JP2002256437A - ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 - Google Patents
ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置Info
- Publication number
- JP2002256437A JP2002256437A JP2001051769A JP2001051769A JP2002256437A JP 2002256437 A JP2002256437 A JP 2002256437A JP 2001051769 A JP2001051769 A JP 2001051769A JP 2001051769 A JP2001051769 A JP 2001051769A JP 2002256437 A JP2002256437 A JP 2002256437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- reaction chamber
- gas
- diamond
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 排気バルブと反応室ガス導入バルブにより、
ガス切り替え時においても、反応室の直前まで安定した
混合ガスを供給することができるダイヤモンド様炭素多
層膜の製造装置を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置に
おいて、排気バルブ１と、反応室ガス導入バルブ２を反
応室３の直前に配置する。堆積層の切換時には、ガス供
給が安定するまでの間、反応室ガス導入バルブ２を閉
じ、排気バルブ１が接続される排気ライン８もしくは１
０を選択してゲートバルブ５により反応室３内の圧力を
調整する。その後反応室ガス導入バルブ２を開き、排気
バルブ１を閉じて、反応室内にガスを導入して次の層の
成膜を行なう。
ガス切り替え時においても、反応室の直前まで安定した
混合ガスを供給することができるダイヤモンド様炭素多
層膜の製造装置を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置に
おいて、排気バルブ１と、反応室ガス導入バルブ２を反
応室３の直前に配置する。堆積層の切換時には、ガス供
給が安定するまでの間、反応室ガス導入バルブ２を閉
じ、排気バルブ１が接続される排気ライン８もしくは１
０を選択してゲートバルブ５により反応室３内の圧力を
調整する。その後反応室ガス導入バルブ２を開き、排気
バルブ１を閉じて、反応室内にガスを導入して次の層の
成膜を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＣＬ多層膜を成
膜するダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置に関するも
のである。
膜するダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＤＬＣ多層膜は、図２に示すよう
な排気制御バルブ２０〜２３と排気ライン３２、反応ガ
ス導入ライン３８で構成された製造装置によって成膜さ
れるように構成されている。
な排気制御バルブ２０〜２３と排気ライン３２、反応ガ
ス導入ライン３８で構成された製造装置によって成膜さ
れるように構成されている。
【０００３】図２において、２０は第１の排気バルブ、
２１は第２の排気バルブ、２２は第３の排気バルブ、２
３は第４の排気バルブ、２４は第１の反応ガス制御バル
ブ、２５は第２の反応ガス制御バルブ、２６は第３の反
応ガス制御バルブ、２７は第４の反応ガス制御バルブ、
２８は第１のマス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）、
２９は第２のＭＦＣ、３０は第３のＭＦＣ、３１は第４
のＭＦＣ、３２は排気ライン、３３は第１の反応ガス導
入バルブ、３４は第２の反応ガス導入バルブ、３５は第
３の反応ガス導入バルブ、３６は第４の反応ガス導入バ
ルブ、３７はガスマニホールド、３８は反応ガス導入ラ
イン、３９は反応室である。
２１は第２の排気バルブ、２２は第３の排気バルブ、２
３は第４の排気バルブ、２４は第１の反応ガス制御バル
ブ、２５は第２の反応ガス制御バルブ、２６は第３の反
応ガス制御バルブ、２７は第４の反応ガス制御バルブ、
２８は第１のマス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）、
２９は第２のＭＦＣ、３０は第３のＭＦＣ、３１は第４
のＭＦＣ、３２は排気ライン、３３は第１の反応ガス導
入バルブ、３４は第２の反応ガス導入バルブ、３５は第
３の反応ガス導入バルブ、３６は第４の反応ガス導入バ
ルブ、３７はガスマニホールド、３８は反応ガス導入ラ
