JPH05206033A - Ｃｖｄ膜生成方法及び装置 - Google Patents
Ｃｖｄ膜生成方法及び装置Info
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- JPH05206033A JPH05206033A JP3855992A JP3855992A JPH05206033A JP H05206033 A JPH05206033 A JP H05206033A JP 3855992 A JP3855992 A JP 3855992A JP 3855992 A JP3855992 A JP 3855992A JP H05206033 A JPH05206033 A JP H05206033A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜生成初期時及び終了時における生成膜質を
定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にする。 【構成】 キャリアガス２を第１マスフローコントロー
ラ４及び第１バルブ５を介して反応室１に流す第１ライ
ン６と、反応ガス３を第２マスフローコントローラ７及
び第２バルブ８を介して反応室１に流す第２ライン９
と、反応室１に連通する排気ライン１０と、第２マスフ
ローコントローラ７と排気ライン１０を連通する第３バ
ルブ１１を備えたベントライン１２とよりなる。
定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にする。 【構成】 キャリアガス２を第１マスフローコントロー
ラ４及び第１バルブ５を介して反応室１に流す第１ライ
ン６と、反応ガス３を第２マスフローコントローラ７及
び第２バルブ８を介して反応室１に流す第２ライン９
と、反応室１に連通する排気ライン１０と、第２マスフ
ローコントローラ７と排気ライン１０を連通する第３バ
ルブ１１を備えたベントライン１２とよりなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応室内にキャリアガス
と反応ガスを一定流量流し、反応室内を膜生成時圧力に
保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法
及び装置に関する。
と反応ガスを一定流量流し、反応室内を膜生成時圧力に
保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、例えば膜生成イベントの前イベ
ントで、反応ガス流量を調節し、膜生成イベントで反応
室内に反応ガスを導入することにより、加熱されたウェ
ーハ上にＣＶＤ膜を生成するようにしている。
ントで、反応ガス流量を調節し、膜生成イベントで反応
室内に反応ガスを導入することにより、加熱されたウェ
ーハ上にＣＶＤ膜を生成するようにしている。
【０００３】このような従来例にあっては、膜生成イベ
ント初期に反応ガスが突入するため、膜生成時圧力（目
標圧力）よりも一瞬高い圧力となり、ウェーハ上に生成
されるＣＶＤ膜の膜質が定常の膜生成時の膜質と異なる
という課題がある。
ント初期に反応ガスが突入するため、膜生成時圧力（目
標圧力）よりも一瞬高い圧力となり、ウェーハ上に生成
されるＣＶＤ膜の膜質が定常の膜生成時の膜質と異なる
という課題がある。
【０００４】本発明の目的は、膜生成初期時における生
成膜質のみだけでなく膜生成終了時における生成膜質も
定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にできるＣＶＤ膜生
成方法及び装置を提供することである。
成膜質のみだけでなく膜生成終了時における生成膜質も
定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にできるＣＶＤ膜生
成方法及び装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１方法は、上
記の課題を解決し、上記の目的を達成するため、図１に
示すように反応室内にキャリアガスと反応ガスを一定流
量流し、反応室内を膜生成時圧力に保ち、加熱されたウ
ェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法において、膜生成イ
ベントの前イベントで、反応室内にキャリアガスを流
し、反応室内を膜生成時圧力に調整し、かつ反応ガスを
ベントラインに流して膜生成時流量に調節しておき、膜
生成イベントでは反応室内に膜生成時流量の反応ガスを
流すと同時にキャリアガス流量を反応ガス流量分、減じ
て反応室内を膜生成時圧力に保ち、反応を終了する場合
も同様に反応ガスを停止させると同時にキャリアガス流
量を前イベント時の流量に、増大させることを特徴とす
る。
