JPS601980B2 - 自動リセット回路 - Google Patents

自動リセット回路

Info

Publication number
JPS601980B2
JPS601980B2 JP54063714A JP6371479A JPS601980B2 JP S601980 B2 JPS601980 B2 JP S601980B2 JP 54063714 A JP54063714 A JP 54063714A JP 6371479 A JP6371479 A JP 6371479A JP S601980 B2 JPS601980 B2 JP S601980B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
reset signal
level
turned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54063714A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55156420A (en
Inventor
攻 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP54063714A priority Critical patent/JPS601980B2/ja
Priority to US06/150,793 priority patent/US4385243A/en
Priority to DE3019235A priority patent/DE3019235C2/de
Priority to NL8002920A priority patent/NL8002920A/nl
Publication of JPS55156420A publication Critical patent/JPS55156420A/ja
Publication of JPS601980B2 publication Critical patent/JPS601980B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K2017/226Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in bipolar transistor switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フリップフロツプ回隣等に電源投入で自動的
にリセット信号を送るリセット回路に関する。
デジタル技術の分野においてはフリツプフロツプ回路が
多く用いられているが、これは周知の如くセット信号と
りセット信号によりハイ日、ローLのいずれかの出力状
態をとる。
カゥンタなどは多数のか)るフリツプフロップの日,L
出力状態で計数を行なうが、プリセットなどを行なう特
殊な場合を除いて計数開始時にはすべてのフリップフロ
ップを初期状態(これをリセット状態という)にする必
要がある。また最近集積回路は益々大規模化しつ)あり
、チップ内に搭載されるフリップフロッブ、各種ゲート
、その他回路素子の数は極めて多数になっているが、そ
の割ににチップのピン数は制限されており、電源、信号
線などにピンが優先割当てされるので、初期状態へのり
セット用信号などのいわば付加的なものはピンを使用し
ないことが望まれている。そこでか)るリセット信号出
力回路はIC内に組込み、電源投入で電源珠豪電位が立
上るとき自動的にリセット信号を出力させることが考え
られている。本発明もこの種目動リセット信号出力回路
を提供しようとするものであり、その特徴とする所は電
源が投入されて電源線の電位が定常値へ立上るとき、そ
の立上り途中の第1のレベルでオンになってリセツト信
号を出力するトランジスタ回路と、該第1のレベルより
大きい第2のレベルに電源鞠塚電位が到達するときオン
になって前記トランジスタ回路のリセット信号出力を停
止させ、電源線爵位が前記第1のレベルより低い所定レ
ベル以下に低下する迄オン状態を維持するラッチ回路と
からなる点にある。
この回路によればICチップへの電源投入で自動的にリ
セット信号が出力されるからICチップのピン数を増加
させることがなく、またラッチ回路を備えていて電源電
位が低下してもリセット信号を出力することはないから
誤動作の恐れがない利点が得られる。以下、実施例に基
づいて本発明を詳細に説明する。第1図は本発明の実施
例を示す図であり、破線aで囲まれた電源線1,の電圧
Vccの検出回路部分、破線bで囲まれたサィリスタの
構成を持つラッチ回路部分、それの後の破線で囲まれて
いないセット又はリセット信号出力回路部分からなる。
検出回路aは抵抗R,、3個のダイオードD、抵抗R2
を直列接続して成る。ラッチ回路bは抵抗R3をpnp
トランジスタT2のェミッタE2に、該トランジスタの
コレクタC2をトランジスタT,のベースB,に、そし
てトランジスタT,のコレクタC,をトランジスタT2
のベースB2にそれぞれ接続して成る。セット又はリセ
ット信号の出力回路は、抵抗R4をトランジスタTのコ
レクタC3に、トランジスタLのェミッタE3を抵抗R
5とトランジスタT4のベースB4へ接続し、抵抗R6
はトランジスタT4のコレクタC4にそれぞれ接続して
成る。そしてトランジスタT,のベースBは抵抗R2と
ダイオードDとの接続点に接続して入力信号を受けるよ
うにし、トランジスタT3のベース&は抵抗R3とトラ
ンジスタT2のェミッタE2との接続点に接続し、抵抗
R,,R3,R4,R6の各他端は共通に電源線1,へ
接続し、さらに抵抗R2、トランジスタT,のェミッタ
E,、抵抗R5およびトランジスタT4のェミッタT4
は共通に他方の電源線(グランド)12に接続する。セ
ット又はリセット信号VoはトランジスタT4のコレク
タC4から取り出す。次に第1図と第2図を参照し乍ら
本回路の動作を説明する。電源を投入すると電圧線1,
の電位Vccは零から立上つて、例えば5Vなどの定常
値に落着く。
この電圧立上りの途中において電圧Vccが2V88(
VBEはトランジスタのベース、ェミツタ間蟹圧で0.