イン、３９は反応室である。
【０００４】上記した従来の方法で本発明に係る後述す
る図２のような２層膜を成膜する場合の手順は、高周波
プラズマ化学気相成長法で成膜すると仮定すると、 （１）まず、第１〜第３の反応ガス制御バルブ２４，２
５，２６を開き、第４の反応ガス制御バルブ２７を閉
じ、第１、第２及び第４排気バルブ２０，２１，２３を
閉じて、第１〜第３ＭＦＣ２８〜３０を所定の流量に調
整した後、プラズマを点火して規定時間成膜する。反応
ガスＡ，Ｂに対応した膜４１を基板４０上に堆積する。
る図２のような２層膜を成膜する場合の手順は、高周波
プラズマ化学気相成長法で成膜すると仮定すると、 （１）まず、第１〜第３の反応ガス制御バルブ２４，２
５，２６を開き、第４の反応ガス制御バルブ２７を閉
じ、第１、第２及び第４排気バルブ２０，２１，２３を
閉じて、第１〜第３ＭＦＣ２８〜３０を所定の流量に調
整した後、プラズマを点火して規定時間成膜する。反応
ガスＡ，Ｂに対応した膜４１を基板４０上に堆積する。
【０００５】（２）次に、プラズマを消し、同時に第２
の反応ガス導入バルブ３４を閉じて、第２排気バルブ２
１を開き、反応ガスＣを供給するために第３の排気バル
ブ２２を閉じ、第３の反応ガス導入バルブ３５を開く。
第１のＭＦＣ２８と第３のＭＦＣ３０の流量が安定した
後、プラズマを点火して反応ガスＡ，Ｃに対応した膜４
２を基板４０上に堆積する。
の反応ガス導入バルブ３４を閉じて、第２排気バルブ２
１を開き、反応ガスＣを供給するために第３の排気バル
ブ２２を閉じ、第３の反応ガス導入バルブ３５を開く。
第１のＭＦＣ２８と第３のＭＦＣ３０の流量が安定した
後、プラズマを点火して反応ガスＡ，Ｃに対応した膜４
２を基板４０上に堆積する。
【０００６】以後、必要があれば、この操作を繰り返
す。
す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置では、第１層膜４
１を成膜後に、第２層膜４２を成膜するときに混合ガス
の流量と構成比率を安定にすることができず、一時的に
反応室３９内部に不正な流量と構成比率の混合ガスが流
入する。この不正な混合ガスの影響で品質の良い薄膜が
成膜できない。
ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置では、第１層膜４
１を成膜後に、第２層膜４２を成膜するときに混合ガス
の流量と構成比率を安定にすることができず、一時的に
反応室３９内部に不正な流量と構成比率の混合ガスが流
入する。この不正な混合ガスの影響で品質の良い薄膜が
成膜できない。
【０００８】本発明は、上記問題点を除去し、排気バル
ブと反応室ガス導入バルブにより、ガス切り替え時にお
いても、反応室の直前まで安定した混合ガスを供給する
ことができるダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置を提
供することを目的とする。
ブと反応室ガス導入バルブにより、ガス切り替え時にお
いても、反応室の直前まで安定した混合ガスを供給する
ことができるダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成するために、 〔１〕ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置において、
排気バルブと反応室ガス導入バルブを、反応室の直前に
配置することを特徴とする。
を達成するために、 〔１〕ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置において、
排気バルブと反応室ガス導入バルブを、反応室の直前に
配置することを特徴とする。
【００１０】〔２〕上記〔１〕記載のダイヤモンド様炭
素多層膜の製造装置において、前記バルブを所定のプロ
トコルにより制御するコンピュータを具備することを特
徴とする。
素多層膜の製造装置において、前記バルブを所定のプロ
トコルにより制御するコンピュータを具備することを特
徴とする。
【００１１】〔３〕上記〔１〕記載のダイヤモンド様炭
素多層膜の製造装置において、前記反応室に接続される
反応室ゲートバルブ接続ダクトに前記排気バルブを接続
することを特徴とする。
素多層膜の製造装置において、前記反応室に接続される
反応室ゲートバルブ接続ダクトに前記排気バルブを接続
することを特徴とする。
【００１２】〔４〕上記〔１〕記載のダイヤモンド様炭
素多層膜の製造装置において、排気ポンプに接続される
ゲートバルブ排気ポンプ接続ダクトに前記排気バルブを
接続することを特徴とする。
素多層膜の製造装置において、排気ポンプに接続される
ゲートバルブ排気ポンプ接続ダクトに前記排気バルブを
接続することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に従って詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は本発明の実施例を示すダイヤモンド