記の課題を解決し、上記の目的を達成するため、図１に
示すように反応室内にキャリアガスと反応ガスを一定流
量流し、反応室内を膜生成時圧力に保ち、加熱されたウ
ェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法において、膜生成イ
ベントの前イベントで、反応室内にキャリアガスを流
し、反応室内を膜生成時圧力に調整し、かつ反応ガスを
ベントラインに流して膜生成時流量に調節しておき、膜
生成イベントでは反応室内に膜生成時流量の反応ガスを
流すと同時にキャリアガス流量を反応ガス流量分、減じ
て反応室内を膜生成時圧力に保ち、反応を終了する場合
も同様に反応ガスを停止させると同時にキャリアガス流
量を前イベント時の流量に、増大させることを特徴とす
る。
【０００６】本発明の第２方法は、同じ課題を解決し、
同じ目的を達成するため、図２に示すように反応室内に
キャリアガスと反応ガスを一定流量流し、反応室内を膜
生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜を
生成する方法において、膜生成イベントの前イベント
で、反応室内にキャリアガスを流し、反応室内を膜生成
時圧力に調節し、かつ反応ガスをベントラインに流して
膜生成時流量に調節後零にし、膜生成イベントでは反応
室内に反応ガスを流して膜生成時流量にランピングアッ
プさせると同時にキャリアガス流量を膜生成時流量にラ
ンピングダウンさせて反応室内を膜生成時圧力に保ち、
反応を終了する場合も同様に反応ガス流量を零にランピ
ングダウンさせると同時にキャリアガス流量を前イベン
ト時の流量にランピングアップさせることを特徴とす
る。
同じ目的を達成するため、図２に示すように反応室内に
キャリアガスと反応ガスを一定流量流し、反応室内を膜
生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜を
生成する方法において、膜生成イベントの前イベント
で、反応室内にキャリアガスを流し、反応室内を膜生成
時圧力に調節し、かつ反応ガスをベントラインに流して
膜生成時流量に調節後零にし、膜生成イベントでは反応
室内に反応ガスを流して膜生成時流量にランピングアッ
プさせると同時にキャリアガス流量を膜生成時流量にラ
ンピングダウンさせて反応室内を膜生成時圧力に保ち、
反応を終了する場合も同様に反応ガス流量を零にランピ
ングダウンさせると同時にキャリアガス流量を前イベン
ト時の流量にランピングアップさせることを特徴とす
る。
【０００７】本発明装置は、同じ課題を解決し、同じ目
的を達成するため、図３に示すように反応室１内にキャ
リアガス２と反応ガス３を一定流量流し、反応室１内を
膜生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜
を生成する装置において、キャリアガス２を第１マスフ
ローコントローラ４及び第１バルブ５を介して反応室１
に流す第１ライン６と、反応ガス３を第２マスフローコ
ントローラ７及び第２バルブ８を介して反応室１に流す
第２ライン９と、反応室１に連通する排気ライン１０
と、第２マスフローコントローラ７と排気ライン１０を
連通する第３バルブ１１を備えたベントライン１２とよ
りなる。
的を達成するため、図３に示すように反応室１内にキャ
リアガス２と反応ガス３を一定流量流し、反応室１内を
膜生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜
を生成する装置において、キャリアガス２を第１マスフ
ローコントローラ４及び第１バルブ５を介して反応室１
に流す第１ライン６と、反応ガス３を第２マスフローコ
ントローラ７及び第２バルブ８を介して反応室１に流す
第２ライン９と、反応室１に連通する排気ライン１０
と、第２マスフローコントローラ７と排気ライン１０を
連通する第３バルブ１１を備えたベントライン１２とよ
りなる。
【０００８】
【作 用】膜生成イベントの前（反応ガス流量調節）イ
ベントで、第１バルブ５を開き、キャリアガス２を第１
マスフローコントローラ４及び第１バルブ５を通して第
１ライン６により反応室１内に流し、排気ライン１０を
通して排気する。キャリアガス２の流量を第１マスフロ
ーコントローラ４により調節し、反応室１内の圧力を膜
生成時圧力に調節する。一方、第３バルブ１１を開き、
反応ガス３を第２マスフローコントローラ７及び第３バ
ルブ１１を通してベントライン１２より排気ライン１０
に流し、反応ガス３の流量を第２マスフローコントロー
ラ７により膜生成時流量に調節し又は調節後、零にす
る。
ベントで、第１バルブ５を開き、キャリアガス２を第１
マスフローコントローラ４及び第１バルブ５を通して第
１ライン６により反応室１内に流し、排気ライン１０を
通して排気する。キャリアガス２の流量を第１マスフロ
