物薄膜が生成される。
を参照して説明する。反応性スパッタリングにより化合
物薄膜を生成するためにはまず排気系１によりチャンバ
ー２内を高真空（−１０−７Ｔｏｒｒ程度）まで排気す
る。次にチャンバー２の一部に一端が接続されたガス導
入量６より、ガス流量制御器３を介してチャンバー２内
に放電ガス４（一般にＡｒ）と反応性ガス５とを導入し
、チャンバー２内を１０〜１０Ｔｏｒｒ程度の圧力に保
つ。ここで、ターゲット７を取り付けたカソード８に、
電源９により負の電圧を印加することで、スパッタリン
グが行われ、ターゲット７から飛び出した粒子と反応性
ガス５七の反応により、基板ホルダー１０に設置された
基板１１に化合物薄膜が生成される。
一般に、反応性スパッタリングにより生成される化合物
薄膜は、種々の成膜条件が該化合物薄膜の組成に影響を
与えることが知られており、放電ガスと反応性ガスの流
量比もその一つである。また、反応性スパッタリングに
おけるスパッタ粒子と反応性ガスとによる化合は主とし
て基板上で生じていることが一般的に知られている。
薄膜は、種々の成膜条件が該化合物薄膜の組成に影響を
与えることが知られており、放電ガスと反応性ガスの流
量比もその一つである。また、反応性スパッタリングに
おけるスパッタ粒子と反応性ガスとによる化合は主とし
て基板上で生じていることが一般的に知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし従来の反応性スパッタリング装置では、放電ガス
４と反応性ガス５をガス流量制御器３で制御した後、ガ
ス導入管６より特定の一箇所のみからチャンバー２内へ
導入しているため前記化合物薄膜の組成制御が充分に行
われているとはいえない。さらに、該化合物薄膜が生成
される基板１１の大口径化が進むと、該基板面内での組
成の不均一性も問題となる。
４と反応性ガス５をガス流量制御器３で制御した後、ガ
ス導入管６より特定の一箇所のみからチャンバー２内へ
導入しているため前記化合物薄膜の組成制御が充分に行
われているとはいえない。さらに、該化合物薄膜が生成
される基板１１の大口径化が進むと、該基板面内での組
成の不均一性も問題となる。
本発明は反応性スパッタリングで生成される化合物薄膜
の組成を細かく制御すると共に、大口径化が進む基板に
対しても均一性良（前記化合物薄膜を生成できることを
目的とした反応性スパッタリング装置を提供するもので
ある。
の組成を細かく制御すると共に、大口径化が進む基板に
対しても均一性良（前記化合物薄膜を生成できることを
目的とした反応性スパッタリング装置を提供するもので
ある。
課題を解決するための手段
本発明は上記の目的を達成するため、反応性スパッタリ
ング装置において、従来通りのチャンバーの一部に取り
付けたガス導入管とは別に、基板ホルダーにも別のガス
導入管の一端を開設し、両ガス導入管からのガスの種類
およびガス流量比を独立に制御できるように構成したこ
とを特徴としている。また、前記基板ホルダーに複数の
小さな凸部を設け、前記基板ホルダーと基板との間にで
きるクリアランスを、前記基板ホルダー中心から吹き出
すガスが放射状に通過して均一に流れるようにしている
。
ング装置において、従来通りのチャンバーの一部に取り
付けたガス導入管とは別に、基板ホルダーにも別のガス
導入管の一端を開設し、両ガス導入管からのガスの種類
およびガス流量比を独立に制御できるように構成したこ
とを特徴としている。また、前記基板ホルダーに複数の
小さな凸部を設け、前記基板ホルダーと基板との間にで
きるクリアランスを、前記基板ホルダー中心から吹き出
すガスが放射状に通過して均一に流れるようにしている
。
作 用
本発明によれば、異なる２箇所においてチャンバー内に
ガスを導入することができるのでチャンバー内の雰囲気
を均一化することができ、しかも新たなガス導入管の一
端を基板に近接する位置に開設したことにより基板上の
化合物薄膜の組成制御を細かく行うことができる。
ガスを導入することができるのでチャンバー内の雰囲気
を均一化することができ、しかも新たなガス導入管の一
端を基板に近接する位置に開設したことにより基板上の
化合物薄膜の組成制御を細かく行うことができる。
さらに基板ホルダーから吹き出すガスが基板に対して放
射状に均一に流れるようにしたことにより、基板の大口
径化に対しても均一性良（化合物薄膜を生成できる。
射状に均一に流れるようにしたことにより、基板の大口
径化に対しても均一性良（化合物薄膜を生成できる。
実施例
本発明の実施例について以下第１図〜第３図を参照しな
がら説明する。本実施例において、従来例（第４図）と
同一物には共通符号を付して示しその説明は省略する。
がら説明する。本実施例において、従来例（第４図）と
同一物には共通符号を付して示しその説明は省略する。
第１図は本実例における反応性スパッタリング装置の構
成図である。
成図である。
従来のガス導入管６とは別に基板ホルダー１０の基板載
置面にも別のガス導入管１２の一端が開設されてかり、
両ガス導入管６，１２には放電ガス４と反応性ガス５と
がガス原画制御器１３を介してそれぞれ接続され、それ
ぞれ独立に制御できるようになっている。また第２図お
よび第３図は、それぞれ前記ガス導入管１２が配設され
た基板ホルダー１０の平面図および断面図である。基板
１１は複数の小さな凸部２２をその基板載置面に有する
基板ホルダー１０に基板固定ピン２４により固定される
。ここで、ガス導入管１２を流れるガス２６はガス吹き
出し口２７から吹き出し、基板１１と基板ホルダー１０
との間にできるクリアランス２８を通って放射状２９に
均一に流れる。
置面にも別のガス導入管１２の一端が開設されてかり、
両ガス導入管６，１２には放電ガス４と反応性ガス５と
