JPS60218652A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60218652A JPS60218652A JP7632284A JP7632284A JPS60218652A JP S60218652 A JPS60218652 A JP S60218652A JP 7632284 A JP7632284 A JP 7632284A JP 7632284 A JP7632284 A JP 7632284A JP S60218652 A JPS60218652 A JP S60218652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- hydrazone
- group
- charge transport
- charge transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0616—Hydrazines; Hydrazones
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関し、更に詳しくは、導電
体支持上に、電荷発生層と電荷輸送層を設けた電子写真
感光体において、電荷輸送層としく式中、Ｒ１は炭素数
１〜６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はナフ
チル基、Ｒ２は低級アルキル基、ｎは１〜６の整数を表
わす） で表わされるＮ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−
Ｎ−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導
体を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する
。
体支持上に、電荷発生層と電荷輸送層を設けた電子写真
感光体において、電荷輸送層としく式中、Ｒ１は炭素数
１〜６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はナフ
チル基、Ｒ２は低級アルキル基、ｎは１〜６の整数を表
わす） で表わされるＮ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−
Ｎ−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導
体を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する
。
近年、電子写真感光体材料として広く用いられているも
のに、無機系の光導電性物質として、セレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等がアリ、有機系の光導電性物質とし
ては、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ンスラセンをはじめとする種々の光導電性ポリマーや、
種々の低分子光導電性物質が提案されている。
のに、無機系の光導電性物質として、セレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等がアリ、有機系の光導電性物質とし
ては、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ンスラセンをはじめとする種々の光導電性ポリマーや、
種々の低分子光導電性物質が提案されている。
その中で、ポリ−Ｎ−カルバゾールを拡じめとする光導
電性ポリマーは、成膜性、可撓性が充分でなく、フイー
ムにして放置するとひび割れ−出来たシ、剥離を起した
シする欠点が生じる。そこで、これ等の欠点を補うため
に可塑剤やバインダー等を添加するが、これによって可
撓性は向上する反面、感度や残留電位等の電子写真特性
が低下するという欠点が現われてくるため、実用的な感
光体を得る事が極めて困難であった。一方低分子の有機
光導電性化合物はそれ自身フィルム形成能を持たないが
、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、ポリカー
ボネート樹脂などの高分子結着剤を適切に選択する事に
よって、フィルムを形成させる事が出来、成膜性、可撓
性のすぐれた感光体を得る事が出来る。
電性ポリマーは、成膜性、可撓性が充分でなく、フイー
ムにして放置するとひび割れ−出来たシ、剥離を起した
シする欠点が生じる。そこで、これ等の欠点を補うため
に可塑剤やバインダー等を添加するが、これによって可
撓性は向上する反面、感度や残留電位等の電子写真特性
が低下するという欠点が現われてくるため、実用的な感
光体を得る事が極めて困難であった。一方低分子の有機
光導電性化合物はそれ自身フィルム形成能を持たないが
、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、ポリカー
ボネート樹脂などの高分子結着剤を適切に選択する事に
よって、フィルムを形成させる事が出来、成膜性、可撓
性のすぐれた感光体を得る事が出来る。
また、近年、例えば米国特許第３７９１８２６号に見ら
れるごとく、光導電性物質の二つの機能、すなわち、電
荷担体の発生と、発生した電荷の移動をそれぞれ別個の