ーコントローラ４により調節し、反応室１内の圧力を膜
生成時圧力に調節する。一方、第３バルブ１１を開き、
反応ガス３を第２マスフローコントローラ７及び第３バ
ルブ１１を通してベントライン１２より排気ライン１０
に流し、反応ガス３の流量を第２マスフローコントロー
ラ７により膜生成時流量に調節し又は調節後、零にす
る。
【０００９】膜生成イベントでは第３バルブ１１を閉
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に膜生成時流量の
反応ガス３を流すか又は第２マスフローコントローラ７
により反応ガス３を流して膜生成時流量にランピングア
ップさせると同時にキャリアガス２の流量を第１バルブ
５により反応ガス流量分、減じるか又は第１マスフロー
コントローラ４によりランピングダウンさせて反応室１
内の圧力を膜生成時圧力に保つ。反応を終了する場合も
同様に第２バルブ８を閉じて反応ガス３を停止させるか
又は反応ガス流量を第２マスフローコントローラ７によ
り零にランピングダウンさせると同時にキャリアガス２
の流量を第１バルブ５により増大させるか又は第１マス
フローコントローラ４によりランピングアップさせる。
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に膜生成時流量の
反応ガス３を流すか又は第２マスフローコントローラ７
により反応ガス３を流して膜生成時流量にランピングア
ップさせると同時にキャリアガス２の流量を第１バルブ
５により反応ガス流量分、減じるか又は第１マスフロー
コントローラ４によりランピングダウンさせて反応室１
内の圧力を膜生成時圧力に保つ。反応を終了する場合も
同様に第２バルブ８を閉じて反応ガス３を停止させるか
又は反応ガス流量を第２マスフローコントローラ７によ
り零にランピングダウンさせると同時にキャリアガス２
の流量を第１バルブ５により増大させるか又は第１マス
フローコントローラ４によりランピングアップさせる。
【００１０】しかして膜生成初期においてベントライン
１２に流れている反応ガス３の膜生成時流量を反応室１
内に流すと同時に反応室１内に流れているキャリアガス
２の流量を反応ガス３の膜生成時流量分、減じることに
より反応室１内の圧力を変化させることなく膜生成時圧
力に保つことができるので、膜生成初期における生成膜
質を定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にできることに
なる。
１２に流れている反応ガス３の膜生成時流量を反応室１
内に流すと同時に反応室１内に流れているキャリアガス
２の流量を反応ガス３の膜生成時流量分、減じることに
より反応室１内の圧力を変化させることなく膜生成時圧
力に保つことができるので、膜生成初期における生成膜
質を定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にできることに
なる。
【００１１】又、膜生成終了時において反応ガス３の流
量を零にすると同時にキャリアガス３の流量を前イベン
ト時の流量に増大させることにより膜生成終了時におけ
る生成膜質も定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にでき
ることになる。更に膜生成初期時及び終了時に反応室１
内の圧力が変化しないので、パーティクルの発生を抑制
することができることになる。
量を零にすると同時にキャリアガス３の流量を前イベン
ト時の流量に増大させることにより膜生成終了時におけ
る生成膜質も定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にでき
ることになる。更に膜生成初期時及び終了時に反応室１
内の圧力が変化しないので、パーティクルの発生を抑制
することができることになる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明方法の第１実施例におけるガス
流量タイムチャート、図２は本発明方法の第２実施例に
おけるガス流量タイムチャート、図３は本発明方法を実
施するための装置の１例の構成を示す管路図である。図
３において１はキャリアガスと反応ガス３を一定流量流
し、内部を膜生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上
にＣＶＤ膜を生成する反応室である。
流量タイムチャート、図２は本発明方法の第２実施例に
おけるガス流量タイムチャート、図３は本発明方法を実
施するための装置の１例の構成を示す管路図である。図
３において１はキャリアガスと反応ガス３を一定流量流
し、内部を膜生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上
にＣＶＤ膜を生成する反応室である。