桝程度。これはダイオードDの順万向電圧降下とも等し
い。)に達すると、トランジスタL,T4共にオンとな
り、電源電圧と共に上昇していた出力電圧Voは○(ロ
ーレベル)に落ちる。検出回路aではダイオードDが3
個直列に接続されているのでこの回路ではまだ電流が流
れず、従ってラツチ回路bのトランジスタT,はベース
電流を供給されないからオフであり、この結果トランジ
スタT2もオフである。電圧VccがVcc=4VB8
(V)以上になると、電流laが抵抗R,、3個のダイ
オードD、トランジスタT,のベースBおよびェミッタ
E,を通って流れ、該トランジスタT,はベース電流を
供給されてオソとなる。この結果抵抗R3、トランジス
タT2のェミッタE2、ベースB2、トランジスタT,
のコレクタC,、エミツタE,の経路に電流が流れ、ト
ランジスタT2はベース電流を供孫貧されてオンとなる
。こうしてトランジスタT,,T2共にオンになり、し
かも一方のトランジスタのベース電流は他方のトランジ
スタにより供給されるからラッチされた状態となり、入
力信号である検出回路bの抵孔R2とダイオードDの接
続点の電圧とは無関係に互いに他方をオン状態に保持し
合う。つまりトランジスタT,,Lはサィリスタ回路を
構成し、一旦ベースBに電圧がか)つてオンになると電
源電圧Vccを○近傍(V88程度)まで落さない限り
オン状態を保持する。トランジスタT,,T2がオンに
なるとトランジスタ公のベースはローレベルに落され、
トランジスタT3はベース電流が供給されないのでオフ
となり、従ってトランジスタT4もオフとなって出力電
圧VoはVo:Vccとなり、リセット信号としての機
能を矢なう。こうして出力電圧Voは電源立上り特に第
2図で矢印F,,F2,F3,F4で示す経路を辿り、
2V88〜4V88の期間でリセツト信号となる。ここ
で第1図aにある直列接続されたダイオードの数や順方
向電圧を変更することにより、リセツト信号がなくなる
電源電圧を4VB8以外の値とすることも可能である。
ラツチ回路がオンになると電圧Vccを下げてもオン状
態が続くので矢印F5,F6で示すように出力電圧V6
は電源Vccの低下と同じ経過を辿り、リセット信号は
生じない。従って電源を切る場合または何らかの原因で
電源電圧の低下があってもリセット信号は出ない。これ
は、例えばTTU司路では電源電圧Vccを別付近にし
て動作させるのが通常であるが、実際には3V付近まで
低下しても動作し、か)る場合にリセット信号を生じな
いので誤動作を回避できる利点がある。第3図および第
4図は第1図におけるトランジスタT,.T2によるサ
ィIJスタ素子の構成例を示し、第3図はその平面図、
第4図は断面図である。
これらの図において、Subは基板であり、n十bはn
+型埋込層、Wはn型ェピタキシャル層、lsoはWの
アイソレーション層である。またE2e,B,c,E,
cはエミツタE2、ベースB,、エミツタE,に対する
コンタクト部分、LにトランジスタT,に対する入力信
号配線、L2はトランジスタ公のベース等へ至る信号配
線である。他の符号は第1図と同じである。このような
ラテラルトランジスタT2、バーチカルトランジスタT
,、両トランジスタのベース、コレクタ領域の共用とい
うパターン配置をとると通常の工程でpnpn素子T,
,Lを作ることができ、集積回路に組込むのに好適であ
る。以上詳細に説明したように本発明によれば、電源、
信号用などにICチップのピンを使用し、リセット信号
用にピンを使用する必要はないのでピン数を低減でき、
電源を入れることにより自動的にセット又はリセット信
号を出すことができる。
しかも一旦動作すると電源電圧が抵下したような場合に
もリセット信号を生じることがなく、謀動作の恐れがな
い。こうして外部リセット信号端子がなくても初期状態
がさまるのでカゥンタのフリップフロップ等の試験を簡
単に行なうことができ、また不良解析にも便利である。
さらに構造が比較的簡易であり、特殊な工程によらなく
とも製作できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図は本発明
の動作を説明するグラフt第3図および第4図は本発明
の実施例に用いられるサィリスタ素子の構造を示す平面
図および断面図である。 図中Vccは電源線電位、1,は電源線、aは電源電圧
検出回路、bはラツチ回路、T3,T4はトランジスタ
。第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電源が投入されて電源線の電位が定常値へ立上ると
    き、その立上り途中の第1のレベルでオンになってリセ
    ツト信号を出力するトランジスタ回路と、該第1のレベ
    ルより大きい第2のレベルに電源線電位が到達するとき
    オンになって前記トランジスタ回路のリセツト信号出力
    を停止させ、電源線電位が前記第1のレベルより低い所
    定レベル以下に低下する迄オン状態を維持するラツチ回
    路とからなることを特徴とする自動リセツト回路。 2 トランジスタ回路およびラツチ回路が集積回路チツ
    プに搭載され、該集積回路内フリツプフロツプ等のリセ
    ツト必要回路素子へ該トランジスタ回路の出力端が接続
    されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    自動リセツト回路。