様炭素多層膜の製造装置の構成図である。
様炭素多層膜の製造装置の構成図である。
【００１５】この図において、１は排気バルブ、２は反
応室ガス導入バルブ、３は反応室、４は反応室ゲートバ
ルブ接続ダクト、５はゲートバルブ、６はゲートバルブ
排気ポンプ接続ダクト、７は排気ポンプ、８〜１０は排
気ライン、１１は第１のＭＦＣ、１２は第２のＭＦＣ、
１３は第３のＭＦＣ、１４は第４のＭＦＣ、１５は第１
のバルブ、１６は第２のバルブ、１７は第３のバルブ、
１８は第４のバルブ、１９はガスマニホールド、Ｅはコ
ンピュータである。
応室ガス導入バルブ、３は反応室、４は反応室ゲートバ
ルブ接続ダクト、５はゲートバルブ、６はゲートバルブ
排気ポンプ接続ダクト、７は排気ポンプ、８〜１０は排
気ライン、１１は第１のＭＦＣ、１２は第２のＭＦＣ、
１３は第３のＭＦＣ、１４は第４のＭＦＣ、１５は第１
のバルブ、１６は第２のバルブ、１７は第３のバルブ、
１８は第４のバルブ、１９はガスマニホールド、Ｅはコ
ンピュータである。
【００１６】このように、本発明の成膜装置は、第１〜
第４のＭＦＣ１１〜１４と第１〜第４のバルブ１５〜１
８と接続されたガスマニホールド１９に接続された排気
ライン８もしくは９もしくは１０に接続された排気バル
ブ１と反応室３に接続された反応室ガス導入バルブ２を
備える。
第４のＭＦＣ１１〜１４と第１〜第４のバルブ１５〜１
８と接続されたガスマニホールド１９に接続された排気
ライン８もしくは９もしくは１０に接続された排気バル
ブ１と反応室３に接続された反応室ガス導入バルブ２を
備える。
【００１７】この実施例では、一例としてＭＦＣとバル
ブは反応ガス４種類の対応として説明しているが、１反
応ガス単独で成膜することもあるため、２種類以上の反
応ガスを使うシステムにおいて実施できる。
ブは反応ガス４種類の対応として説明しているが、１反
応ガス単独で成膜することもあるため、２種類以上の反
応ガスを使うシステムにおいて実施できる。
【００１８】また、本発明は、ＤＬＣ多層膜の成膜を例
として説明しているが、同様な手法を用いる他の薄膜に
も適用できる。
として説明しているが、同様な手法を用いる他の薄膜に
も適用できる。
【００１９】以下、この成膜装置の動作の説明を行う。
【００２０】ここでは、図２に示すように、ＤＬＣ２層
膜の成膜について説明する。
膜の成膜について説明する。
【００２１】反応室３内部の圧力調整には、通常、反応
室３とゲートバルブ５の間にスロットバルブを設置する
が、ここでは、ゲートバルブをスロットバルブとして説
明する。第１のＭＦＣ１１にはガスＡとしてのメタンガ
ス（ＣＨ4 ）、第２のＭＦＣ１２にはガスＢとしての窒
素ガス（Ｎ2 ）を供給する。他のＭＦＣにはガスは供給
しない。第３及び第４バルブ１７，１８は常に閉じてい
る。
室３とゲートバルブ５の間にスロットバルブを設置する
が、ここでは、ゲートバルブをスロットバルブとして説
明する。第１のＭＦＣ１１にはガスＡとしてのメタンガ
ス（ＣＨ4 ）、第２のＭＦＣ１２にはガスＢとしての窒
素ガス（Ｎ2 ）を供給する。他のＭＦＣにはガスは供給
しない。第３及び第４バルブ１７，１８は常に閉じてい
る。
【００２２】最初に第１のバルブ１５と第２のバルブ１
６を開き、メタンガス（ＣＨ4 ）と窒素ガス（Ｎ2 ）を
反応室３に供給する。このとき排気バルブ１を閉じ、反
応室ガス導入バルブ２を開いておく。プラズマ点火前の
生ガスが基板４０に影響を与える場合は、排気バルブ１
を開き、反応室ガス導入バルブ２を閉じておく。第１の
ＭＦＣ１１、第２のＭＦＣ１２は予め所定のフローレー
トに設定しておく。次に、ゲートバルブ５を調整して反
応室３内の圧力を所定の圧力にする。
６を開き、メタンガス（ＣＨ4 ）と窒素ガス（Ｎ2 ）を
反応室３に供給する。このとき排気バルブ１を閉じ、反
応室ガス導入バルブ２を開いておく。プラズマ点火前の
生ガスが基板４０に影響を与える場合は、排気バルブ１
を開き、反応室ガス導入バルブ２を閉じておく。第１の
ＭＦＣ１１、第２のＭＦＣ１２は予め所定のフローレー
トに設定しておく。次に、ゲートバルブ５を調整して反
応室３内の圧力を所定の圧力にする。
【００２３】次に、プラズマを点火して基板４０上に第
１層膜（薄膜）４１を堆積する。堆積時間等の経過から
必要な厚さの第１層膜（薄膜）４１が得られれば、次
に、反応室ガス導入バルブ２を閉じ、排気バルブ１を開
き、反応室３へのガス供給を停止する。
１層膜（薄膜）４１を堆積する。堆積時間等の経過から
必要な厚さの第１層膜（薄膜）４１が得られれば、次
に、反応室ガス導入バルブ２を閉じ、排気バルブ１を開
き、反応室３へのガス供給を停止する。
【００２４】ガス供給の停止に先立ってプラズマを停止
しておく。次に、第２のパルブ１６を閉じて第１のＭＦ
Ｃ１５を所定の流量に設定する。ゲートバルブ５を調整