【００１３】６はキャリアガス２を第１マスフローコン
トローラ４及び第１バルブ５を介して反応室１に流す第
１ライン、９は反応ガス３を第２マスフローコントロー
ラ７及び第２バルブ８を介して反応室１に流す第２ライ
ンである。１０は反応室１に連通する排気ラインで、第
４バルブ１３及び真空ポンプ１４を有する。１２は第２
マスフローコントローラ７と排気ライン１０を連通する
第３バルブ１１を備えたベントラインである。
トローラ４及び第１バルブ５を介して反応室１に流す第
１ライン、９は反応ガス３を第２マスフローコントロー
ラ７及び第２バルブ８を介して反応室１に流す第２ライ
ンである。１０は反応室１に連通する排気ラインで、第
４バルブ１３及び真空ポンプ１４を有する。１２は第２
マスフローコントローラ７と排気ライン１０を連通する
第３バルブ１１を備えたベントラインである。
【００１４】本発明第１実施方法を図１に従って説明す
る。膜生成イベントの前（反応ガス流量調整）イベント
で、第１，第４バルブ５，１３を開き、真空ポンプ１４
を作動させ、キャリアガス２を第１マスフローコントロ
ーラ４及び第１バルブ５を通して第１ライン６により反
応室１内に流し、真空ポンプ１４により第４バルブ１３
を通して排気ライン１０より排気する。
る。膜生成イベントの前（反応ガス流量調整）イベント
で、第１，第４バルブ５，１３を開き、真空ポンプ１４
を作動させ、キャリアガス２を第１マスフローコントロ
ーラ４及び第１バルブ５を通して第１ライン６により反
応室１内に流し、真空ポンプ１４により第４バルブ１３
を通して排気ライン１０より排気する。
【００１５】キャリアガス２の流量を第１マスフローコ
ントローラ４により調節し、反応室１へ流れるキャリア
ガス２と反応ガス３（流量零）の全ガス流量を一定に保
ち、反応室１内の圧力を膜生成時（目標）圧力に調節す
る。一方、第３バルブ１１を開き、反応ガス３を第２マ
スフローコントローラ７及び第３バルブ１１を通して真
空ポンプ１４によりベントライン１２を通して排気ライ
ン１０より排気し、反応ガス３の流量を第２マスフロー
コントローラ７により膜生成時（目標）流量に調節す
る。
ントローラ４により調節し、反応室１へ流れるキャリア
ガス２と反応ガス３（流量零）の全ガス流量を一定に保
ち、反応室１内の圧力を膜生成時（目標）圧力に調節す
る。一方、第３バルブ１１を開き、反応ガス３を第２マ
スフローコントローラ７及び第３バルブ１１を通して真
空ポンプ１４によりベントライン１２を通して排気ライ
ン１０より排気し、反応ガス３の流量を第２マスフロー
コントローラ７により膜生成時（目標）流量に調節す
る。
【００１６】膜生成イベントでは第３バルブ１１を閉
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に膜生成時流量の
反応ガス３を流すと同時にキャリアガス２の流量を第１
バルブ５により反応ガス流量分、減じて反応室１へ流れ
るキャリアガス２と反応ガス３の全ガス流量を一定に保
ち、反応室１内の圧力を膜生成時圧力に保つ。
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に膜生成時流量の
反応ガス３を流すと同時にキャリアガス２の流量を第１
バルブ５により反応ガス流量分、減じて反応室１へ流れ
るキャリアガス２と反応ガス３の全ガス流量を一定に保
ち、反応室１内の圧力を膜生成時圧力に保つ。
【００１７】反応を終了する場合も同様に第２バルブ８
を閉じて反応ガス３を停止させると同時にキャリアガス
２の流量を第１バルブ５により前イベント時の流量に増
大させる。
を閉じて反応ガス３を停止させると同時にキャリアガス
２の流量を第１バルブ５により前イベント時の流量に増
大させる。
【００１８】次に本発明第２実施方法を図２に従って説
明する。膜生成イベントの前イベントで、キャリアガス
２を反応室１内に流し、その流量を調節して反応室１へ
流れるキャリア２と反応ガス３の全ガス流量を一定に保
ち、反応室内の圧力を膜生成時流量に調節し、一方、反
応ガス３をベントライン１２に流し、その流量を膜生成
時流量に調節するまでは上記第１実施方法と同様に説明
することができる。反応ガス３の流量を膜生成時流量に
調節した後、零にする。
明する。膜生成イベントの前イベントで、キャリアガス
２を反応室１内に流し、その流量を調節して反応室１へ
流れるキャリア２と反応ガス３の全ガス流量を一定に保
ち、反応室内の圧力を膜生成時流量に調節し、一方、反
応ガス３をベントライン１２に流し、その流量を膜生成
時流量に調節するまでは上記第１実施方法と同様に説明
することができる。反応ガス３の流量を膜生成時流量に
調節した後、零にする。
【００１９】膜生成イベントでは第３バルブ１１を閉
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に第２マスフロー