がガス原画制御器１３を介してそれぞれ接続され、それ
ぞれ独立に制御できるようになっている。また第２図お
よび第３図は、それぞれ前記ガス導入管１２が配設され
た基板ホルダー１０の平面図および断面図である。基板
１１は複数の小さな凸部２２をその基板載置面に有する
基板ホルダー１０に基板固定ピン２４により固定される
。ここで、ガス導入管１２を流れるガス２６はガス吹き
出し口２７から吹き出し、基板１１と基板ホルダー１０
との間にできるクリアランス２８を通って放射状２９に
均一に流れる。
従って本実施例により反応性スパッタリングを行う場合
、チャンバー２に接続されたガス導入管６を流れる放電
ガス４と反応性ガス５、およびホルダー１０のガス導入
管１２を流れる放電ガス４と反応性ガス５の計４種類の
ガス流量を、ガス流量制御器１３により独立に制御する
ことができるため、基板１１上に生成される化合物薄膜
の組成を細かく制御することができる。さらに基板ホル
ダー１０と基板１１とのクリアランス２８をガスが放射
状２９に均一に流れるため大口径の基板１１に対しても
、面内均一性の良い組成を有する化合物薄膜を得ること
ができる。
、チャンバー２に接続されたガス導入管６を流れる放電
ガス４と反応性ガス５、およびホルダー１０のガス導入
管１２を流れる放電ガス４と反応性ガス５の計４種類の
ガス流量を、ガス流量制御器１３により独立に制御する
ことができるため、基板１１上に生成される化合物薄膜
の組成を細かく制御することができる。さらに基板ホル
ダー１０と基板１１とのクリアランス２８をガスが放射
状２９に均一に流れるため大口径の基板１１に対しても
、面内均一性の良い組成を有する化合物薄膜を得ること
ができる。
発明の効果
本発明は上記構成により、反応性スパッタリングにより
生成される化合物薄膜の組成を細か（制御でき、さらに
大口径基板面内での前記化合物薄膜の組成の均一化を図
ることができる。
生成される化合物薄膜の組成を細か（制御でき、さらに
大口径基板面内での前記化合物薄膜の組成の均一化を図
ることができる。
第１図は本発明の一実施例における反応性スパッタリン
グ装置の構成図、第２図および第３図はそれぞれ同装置
の基板ホルダーの平面図および縦断面図、第４図は従来
の一般的な反応性スパッタリング装置の構成図である。 ２・・・・・・チャンバー、６，１２・・・・・・ガス
導入管、１０・・・・・・基板ホルダー、１１・・・・
・・基板、１３・・・・・・ガス流量制御器、２２・・
・・・・凸部、２７・・・・・・ガス吹き出し口、２８
・・・・・・クリアランス。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ２！−凸部 ２７−−カ゛スＩｌ欠き出し口
グ装置の構成図、第２図および第３図はそれぞれ同装置
の基板ホルダーの平面図および縦断面図、第４図は従来
の一般的な反応性スパッタリング装置の構成図である。 ２・・・・・・チャンバー、６，１２・・・・・・ガス
導入管、１０・・・・・・基板ホルダー、１１・・・・
・・基板、１３・・・・・・ガス流量制御器、２２・・
・・・・凸部、２７・・・・・・ガス吹き出し口、２８
・・・・・・クリアランス。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ２！−凸部 ２７−−カ゛スＩｌ欠き出し口
Claims (2)
- （１）チャンバー内に一端が開口されたガス導入管を有
する反応性スパッタリング装置において、前記ガス導入
管とのガス導入管を配設してその一端を基板ホルダーの
表面に開設し、両ガス導入管よりのガスの種類およびガ
ス流量比を独立に制御することができるように構成した
ことを特徴とする反応性スパッタリング装置。 - （２）基板ホルダーに複数の小さな凸部を設け、前記基
板ホルダーとこの基板ホルダー上に載置された基板との
間にできるクリアランスを、前記基板ホルダー中心から
吹き出すガスが放射状に通過して均一に流れるようにし
た請求項１記載の反応性スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198590A JPH042770A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 反応性スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198590A JPH042770A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 反応性スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042770A true JPH042770A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14315141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198590A Pending JPH042770A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 反応性スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10198590A patent/JPH042770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
| JP4573913B1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
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