有機化合物にょシ行ゎしめようという方式が盛んに提案
されている。電荷輸送物質は多くの場合、低分子有機光
導電性化合物であり、広範囲の物質の中から感光体とし
て要求される緒特性、すなわち、絶縁性が高く、電荷保
持能力が高く、光感度が高く、又残留電位がほとんど無
いなどの機能を有する化合物を選択出来る様になった。
れるごとく、光導電性物質の二つの機能、すなわち、電
荷担体の発生と、発生した電荷の移動をそれぞれ別個の
有機化合物にょシ行ゎしめようという方式が盛んに提案
されている。電荷輸送物質は多くの場合、低分子有機光
導電性化合物であり、広範囲の物質の中から感光体とし
て要求される緒特性、すなわち、絶縁性が高く、電荷保
持能力が高く、光感度が高く、又残留電位がほとんど無
いなどの機能を有する化合物を選択出来る様になった。
しかしながら、高分子結着剤に約する溶解性に問題があ
るものも多く、溶解性の低いものは均一なフイＪ・ムを
得る事が困難であシ、溶解しても時間の経過と共に結晶
が析出する現象があるものは電子写真の性能を著しく低
下せしめている。
るものも多く、溶解性の低いものは均一なフイＪ・ムを
得る事が困難であシ、溶解しても時間の経過と共に結晶
が析出する現象があるものは電子写真の性能を著しく低
下せしめている。
また、機能分離タイプの感光層を有する従来の電子写真
感光体を、電子写真プロセスに従って繰シ返し反復使用
した場合、もとの帯電特性を回復する能力が低下し、感
光体の寿命を短かくする欠点を有している。すなわち、
帯域、暗減衰、光減衰、クリーニングという電子写真の
実際上のプロセスを多数回繰シ返すと、帯電後の表面電
荷変動、電荷保持能力の低下、光感度の低下、残留電位
の上昇等いずれか一つ又は二つ以上の光疲労現象が生じ
電子写真の性能を著しく低下せしめるため実用上の大き
な問題点となっている。
感光体を、電子写真プロセスに従って繰シ返し反復使用
した場合、もとの帯電特性を回復する能力が低下し、感
光体の寿命を短かくする欠点を有している。すなわち、
帯域、暗減衰、光減衰、クリーニングという電子写真の
実際上のプロセスを多数回繰シ返すと、帯電後の表面電
荷変動、電荷保持能力の低下、光感度の低下、残留電位
の上昇等いずれか一つ又は二つ以上の光疲労現象が生じ
電子写真の性能を著しく低下せしめるため実用上の大き
な問題点となっている。
従って、本発明の目的は、高分子結着剤に対する溶解性
がすぐれ、高感度にして残留電位が少なく又電子写真プ
ロセスに従って繰シ返し使用しても光疲労が少なく、耐
久性がすぐれた電子写真感光体を提供する事にある。
がすぐれ、高感度にして残留電位が少なく又電子写真プ
ロセスに従って繰シ返し使用しても光疲労が少なく、耐
久性がすぐれた電子写真感光体を提供する事にある。
本発明者等は以上の目的を達成すべく、有機光導電物質
について鋭意研究した結果、特定のヒドラゾン化合物が
電子写真に対する種々の要求を満たす、ことを見出し本
発明を完成するに至った。
について鋭意研究した結果、特定のヒドラゾン化合物が
電子写真に対する種々の要求を満たす、ことを見出し本
発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は高分子結着剤に対して溶解性が高く
、高感度にして光疲労の少ない電子写真感光体を得るこ
との出来る次の基膜式ＣＩ）（式中、Ｒ１，Ｒ２，ｎは
前記と同意義を有する）で表わされるＮ 、 Ｎ’−ポ
リメチレンビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアル
デヒドヒドラゾン）誘導体を電荷輸送物質として含有す
る電子写真感光体を提供するものである。
、高感度にして光疲労の少ない電子写真感光体を得るこ
との出来る次の基膜式ＣＩ）（式中、Ｒ１，Ｒ２，ｎは
前記と同意義を有する）で表わされるＮ 、 Ｎ’−ポ
リメチレンビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアル
デヒドヒドラゾン）誘導体を電荷輸送物質として含有す
る電子写真感光体を提供するものである。
上記一般式（１）中の記号の８１としては、メチル基、
エチル基、プルピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基
、イソブチル基、ｎ−アミル基、ｎ−ヘキシル基等の炭
素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ベンジル基、ナ
フチル基等が挙げられ、Ｒ２としてはメチル基、エチル
基等の低級アルキル基が挙げられる。
エチル基、プルピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基
、イソブチル基、ｎ−アミル基、ｎ−ヘキシル基等の炭
素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ベンジル基、ナ
フチル基等が挙げられ、Ｒ２としてはメチル基、エチル
基等の低級アルキル基が挙げられる。
本発明のＮ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
製造するには、まづ、メチルアニリン、エチルアニリン
等のＮ−アルキルアニリンヲーｆｆ式（ＩＩ） Ｘ−（ＣＨ，）ｎ−Ｘ （ＩＩ） （式中、Ｘはクロル又はブロム、ｎは１〜６の数を表わ
す） で表わされるα、ω−ジハロゲン化アルヵンヲ酢酸ソー