コントローラ７により反応ガス３を流して膜生成時流量
にランピングアップさせると同時にキャリアガス２の流
量を第１マスフローコントローラ４によりランピングダ
ウンさせて反応室１へ流れるキャリアガス２と反応ガス
３の全ガス流量を一定に保ち、反応室１内の圧力を膜生
成時圧力に保つ。
じ、第２バルブ８を開き、反応室１内に第２マスフロー
コントローラ７により反応ガス３を流して膜生成時流量
にランピングアップさせると同時にキャリアガス２の流
量を第１マスフローコントローラ４によりランピングダ
ウンさせて反応室１へ流れるキャリアガス２と反応ガス
３の全ガス流量を一定に保ち、反応室１内の圧力を膜生
成時圧力に保つ。
【００２０】反応を終了する場合も同様に反応ガス３の
流量を第２マスフローコントローラ７により零にランピ
ングダウンさせると同時にキャリアガス２の流量を第１
マスフローコントローラ４により前イベント時の流量に
ランピングアップさせる。
流量を第２マスフローコントローラ７により零にランピ
ングダウンさせると同時にキャリアガス２の流量を第１
マスフローコントローラ４により前イベント時の流量に
ランピングアップさせる。
【００２１】しかして第１，第２実施方法によれば、膜
生成初期においてベントライン１２に流れている反応ガ
ス３の膜生成時流量を反応室１内に流すと同時に反応室
１内に流れているキャリアガス２の流量を反応ガス３の
膜生成時流量分、減じることにより反応室１内に流れる
全流量を一定にして反応室１内の圧力を変化させること
なく、膜生成時圧力に保つことができるので、膜生成初
期時における生成膜質を定常の膜生成時の膜質と同等の
膜質にできることになる。
生成初期においてベントライン１２に流れている反応ガ
ス３の膜生成時流量を反応室１内に流すと同時に反応室
１内に流れているキャリアガス２の流量を反応ガス３の
膜生成時流量分、減じることにより反応室１内に流れる
全流量を一定にして反応室１内の圧力を変化させること
なく、膜生成時圧力に保つことができるので、膜生成初
期時における生成膜質を定常の膜生成時の膜質と同等の
膜質にできることになる。
【００２２】又、膜生成終了において反応ガス３の流量
を零にすると同時にキャリアガス３の流量を前イベント
時の流量に増大させることにより反応室１内に流れる全
流量を一定にして反応室１内の圧力を変化させることな
く膜生成時圧力に保つことができるので、膜生成終了時
における生成膜質を定常の膜生成時の膜質と同等の膜質
にできることになる。更に膜生成初期時及び終了時に反
応室１内の圧力が変化しないので、パーティクルの発生
を抑制することができることになる。
を零にすると同時にキャリアガス３の流量を前イベント
時の流量に増大させることにより反応室１内に流れる全
流量を一定にして反応室１内の圧力を変化させることな
く膜生成時圧力に保つことができるので、膜生成終了時
における生成膜質を定常の膜生成時の膜質と同等の膜質
にできることになる。更に膜生成初期時及び終了時に反
応室１内の圧力が変化しないので、パーティクルの発生
を抑制することができることになる。
【００２３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、膜生成初
期時及び終了時における生成膜質を定常の膜生成時の膜
質と同等の膜質にできるばかりでなく、パーティクルの
発生を抑制することができる。
期時及び終了時における生成膜質を定常の膜生成時の膜
質と同等の膜質にできるばかりでなく、パーティクルの
発生を抑制することができる。
【図１】本発明方法の第１実施例におけるガス流量タイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図２】本発明方法の第２実施例におけるガス流量タイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図３】本発明方法を実施するための装置の１例の構成
を示す管路図である。
を示す管路図である。
１ 反応室 ２ キャリアガス ３ 反応ガス ４ 第１マスフローコントローラ ５ 第１バルブ ６ 第１ライン ７ 第２マスフローコントローラ ８ 第２バルブ ９ 第２ライン １０ 排気ライン １１ 第３バルブ １２ ベントライン １３ 第４バルブ １４ 真空ポンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内にキャリアガスと反応ガスを一
定流量流し、反応室内を膜生成時圧力に保ち、加熱され
たウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法において、膜生
成イベントの前イベントで、反応室内にキャリアガスを
流し、反応室内を膜生成時圧力に調整し、かつ反応ガス
をベントラインに流して膜生成時流量に調節しておき、