JP54063714A 1979-05-23 1979-05-23 自動リセット回路 Expired JPS601980B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54063714A JPS601980B2 (ja) 1979-05-23 1979-05-23 自動リセット回路
US06/150,793 US4385243A (en) 1979-05-23 1980-05-19 Automatic reset circuit
DE3019235A DE3019235C2 (de) 1979-05-23 1980-05-20 Schaltung zum Rücksetzen von bistabilen Kreisen
NL8002920A NL8002920A (nl) 1979-05-23 1980-05-21 Automatische terugstelschakeling.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54063714A JPS601980B2 (ja) 1979-05-23 1979-05-23 自動リセット回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55156420A JPS55156420A (en) 1980-12-05
JPS601980B2 true JPS601980B2 (ja) 1985-01-18

Family

ID=13237321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP54063714A Expired JPS601980B2 (ja) 1979-05-23 1979-05-23 自動リセット回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4385243A (ja)
JP (1) JPS601980B2 (ja)
DE (1) DE3019235C2 (ja)
NL (1) NL8002920A (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE35313E (en) * 1981-04-17 1996-08-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges from normal operation and performing of aging tests
US5493572A (en) * 1981-04-17 1996-02-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges for normal operation and performing of aging tests
JPS57176432A (en) * 1981-04-24 1982-10-29 Toshiba Corp Automatic clear circuit
JPS5894233A (ja) * 1981-11-30 1983-06-04 Fujitsu Ltd Ttl論理回路
JPS58137329A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 Nec Corp 入力信号線断線検出回路
US5566185A (en) * 1982-04-14 1996-10-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
EP0092145B1 (en) * 1982-04-21 1988-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Transistor circuit
DE3336640A1 (de) * 1982-10-13 1984-04-19 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Elektrische steueranordnung mit netz-ein-reset-schaltung
US4525638A (en) * 1984-01-16 1985-06-25 Motorola, Inc. Zener referenced threshold detector with hysteresis
JPS6148228A (ja) * 1984-08-03 1986-03-08 アドバンスト・マイクロ・デイバイシズ・インコーポレーテツド パワーアツプ回路
US4701639A (en) * 1985-12-09 1987-10-20 National Semiconductor Corporation Threshold detector circuit and method
JPS6315523A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Fujitsu Ltd 論理回路
JP2573393B2 (ja) * 1990-05-17 1997-01-22 株式会社東芝 コンパレータ回路
US5111067A (en) * 1991-04-29 1992-05-05 Intel Corporation Power up reset circuit
DE4115413C2 (de) * 1991-05-10 1994-05-26 Texas Instruments Deutschland Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Schaltimpulses