ダと共に加熱反応させて、一般式（１）（式中、Ｂｑｗ
”は前記と同意義を有する）で表わされる化合物となし
、次いでこれをり、Ｍ。
アルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
製造するには、まづ、メチルアニリン、エチルアニリン
等のＮ−アルキルアニリンヲーｆｆ式（ＩＩ） Ｘ−（ＣＨ，）ｎ−Ｘ （ＩＩ） （式中、Ｘはクロル又はブロム、ｎは１〜６の数を表わ
す） で表わされるα、ω−ジハロゲン化アルヵンヲ酢酸ソー
ダと共に加熱反応させて、一般式（１）（式中、Ｂｑｗ
”は前記と同意義を有する）で表わされる化合物となし
、次いでこれをり、Ｍ。
１３ｒｏｗｎら： Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ。
ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ。
ｐ２１４７〜２１５４ （１９４８）に記載の方法によ
ジホルミル化し、Ｎ、Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−
Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒド）誘導体［ＩＶ）
（式中、Ｒ２１ｎは前記と同意義を有する）を得る。次
いでこれを、メタノール、エタノール等のアルコール類
、テトラヒドロフラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、酢酸などの単独または混合溶媒中、縮合剤としてピリ
ジン、トリエチルアミンなどの３級アミンまたは無機酸
、酢酸のごとき有機酸の存在下、次の一般式〔ｖ〕（式
中、Ｒ，は前記と同意義を有する）で表わされるヒドラ
ジン類、またはその鉱酸塩と、溶媒の還流温度またはそ
れ以下の温度で反応せしめることによって目的の化合物
を得ることができる。
ジホルミル化し、Ｎ、Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−
Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒド）誘導体［ＩＶ）
（式中、Ｒ２１ｎは前記と同意義を有する）を得る。次
いでこれを、メタノール、エタノール等のアルコール類
、テトラヒドロフラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、酢酸などの単独または混合溶媒中、縮合剤としてピリ
ジン、トリエチルアミンなどの３級アミンまたは無機酸
、酢酸のごとき有機酸の存在下、次の一般式〔ｖ〕（式
中、Ｒ，は前記と同意義を有する）で表わされるヒドラ
ジン類、またはその鉱酸塩と、溶媒の還流温度またはそ
れ以下の温度で反応せしめることによって目的の化合物
を得ることができる。
かくして得られた一般式（１）で表わされるＮ。
Ｎ′−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペ
ンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体は、有機光導電体と
して極めてすぐれた性質を示し、特に電子写真感光体の
電荷輸送物質として用いた場合、高分子結着剤に対する
溶解性がすぐれ、高感度にしてかつ耐久性のすぐれた感
光体を提供することが出来る。
ンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体は、有機光導電体と
して極めてすぐれた性質を示し、特に電子写真感光体の
電荷輸送物質として用いた場合、高分子結着剤に対する
溶解性がすぐれ、高感度にしてかつ耐久性のすぐれた感
光体を提供することが出来る。
前記、Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−ア
ルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体（１
）の代表例を次に例示する。
ルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体（１
）の代表例を次に例示する。
例示化合物
つぎに、本発明の電子写真感光体の基本的な作製方法に
ついて説明するが、勿論、この例をもって本発明を限定
するものではない。
ついて説明するが、勿論、この例をもって本発明を限定
するものではない。
本発明のＮ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
含有する層を有する電子写真感光体は第１図に示すごと
き形に作製することが出来る。、すなわち導電性支持体
（１）の上に、電荷発生物質（２）を主体とする電荷発
生層（３）と、Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４
−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体
を均一に含有する電荷輸送層（４）からなる感光層（５
）を設ける。ここで、Ｎ 、 Ｎ′−ポリメチレンビス
−（４−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）
誘導体は電荷輸送物質として用いられ、結着剤とともに
電荷輸送層を形成する。
アルキルアミノペンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
含有する層を有する電子写真感光体は第１図に示すごと
き形に作製することが出来る。、すなわち導電性支持体
（１）の上に、電荷発生物質（２）を主体とする電荷発
生層（３）と、Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４
−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体
を均一に含有する電荷輸送層（４）からなる感光層（５
）を設ける。ここで、Ｎ 、 Ｎ′−ポリメチレンビス
−（４−アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）
誘導体は電荷輸送物質として用いられ、結着剤とともに
電荷輸送層を形成する。
電荷輸送層を透過した光は電荷発生層中に分散された電
荷発生物質に到達し、電荷を発生させる。
荷発生物質に到達し、電荷を発生させる。
電荷輸送層はこの電荷の注入を受けて、その輸送を行う
。ここで電荷発生物質と、Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレン
ビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒドヒド
ラゾン）誘導体が互に、主として可視領域において吸収
波長領域が重らないということが必要条件である。これ
は電荷発生物質に電荷担体を効率よく発生させるために
は、電荷発生物質表面まで光を透過させる必要があるか
らでおる。
。ここで電荷発生物質と、Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレン
ビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒドヒド
ラゾン）誘導体が互に、主として可視領域において吸収
波長領域が重らないということが必要条件である。これ
は電荷発生物質に電荷担体を効率よく発生させるために
は、電荷発生物質表面まで光を透過させる必要があるか
らでおる。
本発明のＮ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体は
、可視領域にほとんど吸収がなく、一般に可視領域の光
を吸収し電荷を発生する電荷発生物質と組合せた場合、
特に有効に電荷輸送物質として働くのがその特長である
。
アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体は
、可視領域にほとんど吸収がなく、一般に可視領域の光
を吸収し電荷を発生する電荷発生物質と組合せた場合、
特に有効に電荷輸送物質として働くのがその特長である
。
第１図の感光体を作製するには、導電性支持体上に電荷
発生物質を真空蒸着するか、あるいは電荷発生物質の微
粒子を必要に応じて結着剤を溶解した適当な溶媒中に分
散させて得た分散液を塗布、乾燥し、さらに必要があれ
ば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げを行
って膜厚を調整した後、その上に、Ｎ、Ｎ’−ポリメチ
レンビス−（’４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒ
ドヒドラゾン）誘導体、および結着剤を含む溶液を塗布
乾燥して得られる。塗布は通常の手段、例えば、ドクタ
ーブレード、ワイヤーバーなどを用いて行う。
発生物質を真空蒸着するか、あるいは電荷発生物質の微
粒子を必要に応じて結着剤を溶解した適当な溶媒中に分
散させて得た分散液を塗布、乾燥し、さらに必要があれ
ば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げを行
って膜厚を調整した後、その上に、Ｎ、Ｎ’−ポリメチ
レンビス−（’４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデヒ
ドヒドラゾン）誘導体、および結着剤を含む溶液を塗布
乾燥して得られる。塗布は通常の手段、例えば、ドクタ
ーブレード、ワイヤーバーなどを用いて行う。
電荷発生層の厚さは５μ以下で、好ましくは２μ以下で
あシ、電荷輸送層の厚さは３〜５０μ、好ましくは５〜
２０μでおる。また電荷輸送層中のＮ 、 Ｎ’−ポリ
メチレンビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデ
ヒドヒドラゾン）誘導体の割合は１０〜９０重量％、好
ましくは３０〜９０重量％である。
あシ、電荷輸送層の厚さは３〜５０μ、好ましくは５〜
２０μでおる。また電荷輸送層中のＮ 、 Ｎ’−ポリ
メチレンビス−（４−Ｎ−アルキルアミノペンツアルデ
ヒドヒドラゾン）誘導体の割合は１０〜９０重量％、好
ましくは３０〜９０重量％である。
導電性支持体としてはアルミニウムなどの金属板または
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは、導電処理を施した紙などが用い
られる。結着剤としては、ポリエステル樹脂、ポリ塩化
ビニル樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いられるが
、なかでもポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂が
好適である。
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは、導電処理を施した紙などが用い
られる。結着剤としては、ポリエステル樹脂、ポリ塩化
ビニル樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いられるが
、なかでもポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂が
好適である。
電荷発生物質としては、例えば、セレン、硫化カドミウ
ムなどの無機材料、有機材料としては例えばＣＩピグメ
ントブルー２５（カーｙ−−（ｙデックス Ｃｌ２１１
８０）、ＣＩ ピグメントレッド４１（ＣＩ２１２００
）、ＣＩ アシッドレッド５２（ＣＩ４５１００）、Ｃ
Ｉ ベーシックレッド（ＣＩ ４５２１０）などのアゾ
系顔料、ＣＩ ピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１０
０）などの７タロシアニン系顔料、ＣＩバットブラウン
５ （ＣＩ ７３４１０ ）、ＣＩ パットダイ（ＣＩ
７３０３０ ’）などのインジゴ系顔料、アルゴスカ
ーレットＲ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレ
ットＲ（バイエル社製）ナトノヘリレン系顔料、さらに
は、クロロジアンブルーすなわち、４ 、４’−（（３
、３’−ジクロロ−４，４′−ビフエニリレン）ビス（
アゾ）〕−〕ビス〕３−ヒドロキシー２−ナフタリニド
メチル・スクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−メ
チル−４−−ジメチルアミノフェニル）−１、３−シク
ロブタジエンジイリウム−１，３−ジオレート、ヒドロ
キシスクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−ヒドロ
キシ−４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−シクロ
ブタジエンジイリウム−１，３−ジオレートなどの有機
顔料が用いられる。
ムなどの無機材料、有機材料としては例えばＣＩピグメ
ントブルー２５（カーｙ−−（ｙデックス Ｃｌ２１１
８０）、ＣＩ ピグメントレッド４１（ＣＩ２１２００
）、ＣＩ アシッドレッド５２（ＣＩ４５１００）、Ｃ
Ｉ ベーシックレッド（ＣＩ ４５２１０）などのアゾ
系顔料、ＣＩ ピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１０
０）などの７タロシアニン系顔料、ＣＩバットブラウン
５ （ＣＩ ７３４１０ ）、ＣＩ パットダイ（ＣＩ
７３０３０ ’）などのインジゴ系顔料、アルゴスカ
ーレットＲ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレ
ットＲ（バイエル社製）ナトノヘリレン系顔料、さらに
は、クロロジアンブルーすなわち、４ 、４’−（（３
、３’−ジクロロ−４，４′−ビフエニリレン）ビス（
アゾ）〕−〕ビス〕３−ヒドロキシー２−ナフタリニド
メチル・スクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−メ
チル−４−−ジメチルアミノフェニル）−１、３−シク
ロブタジエンジイリウム−１，３−ジオレート、ヒドロ
キシスクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−ヒドロ
キシ−４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−シクロ
ブタジエンジイリウム−１，３−ジオレートなどの有機
顔料が用いられる。
以上のごとくして得られる本発明の感光体は、感度が極
めて高く。かつ可撓性にざみ、帯電露光によシ特性が変
化せず、耐久性に富むなどのすぐれた特長を有するもの
である。
めて高く。かつ可撓性にざみ、帯電露光によシ特性が変
化せず、耐久性に富むなどのすぐれた特長を有するもの
である。
次に合成例、実施例及び比較例によって本発明を説明す
る。
る。
合成例Ｉ
Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノ
ベンツアルデヒド）の合成： Ｎ−エチルアニリン１２１？とエチレンブロマイド９４
？と酢酸ソーダ８２？を１２０℃で８時間加熱反応した
。室温まで冷却した後、ベンゼンにとかし、水洗、乾燥
した粗生成物をエタノールから再結晶して２１７ｙ−の
Ｎ、Ｎ’−エチレンビス−Ｎ−エチルベンゼンを得た。
ベンツアルデヒド）の合成： Ｎ−エチルアニリン１２１？とエチレンブロマイド９４
？と酢酸ソーダ８２？を１２０℃で８時間加熱反応した
。室温まで冷却した後、ベンゼンにとかし、水洗、乾燥
した粗生成物をエタノールから再結晶して２１７ｙ−の
Ｎ、Ｎ’−エチレンビス−Ｎ−エチルベンゼンを得た。
融点７４〜７５℃、理論収率８１チ。Ｎ 、 Ｎ’−エ
チレンビス−Ｎ−エチルベンゼン１３４Ｆ！−よシ、Ｄ
、 Ｍ 、 Ｂｒｏｗｎ等；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ （：：ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、 ｐ