して反応室３内の圧力を規定値に設定する。この手順を
踏襲するときは排気バルブ１が接続される排気ラインは
８もしくは１０が選択される。次に、反応室ガス導入バ
ルブ２を開き、排気バルブ１を閉じて反応ガスを反応室
３に供給しプラズマを点火して第２層膜（薄膜）４２を
成膜する。必要な厚さの第２層膜（薄膜）４２が得られ
れば、プラズマを停止し、排気バルブ１を開き、反応室
ガス導入バルブ２を閉じる。ガスマニホールド１９に残
った残留ガスを除去するため、必要時間が経過した後に
第１のバルブ１５を閉じる。
しておく。次に、第２のパルブ１６を閉じて第１のＭＦ
Ｃ１５を所定の流量に設定する。ゲートバルブ５を調整
して反応室３内の圧力を規定値に設定する。この手順を
踏襲するときは排気バルブ１が接続される排気ラインは
８もしくは１０が選択される。次に、反応室ガス導入バ
ルブ２を開き、排気バルブ１を閉じて反応ガスを反応室
３に供給しプラズマを点火して第２層膜（薄膜）４２を
成膜する。必要な厚さの第２層膜（薄膜）４２が得られ
れば、プラズマを停止し、排気バルブ１を開き、反応室
ガス導入バルブ２を閉じる。ガスマニホールド１９に残
った残留ガスを除去するため、必要時間が経過した後に
第１のバルブ１５を閉じる。
【００２５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、各堆積層の成膜切り替え時における不安定要因
を排除し、安定した薄膜を多層構造で成膜することがで
きる。
よれば、各堆積層の成膜切り替え時における不安定要因
を排除し、安定した薄膜を多層構造で成膜することがで
きる。
【図１】本発明の実施例を示すダイヤモンド様炭素多層
膜の製造装置の構成図である。
膜の製造装置の構成図である。
【図２】本発明にかかるダイヤモンド様炭素多層膜の例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】従来のダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置の
構成図である。
構成図である。
１ 排気バルブ ２ 反応室ガス導入バルブ ３ 反応室 ４ 反応室ゲートバルブ接続ダクト ５ ゲートバルブ ６ ゲートバルブ排気ポンプ接続ダクト ７ 排気ポンプ ８〜１０ 排気ライン １１ 第１のＭＦＣ １２ 第２のＭＦＣ １３ 第３のＭＦＣ １４ 第４のＭＦＣ １５ 第１のバルブ １６ 第２のバルブ １７ 第３のバルブ １８ 第４のバルブ １９ ガスマニホールド Ｅ コンピュータ ４０ 基板 ４１ 第１層膜（薄膜） ４２ 第２層膜（薄膜）
Claims (4)
- 【請求項１】 排気バルブと反応室ガス導入バルブを、
反応室の直前に配置することを特徴とするダイヤモンド
様炭素多層膜の製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイヤモンド様炭素多層
膜の製造装置において、前記バルブを所定のプロトコル
により制御するコンピュータを具備することを特徴とす
るダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のダイヤモンド様炭素多層
膜の製造装置において、前記反応室に接続される反応室
ゲートバルブ接続ダクトに前記排気バルブを接続するこ
とを特徴とするダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置。 - 【請求項４】 請求項１記載のダイヤモンド様炭素多層
膜の製造装置において、排気ポンプに接続されるゲート
バルブ排気ポンプ接続ダクトに前記排気バルブを接続す
ることを特徴とするダイヤモンド様炭素多層膜の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051769A JP2002256437A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051769A JP2002256437A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002256437A true JP2002256437A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18912499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001051769A Pending JP2002256437A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002256437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
-
2001
- 2001-02-27 JP JP2001051769A patent/JP2002256437A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