US5313112A (en) * 1991-12-23 1994-05-17 Ford Motor Company Low voltage inhibiting circuit for a microcomputer
JPH0684415U (ja) * 1993-05-14 1994-12-02 財団法人高雄市信誼文教及慈善事業基金会 可変透視鏡
US5565807A (en) * 1994-09-16 1996-10-15 National Semiconductor Corporation BiCMOS power-up circuit with hysteresis
US5801561A (en) * 1995-05-01 1998-09-01 Intel Corporation Power-on initializing circuit
US6498523B1 (en) * 1995-10-19 2002-12-24 Compaq Information Technologies Group, L.P. Circuit for powering up a microprocessor
ITRM20010522A1 (it) * 2001-08-30 2003-02-28 Micron Technology Inc Sequenziale di "power-on-reset" condizionato e robusto a potenza ultrabassa per circuiti integrati.
JP2003092223A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Densei Lambda Kk インダクタンス部品
EP2696503B1 (en) * 2012-08-06 2016-11-09 Rohm Co., Ltd. Power on reset circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3679912A (en) * 1971-06-09 1972-07-25 Allied Control Co Overvoltage-undervoltage sensor
US3895239A (en) * 1973-12-26 1975-07-15 Motorola Inc MOS power-on reset circuit
US4013902A (en) * 1975-08-06 1977-03-22 Honeywell Inc. Initial reset signal generator and low voltage detector
SE396853B (sv) * 1976-11-12 1977-10-03 Ericsson Telefon Ab L M Tvapol innefattande en transistor
JPS54102477A (en) * 1978-01-30 1979-08-11 Toyoda Mach Works Ltd Sequence controller output device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55156420A (en) 1980-12-05
NL8002920A (nl) 1980-11-25
DE3019235C2 (de) 1982-06-09
DE3019235A1 (de) 1980-11-27
US4385243A (en) 1983-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS601980B2 (ja) 自動リセット回路
JP2536871B2 (ja) オフ・チップ駆動回路
US4800418A (en) Integrated circuit with improved monitoring function by use of built-in elements
US5019772A (en) Test selection techniques
JPH04213074A (ja) 電源監視回路
US6882203B2 (en) Latch circuit for holding detection state of a signal
JPH02105620A (ja) 低電圧ロックアウト回路
JP2560010B2 (ja) 積層pnpトランジスタ−の反飽和回路
JPH0377666B2 (ja)
JP3190169B2 (ja) 半導体集積回路
JP2751372B2 (ja) 半導体装置
US3562560A (en) Transistor-transistor logic
JPS5826392A (ja) Mosメモリ用センス回路
JPH07176696A (ja) 半導体集積回路
JPS6126940Y2 (ja)
JP2820337B2 (ja) パッケージ挿抜検出回路及びそれが配設されたパッケージ
JP3484736B2 (ja) 半導体装置
JPS61150229A (ja) 集積回路
JPH04258151A (ja) 半導体集積回路
JPH0147049B2 (ja)
JPH0216052B2 (ja)
JPS6315523A (ja) 論理回路
JPH06350037A (ja) バイポーラ型半導体集積回路
JPH03101265A (ja) 半導体集積回路
KR19980044847U (ko) 중앙처리장치 리셋회로