２１４７〜２１５４（１ｊ４８）に記載されている方法
にょシ、ジクロルエタンを溶媒とし、ジメチルホルムア
ミドとオキシ塩化燐を用いてホルミル化し、Ｎ 、 Ｎ
’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノベンツアル
デヒド）１３６Ｐを得た。理論収率は８４チである。
チレンビス−Ｎ−エチルベンゼン１３４Ｆ！−よシ、Ｄ
、 Ｍ 、 Ｂｒｏｗｎ等；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ （：：ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、 ｐ
２１４７〜２１５４（１ｊ４８）に記載されている方法
にょシ、ジクロルエタンを溶媒とし、ジメチルホルムア
ミドとオキシ塩化燐を用いてホルミル化し、Ｎ 、 Ｎ
’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノベンツアル
デヒド）１３６Ｐを得た。理論収率は８４チである。
エタノールで再結晶し、融点１６２〜１６３℃の精製品
を得た。このものの機器分析値は次の通シである。
を得た。このものの機器分析値は次の通シである。
ＮＭＲ（ＣＤＣＪｓ ）、δ（ｐｐｍ）：１．１０（６
Ｈ，ｔ、 Ｊ＝３．６ ）、 ３．５０（８）Ｉ、ｍ）
、 ６．７０（４Ｈ。
Ｈ，ｔ、 Ｊ＝３．６ ）、 ３．５０（８）Ｉ、ｍ）
、 ６．７０（４Ｈ。
ｍ）、 ７．７４（４ｆＬｍ）、 ９．７０ （２Ｈ，
ｓ ）ＭＳ： ３２４（Ｍ＋） 合成例２ Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノ
ベンツアルデヒド−１’＋１’−ジフェニルヒドラゾン
）〔例示化合物（２）〕の合成： Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エテルアミノ
ベンツアルデヒド）３．２４？（０，０１モル）、１．
１−ジフェニルヒドラジン塩酸塩４．４１ｆＰ（０；０
２モル）を、エタノール６０１Ｌｌに加え、さらにピリ
ジン２ｄを加えて１時間加熱攪拌還流した。
ｓ ）ＭＳ： ３２４（Ｍ＋） 合成例２ Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノ
ベンツアルデヒド−１’＋１’−ジフェニルヒドラゾン
）〔例示化合物（２）〕の合成： Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エテルアミノ
ベンツアルデヒド）３．２４？（０，０１モル）、１．
１−ジフェニルヒドラジン塩酸塩４．４１ｆＰ（０；０
２モル）を、エタノール６０１Ｌｌに加え、さらにピリ
ジン２ｄを加えて１時間加熱攪拌還流した。
放冷後、析出した結晶を炉取し、エタノールで洗浄し、
乾燥して例示化合物（２）で示される化合物（淡黄色結
晶）４．５ｙ−を得た。理論収率は７０％である。エタ
ノールで再結晶して、融点１８３〜１８４℃の精製品を
得た。このものの機器分析値は次の通シである。
乾燥して例示化合物（２）で示される化合物（淡黄色結
晶）４．５ｙ−を得た。理論収率は７０％である。エタ
ノールで再結晶して、融点１８３〜１８４℃の精製品を
得た。このものの機器分析値は次の通シである。
ＮＭＲ（ＣＤＣ４ｓ ）、δ（ｐｐｍ） ：１．１２
（６Ｈ，ｔ 、 Ｊ −５，１）、 ３．５１ （８Ｈ
，ｍ ）、 ６．７０〜７．５９（ａｏｎ、ｍ） ＭＳ： ６５６（Ｍ＋） 合成例３ Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノ
ヘンツアルデヒ）”−１’−メチル−１′−フェニルヒ
ドラゾン）〔例示化合物（力〕の合成：Ｎ 、 Ｎ’−
エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノベンツアルデヒ
ド）３．２４Ｐ（０，０１モル）、 １１−メチル−１
−フェニルヒドラジン２．４４ ｐ （０，０２モル）
を、エタノール５ＱａＪに加え、さらに酢酸数滴を加え
て、１時間加熱攪拌還流した。
（６Ｈ，ｔ 、 Ｊ −５，１）、 ３．５１ （８Ｈ
，ｍ ）、 ６．７０〜７．５９（ａｏｎ、ｍ） ＭＳ： ６５６（Ｍ＋） 合成例３ Ｎ 、 Ｎ’−エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノ
ヘンツアルデヒ）”−１’−メチル−１′−フェニルヒ
ドラゾン）〔例示化合物（力〕の合成：Ｎ 、 Ｎ’−
エチレンビス−（４−Ｎ−エチルアミノベンツアルデヒ
ド）３．２４Ｐ（０，０１モル）、 １１−メチル−１
−フェニルヒドラジン２．４４ ｐ （０，０２モル）
を、エタノール５ＱａＪに加え、さらに酢酸数滴を加え
て、１時間加熱攪拌還流した。
放冷後、析出した結晶を戸取し、エタノールで洗浄し、
乾燥して例示化合物（７）で示され汞化合物（淡黄色結
晶）３．７？を得た。理論収率は６９．５１である。エ
タノールで再結晶して一１融点１７６〜１７７℃の精製
品を得た。このものの機器分析値は次の通ｐである。
乾燥して例示化合物（７）で示され汞化合物（淡黄色結
晶）３．７？を得た。理論収率は６９．５１である。エ
タノールで再結晶して一１融点１７６〜１７７℃の精製
品を得た。このものの機器分析値は次の通ｐである。