| JP2011124227A (ja) * | 2003-04-16 | 2011-06-23 | Mks Instruments Inc | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180182614A1 (en) | Method of depositing and etching si-containing film | |
| US20050223982A1 (en) | Apparatus and method for depositing thin film on wafer using remote plasma | |
| US20040187777A1 (en) | CVD apparatus | |
| US7771535B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2011023718A (ja) | ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法 | |
| KR102288228B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
| US20080311731A1 (en) | Low pressure chemical vapor deposition of polysilicon on a wafer | |
| WO2020246309A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2002256437A (ja) | ダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 | |
| WO1999053537A1 (fr) | Procede servant a relacher les contraintes dans une pellicule de couverture en tungstene obtenue par depot chimique en phase vapeur | |
| JPWO2005024926A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206033A (ja) | Ｃｖｄ膜生成方法及び装置 | |
| KR20190143377A (ko) | 금속막의 형성 방법 및 성막 장치 | |
| US20050000426A1 (en) | Methods and apparatus for depositing a thin film on a substrate | |
| JP2002256438A (ja) | 窒素パッシベーション機能を有するダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置 | |
| EP0960435B1 (en) | Methods for minimizing as-deposited stress in tungsten silicide films | |
| WO2019012797A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP3908625B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20080037130A (ko) | 박막 증착 방법 | |
| JPH05144747A (ja) | Ｃｖｄ装置及びかかる装置を用いた薄膜形成方法 | |
| JP4421017B2 (ja) | 酸化ケイ素薄膜の成膜方法および成膜装置 | |
| JP2019220575A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
| KR20190092762A (ko) | 플라즈마를 이용한 박막 제조방법 및 장치 | |
| US20240247367A1 (en) | Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium | |
| JPH10237654A (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031031 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040108 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040127 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070417 |