膜生成イベントでは反応室内に膜生成時流量の反応ガス
を流すと同時にキャリアガス流量を反応ガス流量分、減
じて反応室内を膜生成時圧力に保ち、反応を終了する場
合も同様に反応ガスを停止させると同時にキャリアガス
流量を前イベント時の流量に、増大させることを特徴と
するＣＶＤ膜生成方法。 - 【請求項２】 反応室内にキャリアガスと反応ガスを一
定流量流し、反応室内を膜生成時圧力に保ち、加熱され
たウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する方法において、膜生
成イベントの前イベントで、反応室内にキャリアガスを
流し、反応室内を膜生成時圧力に調節し、かつ反応ガス
をベントラインに流して膜生成時流量に調節後零にし、
膜生成イベントでは反応室内に反応ガスを流して膜生成
時流量にランピングアップさせると同時にキャリアガス
流量を膜生成時流量にランピングダウンさせて反応室内
を膜生成時圧力に保ち、反応を終了する場合も同様に反
応ガス流量を零にランピングダウンさせると同時にキャ
リアガス流量を前イベント時の流量にランピングアップ
させることを特徴とするＣＶＤ膜生成方法。 - 【請求項３】 反応室（１）内にキャリアガス（２）と
反応ガス（３）を一定流量流し、反応室（１）内を膜生
成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にＣＶＤ膜を生
成する装置において、キャリアガス（２）を第１マスフ
ローコントローラ（４）及び第１バルブ（５）を介して
反応室（１）に流す第１ライン（６）と、反応ガス
（３）を第２マスフローコントローラ（７）及び第２バ
ルブ（８）を介して反応室（１）に流す第２ライン
（９）と、反応室（１）に連通する排気ライン（１０）
と、第２マスフローコントローラ（７）と排気ライン
（１０）を連通する第３バルブ（１１）を備えたベント
ライン（１２）とよりなるＣＶＤ膜生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3855992A JPH05206033A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜生成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3855992A JPH05206033A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜生成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206033A true JPH05206033A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12528658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3855992A Pending JPH05206033A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜生成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206033A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274029A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Yamagata Ltd | ガス供給装置 |
| US6270581B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-08-07 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Wet-oxidation apparatus and wet-oxidation method |
| KR100496854B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
| KR100572305B1 (ko) * | 1998-11-23 | 2006-09-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체제조설비 |
| JP2007113041A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009164281A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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