ＮＭＲ（ＣＤＣＡ ）、δ（ｐｐｍ） ：１．１６（８
Ｈ，ｔ、Ｊ −２，６）、 ３．４４（１２Ｈ，ｍ）、
６．６２〜７．５ｓ（ｚｏＨ，ｍ） ＭＳ 二 ５３２（Ｍ ） 上記合成例１および合成例２２合成例３に準じて合成し
た主な本発明化合物を合成例４〜９として次の第１表に
示す。
Ｈ，ｔ、Ｊ −２，６）、 ３．４４（１２Ｈ，ｍ）、
６．６２〜７．５ｓ（ｚｏＨ，ｍ） ＭＳ 二 ５３２（Ｍ ） 上記合成例１および合成例２２合成例３に準じて合成し
た主な本発明化合物を合成例４〜９として次の第１表に
示す。
以−１光白
実症例１〜１１、比較例
クロロジアンブルー２．０ｙ−を、飽和ポリエステル樹
脂（東洋紡株式会社製「バイロン２００ Ｊ ）を５チ
含有する混合溶剤（トルエン、メチルエチルケトン、酢
酸エチルエステルを各１部混合）１００ｄに混ぜ、振動
ミルを用いて１μ以下に粉砕して電荷担体顔料の分散液
をつくシ、これをアルミニウム蒸着したポリエステルフ
ィルム上ニ、ドクターブレードを用いて塗布し、４５℃
で乾燥して厚さ１〜２μの電荷担体発生層をつくった。
脂（東洋紡株式会社製「バイロン２００ Ｊ ）を５チ
含有する混合溶剤（トルエン、メチルエチルケトン、酢
酸エチルエステルを各１部混合）１００ｄに混ぜ、振動
ミルを用いて１μ以下に粉砕して電荷担体顔料の分散液
をつくシ、これをアルミニウム蒸着したポリエステルフ
ィルム上ニ、ドクターブレードを用いて塗布し、４５℃
で乾燥して厚さ１〜２μの電荷担体発生層をつくった。
一方、合成例２及び３によって得られた化合物、すなわ
ち例示化合物（２）、及び（７）、および、合成例２及
び３に準じて合成した例示化合物ｔ１） 、 ｔ３）
、 （４） 。
ち例示化合物（２）、及び（７）、および、合成例２及
び３に準じて合成した例示化合物ｔ１） 、 ｔ３）
、 （４） 。
（６） 、 （８） 、（イ）、α荀、（６）、α侍、
さらに比較例として、特公昭５４−５９１４３号にて公
知の次の構造式〔■〕、を有するｐ−ジエチルアミノベ
ンツアルデヒドジフェニルヒドラゾンのそれぞれ２？を
、各々ポリカーボネート樹脂３ｙ−とともにジクロロエ
タン４５？に混合して溶解させて電荷輸送層形成液をつ
くった。これを上記電荷担体発生ノー上にドクターブレ
ードを用いて塗布し、４５℃で６時間乾燥して厚さ１０
〜１５μの電荷輸送層を形成せしめ電子写真感光体をつ
くった。この感光体について静電複写紙試験装置ｒｓＰ
−４２８型」（川口電機製作新製）を用いてスタチック
方式で静電特性の評価を行った。先ず、−６ＫＶのコロ
ナ放電によシ帯電せしめ、表面電位Ｖ。（単位は一ボル
ト）を測定し、これを暗所で５秒間保持した後、タング
ステンランプによシ照度５ルックスの光を照射し、表面
電位を半分に減衰させる必要な露光量すなわち半減露光
量Ｅ １／２ （ルックス・秒）をめ、また、２０秒間
光減衰させたときの残留電位ＶＲをめた。次いで１万ル
ツクスの光を３秒間照射して残留電荷を除電して１回の
サイクルを終了する。これを連続して２００回繰り返し
、２００回目に同様の測定を行った。結果を第２表に示
す。
さらに比較例として、特公昭５４−５９１４３号にて公
知の次の構造式〔■〕、を有するｐ−ジエチルアミノベ
ンツアルデヒドジフェニルヒドラゾンのそれぞれ２？を
、各々ポリカーボネート樹脂３ｙ−とともにジクロロエ
タン４５？に混合して溶解させて電荷輸送層形成液をつ
くった。これを上記電荷担体発生ノー上にドクターブレ
ードを用いて塗布し、４５℃で６時間乾燥して厚さ１０
〜１５μの電荷輸送層を形成せしめ電子写真感光体をつ
くった。この感光体について静電複写紙試験装置ｒｓＰ
−４２８型」（川口電機製作新製）を用いてスタチック
方式で静電特性の評価を行った。先ず、−６ＫＶのコロ
ナ放電によシ帯電せしめ、表面電位Ｖ。（単位は一ボル
ト）を測定し、これを暗所で５秒間保持した後、タング
ステンランプによシ照度５ルックスの光を照射し、表面
電位を半分に減衰させる必要な露光量すなわち半減露光
量Ｅ １／２ （ルックス・秒）をめ、また、２０秒間
光減衰させたときの残留電位ＶＲをめた。次いで１万ル
ツクスの光を３秒間照射して残留電荷を除電して１回の
サイクルを終了する。これを連続して２００回繰り返し
、２００回目に同様の測定を行った。結果を第２表に示
す。
実施例１２
実施例１において、クロロジアンブルーに替えて、電荷
担体発生顔料として、β型銅フタロシアニンをエタノー
ル、ベンゼンを用いて順次に加熱、濾過して精製した材
料を用い、例示化合物（２）を電荷輸送物質として用い
て、実施例１と同様の操作によシミ子写真感光体をつく
シ、実施例１と同様にして性能試験を行った。結果は第
２表に示した。
担体発生顔料として、β型銅フタロシアニンをエタノー
ル、ベンゼンを用いて順次に加熱、濾過して精製した材
料を用い、例示化合物（２）を電荷輸送物質として用い
て、実施例１と同様の操作によシミ子写真感光体をつく
シ、実施例１と同様にして性能試験を行った。結果は第
２表に示した。
実施例１３
実施例１において、クロロジアンブルーに替えて下記の
構造、 を有するスクワリン酸系顔料を電荷担体発生顔料として
用い、例示化合物（２）を電荷担体輸送物質としそ用い
て、実施例１と同様な操作によシミ子写真感光体をつ＜
シ、実施例１と同様にして性能試験を行った。結果は第
２表に示した。
構造、 を有するスクワリン酸系顔料を電荷担体発生顔料として
用い、例示化合物（２）を電荷担体輸送物質としそ用い
て、実施例１と同様な操作によシミ子写真感光体をつ＜
シ、実施例１と同様にして性能試験を行った。結果は第
２表に示した。
第 ２ 表
以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は、優れた繰シ返し帯電特性を有していることから、
耐久性すなわち画像濃度の保持性が極めて優れているこ
とを示している。
体は、優れた繰シ返し帯電特性を有していることから、
耐久性すなわち画像濃度の保持性が極めて優れているこ
とを示している。
第１図は、本発明の電子写真感光体の１例の断面図を示
す。 １・・・導電性支持体 ２・・・電荷発生物質３・・・
電荷発生ノー ４・・・Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
含有する電荷輸送層 ５・・・感光層 以上 第１図 出願人 高砂香料工業株式会社
す。 １・・・導電性支持体 ２・・・電荷発生物質３・・・
電荷発生ノー ４・・・Ｎ 、 Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノベンツアルデヒドヒドラゾン）誘導体を
含有する電荷輸送層 ５・・・感光層 以上 第１図 出願人 高砂香料工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電体支持上に、電荷発生層と電荷輸送層を設けた電子
写真感光体において、電荷輸送層として次の基膜式ＣＩ
） （式中、Ｒ１は炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基
、ベンジル基又はす７チル基、Ｒ２は低級アルキル基、
ｎは１〜６の整数を表わす） で表わされるＮ、Ｎ’−ポリメチレンビス−（４−Ｎ−
アルキルアミノベンツアルデヒドラゾン）′誘導体を含
有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7632284A JPS60218652A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7632284A JPS60218652A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218652A true JPS60218652A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13602124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7632284A Pending JPS60218652A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218652A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233156A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 新規なビスヒドラゾン類 |
| US4889785A (en) * | 1987-12-10 | 1989-12-26 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Electrophotographic light-sensitive material |
| JPH02226160A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2009168889A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Kyocera Mita Corp | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7632284A patent/JPS60218652A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233156A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 新規なビスヒドラゾン類 |
| US4889785A (en) * | 1987-12-10 | 1989-12-26 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Electrophotographic light-sensitive material |
| JPH02226160A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0516025B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1993-03-03 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | |
| JP2009168889A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Kyocera Mita Corp | 電子写真感光体 |
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